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1. 发明授权

KR100757552B1 열처리장치, 열처리방법 및 기록매체 失效
标题翻译：热处理单元，热处理方法和记录介质
公开(公告)号：KR100757552B1
公开(公告)日：2007-09-10
申请号：KR1020067021366
申请日：2001-07-23
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 왕웬링 , 사카모토고이치 , 스즈키후지오 , 야스하라모유루
IPC分类号： H01L21/324 , H01L21/205
CPC分类号： H01L22/20 , H01L21/3185 , H01L21/324 , Y10S438/907 , Y10S438/909 , Y10S438/935
摘要： 본 발명은, 복수의 군으로 나누어진 복수의 기판을 열처리하는 방법에 있어서, 기판온도를 상기 군마다 각각 대응하는 설정온도 프로파일에 따라서 제어하는 방법을 위한 설정온도 프로파일의 결정방법이다. 본 발명은, 복수의 군으로 나누어진 제 1 배치의 기판에 대하여, 각각 소정의 가설정온도 프로파일에 따라서, 기판온도를 상기 군마다 제어하는 동시에, 처리가스를 도입하여 열처리를 실시하여 기판상에 막을 형성하는 제 1 열처리공정과, 기판상에 형성된 막의 막두께를 측정하는 제 1 막두께 측정공정과, 측정된 막두께에 기초하여, 열처리중에 형성되는 막두께가 군사이에서 대략 동일해지도록, 가설정온도 프로파일을 수정하는 제 1 설정온도 프로파일수정공정을 구비한다. 제 1 열처리공정중에 있어, 가설정온도 프로파일은, 설정온도가 시간의 경과와 함께 변화하는 프로파일이다.

2. 发明公开

KR1020020021054A 뱃치식 열처리 장치 및 그 제어방법 有权
标题翻译：批量式热处理设备及其控制方法
公开(公告)号：KR1020020021054A
公开(公告)日：2002-03-18
申请号：KR1020010056135
申请日：2001-09-12
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 왕웬링 , 사카모토고이치 , 스즈키후지오 , 야스하라모유루 , 샤수닐 , 팬디프래딥 , 에릭슨마크
IPC分类号： H01L21/324
CPC分类号： H01L21/67109 , C23C16/46 , C23C16/52 , C30B31/18 , F27D19/00 , F27D21/0014 , G05D23/1932 , H01L21/67248
摘要： PURPOSE: To estimate an accurate temperature for a heat treatment equipment by estimating the temperature of a substance to be treated in order to perform the heat treatment of the substance. CONSTITUTION: A reactive pipe 2 is provided with heaters 31-35, temperature sensors Sin1-Sin5 and Sout1-Sout5 and houses a wafer boat 23. A control part 100 estimates the temperatures of wafers W of five zones corresponding to the heaters 31-35 of the pipe 2 and also the temperatures of sensors Sin1-Sin5 by means of the electric power of the sensors Sin1-Sin5, Sout1-Sout5 and the heaters 31-35. The functions f1-f5 showing the relation between the estimated temperature and actual temperature of every zone are calculated from the relation of estimated and actual temperatures among sensors Sin1-Sin5. The estimated wafer temperatures are substituted for the functions f1-f5 for correcting the wafer temperatures. The electric power supplied to the heaters 31-35 are individually controlled so that the corrected wafer temperatures are converged on a target temperature track.
摘要翻译：目的：通过估计待处理物质的温度以进行物质的热处理来估计热处理设备的准确温度。构成：反应管2设置有加热器31-35，温度传感器Sin1-Sin5和Sout1-Sout5并容纳晶片舟23.控制部件100估计对应于加热器31-35的五个区域的晶片W的温度并且还通过传感器Sin1-Sin5，Sout1-Sout5和加热器31-35的电力传递Sin1-Sin5传感器的温度。表示各区域的估计温度与实际温度之间的关系的函数f1-f5根据传感器Sin1-Sin5中估计温度与实际温度的关系计算。估计的晶片温度代替用于校正晶片温度的功能f1-f5。供给到加热器31-35的电力被单独控制，使得校正的晶片温度会聚在目标温度轨道上。

3. 发明公开

KR1020010090573A 전력제어장치, 전력제어방법 및 열처리장치 有权
标题翻译：动力控制设备，动力控制方法和热处理设备
公开(公告)号：KR1020010090573A
公开(公告)日：2001-10-18
申请号：KR1020010015734
申请日：2001-03-26
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 스즈키후지오
IPC分类号： G05D23/19
CPC分类号： G05F1/14
摘要： PURPOSE: To enhance a power control resolution and suppress a harmonic in a power control equipment used for, for example, a heat treatment equipment for a semiconductor manufacturing equipment. CONSTITUTION: A primary side of a power source transformer with five voltage taps is connected with a power source and a secondary side of the power source transformer is connected with a power control objective. A switching portion (thyristor) is installed on each wiring of the five voltage taps which is connected with the power control objective. The connection of each switching portion is controlled by a pattern memory in a switch controller. The pattern memory prepares a switching patter for the switching portion corresponding to an output set point from 1 to 100%, and each of the switching patterns is set so that one set comprises eight cycles and an output difference in the two consecutive cycles is as small as possible. And a functioning of the switching portion based on the switching patter is carried out at the timing when a voltage of the transformer reduces to zero.
摘要翻译：目的：提高功率控制分辨率并抑制用于例如半导体制造设备的热处理设备的功率控制设备中的谐波。构成：具有五个电压抽头的电源变压器的初级侧与电源连接，电源变压器的次级侧与功率控制目标相连。在与功率控制对象连接的五个电压抽头的每个布线上安装开关部分（晶闸管）。每个切换部分的连接由开关控制器中的模式存储器控制。图案存储器为与1到100％的输出设定点对应的切换部分准备切换模式，并且将每个切换模式设置为使得一组包括八个周期，并且两个连续周期中的输出差小尽可能。并且在变压器的电压降低到零的时刻，基于开关模式的开关部分的功能被执行。

4. 发明授权

KR100713288B1 열처리 장치에 있어서의 설정 온도 궤적의 결정방법 有权
标题翻译：确定热处理系统的温度条件的方法
公开(公告)号：KR100713288B1
公开(公告)日：2007-05-04
申请号：KR1020010051377
申请日：2001-08-24
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 사카모토고이치 , 왕웬링 , 스즈키후지오 , 야스하라모유루 , 스즈키게이스케
IPC分类号： H01L21/205
摘要： 본 발명은 피처리체에 제 1 열처리 및 제 2 열처리를 수행하는 열처리 장치에 있어서의 설정 온도 궤적을 결정하는 방법에 관한 것이다.
이 방법은 제 1 열처리 공정을 임시의 제 1 설정 온도 궤적을 사용하여 제 1 시험 피처리체에 수행하는 단계, 상기 제 1 시험 피처리체에 수행된 상기 제 1 열처리 공정의 결과를 측정하는 단계, 및 상기 제 1 열처리 공정의 측정 결과에 기초하여 상기 임시의 제 1 설정 온도 궤적을 수정함으로써, 상기 제 1 열처리 공정에서의 제 1 설정 온도 궤적을 결정하는 단계를 포함한다. 또한, 본 발명은, 상기 제 2 열처리 공정을 임시의 제 2 설정 온도 궤적을 이용하여, 상기 제 1 열처리 공정이 상기 결정된 제 1 설정 온도 궤적을 이용하여 수행되어진 제 2 시험 피처리체에 수행하는 단계, 상기 제 2 시험 피처리체에 수행된 상기 제 1 열처리 공정 및 상기 제 2 열처리 공정의 결과를 측정하는 단계, 및 상기 제 1 열처리 공정 및 상기 제 2 열처리 공정의 측정 결과에 기초하여 상기 임시의 제 2 설정 온도 궤적을 수정함으로써, 상기 제 2 열처리 공정에서의 제 2 설정 온도 궤적을 결정하는 단계를 포함한다.

5. 发明公开

KR1020030076382A 열처리 방법 및 열처리 장치 无效
公开(公告)号：KR1020030076382A
公开(公告)日：2003-09-26
申请号：KR1020030017135
申请日：2003-03-19
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 스즈키후지오 , 와카이히데키
IPC分类号： H01L21/324
CPC分类号： H01L21/67248 , H01L21/67098
摘要： 다수의 기판이 하나씩 처리될 때 온도 하강이 방지되어, 기판간의 처리 품질의 균일성을 개선한다. 오프셋 온도값은 피처리체중 제 1 피처리체가 반응 용기내로 반입되기 직전의 처리 분위기의 온도와 상기 피처리체가 하나씩 연속적으로 열처리된 후 온도가 일정해지는 시간의 처리 분위기의 온도 사이의 차이이다. 처리 분위기의 온도를 열처리 공정을 위한 설정 온도보다 오프셋 온도값만큼 높은 온도로 상승시키는데 필요한 시간을 획득하도록 가열기에 전력이 공급된다. 피처리체중 제 1 피처리체가 반응 용기내로 반입될 때, 획득된 시간 동안만 가열기에 전력이 공급되며, 그 후 반응 용기 외부에 설치된 온도 검출부의 온도 검출값에 기초하여 가열기의 전력 제어를 수행한다.

6. 发明公开

KR1020020016589A 열처리 장치에 있어서의 설정 온도 궤적의 결정방법 有权
标题翻译：确定热处理系统的温度条件的方法
公开(公告)号：KR1020020016589A
公开(公告)日：2002-03-04
申请号：KR1020010051377
申请日：2001-08-24
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 사카모토고이치 , 왕웬링 , 스즈키후지오 , 야스하라모유루 , 스즈키게이스케
IPC分类号： H01L21/205
摘要： PURPOSE: A method for determining a set temperature trajectory for a heat treatment apparatus is provided to optimize set temperatures of reaction tubes for continuously heat-treating an object to be processed. CONSTITUTION: The method comprises the steps of finding a first set temperature(121) and finding a second set temperature(122). In the first step(121), an object to be processed is to be subjected to first heat treatment through steps of subjecting a first test object to the first heat treatment at a first temperature which is set prior to correction, measuring a heat treatment result of the first test object subjected to the first heat treatment, and correcting the first temperature based on the measured first heat treatment result. In the second step(122), the object subjected to first heat treatment is to be subjected to second heat treatment through steps of subjecting a second test object subjected to the first heat treatment at the found first set temperature to second heat treatment at a second temperature which is set prior to correction, measuring a heat treatment result of the second test object subjected to the first and second heat treatments, and correcting the second temperature based on the measured heat treatment result.
摘要翻译：目的：提供一种用于确定热处理设备的设定温度轨迹的方法，以优化用于连续热处理待处理物体的反应管的设定温度。构成：该方法包括找到第一设定温度（121）并找到第二设定温度（122）的步骤。在第一步骤（121）中，要对待处理的物体进行第一热处理，其步骤是在第一温度下进行第一热处理，第一温度设定在校正之前，测量热处理结果的第一热处理的第一试验对象，并且基于所测量的第一热处理结果来校正第一温度。在第二工序（122）中，对进行了第一热处理的物体进行第二次热处理，通过以下方法进行第二次热处理：使经受第一热处理的第二试验物在第一设定温度下进行第二次热处理在校正之前设定的温度，测量经受第一和第二热处理的第二测试对象的热处理结果，并且基于测量的热处理结果来校正第二温度。

7. 发明公开

KR1020010030160A 열처리 장치의 온도 교정 방법 有权
标题翻译：用于热处理装置的温度校准方法
公开(公告)号：KR1020010030160A
公开(公告)日：2001-04-16
申请号：KR1020000050637
申请日：2000-08-30
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 스즈키후지오 , 사카모토코이치 , 왕웬링 , 야스하라모유루 , 팬디프라디프 , 샤선일
IPC分类号： H01L21/324
CPC分类号： H01L21/67253 , C30B25/10 , C30B31/12 , F27D19/00 , H01L21/67248
摘要： PURPOSE: To raise precision of a temperature controller by measuring the film thickness of a thin-film of object which is to be thermally processed, measuring the film thickness of a thin film of object for a second thermal process device, and so adjusting the temperature controller that these film thickness is identical before the later process is repeated. CONSTITUTION: A wafer W is carried into a thermal process oven 1 for oxidation, and the thickness of oxide film thus obtained is measured with a film- thickness measuring part 8. The wafer W is set in a second thermal process device, and a temperature controller is set to the same temperature for oxidation, before a film thickness is measured. A difference between the film-thickness and that acquired in the previous process is acquired. Temperature difference = film thickness difference/film thickness temperature coefficient. If, for example, a film is thicker than that acquired in the previous process by 2.4 Å, a temperature difference is 2.4/1.2=2, so the temperature setting of a temperature controller 5 should be lowered by 2°. So, an oxidizing process with the second thermal process device is repeated until the thickness of the latter oxide film is equal to that acquired in the previous process.
摘要翻译：目的：通过测量被加热物体的薄膜的膜厚度来测量温度控制器的精度，测量第二热处理装置的物体薄膜的膜厚，从而调节温度控制器，这些膜厚度在后续处理之前是相同的。构成：将晶片W搬入热处理炉1进行氧化，用膜厚测定部8测定由此得到的氧化膜的厚度。将晶片W置于第二热处理装置中，在测量膜厚度之前，将控制器设置为相同的氧化温度。获得了薄膜厚度与先前工艺中获得的厚度之间的差异。温度差=膜厚差/膜厚温度系数。例如，如果薄膜比以前的方法中所获得的薄膜厚，则温度差为2.4 / 1.2 = 2，因此温度控制器5的温度设置应降低2°。因此，重复使用第二热处理装置的氧化过程，直到后一氧化膜的厚度等于在先前工艺中获得的厚度。

8. 发明授权

KR100720775B1 열처리조건의 결정방법 失效
标题翻译：确定热处理条件的方法
公开(公告)号：KR100720775B1
公开(公告)日：2007-05-22
申请号：KR1020037001075
申请日：2001-07-23
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 왕웬링 , 사카모토고이치 , 스즈키후지오 , 야스하라모유루
IPC分类号： H01L21/324
CPC分类号： H01L22/20 , H01L21/3185 , H01L21/324 , Y10S438/907 , Y10S438/909 , Y10S438/935
摘要： The invention is a method of determining a set temperature profile for a method of controlling respective substrate temperatures of a plurality of groups in accordance with respective corresponding set temperature profiles, in a method of heat processing a plurality of substrates that are classified into the plurality of groups. The invention includes a first heat processing step of controlling respective substrate temperatures of a plurality of groups in accordance with respective predetermined provisional set temperature profiles for first-batch substrates that are classified into the plurality of groups, and of introducing a process gas to conduct a heat process to form films on the substrates; a first film-thickness measuring step of measuring a thickness of the films formed on the substrates; and a first set-temperature-profile amending step of respectively amending the provisional set temperature profiles based on the measured thickness, in such a manner that a thickness of films formed during a heat process is substantially the same between the plurality of groups. In the first heat processing step, the provisional set temperature profiles are profiles whose set temperatures change as time passes.

9. 发明授权

KR100676543B1 뱃치식 열처리 장치 및 그 제어방법 有权
标题翻译：批处理型热处理装置及其控制方法
公开(公告)号：KR100676543B1
公开(公告)日：2007-01-30
申请号：KR1020010056135
申请日：2001-09-12
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 왕웬링 , 사카모토고이치 , 스즈키후지오 , 야스하라모유루 , 샤수닐 , 팬디프래딥 , 에릭슨마크
IPC分类号： H01L21/324
CPC分类号： H01L21/67109 , C23C16/46 , C23C16/52 , C30B31/18 , F27D19/00 , F27D21/0014 , G05D23/1932 , H01L21/67248
摘要： 피처리체의 온도를 추정하여, 열처리하는 열처리 장치에 있어서, 정확한 온도를 추정한다.
반응관(2)은 히터(31∼35)와, 온도 센서(Sin
1 ∼Sin
5 와 Sout
1 ∼Sout
5 )를 구비하고, 웨이퍼 보트(23)를 수용한다. 제어부(100)는 온도 센서(Sin
1 ∼Sin
5 와 Sout
1 ∼ Sout
5 )와 히터(31∼35)의 전력을 사용하여, 반응관(2)내의 히터(31∼35)에 대응하는 5개의 영역의 웨이퍼(W)의 온도와 온도 센서(Sin
1 ∼Sin
5 )의 온도를 추정한다. 온도 센서(Sin
1 ∼Sin
5 )의 추정 온도와 실측 온도와의 관계로부터, 영역별로 추정 온도와 실측 온도와의 관계를 나타내는 함수(f1∼f5)를 구한다. 함수(f1∼f5)에, 추정한 웨이퍼 온도를 대입하여, 추정 웨이퍼 온도를 교정한다. 교정된 웨이퍼 온도가 목표 온도 궤도에 수렴하도록, 히터(31∼35)에 공급하는 전력을 개별로 제어한다.

10. 发明公开

KR1020030022311A 열처리조건의 결정방법 失效
标题翻译： 열처리조건의결정방법
公开(公告)号：KR1020030022311A
公开(公告)日：2003-03-15
申请号：KR1020037001075
申请日：2001-07-23
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 왕웬링 , 사카모토고이치 , 스즈키후지오 , 야스하라모유루
IPC分类号： H01L21/324
CPC分类号： H01L22/20 , H01L21/3185 , H01L21/324 , Y10S438/907 , Y10S438/909 , Y10S438/935
摘要： 본 발명은, 복수의 군으로 나누어진 복수의 기판을 열처리하는 방법에 있어서, 기판온도를 상기 군마다 각각 대응하는 설정온도 프로파일에 따라서 제어하는 방법을 위한 설정온도 프로파일의 결정방법이다. 본 발명은, 복수의 군으로 나누어진 제 1 배치의 기판에 대하여, 각각 소정의 가설정온도 프로파일에 따라서, 기판온도를 상기 군마다 제어하는 동시에, 처리가스를 도입하여 열처리를 실시하여 기판상에 막을 형성하는 제 1 열처리공정과, 기판상에 형성된 막의 막두께를 측정하는 제 1 막두께 측정공정과, 측정된 막두께에 기초하여, 열처리중에 형성되는 막두께가 군사이에서 대략 동일해지도록, 가설정온도 프로파일을 수정하는 제 1 설정온도 프로파일수정공정을 구비한다. 제 1 열처리공정중에 있어, 가설정온도 프로파일은, 설정온도가 시간의 경과와 함께 변화하는 프로파일이다.
摘要翻译：本发明是一种确定设定温度分布图的方法，该设定温度分布图用于根据各自对应的设定温度分布图控制多个组的相应基板温度的方法，其中在对多个基板进行热处理的方法中，所述多个基板被分类为多个组。本发明包括：第一热处理步骤，根据被分类为多个组的第一批基板的各个预定的临时设定温度曲线，控制多个组的各个基板温度;以及引入处理气体以进行处理热处理以在衬底上形成膜; 测量在基板上形成的膜的厚度的第一膜厚度测量步骤; 以及第一设定温度曲线修正步骤，其基于所测量的厚度分别修改所述临时设定温度曲线，使得在加热过程中形成的膜的厚度在所述多个组之间基本相同。在第一热处理步骤中，临时设定温度曲线是其设定温度随时间变化的曲线。＆lt;图像＆GT;

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