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21. 发明专利

TWI257960B 用於電解化學機械研磨之電解液組合物及其處理 ELECTROLYTE COMPOSITION AND TREATMENT FOR ELECTROLYTIC CHEMICAL MECHANICAL POLISHING 失效
简体标题：用于电解化学机械研磨之电解液组合物及其处理 ELECTROLYTE COMPOSITION AND TREATMENT FOR ELECTROLYTIC CHEMICAL MECHANICAL POLISHING
公开(公告)号：TWI257960B
公开(公告)日：2006-07-11
申请号：TW091137066
申请日：2002-12-23
申请人：應用材料股份有限公司 APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：艾倫杜布斯特 ALAIN DUBOUST , 劉鳳全 FENG Q. LIU , 王彥 YAN WANG , 陳良毓 LIANG-YUH CHEN , 孫立中 LIZHONG SUN , 王雨春 YUCHUN WANG , 梁秀仙 SIEW NEO
IPC分类号： C23C
CPC分类号： B23H3/08 , B23H5/08 , B24B37/0056 , B24B37/044 , B24B37/046 , C09G1/04 , C25F3/02 , H01L21/32125 , H01L21/32134
摘要：提供一電解液組合物和使用該電解液成分平面化(planarizing)晶圓(wafer)表面之方法。在一態樣中，該電解液組合物含有磷酸二氫銨(ammonium dihydrogen phosphate)、磷酸氫二銨(diammonium hydrogen phosphate)或兩者之混合。該成分之pH值介於大約3至大約10，不但親環境(environmental friendly)且無須擔憂操作危險。該組合物可能更包含以下添加物中之一種或多種：苯并三唑(benzotriazole)、檸檬酸銨(ammonium citrate)、乙二胺(ethylenediamine)、四伸乙五胺(tetraethylenepentamine，亦稱四乙五胺)、三伸乙四胺(triethylenetetramine，亦稱三乙四胺)、二伸乙三胺(diethylenetriamine，亦稱二乙三胺)、氨基酸(amino acid)、草酸銨(Ammonium oxalate)、氨(ammonia)、丁二酸銨(ammonium succinate)、以及檸檬酸(citric acid)。
简体摘要：提供一电解液组合物和使用该电解液成分平面化(planarizing)晶圆(wafer)表面之方法。在一态样中，该电解液组合物含有磷酸二氢铵(ammonium dihydrogen phosphate)、磷酸氢二铵(diammonium hydrogen phosphate)或两者之混合。该成分之pH值介于大约3至大约10，不但亲环境(environmental friendly)且无须担忧操作危险。该组合物可能更包含以下添加物中之一种或多种：苯并三唑(benzotriazole)、柠檬酸铵(ammonium citrate)、乙二胺(ethylenediamine)、四伸乙五胺(tetraethylenepentamine，亦称四乙五胺)、三伸乙四胺(triethylenetetramine，亦称三乙四胺)、二伸乙三胺(diethylenetriamine，亦称二乙三胺)、氨基酸(amino acid)、草酸铵(Ammonium oxalate)、氨(ammonia)、丁二酸铵(ammonium succinate)、以及柠檬酸(citric acid)。

22. 发明专利

TW200617150A 研磨液組合物 POLISHING COMPOSITION 审中-公开
简体标题：研磨液组合物 POLISHING COMPOSITION
公开(公告)号：TW200617150A
公开(公告)日：2006-06-01
申请号：TW094123663
申请日：2005-07-13
申请人：花王股份有限公司 KAO CORPORATION
发明人：西本和彥 NISHIMOTO, KAZUHIKO , 平幸治 TAIRA, KOUJI , 末永憲一 SUENAGA, KENICHI , 本間祐一 HONMA, YUICHI
IPC分类号： C09K , C09G , B24D
CPC分类号： G11B5/8404 , B24B37/0056 , B24B37/044 , C09G1/02 , C09K3/1409 , C09K3/1463
摘要：本發明係關於一種滿足以下條件之含有研磨材與水且pH值為0.1～7之研磨液組合物：(1)每1 cm^3研磨液組合物中，0.56 μm以上且未達1 μm之研磨粒子為500,000個以下，以及(2)對於研磨液組合物中之全部研磨粒子，1 μm以上之研磨粒子為0.001重量％以下；又，關於一種滿足以下條件且含有研磨材與水之研磨粒子調製液，其用於上述研磨液組合物之調製：(i)每1 cm^3研磨粒子調製液中，0.56 μm以上且未達1 μm之研磨粒子為500,000個以下，以及(ii)對於研磨粒子調製液中之全部研磨粒子，1 μm以上之研磨粒子為0.001重量％以下；又，關於一種具有以下純化步驟之上述研磨液組合物之製造方法，其步驟I中之過濾器入口壓力之變動幅度為50 kPa以下：(I)以深度型過濾器過濾純化前之研磨液組合物，獲得中間過濾物之步驟，以及(II)以波浪型過濾器過濾此中間過濾物，獲得研磨液組合物之步驟；又，關於一種具有以下純化步驟之上述研磨粒子調製液之製造方法，其步驟I’中之過濾器入口壓力之變動幅度為50 kPa以下：(I’)以深度型過濾器過濾純化前之研磨粒子調製液，獲得中間過濾物之步驟，以及(II’)以波浪型過濾器過濾此中間過濾物，獲得研磨粒子調製液之步驟；以及，關於一種基板之製造方法，其具有使用上述研磨液組合物藉由研磨機研磨基板之步驟。
简体摘要：本发明系关于一种满足以下条件之含有研磨材与水且pH值为0.1～7之研磨液组合物：(1)每1 cm^3研磨液组合物中，0.56 μm以上且未达1 μm之研磨粒子为500,000个以下，以及(2)对于研磨液组合物中之全部研磨粒子，1 μm以上之研磨粒子为0.001重量％以下；又，关于一种满足以下条件且含有研磨材与水之研磨粒子调制液，其用于上述研磨液组合物之调制：(i)每1 cm^3研磨粒子调制液中，0.56 μm以上且未达1 μm之研磨粒子为500,000个以下，以及(ii)对于研磨粒子调制液中之全部研磨粒子，1 μm以上之研磨粒子为0.001重量％以下；又，关于一种具有以下纯化步骤之上述研磨液组合物之制造方法，其步骤I中之过滤器入口压力之变动幅度为50 kPa以下：(I)以深度型过滤器过滤纯化前之研磨液组合物，获得中间过滤物之步骤，以及(II)以波浪型过滤器过滤此中间过滤物，获得研磨液组合物之步骤；又，关于一种具有以下纯化步骤之上述研磨粒子调制液之制造方法，其步骤I’中之过滤器入口压力之变动幅度为50 kPa以下：(I’)以深度型过滤器过滤纯化前之研磨粒子调制液，获得中间过滤物之步骤，以及(II’)以波浪型过滤器过滤此中间过滤物，获得研磨粒子调制液之步骤；以及，关于一种基板之制造方法，其具有使用上述研磨液组合物借由研磨机研磨基板之步骤。

23. 发明专利

TW200520895A 研磨裝置及工作片之研磨方法 POLISHING APPARATUS AND METHOD OF POLISHING WORK PIECE 审中-公开
简体标题：研磨设备及工作片之研磨方法 POLISHING APPARATUS AND METHOD OF POLISHING WORK PIECE
公开(公告)号：TW200520895A
公开(公告)日：2005-07-01
申请号：TW093135106
申请日：2004-11-16
申请人：土肥俊郎 TOSHIRO DOI , 不二越機械工業股份有限公司 FUJIKOSHI MACHINERY CORP.
发明人：土肥俊郎 TOSHIRO DOI , 亞拉菲利浦鄉 ARA PHILIPOSSIAN , 達靈狄那爾迪司 DARREN DENARDIS
IPC分类号： B24B
CPC分类号： H01L21/3212 , B24B37/0056 , B24B37/04 , B24B57/02 , H01L21/31053
摘要：研磨裝置能夠改變泥漿之pH值以調整研磨率，並把工作片研磨成高度平整。研磨裝置包含：一壓力容器；一在壓力容器內的研磨板；一壓工作片於研磨板上的施壓板；一對施壓板相對移動研磨板的驅動單元，藉此研磨工作片；一供應鹼性或酸性氣體於壓力容器的氣體供應源；一從壓力容器排放所供應之氣體的氣體排放部；及一供應泥漿於研磨板的泥漿供應單元。泥漿的pH值係以溶解鹼性或酸性氣體於泥漿中來調整。
简体摘要：研磨设备能够改变泥浆之pH值以调整研磨率，并把工作片研磨成高度平整。研磨设备包含：一压力容器；一在压力容器内的研磨板；一压工作片于研磨板上的施压板；一对施压板相对移动研磨板的驱动单元，借此研磨工作片；一供应碱性或酸性气体于压力容器的气体供应源；一从压力容器排放所供应之气体的气体排放部；及一供应泥浆于研磨板的泥浆供应单元。泥浆的pH值系以溶解碱性或酸性气体于泥浆中来调整。

24. 发明专利

TW200513521A 研磨基材的方法及組合物 METHOD AND COMPOSITION FOR POLISHING A SUBSTRATE 审中-公开
简体标题：研磨基材的方法及组合物 METHOD AND COMPOSITION FOR POLISHING A SUBSTRATE
公开(公告)号：TW200513521A
公开(公告)日：2005-04-16
申请号：TW093116347
申请日：2004-06-07
申请人：應用材料股份有限公司 APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：劉鳳全 LIU, FENG Q. , 陳良毓 CHEN, LIANG-YUH , 蔡東辰 TSAI, STAN D. , 杜布斯特艾倫 DUBOUST, ALAIN , 梁秀仙 NEO, SIEW S. , 胡永其 HU, YONGQI , 王焱 WANG, YAN , 巴特菲爾德保羅D BUTTERFIELD, PAUL D.
IPC分类号： C09K
CPC分类号： B23H3/08 , B23H5/08 , B24B37/0056 , B24B37/044 , B24B37/046 , C09G1/04 , C25F3/02 , H01L21/3212 , H01L21/32125 , H01L21/32134 , H01L21/7684
摘要：茲提供一種處理一其上具有一導電材料層之基材的方法。該方法包括將該基材置於一製程設備中，並於該基材間供應一第一研磨組成物。該研磨組成物至少包含磷酸、至少一螫合劑、一腐蝕抑制劑、鹽類、氧化劑、研磨粒子、至少一pH調整劑(用以提供約4至約7之pH值)以及一溶劑。該方法更包括於該導電材料層上形成一鈍態層；移除該鈍態層以暴露該導電材料層之一部份；施加一第一偏壓予該基材；以及移除至少約50％之導電材料層。該方法更包括將該基材由該第一研磨組成物提取出；將該基材暴露至一第二研磨組成物及一第二偏壓下；以及持續移除該導電材料層。
简体摘要：兹提供一种处理一其上具有一导电材料层之基材的方法。该方法包括将该基材置于一制程设备中，并于该基材间供应一第一研磨组成物。该研磨组成物至少包含磷酸、至少一螫合剂、一腐蚀抑制剂、盐类、氧化剂、研磨粒子、至少一pH调整剂(用以提供约4至约7之pH值)以及一溶剂。该方法更包括于该导电材料层上形成一钝态层；移除该钝态层以暴露该导电材料层之一部份；施加一第一偏压予该基材；以及移除至少约50％之导电材料层。该方法更包括将该基材由该第一研磨组成物提取出；将该基材暴露至一第二研磨组成物及一第二偏压下；以及持续移除该导电材料层。

25. 发明专利

TW546724B 應用最終研磨方法加工一半導體晶圓之方法及裝置失效
简体标题：应用最终研磨方法加工一半导体晶圆之方法及设备
公开(公告)号：TW546724B
公开(公告)日：2003-08-11
申请号：TW090120117
申请日：2001-08-16
申请人： MEMC電子材料公司
发明人：艾歷克斯葛拉伯 , 米雪兒L 哈勒 , 艾許莉S 胡爾 , 米克比吉洛帕利克 , 光奎(大衛)張 , 哈瑞F 俄克 , 辛元寶
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/02052 , B24B37/0056 , B24B37/042 , B24B37/08 , B24B53/017 , H01L21/02024 , Y10S438/928 , Y10S438/959
摘要：一種半導體晶圓的製造方法，包括提供一塊(ingot)半導體材質，從該塊狀將該晶圓切片，以及對該晶圓進行處理以提高該前表面及該後表面的平行度(parallelism)。至少在該前表面上會藉由在第一襯墊(pad)與第二襯墊之間放置晶圓以進行最終研磨加工，並且取得該晶圓前表面與後表面相對於該第一與第二襯墊的移動關係以保持該前後表面的平行度，並且至少在該晶圓的前表面上產生一拋光漆(finish)如此便可以利用該前表面進行積體電路製造。在另一個觀點中，會利用清洗液體(rinsing)對該晶圓進行清洗以增加其潤滑程度。可以使用其它的方法調整該研磨襯墊的狀態，並且在研磨之後對晶圓進行處理。還包括一種用以研磨晶圓的裝置。
简体摘要：一种半导体晶圆的制造方法，包括提供一块(ingot)半导体材质，从该块状将该晶圆切片，以及对该晶圆进行处理以提高该前表面及该后表面的平行度(parallelism)。至少在该前表面上会借由在第一衬垫(pad)与第二衬垫之间放置晶圆以进行最终研磨加工，并且取得该晶圆前表面与后表面相对于该第一与第二衬垫的移动关系以保持该前后表面的平行度，并且至少在该晶圆的前表面上产生一抛光漆(finish)如此便可以利用该前表面进行集成电路制造。在另一个观点中，会利用清洗液体(rinsing)对该晶圆进行清洗以增加其润滑程度。可以使用其它的方法调整该研磨衬垫的状态，并且在研磨之后对晶圆进行处理。还包括一种用以研磨晶圆的设备。

26. 发明专利

TW516119B 金屬基材之化學機械平面化有权
简体标题：金属基材之化学机械平面化
公开(公告)号：TW516119B
公开(公告)日：2003-01-01
申请号：TW090119649
申请日：2001-08-10
申请人：羅德爾控股公司
发明人：吉尼 C 曼得格 , 伊恩 G 蘇勒維 , 羅斯 E 貝可二世 , 溫蒂 B 葛登博格 , 克芮格 D 拉克
IPC分类号： H01L
CPC分类号： C09G1/02 , B24B37/0056 , B24B37/04 , B24B37/044
摘要：一種經由將壓台速度對托架速度之比(PS比CS)控制於特定範圍內，或經由控制利用在約150：1至約1：150之範圍內之 PS對CS比之第一拋光步驟，隨後控制利用每分鐘約0至20轉之壓台速度，同時維持在第一拋光步驟中所使用之托架速度之第二拋光步驟，而利用拋光墊將托架中之晶圓拋光之方法，其經由拋光而將自圖案化晶圓表面移除之殘留材料的清除最大化。
简体摘要：一种经由将压台速度对托架速度之比(PS比CS)控制于特定范围内，或经由控制利用在约150：1至约1：150之范围内之 PS对CS比之第一抛光步骤，随后控制利用每分钟约0至20转之压台速度，同时维持在第一抛光步骤中所使用之托架速度之第二抛光步骤，而利用抛光垫将托架中之晶圆抛光之方法，其经由抛光而将自图案化晶圆表面移除之残留材料的清除最大化。

27. 发明专利

TWI557195B 合成石英玻璃基板用研磨劑有权
简体标题：合成石英玻璃基板用研磨剂
公开(公告)号：TWI557195B
公开(公告)日：2016-11-11
申请号：TW098119423
申请日：2009-06-10
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：原田大實 , HARADA, DAIJITSU , 竹內正樹 , TAKEUCHI, MASAKI , 柴野由紀夫 , SHIBANO, YUKIO , 上田修平 , UEDA, SHUHEI , 渡部厚 , WATABE, ATSUSHI
IPC分类号： C09G1/02
CPC分类号： C03C19/00 , B24B1/00 , B24B37/00 , B24B37/0056 , C03C15/02 , C09G1/02 , C09G1/04 , C09K3/1454 , C09K3/1463 , C09K13/02 , C09K13/06

28. 发明专利

TW201632312A 矽晶圓的研磨方法审中-公开
简体标题：硅晶圆的研磨方法
公开(公告)号：TW201632312A
公开(公告)日：2016-09-16
申请号：TW104139801
申请日：2015-11-27
申请人：信越半導體股份有限公司 , SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.
发明人：佐佐木正直 , 橋本浩昌 , 藤山佳
IPC分类号： B24B55/12
CPC分类号： H01L21/304 , B24B37/0056 , B24B37/04 , B24B55/12 , B24B57/02
摘要：本發明提供一種矽晶圓的研磨方法，係將供給至矽晶圓而使用於研磨的含有研磨磨粒的使用過的研磨漿回收，並將經回收的使用過的研磨漿循環供給至矽晶圓而進行研磨，，其中，於經回收的使用過的研磨漿不加入未經使用的研磨磨粒，以及注入一混合鹼性溶液，而將經回收的使用過的研磨漿循環供給至矽晶圓而進行研磨，其中混合鹼性溶液包含一螯合劑以及包含一pH調整劑及一研磨速率促進劑的其中一個或是兩個，藉此能夠在將使用過的研磨漿循環提供至矽晶圓而進行研磨時，抑制金屬雜質汙染，並且使使用過的研磨漿的組成(螯合劑的濃度等)安定。
简体摘要：本发明提供一种硅晶圆的研磨方法，系将供给至硅晶圆而使用于研磨的含有研磨磨粒的使用过的研磨浆回收，并将经回收的使用过的研磨浆循环供给至硅晶圆而进行研磨，，其中，于经回收的使用过的研磨浆不加入未经使用的研磨磨粒，以及注入一混合碱性溶液，而将经回收的使用过的研磨浆循环供给至硅晶圆而进行研磨，其中混合碱性溶液包含一螯合剂以及包含一pH调整剂及一研磨速率促进剂的其中一个或是两个，借此能够在将使用过的研磨浆循环提供至硅晶圆而进行研磨时，抑制金属杂质污染，并且使使用过的研磨浆的组成(螯合剂的浓度等)安定。

29. 发明专利

TWI506127B 化學機械研磨基板之方法有权
简体标题：化学机械研磨基板之方法
公开(公告)号：TWI506127B
公开(公告)日：2015-11-01
申请号：TW099111244
申请日：2010-04-12
申请人：羅門哈斯電子材料CMP控股公司 , ROHM AND HAAS ELECTRONIC MATERIALS CMP HOLDINGS, INC.
发明人：劉振東 , LIU, ZHENDONG , 郭毅 , GUO, YI
IPC分类号： C09K3/14 , H01L21/304
CPC分类号： H01L21/31053 , B24B37/0056 , B24B37/044 , C09G1/02

30. 发明专利

TW201101386A 拋光墊及拋光半導體晶圓的方法 POLIERTUCH UND VERFAHREN ZUM POLIEREN EINER HALBLEITERSCHEIBE 审中-公开
简体标题：抛光垫及抛光半导体晶圆的方法 POLIERTUCH UND VERFAHREN ZUM POLIEREN EINER HALBLEITERSCHEIBE
公开(公告)号：TW201101386A
公开(公告)日：2011-01-01
申请号：TW099113851
申请日：2010-04-30
申请人：世創電子材料公司
发明人：史卻汪德納尤爾根 , 寇伯特羅蘭
IPC分类号： H01L , B24D
CPC分类号： B24B37/22 , B24B7/22 , B24B7/228 , B24B37/0056 , B24D3/28 , B24D11/00 , B24D13/147 , C09G1/04 , H01L21/02024
摘要：本發明係關於一種拋光半導體晶圓的方法,其中,在一第一步驟中,藉由一包含粒徑為0.1微米至1.0微米之固定研磨物的拋光墊並在供應一不含固體材料之pH値至少為11.8的拋光劑的情況下,拋光半導體晶圓的背面,以及,在一第二步驟中,拋光該半導體晶圓的正面,其中係供應一pH値小於11.8的拋光劑。本發明亦關於一種用於拋光半導體晶圓設備的拋光墊,包含一含研磨物的層、一由硬塑膠所構成的層以及一應力緩衝非織造層,其中該等層係藉由一壓感黏著層彼此黏合。
简体摘要：本发明系关于一种抛光半导体晶圆的方法,其中,在一第一步骤中,借由一包含粒径为0.1微米至1.0微米之固定研磨物的抛光垫并在供应一不含固体材料之pH値至少为11.8的抛光剂的情况下,抛光半导体晶圆的背面,以及,在一第二步骤中,抛光该半导体晶圆的正面,其中系供应一pH値小于11.8的抛光剂。本发明亦关于一种用于抛光半导体晶圆设备的抛光垫,包含一含研磨物的层、一由硬塑胶所构成的层以及一应力缓冲非织造层,其中该等层系借由一压感黏着层彼此黏合。

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