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1. 发明专利

TWI535524B 被研磨物之研磨方法及研磨墊有权
简体标题：被研磨物之研磨方法及研磨垫
公开(公告)号：TWI535524B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：TW100132036
申请日：2011-09-06
申请人：日本碍子股份有限公司 , NGK INSULATORS, LTD.
发明人：北村和正 , KITAMURA, KAZUMASA , 長江智毅 , NAGAE, TOMOKI
IPC分类号： B24B37/04 , H01L21/304
CPC分类号： B24B37/042 , B24B7/228 , B24B13/00 , B24B37/00 , B24B37/0056 , B24B37/26 , B24B57/02

2. 发明专利

TWI353017B 用於拋光碳化矽單晶基材的水基拋光漿以及拋光方法 WATER-BASED POLISHING SLURRY FOR POLISHING SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE, AND POLISHING METHOD FOR THE SAME 有权
简体标题：用于抛光碳化硅单晶基材的水基抛光浆以及抛光方法 WATER-BASED POLISHING SLURRY FOR POLISHING SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE, AND POLISHING METHOD FOR THE SAME
公开(公告)号：TWI353017B
公开(公告)日：2011-11-21
申请号：TW096150284
申请日：2007-12-26
申请人：昭和電工股份有限公司
发明人：小古井久雄 , 小柳直樹 , 坂口泰之
IPC分类号： H01L , C09K , C30B
CPC分类号： C09K3/1463 , B24B37/0056 , B24B37/044 , C09K3/1409 , C30B29/36 , C30B33/00 , H01L21/02024 , H01L21/0475 , H01L29/1608
摘要：一種用於拋光碳化矽單晶的水基拋光漿，其中該漿包含具有1至400奈米平均粒子尺寸的磨蝕劑粒子及無機酸，且該漿具有在20℃下低於2的pH值。
简体摘要：一种用于抛光碳化硅单晶的水基抛光浆，其中该浆包含具有1至400奈米平均粒子尺寸的磨蚀剂粒子及无机酸，且该浆具有在20℃下低于2的pH值。

3. 发明专利

TW200918653A 研磨用研磨漿之再生方法审中-公开
简体标题：研磨用研磨浆之再生方法
公开(公告)号：TW200918653A
公开(公告)日：2009-05-01
申请号：TW097124207
申请日：2008-06-27
申请人： SUMCO TECHXIV股份有限公司 SUMCO TECHXIV CORPORATION
发明人：小佐佐和明 , 後藤勇
IPC分类号： C09K , B24B , H01L
CPC分类号： B24B57/00 , B24B37/0056
摘要： [課題]本發明所提供的研磨用研磨漿之再生方法,係可將在半導體晶圓的研磨步驟(特別係精整研磨步驟)中所使用之使用過研磨漿進行再生,將可大幅減少研磨漿使用量,俾降低半導體晶圓製造成本。[解決手段]本發明的研磨用研磨漿之再生方法,係由含膠態二氧化矽構成,將在半導體晶圓研磨步驟中所使用過的使用過研磨漿施行再生之研磨用研磨漿之再生方法,特徵在於將實施:在所回收的使用過研磨漿中添加分散劑,並抑制該使用過研磨漿膠化的步驟S7;對經添加分散劑的使用過研磨漿施行超音波照射,使膠化研磨漿及凝聚二氧化矽分散的步驟S8;以及將經超音波照射後的使用過研磨漿中之異物,利用過濾器去除的步驟S9。
简体摘要： [课题]本发明所提供的研磨用研磨浆之再生方法,系可将在半导体晶圆的研磨步骤(特别系精整研磨步骤)中所使用之使用过研磨浆进行再生,将可大幅减少研磨浆使用量,俾降低半导体晶圆制造成本。[解决手段]本发明的研磨用研磨浆之再生方法,系由含胶态二氧化硅构成,将在半导体晶圆研磨步骤中所使用过的使用过研磨浆施行再生之研磨用研磨浆之再生方法,特征在于将实施:在所回收的使用过研磨浆中添加分散剂,并抑制该使用过研磨浆胶化的步骤S7;对经添加分散剂的使用过研磨浆施行超音波照射,使胶化研磨浆及凝聚二氧化硅分散的步骤S8;以及将经超音波照射后的使用过研磨浆中之异物,利用过滤器去除的步骤S9。

4. 发明专利

TW200916261A 化學機械拋光感測器及控制系統 CMP SENSOR AND CONTROL SYSTEM 审中-公开
简体标题：化学机械抛光传感器及控制系统 CMP SENSOR AND CONTROL SYSTEM
公开(公告)号：TW200916261A
公开(公告)日：2009-04-16
申请号：TW097132598
申请日：2008-08-26
申请人：卡博特微電子公司 CABOT MICROELECTRONICS CORPORATION
发明人：克里弗德史皮洛 SPIRO, CLIFFORD , 艾德華蘭森 REMSEN, EDWARD , 湯瑪斯沃茲 WERTS, THOMAS
IPC分类号： B24B , H01L
CPC分类号： B24B37/04 , B24B37/0056 , B24B57/02 , H01L21/3212
摘要：本發明係關於用於化學機械拋光(CMP)製程中之裝置,該裝置包括可移動壓板,其用來將拋光墊固持於該壓板上;用來固持基板之可移動拋光頭;適合的CMP漿料傳送系統;及CMP漿料抽出埠,其位於該拋光頭上或緊靠其且與取樣管線呈流體-流動關係,該取樣管線較佳適於以可操作方式嚙合感測器。該抽出埠與取樣管線一起適於自拋光墊表面移除一部分CMP漿料以確定已用漿料之物理或化學特性。在使用期間,該壓板及拋光頭係經佈置以與墊及其間之基板呈彼此對置、平行關係。該壓板與拋光頭彼此相對移動以在拋光墊與基板表面之間提供摩擦力,抵靠該墊推動該基板表面以磨蝕並拋光該基板表面。該取樣管線較佳以可操作方式連接至該感測器,該感測器適於量測CMP漿料之物理或化學特性。
简体摘要：本发明系关于用于化学机械抛光(CMP)制程中之设备,该设备包括可移动压板,其用来将抛光垫固持于该压板上;用来固持基板之可移动抛光头;适合的CMP浆料发送系统;及CMP浆料抽出端口,其位于该抛光头上或紧靠其且与采样管线呈流体-流动关系,该采样管线较佳适于以可操作方式啮合传感器。该抽出端口与采样管线一起适于自抛光垫表面移除一部分CMP浆料以确定已用浆料之物理或化学特性。在使用期间,该压板及抛光头系经布置以与垫及其间之基板呈彼此对置、平行关系。该压板与抛光头彼此相对移动以在抛光垫与基板表面之间提供摩擦力,抵靠该垫推动该基板表面以磨蚀并抛光该基板表面。该采样管线较佳以可操作方式连接至该传感器,该传感器适于量测CMP浆料之物理或化学特性。

5. 发明专利

TWI221636B 矽半導體晶圓,及同時製造許多半導體晶圓之方法 SILICON SEMICONDUCTOR WAFER, AND PROCESS FOR PRODUCING A MULTIPLICITY OF SEMICONDUCTOR WAFERS 有权
简体标题：硅半导体晶圆,及同时制造许多半导体晶圆之方法 SILICON SEMICONDUCTOR WAFER, AND PROCESS FOR PRODUCING A MULTIPLICITY OF SEMICONDUCTOR WAFERS
公开(公告)号：TWI221636B
公开(公告)日：2004-10-01
申请号：TW091135344
申请日：2002-12-05
申请人：瓦克矽電子公司 WACKER SILTRONIC AG
发明人：吉斗.文斯基博士 GUIDO WENSKI , 湯瑪斯.阿特曼 THOMAS ALTMANN , 安東.胡貝爾 ANTON HUBER , 阿萊克山德爾.海勒麥爾 ALEXANDER HEILMAIER
IPC分类号： H01L , C09K
CPC分类号： H01L21/02024 , B24B37/0056 , B24B37/042 , B24B37/08 , B24B49/16
摘要：本發明之內容係一直徑大於或等於200公厘、正面拋光、背面拋光、最大局部平整度值SFQRmax低於或等於0.13微米(以正面切片表面網格尺寸為26公厘×8公厘者為基準)之矽半導體晶圓，其特徵為正面局部高度與理想平面之最大差異P/V(10×10)max係低於或等於70毫微米[以大小為10公厘×10公厘之滑動(變化)分區為基準]。
本發明之另一內容係一種供應含有研磨劑或膠體之拋光劑，總是於轉動、相互平行、黏結拋光布之下拋光盤與上拋光盤之間實施同時雙面拋光以製造許多矽半導體晶圓之方法，其矽移除量至少為2微米，其特徵為該等半導體晶圓之預定部分至少係利用一較低拋光壓力加以部分拋光，該等半導體晶圓之另一部分則係利用一較高拋光壓力加以拋光。
简体摘要：本发明之内容系一直径大于或等于200公厘、正面抛光、背面抛光、最大局部平整度值SFQRmax低于或等于0.13微米(以正面切片表面网格尺寸为26公厘×8公厘者为基准)之硅半导体晶圆，其特征为正面局部高度与理想平面之最大差异P/V(10×10)max系低于或等于70毫微米[以大小为10公厘×10公厘之滑动(变化)分区为基准]。本发明之另一内容系一种供应含有研磨剂或胶体之抛光剂，总是于转动、相互平行、黏结抛光布之下抛光盘与上抛光盘之间实施同时双面抛光以制造许多硅半导体晶圆之方法，其硅移除量至少为2微米，其特征为该等半导体晶圆之预定部分至少系利用一较低抛光压力加以部分抛光，该等半导体晶圆之另一部分则系利用一较高抛光压力加以抛光。

6. 发明专利

TW200413730A 在酸性漿體中偵測化學機械拋光端點之方法 METHOD FOR DETECTING CMP ENDPOINT IN ACIDIC SLURRIES 失效
简体标题：在酸性浆体中侦测化学机械抛光端点之方法 METHOD FOR DETECTING CMP ENDPOINT IN ACIDIC SLURRIES
公开(公告)号：TW200413730A
公开(公告)日：2004-08-01
申请号：TW092117131
申请日：2003-06-24
申请人：萬國商業機器公司 INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION
发明人：李禮平 LEPING LI , 魏康 CONG WEI , 王心慧 XINHUI WANG , 史帝文G. 巴比 STEVEN G. BARBEE , 詹姆斯吉爾霍利 JAMES GILHOOLY , 史考特R. 克萊 SCOTT R. CLINE
IPC分类号： G01N
CPC分类号： B24B37/013 , B24B37/0056 , H01L21/31053
摘要：一種用於在使用酸性CMP研磨漿之進行中化學機械研磨(CMP)循環中之測量氨氣濃度之裝置，該裝置包含下列構件：a.一採集酸性CMP研磨漿樣本之傳遞構件；b.一轉換酸性CMP研磨漿為鹼性研磨漿之轉換構件；c.一檢測鹼性研磨漿中是否存在氨氣之檢測構件；d.一在進行中CMP循環之末端時發信號之偵測構件。
简体摘要：一种用于在使用酸性CMP研磨浆之进行中化学机械研磨(CMP)循环中之测量氨气浓度之设备，该设备包含下列构件：a.一采集酸性CMP研磨浆样本之传递构件；b.一转换酸性CMP研磨浆为碱性研磨浆之转换构件；c.一检测碱性研磨浆中是否存在氨气之检测构件；d.一在进行中CMP循环之末端时发信号之侦测构件。

7. 发明专利

TW569332B 常數酸鹼値研磨與擦洗失效
简体标题：常数酸碱値研磨与擦洗
公开(公告)号：TW569332B
公开(公告)日：2004-01-01
申请号：TW091119564
申请日：2002-08-28
申请人：皇家飛利浦電子股份有限公司 KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.
发明人：史黛西W 侯爾 STACY W. HALL , 安德魯J 布萊克 ANDREW J. BLACK
IPC分类号： H01L , H01J
CPC分类号： B24B37/0056 , B24B37/042 , H01L21/02052 , H01L21/02065 , H01L21/02074 , H01L21/30625 , H01L21/31053 , H01L21/3212
摘要：本發明提供一種系統及方法，其在整個研磨過程中使晶圓表面維持在高酸鹼值，接著，當完成化學機械研磨並進行後研磨清洗時，僅在需要時，以控制的方式降低酸鹼值。使用具有高酸鹼值化學性質的流體或表面劑來取代去離子水，來保持晶圓及研磨機部件的濕潤，並洗除研磨墊上的研磨漿。
简体摘要：本发明提供一种系统及方法，其在整个研磨过程中使晶圆表面维持在高酸碱值，接着，当完成化学机械研磨并进行后研磨清洗时，仅在需要时，以控制的方式降低酸碱值。使用具有高酸碱值化学性质的流体或表面剂来取代去离子水，来保持晶圆及研磨机部件的湿润，并洗除研磨垫上的研磨浆。

8. 发明专利

TW434094B 研磨劑及半導體基板之拋光方法失效
简体标题：研磨剂及半导体基板之抛光方法
公开(公告)号：TW434094B
公开(公告)日：2001-05-16
申请号：TW087107010
申请日：1998-05-06
申请人：東芝股份有限公司 , 德山股份有限公司
发明人：宮下直人 , 南良宏 , 土井建治 , 高安淳 , 河野博之 , 加藤寬 , 林和彥
IPC分类号： B24B , H01L
CPC分类号： B24B37/24 , B24B37/0056 , B24B37/044 , B24D3/20 , B24D3/344 , C09G1/02 , H01L21/3212
摘要：含有以二氧化矽粒子作為主成分之拋光粒子，及水所組成之溶媒，及水溶性纖維素，使用將水溶性纖維素之濃度作為C重量%時，鹼金屬雜質之含有量為5Cppm以下的研磨劑，介經實行拋光，在基板或被拋光膜不會受傷，不會產生杯狀變形(dishing)等，能實行半導體晶圓之平坦化。
简体摘要：含有以二氧化硅粒子作为主成分之抛光粒子，及水所组成之溶媒，及水溶性纤维素，使用将水溶性纤维素之浓度作为C重量%时，碱金属杂质之含有量为5Cppm以下的研磨剂，介经实行抛光，在基板或被抛光膜不会受伤，不会产生杯状变形(dishing)等，能实行半导体晶圆之平坦化。

9. 发明专利

TW201338028A 化合物半導體基板之硏磨方法、化合物半導體基板、化合物半導體磊晶基板之製造方法及化合物半導體磊晶基板审中-公开
简体标题：化合物半导体基板之研磨方法、化合物半导体基板、化合物半导体磊晶基板之制造方法及化合物半导体磊晶基板
公开(公告)号：TW201338028A
公开(公告)日：2013-09-16
申请号：TW102118294
申请日：2007-09-28
申请人：住友電氣工業股份有限公司 , SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD.
发明人：目崎義雄 , MEZAKI, YOSHIO , 西浦隆幸 , NISHIURA, TAKAYUKI , 中山雅博 , NAKAYAMA, MASAHIRO
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： B24B37/042 , B24B37/0056 , H01L21/02024 , H01L21/02052 , Y10T428/24355 , Y10T428/31678
摘要：本發明提供一種使存在於化合物半導體基板表面之氧減少的化合物半導體基板之研磨方法、化合物半導體基板、化合物半導體磊晶基板之製造方法及化合物半導體磊晶基板。本發明之化合物半導體基板之研磨方法包含準備步驟(S10)、第1研磨步驟(S20)以及第2研磨步驟(S30)。於準備步驟(S10)中，準備化合物半導體基板。於第1研磨步驟(S20)中，使用含有氯元素之研磨劑，對化合物半導體基板進行研磨。於第2研磨步驟(S30)中，係於第1研磨步驟(S20)後，使用含無機輔助劑之pH值為8.5以上13.0以下之鹼性水溶液進行研磨。
简体摘要：本发明提供一种使存在于化合物半导体基板表面之氧减少的化合物半导体基板之研磨方法、化合物半导体基板、化合物半导体磊晶基板之制造方法及化合物半导体磊晶基板。本发明之化合物半导体基板之研磨方法包含准备步骤(S10)、第1研磨步骤(S20)以及第2研磨步骤(S30)。于准备步骤(S10)中，准备化合物半导体基板。于第1研磨步骤(S20)中，使用含有氯元素之研磨剂，对化合物半导体基板进行研磨。于第2研磨步骤(S30)中，系于第1研磨步骤(S20)后，使用含无机辅助剂之pH值为8.5以上13.0以下之碱性水溶液进行研磨。

10. 发明专利

TWI404133B 化合物半導體基板之研磨方法、化合物半導體基板、化合物半導體磊晶基板之製造方法及化合物半導體磊晶基板有权
简体标题：化合物半导体基板之研磨方法、化合物半导体基板、化合物半导体磊晶基板之制造方法及化合物半导体磊晶基板
公开(公告)号：TWI404133B
公开(公告)日：2013-08-01
申请号：TW096136471
申请日：2007-09-28
申请人：住友電氣工業股份有限公司 , SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD.
发明人：目崎義雄 , MEZAKI, YOSHIO , 西浦隆幸 , NISHIURA, TAKAYUKI , 中山雅博 , NAKAYAMA, MASAHIRO
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： B24B37/042 , B24B37/0056 , H01L21/02024 , H01L21/02052 , Y10T428/24355 , Y10T428/31678

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