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2. 发明专利

TW201632312A 矽晶圓的研磨方法审中-公开
简体标题：硅晶圆的研磨方法
公开(公告)号：TW201632312A
公开(公告)日：2016-09-16
申请号：TW104139801
申请日：2015-11-27
申请人：信越半導體股份有限公司 , SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.
发明人：佐佐木正直 , 橋本浩昌 , 藤山佳
IPC分类号： B24B55/12
CPC分类号： H01L21/304 , B24B37/0056 , B24B37/04 , B24B55/12 , B24B57/02
摘要：本發明提供一種矽晶圓的研磨方法，係將供給至矽晶圓而使用於研磨的含有研磨磨粒的使用過的研磨漿回收，並將經回收的使用過的研磨漿循環供給至矽晶圓而進行研磨，，其中，於經回收的使用過的研磨漿不加入未經使用的研磨磨粒，以及注入一混合鹼性溶液，而將經回收的使用過的研磨漿循環供給至矽晶圓而進行研磨，其中混合鹼性溶液包含一螯合劑以及包含一pH調整劑及一研磨速率促進劑的其中一個或是兩個，藉此能夠在將使用過的研磨漿循環提供至矽晶圓而進行研磨時，抑制金屬雜質汙染，並且使使用過的研磨漿的組成(螯合劑的濃度等)安定。
简体摘要：本发明提供一种硅晶圆的研磨方法，系将供给至硅晶圆而使用于研磨的含有研磨磨粒的使用过的研磨浆回收，并将经回收的使用过的研磨浆循环供给至硅晶圆而进行研磨，，其中，于经回收的使用过的研磨浆不加入未经使用的研磨磨粒，以及注入一混合碱性溶液，而将经回收的使用过的研磨浆循环供给至硅晶圆而进行研磨，其中混合碱性溶液包含一螯合剂以及包含一pH调整剂及一研磨速率促进剂的其中一个或是两个，借此能够在将使用过的研磨浆循环提供至硅晶圆而进行研磨时，抑制金属杂质污染，并且使使用过的研磨浆的组成(螯合剂的浓度等)安定。

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