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1. 发明专利

TWI478227B 用於基板之化學機械研磨之方法有权
简体标题：用于基板之化学机械研磨之方法
公开(公告)号：TWI478227B
公开(公告)日：2015-03-21
申请号：TW098140060
申请日：2009-11-25
申请人：羅門哈斯電子材料CMP控股公司 , ROHM AND HAAS ELECTRONIC MATERIALS CMP HOLDINGS, INC.
发明人：劉振東 , LIU, ZHENDONG
IPC分类号： H01L21/304 , B24B37/00 , C09K3/14
CPC分类号： C09G1/02 , C09K3/1463 , H01L21/3212

2. 发明专利

TWI396731B 多成分之阻障研磨溶液有权
公开(公告)号：TWI396731B
公开(公告)日：2013-05-21
申请号：TW096101385
申请日：2007-01-15
申请人：羅門哈斯電子材料CMP控股公司 , ROHM AND HAAS ELECTRONIC MATERIALS CMP HOLDINGS, INC.
发明人：卞錦儒 , BIAN, JINRU , 劉振東 , LIU, ZHENDONG
IPC分类号： C09K3/14 , C09G1/02 , H01L21/304
CPC分类号： H01L21/3212 , C09G1/02

3. 发明专利

TWI506105B 經安定之可濃縮化學機械研磨組成物及研磨基板之方法有权
简体标题：经安定之可浓缩化学机械研磨组成物及研磨基板之方法
公开(公告)号：TWI506105B
公开(公告)日：2015-11-01
申请号：TW100133718
申请日：2011-09-20
申请人：羅門哈斯電子材料CMP控股公司 , ROHM AND HAAS ELECTRONIC MATERIALS CMP HOLDINGS, INC.
发明人：劉振東 , LIU, ZHENDONG , 郭毅 , GUO, YI , 瑞迪阿路恩 , REDDY, ARUN , 張廣雲 , ZHANG, GUANGYUN
IPC分类号： C09G1/02 , C09K3/14 , B24B37/04 , H01L21/3213
CPC分类号： H01L21/31053 , C09G1/02

4. 发明专利

TWI500750B 包含多晶矽、氧化矽及氮化矽之基板的研磨方法有权
简体标题：包含多晶硅、氧化硅及氮化硅之基板的研磨方法
公开(公告)号：TWI500750B
公开(公告)日：2015-09-21
申请号：TW100108481
申请日：2011-03-14
申请人：羅門哈斯電子材料CMP控股公司 , ROHM AND HAAS ELECTRONIC MATERIALS CMP HOLDINGS, INC.
发明人：郭毅 , GUO, YI , 劉振東 , LIU, ZHENDONG , 瑞迪阿瑞 , REDDY, ARUN , 張廣雲 , ZHANG, GUANGYUN
IPC分类号： C09K3/14 , C07F9/38 , C07C309/09 , H01L21/304 , B24B37/11
CPC分类号： H01L21/31053 , C09G1/02 , C09K3/1463

5. 发明专利

TWI518157B 具有可調介電質研磨選擇性之漿液組成物及研磨基板之方法有权
简体标题：具有可调介电质研磨选择性之浆液组成物及研磨基板之方法
公开(公告)号：TWI518157B
公开(公告)日：2016-01-21
申请号：TW100135705
申请日：2011-10-03
申请人：羅門哈斯電子材料CMP控股公司 , ROHM AND HAAS ELECTRONIC MATERIALS CMP HOLDINGS, INC.
发明人：劉振東 , LIU, ZHENDONG , 郭毅 , GUO, YI , 瑞迪阿路恩 , REDDY, ARUN , 張廣雲 , ZHANG, GUANGYUN
IPC分类号： C09G1/02 , C09K3/14 , B24B37/04 , H01L21/3213

6. 发明专利

TWI480368B 安定之化學機械研磨組成物及研磨基材之方法有权
简体标题：安定之化学机械研磨组成物及研磨基材之方法
公开(公告)号：TWI480368B
公开(公告)日：2015-04-11
申请号：TW100120653
申请日：2011-06-14
申请人：羅門哈斯電子材料CMP控股公司 , ROHM AND HAAS ELECTRONIC MATERIALS CMP HOLDINGS, INC.
发明人：郭毅 , GUO, YI , 劉振東 , LIU, ZHENDONG , 瑞迪肯查拉阿瑞庫瑪 , REDDY, KANCHARLA-ARUN KUMAR , 張廣云 , ZHANG, GUANGYUN
IPC分类号： C09K3/14 , H01L21/304
CPC分类号： H01L21/31053 , C09G1/02 , C09K3/1463

7. 发明专利

TWI500749B 使用適用於增加氧化矽移除之研磨組成物化學機械研磨基板之方法有权
简体标题：使用适用于增加氧化硅移除之研磨组成物化学机械研磨基板之方法
公开(公告)号：TWI500749B
公开(公告)日：2015-09-21
申请号：TW100108480
申请日：2011-03-14
申请人：羅門哈斯電子材料CMP控股公司 , ROHM AND HAAS ELECTRONIC MATERIALS CMP HOLDINGS, INC.
发明人：郭毅 , GUO, YI , 劉振東 , LIU, ZHENDONG , 瑞迪阿瑞 , REDDY, ARUN , 張廣雲 , ZHANG, GUANGYUN
IPC分类号： C09K3/14 , C07C211/63 , C07F9/38 , H01L21/304 , B24B37/11
CPC分类号： H01L21/31053 , C09G1/02 , C09K3/1463

8. 发明专利

TWI460262B 化學機械研磨組成物及其相關方法有权
简体标题：化学机械研磨组成物及其相关方法
公开(公告)号：TWI460262B
公开(公告)日：2014-11-11
申请号：TW098137364
申请日：2009-11-04
申请人：羅門哈斯電子材料CMP控股公司 , ROHM AND HAAS ELECTRONIC MATERIALS CMP HOLDINGS, INC.
发明人：劉振東 , LIU, ZHENDONG
IPC分类号： C09K3/14 , H01L21/304 , B24B53/12
CPC分类号： H01L21/3212 , C09G1/02 , H01L45/06 , H01L45/144 , H01L45/1683

9. 发明专利

TW201315784A 具有可調介電質研磨選擇性之漿液組成物及研磨基板之方法审中-公开
简体标题：具有可调介电质研磨选择性之浆液组成物及研磨基板之方法
公开(公告)号：TW201315784A
公开(公告)日：2013-04-16
申请号：TW100135705
申请日：2011-10-03
申请人：羅門哈斯電子材料CMP控股公司 , ROHM AND HAAS ELECTRONIC MATERIALS CMP HOLDINGS, INC.
发明人：劉振東 , LIU, ZHENDONG , 郭毅 , GUO, YI , 瑞迪阿路恩 , REDDY, ARUN , 張廣雲 , ZHANG, GUANGYUN
IPC分类号： C09G1/02 , C09K3/14 , B24B37/04 , H01L21/3213
摘要：本發明提供一種化學機械研磨漿液組成物，其包含下述初始成分：水；研磨劑；根據式(I)之經鹵化之四級銨化合物，式中R8係選自C1-10烷基與C1-10羥烷基，X1係選自氯化物、溴化物、碘化物與氟化物之鹵化物，R9、R10與R11各自獨立地選自飽和或不飽和C1-10烷基、C1-10鹵烷基、C6-15芳基、C6-15鹵芳基、C6-15芳烷基與C6-15鹵芳烷基，且式(I)中之陰離子為平衡式(I)中陽離子+電荷之任何陰離子；及，視需要之根據式(II)之雙四級(diquaternary)物質，式中各A獨立地選自N與P，R1係選自飽和或不飽和C1-C15烷基、C6-C15芳基與C6-C15芳烷基，R2、R3、R4、R5、R6與R7各自獨立地選自氫、飽和或不飽和C1-C15烷基、C6-C15芳基、C6-C15芳烷基與C6-C15烷芳基，且式(II)中之陰離子為平衡式(II)中陽離子2+電荷之任何陰離子或陰離子之組合。本發明又提供製造化學機械研磨漿液組成物之方法及使用該化學機械研磨組成物研磨基板之方法。
简体摘要：本发明提供一种化学机械研磨浆液组成物，其包含下述初始成分：水；研磨剂；根据式(I)之经卤化之四级铵化合物，式中R8系选自C1-10烷基与C1-10羟烷基，X1系选自氯化物、溴化物、碘化物与氟化物之卤化物，R9、R10与R11各自独立地选自饱和或不饱和C1-10烷基、C1-10卤烷基、C6-15芳基、C6-15卤芳基、C6-15芳烷基与C6-15卤芳烷基，且式(I)中之阴离子为平衡式(I)中阳离子+电荷之任何阴离子；及，视需要之根据式(II)之双四级(diquaternary)物质，式中各A独立地选自N与P，R1系选自饱和或不饱和C1-C15烷基、C6-C15芳基与C6-C15芳烷基，R2、R3、R4、R5、R6与R7各自独立地选自氢、饱和或不饱和C1-C15烷基、C6-C15芳基、C6-C15芳烷基与C6-C15烷芳基，且式(II)中之阴离子为平衡式(II)中阳离子2+电荷之任何阴离子或阴离子之组合。本发明又提供制造化学机械研磨浆液组成物之方法及使用该化学机械研磨组成物研磨基板之方法。

10. 发明专利

TWI508154B 包含多晶矽及氧化矽與氮化矽之至少一者之基板的研磨方法有权
简体标题：包含多晶硅及氧化硅与氮化硅之至少一者之基板的研磨方法
公开(公告)号：TWI508154B
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：TW100108479
申请日：2011-03-14
申请人：羅門哈斯電子材料CMP控股公司 , ROHM AND HAAS ELECTRONIC MATERIALS CMP HOLDINGS, INC.
发明人：郭毅 , GUO, YI , 劉振東 , LIU, ZHENDONG , 瑞迪阿瑞 , REDDY, ARUN , 張廣雲 , ZHANG, GUANGYUN
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： H01L21/31053 , C09G1/02

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