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1. 发明授权

KR101221168B1 클러스터 툴을 위한 보안된 범용 구성 소프트웨어 有权
标题翻译：安全通用配置软件集群工具
公开(公告)号：KR101221168B1
公开(公告)日：2013-01-18
申请号：KR1020077020847
申请日：2006-02-16
申请人： 램 리써치 코포레이션
发明人： 후앙청-호 , 판시-젠 , 창친-촨
IPC分类号： H01L21/00 , H01L21/3065 , G06F19/00
CPC分类号： G05B19/0426 , G05B2219/23195 , G05B2219/23255 , G05B2219/24167 , G05B2219/25066 , G05B2219/25076 , G05B2219/25314 , G05B2219/2602 , Y10S438/907 , Y10S438/908
摘要： 플라즈마 클러스터 툴을 구성하는 방법이 개시된다. 본 방법은, 플라즈마 클러스터 툴에 특정하여 부여되는 구성 제한을 캡슐화하는 키 파일을 옵션 사양으로부터 생성하는 단계를 포함한다. 또한, 본 방법은 키 파일을 이용하여 하나 이상의 시스템 전역 구성 파일 및 하나 이상의 콤포넌트 레벨 구성 파일을 생성하는 단계를 포함한다. 추가적으로 본 방법은 옵션 정의 파일, 하나 이상의 시스템 전역 구성 파일 및 하나 이상의 콤포넌트 레벨 구성 파일의 데이터베이스로부터 런타임 실행가능 객체를 생성하는 단계를 포함한다. 또한, 본 방법은 런타임 실행가능 객체를 이용하여 플라즈마 클러스터 툴을 구성하는 단계를 포함한다.
클러스터 툴

2. 发明公开

KR1020060114042A 열처리장치, 열처리방법 및 기록매체 失效
标题翻译：热处理单元，热处理方法和记录介质
公开(公告)号：KR1020060114042A
公开(公告)日：2006-11-03
申请号：KR1020067021366
申请日：2001-07-23
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 왕웬링 , 사카모토고이치 , 스즈키후지오 , 야스하라모유루
IPC分类号： H01L21/324 , H01L21/205
CPC分类号： H01L22/20 , H01L21/3185 , H01L21/324 , Y10S438/907 , Y10S438/909 , Y10S438/935
摘要： A method of controlling a substrate temperature according to a corresponding set temperature profile for each group and a method of determining the set temperature profile for the control in a method of heat treating a plurality of substrates classified into a plurality of groups, comprising the first heat treatment step of controlling the substrate temperature for each group according to a specified temporary set temperature file for first batch substrates classified into a plurality of groups and leading treatment gas for heat treatment so as to form a film on the substrates, a first film thickness measurement step of measuring the film thickness of the films formed on the substrates, and a first set temperature profile correction step of correcting the temporary set temperature profile based on the measured film thickness so that the film thicknesses formed during heat treatment are generally equal to each other between the groups, wherein, in the first heat treatment step, the temporary set temperature profile is a profile having the set temperatures varying with the elapse of time.
摘要翻译：根据各组的对应设定温度曲线来控制衬底温度的方法以及在分类为多个组的多个衬底的热处理方法中确定用于控制的设定温度曲线的方法，所述方法包括第一热处理步骤，根据分类为多个组的第一批次基板的特定临时设定温度文件和用于热处理的前导处理气体，以在基板上形成膜，根据指定的临时设定温度文件控制基板温度，第一膜厚度测量测量形成在基板上的膜的膜厚度的步骤，以及基于测量的膜厚度校正临时设定温度分布的第一设定温度曲线校正步骤，使得在热处理期间形成的膜厚度彼此相等在所述组之间，其中，在所述第一热处理步骤中，轮廓设定温度曲线是具有随着时间的流逝而变化的设定温度的轮廓。

3. 发明授权

KR100171982B1 반도체 소자의 필드 산화막 형성방법 失效
标题翻译：氧化物膜形成半导体器件的方法
公开(公告)号：KR100171982B1
公开(公告)日：1999-03-30
申请号：KR1019950046244
申请日：1995-12-02
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 박인옥 , 박태윤
IPC分类号： H01L21/76
CPC分类号： H01L21/32 , Y10S438/907 , Y10S438/913
摘要： 본 발명은 반도체 소자의 필드 산화막 형성방법을 개시한다. 개시된 방법은 실리콘 기판을 반응 챔버내에 장입하고 반응 가스를 주입하여 박막의 산화막을 형성하는 단계; 연속적으로 동일 챔버내에서 주입 가스 및 챔버내의 온도를 달리하여 상기 산화막 상부에 폴리실리콘막을 형성하는 단계; 상기 폴리실리콘막이 형성된 기판을 상기 반응 챔버내에서 반출하여 별도의 반응 챔버내로 장입하는 단계; 상기 폴리실리콘막이 형성된 기판이 장입된 챔버내에 반응 가스를 주입하여 실리콘 질화막을 형성하는 단계; 상기 기판을 반응 챔버내에서 반출하는 단계; 상기 반출된 기판을 사진 식각 공정에 의하여 상기 기판상의 실리콘 질화막 상부에 마스크 패턴을 형성하는 단계; 상기 마스크 패턴의 형태로 상기 기판상의 산화막과 폴리실리콘막 및 실리콘 질화막을 식각하는 단계; 및 상기 식각에 의하여 노출된 실리콘 기판 부분을 선택적 산화시키는 단계를 포함하고, 본 발명에 의하면, 기판의 오염을 방지시켜 제품의 수율 증대 및 생산성을 향상시킬 수 있다.

4. 发明授权

KR100148599B1 유전체 박막상의 무결함 화합물 반도체 박막의 제조방법 失效
标题翻译：在电介质薄膜上制造无缺陷化合物半导体薄膜的方法
公开(公告)号：KR100148599B1
公开(公告)日：1998-12-01
申请号：KR1019940029924
申请日：1994-11-15
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 이번 , 윤미영 , 백종협
IPC分类号： H01L21/20
CPC分类号： H01L21/02178 , H01L21/02241 , H01L21/02255 , H01L21/02395 , H01L21/02463 , H01L21/02546 , H01L21/02573 , H01L21/02664 , H01L21/31666 , Y10S438/902 , Y10S438/907 , Y10S438/967
摘要： 본 발명은 유전체 박막상에 무결함 반도체 격자구조를 갖는 화합물 반도체 반도체 박막을 제조하는 방법에 관한 것이다.
본 발명은 고농도의 탄소 불순물이 첨가된 AlGaInAs 계열의 박막층 위에 이종의 화합물 반도체 박막인 GaAs, InGaAs 또는 InAs 층을 가지는 다층 구조에 대해 수증기 분위기에서 열처리하여 산화시키는 것을 특징으로하여 수행되며. 본 발명에 의해 유전체인 Al
2 O
3 박막층위에 이종 화합물 반도체의 박막층을 결함없이 빠르게 성장시킬 수 있는 효과

5. 发明授权

KR1019930001495B1 반도체 웨이퍼 처리 시스템 失效
标题翻译：半导体晶圆处理系统
公开(公告)号：KR1019930001495B1
公开(公告)日：1993-03-02
申请号：KR1019890007801
申请日：1989-06-05
申请人： 닛토덴코 가부시키가이샤
发明人： 쿠로다시게지 , 세키도토시유키 , 노다카즈히로 , 킨바라마쯔로
IPC分类号： H01L21/68
CPC分类号： H01L21/67173 , H01L21/67346 , H01L21/67778 , Y10S438/907 , Y10T29/53178 , Y10T156/12
摘要： 내용 없음.

6. 发明授权

KR100720775B1 열처리조건의 결정방법 失效
标题翻译：确定热处理条件的方法
公开(公告)号：KR100720775B1
公开(公告)日：2007-05-22
申请号：KR1020037001075
申请日：2001-07-23
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 왕웬링 , 사카모토고이치 , 스즈키후지오 , 야스하라모유루
IPC分类号： H01L21/324
CPC分类号： H01L22/20 , H01L21/3185 , H01L21/324 , Y10S438/907 , Y10S438/909 , Y10S438/935
摘要： The invention is a method of determining a set temperature profile for a method of controlling respective substrate temperatures of a plurality of groups in accordance with respective corresponding set temperature profiles, in a method of heat processing a plurality of substrates that are classified into the plurality of groups. The invention includes a first heat processing step of controlling respective substrate temperatures of a plurality of groups in accordance with respective predetermined provisional set temperature profiles for first-batch substrates that are classified into the plurality of groups, and of introducing a process gas to conduct a heat process to form films on the substrates; a first film-thickness measuring step of measuring a thickness of the films formed on the substrates; and a first set-temperature-profile amending step of respectively amending the provisional set temperature profiles based on the measured thickness, in such a manner that a thickness of films formed during a heat process is substantially the same between the plurality of groups. In the first heat processing step, the provisional set temperature profiles are profiles whose set temperatures change as time passes.

7. 发明授权

KR100400106B1 멀티칩 본딩 방법 및 장치 失效
标题翻译： 멀티칩본딩방법및장치
公开(公告)号：KR100400106B1
公开(公告)日：2003-09-29
申请号：KR1020000076964
申请日：2000-12-15
申请人： 가부시키가이샤 신가와
发明人： 미마타츠토무 , 가쿠타니오사무
IPC分类号： H01L21/60
CPC分类号： H01L21/67144 , Y10S438/907
摘要： A multi-chip bonding method and apparatus, in which a first wafer ring which has electronic components of a first type is held by a holding device; substrates are fed out to a conveying device from the first storing section; the electronic components of the first type on the holding device are successively bonded to the substrates; the substrates with the electronic components of the first type bonded is accommodated in the second storing section; the first wafer ring held by the holding device is exchanged for a second wafer ring which has electronic components of a second type; the substrates accommodated in the second storing section is fed out to the conveying device; the electronic components of the second type are successively bonded to the substrates; and the substrates with the electronic components of the second type bonded is accommodated in the first storing section.
摘要翻译：一种多芯片接合方法和装置，其中具有第一类电子部件的第一晶片环由保持装置保持; 基板从第一存储部分被送出到传送装置; 保持装置上的第一类电子元件依次接合到基板上; 具有第一类型的电子元件的基板被接合在第二存储部分中; 将由保持装置保持的第一晶片环更换为具有第二类电子部件的第二晶片环; 容纳在第二存储部中的基板被送出到输送装置; 第二类型的电子组件依次结合到基板; 并且具有第二类型的电子部件的基板被接合在第一存储部中。

8. 发明公开

KR1020030076454A 전자 디바이스 제조장치, 전자 디바이스 제조방법 및 전자 디바이스 제조 프로그램 기록매체 有权
公开(公告)号：KR1020030076454A
公开(公告)日：2003-09-26
申请号：KR1020030018016
申请日：2003-03-22
申请人： 세이코 엡슨 가부시키가이샤
发明人： 시오자와마사쿠니
IPC分类号： H05K13/00
CPC分类号： H01L21/6835 , B23K1/008 , B23K2201/40 , H01L2224/16 , H01L2924/01078 , H01L2924/19041 , H01L2924/3025 , H05K1/189 , H05K3/0097 , H05K3/3494 , H05K2203/1545 , Y10S438/907 , Y10T156/1052 , Y10T156/1084 , Y10T156/1085 , Y10T156/1097 , Y10T156/1343 , Y10T156/1751
摘要： 테이프 기판의 반송 회수를 줄여 생산 효율을 향상시킨다.
로더(11)와 언로더(14) 사이에 탑재 영역(12) 및 리플로우 영역(13)을 테이프 기판(1)의 반송 방향을 따라 나란히 배치하여, 테이프 기판(1)의 다른 영역에서 탑재 처리와 리플로우 처리를 일괄하여 행한다.

9. 发明公开

KR1020030022311A 열처리조건의 결정방법 失效
标题翻译： 열처리조건의결정방법
公开(公告)号：KR1020030022311A
公开(公告)日：2003-03-15
申请号：KR1020037001075
申请日：2001-07-23
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 왕웬링 , 사카모토고이치 , 스즈키후지오 , 야스하라모유루
IPC分类号： H01L21/324
CPC分类号： H01L22/20 , H01L21/3185 , H01L21/324 , Y10S438/907 , Y10S438/909 , Y10S438/935
摘要： 본 발명은, 복수의 군으로 나누어진 복수의 기판을 열처리하는 방법에 있어서, 기판온도를 상기 군마다 각각 대응하는 설정온도 프로파일에 따라서 제어하는 방법을 위한 설정온도 프로파일의 결정방법이다. 본 발명은, 복수의 군으로 나누어진 제 1 배치의 기판에 대하여, 각각 소정의 가설정온도 프로파일에 따라서, 기판온도를 상기 군마다 제어하는 동시에, 처리가스를 도입하여 열처리를 실시하여 기판상에 막을 형성하는 제 1 열처리공정과, 기판상에 형성된 막의 막두께를 측정하는 제 1 막두께 측정공정과, 측정된 막두께에 기초하여, 열처리중에 형성되는 막두께가 군사이에서 대략 동일해지도록, 가설정온도 프로파일을 수정하는 제 1 설정온도 프로파일수정공정을 구비한다. 제 1 열처리공정중에 있어, 가설정온도 프로파일은, 설정온도가 시간의 경과와 함께 변화하는 프로파일이다.
摘要翻译：本发明是一种确定设定温度分布图的方法，该设定温度分布图用于根据各自对应的设定温度分布图控制多个组的相应基板温度的方法，其中在对多个基板进行热处理的方法中，所述多个基板被分类为多个组。本发明包括：第一热处理步骤，根据被分类为多个组的第一批基板的各个预定的临时设定温度曲线，控制多个组的各个基板温度;以及引入处理气体以进行处理热处理以在衬底上形成膜; 测量在基板上形成的膜的厚度的第一膜厚度测量步骤; 以及第一设定温度曲线修正步骤，其基于所测量的厚度分别修改所述临时设定温度曲线，使得在加热过程中形成的膜的厚度在所述多个组之间基本相同。在第一热处理步骤中，临时设定温度曲线是其设定温度随时间变化的曲线。＆lt;图像＆GT;

10. 发明授权

KR100269315B1 램프가열방식의매엽식장비를이용한반도체장치의제조방법 失效
标题翻译：使用单个加热装置的半导体器件制造方法采用灯泡加热方法
公开(公告)号：KR100269315B1
公开(公告)日：2000-11-01
申请号：KR1019970062439
申请日：1997-11-24
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김경훈 , 박영욱 , 남갑진 , 원석준 , 윤덕수 , 곽선우
IPC分类号： H01L21/26
CPC分类号： C23C16/45561 , C23C16/45557 , C23C16/481 , H01L21/28556 , H01L21/314 , Y10S438/907
摘要： PURPOSE: A method for manufacturing semiconductor devices is provided to increase the throughput per unit time by reducing a temperature stabilization time of a wafer when semiconductor devices are manufactured using a sheet type equipment. CONSTITUTION: A method for manufacturing semiconductor devices stabilizes a wafer loaded to a chamber and performs a given process for the stabilized wafer. In order to increase the throughput of wafers per unit time by reducing the time consumed in the process stabilization step, the chamber pressure in the process stabilization step is maintained to be higher that in the process implementation step for a given hour.
摘要翻译：目的：提供一种制造半导体器件的方法，以通过在使用片式设备制造半导体器件时降低晶片的温度稳定时间来增加每单位时间的吞吐量。构成：制造半导体器件的方法使加载到腔室中的晶片稳定，并为稳定的晶片执行给定的工艺。为了通过减少在过程稳定步骤中消耗的时间来增加每单位时间的晶片的生产量，过程稳定步骤中的腔室压力被保持为高于给定时间的过程实施步骤。

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