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1. 发明专利

TWI484008B 包含氧化鋯顆粒之ＣＭＰ組合物及使用方法有权
简体标题：包含氧化锆颗粒之ＣＭＰ组合物及使用方法
公开(公告)号：TWI484008B
公开(公告)日：2015-05-11
申请号：TW102116906
申请日：2013-05-13
申请人：卡博特微電子公司 , CABOT MICROELECTRONICS CORPORATION
发明人：金唯昌 , JIN, WIECHANG , 帕克約翰 , PARKER, JOHN , 蘭森伊麗莎白 , REMSEN, ELIZABETH
IPC分类号： C09G1/02 , C09K3/14 , H01L21/304
CPC分类号： C23F3/06 , C09G1/02 , C09K3/1436 , C09K3/1463 , H01L21/31053 , H01L21/32125

2. 发明专利

TW201321129A 電場輔助化學機械拋光系統及其方法审中-公开
简体标题：电场辅助化学机械抛光系统及其方法
公开(公告)号：TW201321129A
公开(公告)日：2013-06-01
申请号：TW100143192
申请日：2011-11-24
申请人：國立臺灣科技大學 , NATIONAL TAIWAN UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY
发明人：陳炤彰 , CHEN, CHAO CHANG , 謝啟祥 , HSIEH, CHI HSIANG
IPC分类号： B24B37/04 , B24D13/14
CPC分类号： B24B37/046 , B23H5/08 , B24B37/20 , H01L21/32125
摘要：一種新穎的拋光墊結構設計，其包括一底盤；一拋光墊本體，在該拋光墊本體上係具有複數個凹孔；複數個金屬底部係被設置於該等凹孔內，且在每一該等凹孔內都具有一金屬底部；一電源正極導線，其係用於電性連接至一正極電源供應部；以及一電源負極導線，其係用於電性連接至一負極電源供應部；其中該電源正極導線及該電源負極導線，係通過該底盤而交錯地連接至該等複數金屬底部。本發明之拋光墊可以產生電滲現象及電化學反應而使部份材料移除，進而有效降低殘留應力、有效降低缺陷的產生、移除速率快及維持研磨顆粒均一性等優點及功效。
简体摘要：一种新颖的抛光垫结构设计，其包括一底盘；一抛光垫本体，在该抛光垫本体上系具有复数个凹孔；复数个金属底部系被设置于该等凹孔内，且在每一该等凹孔内都具有一金属底部；一电源正极导线，其系用于电性连接至一正极电源供应部；以及一电源负极导线，其系用于电性连接至一负极电源供应部；其中该电源正极导线及该电源负极导线，系通过该底盘而交错地连接至该等复数金属底部。本发明之抛光垫可以产生电渗现象及电化学反应而使部份材料移除，进而有效降低残留应力、有效降低缺陷的产生、移除速率快及维持研磨颗粒均一性等优点及功效。

3. 发明专利

TW200845162A 使用電拋光製程移除阻障層之方法與系統 REMOVING BARRIER LAYER USING AN ELETRO-POLISHING PROCESS 审中-公开
简体标题：使用电抛光制程移除阻障层之方法与系统 REMOVING BARRIER LAYER USING AN ELETRO-POLISHING PROCESS
公开(公告)号：TW200845162A
公开(公告)日：2008-11-16
申请号：TW096115608
申请日：2007-05-02
申请人： ACM研究股份有限公司 ACM RESEARCH, INC.
发明人：王暉 WANG, HUI , 王堅 WANG, JIAN
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/02074 , H01L21/32125 , H01L21/76807 , H01L21/76819 , H01L21/76829 , H01L21/76835 , H01L21/7684
摘要：為了電拋光在半導體晶圓上之金屬層,一第一介電層係被形成在一半導體晶圓上。該第一介電層對抗氫氟酸之蝕刻。一第二介電層係被形成在該半導體晶圓的第一介電層上。該第二介電層易受到該氫氟酸的蝕刻。該第二介電層係形成有凹陷區與非凹陷區。該凹陷區延伸入該第一介電層。一阻障層係形成以覆蓋該凹陷區與非凹陷區。該金屬層係被形成以填充該凹陷區及覆蓋該非凹陷區。使用含氫氟酸之電解液,金屬層與阻障層係被電拋光以曝露出該非凹陷區。
简体摘要：为了电抛光在半导体晶圆上之金属层,一第一介电层系被形成在一半导体晶圆上。该第一介电层对抗氢氟酸之蚀刻。一第二介电层系被形成在该半导体晶圆的第一介电层上。该第二介电层易受到该氢氟酸的蚀刻。该第二介电层系形成有凹陷区与非凹陷区。该凹陷区延伸入该第一介电层。一阻障层系形成以覆盖该凹陷区与非凹陷区。该金属层系被形成以填充该凹陷区及覆盖该非凹陷区。使用含氢氟酸之电解液,金属层与阻障层系被电抛光以曝露出该非凹陷区。

4. 发明专利

TW200737335A 電化學研磨基材上導電材料之方法 METHOD FOR ELECTROCHEMICALLY POLISHING A CONDUCTIVE MATERIAL ON A SUBSTRATE 审中-公开
简体标题：电化学研磨基材上导电材料之方法 METHOD FOR ELECTROCHEMICALLY POLISHING A CONDUCTIVE MATERIAL ON A SUBSTRATE
公开(公告)号：TW200737335A
公开(公告)日：2007-10-01
申请号：TW096103901
申请日：2007-02-02
申请人：應用材料股份有限公司 APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：杜天鄱 DU, TIANBO , 劉鳳全 LIU, FENG Q. , 杜布斯特艾倫 DUBOUST, ALAIN , 許偉勇 HSU, WEI-YUNG , 陳良毓 CHEN, LIANG-YUH
IPC分类号： H01L
CPC分类号： B23H5/08 , B24B37/042 , C25F3/02 , H01L21/32125
摘要：茲提供用以自基材表面移除導電材料之方法。於一方法實施態樣中,係包括下列步驟:提供一基材,該基材包含數個形成於數個基材區域間之介電特徵定義、一設於該等特徵定義中及該等基材區域上之阻障材料、以及一設於該阻障材料上之導電材料;利用一直流偏壓研磨該基材,以實質移除該導電材料之一主要部份;以及利用一脈衝偏壓研磨該基材以移除該導電材料之一剩餘部分。
简体摘要：兹提供用以自基材表面移除导电材料之方法。于一方法实施态样中,系包括下列步骤:提供一基材,该基材包含数个形成于数个基材区域间之介电特征定义、一设于该等特征定义中及该等基材区域上之阻障材料、以及一设于该阻障材料上之导电材料;利用一直流偏压研磨该基材,以实质移除该导电材料之一主要部份;以及利用一脉冲偏压研磨该基材以移除该导电材料之一剩余部分。

5. 发明专利

TW200634119A 用於研磨基材的方法與組合物 METHOD AND COMPOSITION FOR POLISHING A SUBSTRATE 审中-公开
简体标题：用于研磨基材的方法与组合物 METHOD AND COMPOSITION FOR POLISHING A SUBSTRATE
公开(公告)号：TW200634119A
公开(公告)日：2006-10-01
申请号：TW095103796
申请日：2006-02-03
申请人：應用材料股份有限公司 APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：趙俊滋 ZHAO, JUNZI , 劉鳳全 LIU, FENG Q. , 王友 WANG, YOU , 蔡東辰 TSAI, STAN D.
IPC分类号： C09G , H01L , B24B
CPC分类号： H01L21/7684 , B24B37/044 , C09G1/02 , C09G1/04 , C25F3/02 , H01L21/32125
摘要：本發明提供從基材表面除去阻障材料之研磨組合物及方法。在一態樣中，提供一種用來從基材表面至少除去阻障材料之組合物，其包含一酸性基電解質系統、一或多種螯合劑、一或多種pH調整劑，以提供介於約3和約11間之pH值，以及一溶劑。該組合物可用在電化學機械平坦化製程中。在此所述之研磨組合物及方法改善從基材表面除去阻障材料之有效移除速率，同時減少平坦化型之缺陷。
简体摘要：本发明提供从基材表面除去阻障材料之研磨组合物及方法。在一态样中，提供一种用来从基材表面至少除去阻障材料之组合物，其包含一酸性基电解质系统、一或多种螯合剂、一或多种pH调整剂，以提供介于约3和约11间之pH值，以及一溶剂。该组合物可用在电化学机械平坦化制程中。在此所述之研磨组合物及方法改善从基材表面除去阻障材料之有效移除速率，同时减少平坦化型之缺陷。

6. 发明专利

TW200629392A 平坦化方法及平坦化裝置 FLATTENING METHOD AND FLATTENING APPARATUS 审中-公开
简体标题：平坦化方法及平坦化设备 FLATTENING METHOD AND FLATTENING APPARATUS
公开(公告)号：TW200629392A
公开(公告)日：2006-08-16
申请号：TW094145477
申请日：2005-12-21
申请人：荏原製作所股份有限公司 EBARA CORPORATION
发明人：當間康 TOHMA, YASUSHI , 齋藤孝行 SAITOH, TAKAYUKI , 鈴木作 SUZUKI, TSUKURU , 小寺章 KODERA, AKIRA , 和田雄高 WADA, YUTAKA , 小嚴貴 KOBATA, ITSUKI
IPC分类号： H01L
CPC分类号： C25F3/02 , C25F7/00 , H01L21/32115 , H01L21/32125 , H01L21/7684
摘要：一種平坦化方法，可對作為互連材料的金屬膜表面以充分高的處理速率平坦處理整個薄膜表面，即使該金屬膜有初始表面不規則部。用於處理及平坦化形成於工件上且有初始表面不規則部的金屬膜表面的平坦化方法係包含：只在該金屬膜之初始表面不規則部的凹入部份塗上一層固態或漿態塗層材料；以及，以不使用研磨料的電解處理來處理該金屬膜表面。
简体摘要：一种平坦化方法，可对作为互连材料的金属膜表面以充分高的处理速率平坦处理整个薄膜表面，即使该金属膜有初始表面不守则部。用于处理及平坦化形成于工件上且有初始表面不守则部的金属膜表面的平坦化方法系包含：只在该金属膜之初始表面不守则部的凹入部份涂上一层固态或浆态涂层材料；以及，以不使用研磨料的电解处理来处理该金属膜表面。

7. 发明专利

TW200530381A 研磨基材的組合物及方法 METHOD AND COMPOSITION FOR POLISHING A SUBSTRATE 审中-公开
简体标题：研磨基材的组合物及方法 METHOD AND COMPOSITION FOR POLISHING A SUBSTRATE
公开(公告)号：TW200530381A
公开(公告)日：2005-09-16
申请号：TW094101589
申请日：2005-01-19
申请人：應用材料股份有限公司 APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：劉鳳全 LIU, FENG Q. , 蔡東辰 TSAI, STAN D. , 烏離特馬丁S WOHLERT, MARTIN S. , 田園 TIAN, YUAN A. , 賈仁和 JIA, RENHE , 胡永其 HU, YONGQI , 陳良毓 CHEN, LIANG-YUH
IPC分类号： C09K
CPC分类号： H01L21/7684 , C25F3/16 , C25F3/26 , H01L21/32125
摘要：所揭示者為一用以去除基材表面之導電材料的方法與組合物。在一態樣中，提供一可去除基材表面之至少一導電材料的組合物，包括硫酸或其衍生物，磷酸或其衍生物，一第一螫合劑其包含一種有機鹽類，一pH值調節劑用以提供介於約2至約10之間的pH值，及一種溶劑。該組合物可更包括一第二螯合劑。該組合物可用於一單一步驟或兩步驟的電化學機械平坦化製程中。所揭示之該研磨組合物及方法可改善自基材表面移除材料(例如，鎢)的速率，且降低出現平坦化缺陷的機率。
简体摘要：所揭示者为一用以去除基材表面之导电材料的方法与组合物。在一态样中，提供一可去除基材表面之至少一导电材料的组合物，包括硫酸或其衍生物，磷酸或其衍生物，一第一螫合剂其包含一种有机盐类，一pH值调节剂用以提供介于约2至约10之间的pH值，及一种溶剂。该组合物可更包括一第二螯合剂。该组合物可用于一单一步骤或两步骤的电化学机械平坦化制程中。所揭示之该研磨组合物及方法可改善自基材表面移除材料(例如，钨)的速率，且降低出现平坦化缺陷的概率。

8. 发明专利

TW200527521A 薄膜媒介的電拋光 MEMBRANE-MEDIATED ELECTROPOLISHING 审中-公开
简体标题：薄膜媒介的电抛光 MEMBRANE-MEDIATED ELECTROPOLISHING
公开(公告)号：TW200527521A
公开(公告)日：2005-08-16
申请号：TW093133267
申请日：2004-11-01
申请人：杜邦公司 E. I. DU PONT DE NEMOURS AND COMPANY
发明人：史蒂芬馬露爾 MAZUR, STEPHEN , 查理斯傑克遜二世 JACKSON, JR., CHARLES E.
IPC分类号： H01L , C23F
CPC分类号： C25F3/16 , B23H5/08 , B24B37/042 , B24B37/046 , C25F3/02 , H01L21/32115 , H01L21/32125
摘要：本發明提供一種薄膜媒介的電拋光程序，用以拋光及／或平面化金屬工作物件。該工作物件因低傳導性液體而潮濕。該潮濕的工作物件接觸一電荷選擇離子傳導薄膜的第一側，其中第二側接觸一與一陰極電氣接觸之傳導電解質溶液。電流自該工作物件流經該陰極與該工作物件電拋光金屬之間。該程序可用於純金屬及合金，並提供多項明顯超越傳統電拋光程序的優點。本發明亦提供一可用於薄膜媒介之電拋光程序的裝置。
简体摘要：本发明提供一种薄膜媒介的电抛光进程，用以抛光及／或平面化金属工作对象。该工作对象因低传导性液体而潮湿。该潮湿的工作对象接触一电荷选择离子传导薄膜的第一侧，其中第二侧接触一与一阴极电气接触之传导电解质溶液。电流自该工作对象流经该阴极与该工作对象电抛光金属之间。该进程可用于纯金属及合金，并提供多项明显超越传统电抛光进程的优点。本发明亦提供一可用于薄膜媒介之电抛光进程的设备。

9. 发明专利

TW200505631A 用於局部研磨控制的方法及設備 METHOD AND APPARATUS FOR LOCAL POLISHING CONTROL 审中-公开
简体标题：用于局部研磨控制的方法及设备 METHOD AND APPARATUS FOR LOCAL POLISHING CONTROL
公开(公告)号：TW200505631A
公开(公告)日：2005-02-16
申请号：TW093105760
申请日：2004-03-04
申请人：應用材料股份有限公司 APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：蔡東辰 TSAI, STAN , 劉鳳全 LIU, FEN Q. , 王彥 WANG, YAN , 馬夫里瑞喜德 MAVLIEV, RASHID , 陳良毓 CHEN, LIANG YUH , 杜布斯特艾倫 DUBOUST, ALAIN
IPC分类号： B24B , H01L
CPC分类号： B24B37/046 , B24B37/26 , B24B49/10 , C25F7/00 , H01L21/32125
摘要：本發明提供一種用於在一處理槽室中局部研磨與沈積控制之方法及設備。在一具體實施例中，提供一用於電化學處理一基材之設備，該設備藉由控制橫跨一處理區域之電性偏壓輪廓而選擇性地研磨一基材之離散導電部份，藉以控制在該基材的二或以上導電部份間之處理速率。
简体摘要：本发明提供一种用于在一处理槽室中局部研磨与沉积控制之方法及设备。在一具体实施例中，提供一用于电化学处理一基材之设备，该设备借由控制横跨一处理区域之电性偏压轮廓而选择性地研磨一基材之离散导电部份，借以控制在该基材的二或以上导电部份间之处理速率。

10. 发明专利

TW200301171A 電解加工裝置及方法 ELECTROLYTIC PROCESSING APPARATUS AND METHOD 失效
简体标题：电解加工设备及方法 ELECTROLYTIC PROCESSING APPARATUS AND METHOD
公开(公告)号：TW200301171A
公开(公告)日：2003-07-01
申请号：TW091135927
申请日：2002-12-12
申请人：荏原製作所股份有限公司 EBARA CORPORATION
发明人：白充彥 MITSUHIKO SHIRAKASHI , 川正行 MASAYUKI KUMEKAWA , 安田穗積 HOZUMI YASUDA , 小嚴貴 ITSUKI KOBATA
IPC分类号： B23H
CPC分类号： C25F7/00 , B23H3/02 , B23H5/08 , C25F3/00 , H01L21/32125
摘要：本發明係提供一種電解加工裝置及方法，能以相當高的精密度來加工處理工件，該工件在表面上係具有作為待處理材料之導電性材料，並且可使加工處理後之工件具有相當高的形狀精密度。該電解加工裝置包括：處理電極，可靠近或與工件相接觸；饋電電極，用以將電力饋給至工件；離子交換器，設置在該工件與處理電極之間的空間以及工件與饋電電極之間之空間的至少一個空間中；流體供應部，用以將流體供應至該工件與該處理電極與饋電電極之至少其中一個之間的空間中，該空間中存在有該離子交換器；以及電源，在任意控制電壓或電流之至少其中一者的情況下，供應電能至該處理電極與饋電電極之間。
简体摘要：本发明系提供一种电解加工设备及方法，能以相当高的精密度来加工处理工件，该工件在表面上系具有作为待处理材料之导电性材料，并且可使加工处理后之工件具有相当高的形状精密度。该电解加工设备包括：处理电极，可靠近或与工件相接触；馈电电极，用以将电力馈给至工件；离子交换器，设置在该工件与处理电极之间的空间以及工件与馈电电极之间之空间的至少一个空间中；流体供应部，用以将流体供应至该工件与该处理电极与馈电电极之至少其中一个之间的空间中，该空间中存在有该离子交换器；以及电源，在任意控制电压或电流之至少其中一者的情况下，供应电能至该处理电极与馈电电极之间。

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