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1. 发明专利

TW546724B 應用最終研磨方法加工一半導體晶圓之方法及裝置失效
简体标题：应用最终研磨方法加工一半导体晶圆之方法及设备
公开(公告)号：TW546724B
公开(公告)日：2003-08-11
申请号：TW090120117
申请日：2001-08-16
申请人： MEMC電子材料公司
发明人：艾歷克斯葛拉伯 , 米雪兒L 哈勒 , 艾許莉S 胡爾 , 米克比吉洛帕利克 , 光奎(大衛)張 , 哈瑞F 俄克 , 辛元寶
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/02052 , B24B37/0056 , B24B37/042 , B24B37/08 , B24B53/017 , H01L21/02024 , Y10S438/928 , Y10S438/959
摘要：一種半導體晶圓的製造方法，包括提供一塊(ingot)半導體材質，從該塊狀將該晶圓切片，以及對該晶圓進行處理以提高該前表面及該後表面的平行度(parallelism)。至少在該前表面上會藉由在第一襯墊(pad)與第二襯墊之間放置晶圓以進行最終研磨加工，並且取得該晶圓前表面與後表面相對於該第一與第二襯墊的移動關係以保持該前後表面的平行度，並且至少在該晶圓的前表面上產生一拋光漆(finish)如此便可以利用該前表面進行積體電路製造。在另一個觀點中，會利用清洗液體(rinsing)對該晶圓進行清洗以增加其潤滑程度。可以使用其它的方法調整該研磨襯墊的狀態，並且在研磨之後對晶圓進行處理。還包括一種用以研磨晶圓的裝置。
简体摘要：一种半导体晶圆的制造方法，包括提供一块(ingot)半导体材质，从该块状将该晶圆切片，以及对该晶圆进行处理以提高该前表面及该后表面的平行度(parallelism)。至少在该前表面上会借由在第一衬垫(pad)与第二衬垫之间放置晶圆以进行最终研磨加工，并且取得该晶圆前表面与后表面相对于该第一与第二衬垫的移动关系以保持该前后表面的平行度，并且至少在该晶圆的前表面上产生一抛光漆(finish)如此便可以利用该前表面进行集成电路制造。在另一个观点中，会利用清洗液体(rinsing)对该晶圆进行清洗以增加其润滑程度。可以使用其它的方法调整该研磨衬垫的状态，并且在研磨之后对晶圆进行处理。还包括一种用以研磨晶圆的设备。

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