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1. 发明专利

TWI433224B 氮化物半導體晶圓之加工方法、氮化物半導體晶圓、氮化物半導體元件之製造方法及氮化物半導體元件有权
简体标题：氮化物半导体晶圆之加工方法、氮化物半导体晶圆、氮化物半导体组件之制造方法及氮化物半导体组件
公开(公告)号：TWI433224B
公开(公告)日：2014-04-01
申请号：TW098105168
申请日：2009-02-18
申请人：住友電氣工業股份有限公司 , SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD.
发明人：石橋惠二 , ISHIBASHI, KEIJI , 三上英則 , MIKAMI, HIDENORI , 松本直樹 , MATSUMOTO, NAOKI
IPC分类号： H01L21/304 , H01L21/306
CPC分类号： H01L21/02021 , C30B29/403 , C30B33/00 , H01L24/32 , H01L33/0075 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , Y10S438/928 , Y10S438/959 , Y10S438/977 , H01L2924/00014 , H01L2924/00

2. 发明专利

TW201131801A 用於製造ＭＷＴ矽太陽能電池的方法 PROCESS FOR THE PRODUCTION OF A MWT SILICON SOLAR CELL 审中-公开
简体标题：用于制造ＭＷＴ硅太阳能电池的方法 PROCESS FOR THE PRODUCTION OF A MWT SILICON SOLAR CELL
公开(公告)号：TW201131801A
公开(公告)日：2011-09-16
申请号：TW099144088
申请日：2010-12-15
申请人：杜邦股份有限公司
发明人：漢肯尼士瓦倫 , 羅迪席歐喬凡納 , 普林斯艾利斯泰爾葛瑞 , 楊理查約翰薛費爾德
IPC分类号： H01L
CPC分类号： C03C8/02 , C03C8/12 , C03C8/16 , C03C8/18 , H01B1/22 , H01L31/02245 , H01L31/068 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521 , Y10S438/928
摘要：一種用於製造MWT矽太陽能電池的方法,其包含以下步驟:(1)提供一p型矽晶圓,其具有(i)孔成形通孔,其介於該晶圓的前側與背側之間;以及(ii)一n型射極,其延伸在整個前側上方及該孔內側;(2)將一導電金屬膏施加至該矽晶圓的該孔,以使至少該孔內側設有一金屬化;(3)乾燥該施加的導電金屬膏;以及(4)燒製該乾燥的導電金屬膏,藉此使該晶圓達到700至900℃的峰値溫度,其中該導電金屬膏不具有燒穿能力或僅具有貧乏的燒穿能力,並包括(a)至少一微粒導電金屬,其選自由銀、銅及鎳所構成的群組;以及(b)一有機媒劑。
简体摘要：一种用于制造MWT硅太阳能电池的方法,其包含以下步骤:(1)提供一p型硅晶圆,其具有(i)孔成形通孔,其介于该晶圆的前侧与背侧之间;以及(ii)一n型射极,其延伸在整个前侧上方及该孔内侧;(2)将一导电金属膏施加至该硅晶圆的该孔,以使至少该孔内侧设有一金属化;(3)干燥该施加的导电金属膏;以及(4)烧制该干燥的导电金属膏,借此使该晶圆达到700至900℃的峰値温度,其中该导电金属膏不具有烧穿能力或仅具有贫乏的烧穿能力,并包括(a)至少一微粒导电金属,其选自由银、铜及镍所构成的群组;以及(b)一有机媒剂。

3. 发明专利

TW200303944A 以外延方式塗覆半導體晶圓之方法及裝置,及以外延方式塗覆之半導體晶圓 PROCESS AND APPARATUS FOR EPITAXIALLY COATING A SEMICONDUCTOR WAFER, AND EPITAXIALLY COATED SEMICONDUCTOR WAFER 失效
简体标题：以外延方式涂覆半导体晶圆之方法及设备,及以外延方式涂覆之半导体晶圆 PROCESS AND APPARATUS FOR EPITAXIALLY COATING A SEMICONDUCTOR WAFER, AND EPITAXIALLY COATED SEMICONDUCTOR WAFER
公开(公告)号：TW200303944A
公开(公告)日：2003-09-16
申请号：TW092105524
申请日：2003-03-13
申请人：瓦克矽電子公司 WACKER SILTRONIC AG
发明人：維爾弗里德安孟 WILFRIED VON AMMON , 呂帝格西謀奇 RUEDIGER SCHMJOLKE , 彼特施陶爾克 PETER STORCK , 沃夫幹西伯特 WOLFGANG SIEBERT
IPC分类号： C23C , C30B , H01L
CPC分类号： C30B23/02 , C30B29/40 , H01L21/2205 , Y10S438/913 , Y10S438/928 , Y10S438/98 , Y10T117/10
摘要：本發明之內容係一種於CVD反應器內以外延方式塗覆半導體晶圓正面之方法，該半導體晶圓正面係暴露於一含有本源氣體及載體氣體之加工氣體，該半導體晶圓背面係暴露於一置換氣體，其特徵為該置換氣體所含氫氣不超過5%體積比（氫氣可強化該摻質之擴散作用），結果，可實質上避免摻質擴散至半導體晶圓背面之外。依照本發明之方法，可製得一半導體晶圓，其基片比電阻≦100毫歐姆公分、外延薄層比電阻＞l歐姆公分、無背面塗層、該半導體晶圓外延層之電阻不均勻性＜10%。
简体摘要：本发明之内容系一种于CVD反应器内以外延方式涂覆半导体晶圆正面之方法，该半导体晶圆正面系暴露于一含有本源气体及载体气体之加工气体，该半导体晶圆背面系暴露于一置换气体，其特征为该置换气体所含氢气不超过5%体积比（氢气可强化该掺质之扩散作用），结果，可实质上避免掺质扩散至半导体晶圆背面之外。依照本发明之方法，可制得一半导体晶圆，其基片比电阻≦100毫欧姆公分、外延薄层比电阻＞l欧姆公分、无背面涂层、该半导体晶圆外延层之电阻不均匀性＜10%。

4. 发明专利

TW538440B 半導體裝置之製造方法失效
简体标题：半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TW538440B
公开(公告)日：2003-06-21
申请号：TW091108504
申请日：2002-04-24
申请人： NEC電子股份有限公司
发明人：林哲也 , 高橋壽史
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/304 , H01L21/3213 , H01L29/6659 , Y10S438/928
摘要：為了抑制起因於移除藉由在半導體基板之兩個表面上成長薄膜而形成之背面薄膜所產生殘渣，藉以獲得令人滿意的高良率與生產力，多晶矽膜303係經由雙面成長而形成於半導體基板301上，而矽化膜304僅形成於半導體基板301之表面上。然後，那些多晶矽膜303與矽化膜304會被加工成型以形成閘極電極303a。接著，供側壁形成用之絕緣膜係經由雙面成長而形成於半導體基板301上以覆蓋閘極電極303a，而形成於半導體基板301之表面上的供側壁形成用之絕緣膜係被蝕刻以形成側壁膜。層間絕緣膜只形成於半導體基板301之表面側上以覆蓋閘極電極303a。接著，藉由研磨而移除形成於半導體基板301之背面側的多晶矽膜303與供側壁形成用之絕緣膜與該半導體基板301之背面，藉以製造出半導體裝置。
简体摘要：为了抑制起因于移除借由在半导体基板之两个表面上成长薄膜而形成之背面薄膜所产生残渣，借以获得令人满意的高良率与生产力，多晶硅膜303系经由双面成长而形成于半导体基板301上，而硅化膜304仅形成于半导体基板301之表面上。然后，那些多晶硅膜303与硅化膜304会被加工成型以形成闸极电极303a。接着，供侧壁形成用之绝缘膜系经由双面成长而形成于半导体基板301上以覆盖闸极电极303a，而形成于半导体基板301之表面上的供侧壁形成用之绝缘膜系被蚀刻以形成侧壁膜。层间绝缘膜只形成于半导体基板301之表面侧上以覆盖闸极电极303a。接着，借由研磨而移除形成于半导体基板301之背面侧的多晶硅膜303与供侧壁形成用之绝缘膜与该半导体基板301之背面，借以制造出半导体设备。

5. 发明专利

TW440896B 電鍍的半導體晶圓之旋轉-清潔-乾燥製程與設備失效
简体标题：电镀的半导体晶圆之旋转-清洁-干燥制程与设备
公开(公告)号：TW440896B
公开(公告)日：2001-06-16
申请号：TW088120549
申请日：1999-11-24
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：馬克羅德 , 亞斯霍克辛哈 , 沙吉歐艾德史汀 , 麥克N 索格曼
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/02087 , H01L21/0209 , H01L21/32134 , H01L21/67051 , H01L21/6708 , Y10S438/928
摘要：本發明利用化學性溶解沉積物質的方法將一基材後側不需要之沉積物質除去，且同時大致能避免基材前側物質之溶解。溶解過程可以包含一旋轉-清潔-乾燥過程，並在基材前側使用較大的清洗流體流率，而在基材後側使用較少的溶解流體，以在不需要之沉積物質移除之時能夠保護基材前側的物質。本發明包含自基材後側及邊緣溶解不需要之沉積物質之方法及其相關設備。
简体摘要：本发明利用化学性溶解沉积物质的方法将一基材后侧不需要之沉积物质除去，且同时大致能避免基材前侧物质之溶解。溶解过程可以包含一旋转-清洁-干燥过程，并在基材前侧使用较大的清洗流体流率，而在基材后侧使用较少的溶解流体，以在不需要之沉积物质移除之时能够保护基材前侧的物质。本发明包含自基材后侧及边缘溶解不需要之沉积物质之方法及其相关设备。

6. 发明专利

TW408356B 半導體晶圓之製造方法及保護其之黏著帶失效
简体标题：半导体晶圆之制造方法及保护其之黏着带
公开(公告)号：TW408356B
公开(公告)日：2000-10-11
申请号：TW088105576
申请日：1999-04-08
申请人：三井化學股份有限公司
发明人：片岡真 , 藤井靖久 , 平井健太郎 , 福本英樹 , 熊谷誠敏
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/6836 , H01L21/304 , H01L2221/68327 , Y10S156/941 , Y10S438/928 , Y10S438/974 , Y10S438/976 , Y10S438/977 , Y10T156/19
摘要：本發明之目的為提供半導體晶片(晶圓)之一種製法，其中防止在磨削晶片背面時及在剝離黏著帶時之晶片之損壞，而可減少操作時間。半導體晶片之上述製法包括:使一黏著帶黏著於半導體晶片之正面上之步驟；藉一磨床磨削半導體晶片之背面之步驟；剝離該黏著帶之步驟；以及清洗半導體晶片之正面之步驟，其中為該黏著帶使用一具有熱收縮性之黏著帶，而在磨削半導體晶片之背面後，在一晶片清洗機中澆注50至99℃溫度之溫水以剝離黏著帶，而在該晶片清洗機中清洗半導體晶片之正面。
简体摘要：本发明之目的为提供半导体芯片(晶圆)之一种制法，其中防止在磨削芯片背面时及在剥离黏着带时之芯片之损坏，而可减少操作时间。半导体芯片之上述制法包括:使一黏着带黏着于半导体芯片之正面上之步骤；藉一磨床磨削半导体芯片之背面之步骤；剥离该黏着带之步骤；以及清洗半导体芯片之正面之步骤，其中为该黏着带使用一具有热收缩性之黏着带，而在磨削半导体芯片之背面后，在一芯片清洗机中浇注50至99℃温度之温水以剥离黏着带，而在该芯片清洗机中清洗半导体芯片之正面。

7. 发明专利

TW382755B 晶片龜裂阻止失效
简体标题：芯片龟裂阻止
公开(公告)号：TW382755B
公开(公告)日：2000-02-21
申请号：TW087114202
申请日：1998-08-27
申请人：萬國商業機器公司
发明人：羅伯F.庫克 , 艾瑞克G.林尼格 , 雷納得L.曼得森 , 李察C.懷特賽得
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L23/585 , H01L21/768 , H01L24/05 , H01L2224/02166 , H01L2224/05556 , Y10S438/928
摘要：頃發現繞曲圖案可有效干擾薄膜層中的剝層龜裂傳播。環係提供於半導體晶片上以抑制來自晶片邊緣的龜裂傳播。即使是填滿金屬，環係有效的，與標準直線形龜裂阻止比較起來，繞曲圖案提供明顯增加的面積，使得龜裂傳播之能量消散掉。除了繞曲之外，由於龜裂與龜裂阻止間增加的相互作用面積，圖案形體如交錯填充環圖案與連接環域亦有效於減少從邊緣至有效區的剝層龜裂傳播。
简体摘要：顷发现绕曲图案可有效干扰薄膜层中的剥层龟裂传播。环系提供于半导体芯片上以抑制来自芯片边缘的龟裂传播。即使是填满金属，环系有效的，与标准直线形龟裂阻止比较起来，绕曲图案提供明显增加的面积，使得龟裂传播之能量消散掉。除了绕曲之外，由于龟裂与龟裂阻止间增加的相互作用面积，图案形体如交错填充环图案与连接环域亦有效于减少从边缘至有效区的剥层龟裂传播。

8. 发明专利

TW280004B 晶片對晶片校準與疊置積體電路晶片厚度控制之方法及所合成三維半導體之結構失效
简体标题：芯片对芯片校准与叠置集成电路芯片厚度控制之方法及所合成三维半导体之结构
公开(公告)号：TW280004B
公开(公告)日：1996-07-01
申请号：TW084102816
申请日：1995-03-23
申请人：萬國商業機器公司
发明人：大衛.傑卡伯.波曼 , 克勞黛.路易斯.伯汀 , 約翰.愛德華.柯尼
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L25/50 , H01L25/0657 , H01L2224/13022 , H01L2225/06524 , H01L2225/06551 , H01L2225/06593 , H01L2225/06596 , H01L2924/10253 , Y10S438/928 , Y10S438/975 , Y10S438/977 , H01L2924/00
摘要：一種疊置積體電路晶片之校準方法以及所形成三維半導體之結構。一厚度控制層依需要沈積在每一個積體電路晶片上。該層之厚度係由製造過程中，在磨平階段後之晶片厚度而決定。互補圖案係蝕刻至每一個晶片及相鄰晶片之厚度控制層內。在將該等晶片以三維結構疊置時，可利用來作連接用之導電墊體作精確之校準，該導電墊體係設在每一個積體電路晶片之邊緣上。藉此可以將緊密之匯流排及Ｉ／Ｏ網路支撐在該三維結構之表面上。
简体摘要：一种叠置集成电路芯片之校准方法以及所形成三维半导体之结构。一厚度控制层依需要沉积在每一个集成电路芯片上。该层之厚度系由制造过程中，在磨平阶段后之芯片厚度而决定。互补图案系蚀刻至每一个芯片及相邻芯片之厚度控制层内。在将该等芯片以三维结构叠置时，可利用来作连接用之导电垫体作精确之校准，该导电垫体系设在每一个集成电路芯片之边缘上。借此可以将紧密之总线及Ｉ／Ｏ网络支撑在该三维结构之表面上。

10. 发明专利

TWI438834B 分割結合至晶圓之黏著劑膜的方法有权
简体标题：分割结合至晶圆之黏着剂膜的方法
公开(公告)号：TWI438834B
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：TW096113368
申请日：2007-04-16
申请人：迪斯科股份有限公司 , DISCO CORPORATION
发明人：中村勝 , NAKAMURA, MASARU
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： H01L21/67092 , B23K26/40 , B23K2203/50 , H01L21/67132 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L21/78 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/83 , H01L2221/68327 , H01L2221/68336 , H01L2224/274 , H01L2224/2919 , H01L2224/83191 , H01L2224/8385 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01033 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/0665 , H01L2924/07802 , Y10S438/928 , H01L2924/0635 , H01L2924/00 , H01L2924/3512

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