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1. 发明授权

KR100148599B1 유전체 박막상의 무결함 화합물 반도체 박막의 제조방법 失效
标题翻译：在电介质薄膜上制造无缺陷化合物半导体薄膜的方法
公开(公告)号：KR100148599B1
公开(公告)日：1998-12-01
申请号：KR1019940029924
申请日：1994-11-15
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 이번 , 윤미영 , 백종협
IPC分类号： H01L21/20
CPC分类号： H01L21/02178 , H01L21/02241 , H01L21/02255 , H01L21/02395 , H01L21/02463 , H01L21/02546 , H01L21/02573 , H01L21/02664 , H01L21/31666 , Y10S438/902 , Y10S438/907 , Y10S438/967
摘要： 본 발명은 유전체 박막상에 무결함 반도체 격자구조를 갖는 화합물 반도체 반도체 박막을 제조하는 방법에 관한 것이다.
본 발명은 고농도의 탄소 불순물이 첨가된 AlGaInAs 계열의 박막층 위에 이종의 화합물 반도체 박막인 GaAs, InGaAs 또는 InAs 층을 가지는 다층 구조에 대해 수증기 분위기에서 열처리하여 산화시키는 것을 특징으로하여 수행되며. 본 발명에 의해 유전체인 Al
2 O
3 박막층위에 이종 화합물 반도체의 박막층을 결함없이 빠르게 성장시킬 수 있는 효과

2. 发明公开

KR1020160047455A MOS 트랜지스터를 위한 IV족 기판 상에 퇴적된 III-V 채널에 대한 고저항층 审中-实审
标题翻译：用于MOS晶体管的IV组基板上沉积的III-V通道的高电阻层
公开(公告)号：KR1020160047455A
公开(公告)日：2016-05-02
申请号：KR1020167001110
申请日：2013-08-23
申请人： 인텔 코포레이션
发明人： 글래스,글렌에이. , 머티,아난드에스.
IPC分类号： H01L29/10 , H01L29/06 , H01L29/205 , H01L29/267 , H01L29/78 , H01L21/762
CPC分类号： H01L29/205 , H01L21/02241 , H01L21/02247 , H01L21/02373 , H01L21/02461 , H01L21/02463 , H01L21/02466 , H01L21/02546 , H01L21/02549 , H01L21/0262 , H01L21/30604 , H01L21/30612 , H01L21/7605 , H01L21/76224 , H01L21/76232 , H01L21/76264 , H01L27/0255 , H01L29/0653 , H01L29/0673 , H01L29/1033 , H01L29/1054 , H01L29/1079 , H01L29/1083 , H01L29/165 , H01L29/267 , H01L29/66522 , H01L29/66795 , H01L29/78 , H01L29/7848 , H01L29/785
摘要： MOS 트랜지스터들과같은, 반도체형디바이스들을위한 III-V 채널층과 IV족기판사이에고저항층을이용하기위한기술들이개시된다. 고저항층은직접적으로채널을통하는것 이외의경로를따르는소스로부터드레인으로의전류흐름을최소화(또는제거)하는데사용될수 있다. 일부경우에서, 고저항층은 III-V 넓은밴드갭층일수 있다. 일부그와같은경우에서, 넓은밴드갭층은 1.4 전자볼트(eV)보다더 큰밴드갭을가질수 있고, 심지어 2.0 eV보다더 큰밴드갭을가질수도있다. 다른경우들에서, 넓은밴드갭층은예를들어, 산화또는질화를통해절연체로부분적으로또는완전히변환될수 있다. 최종적인구조들에는평면, 핀형또는나노와이어/나노리본트랜지스터아키텍처들이사용될수 있기에기판누설문제들을방지하는데도움이될 수있다.
摘要翻译：公开了在用于诸如金属氧化物半导体（MOS）晶体管的半导体器件的III-V沟道层和IV族衬底之间使用高电阻层的技术。可以使用高电阻层来最小化（或消除）电流从源极到漏极的流动，其不同于直接通过通道的路径。在一些情况下，高电阻层可以是III-V宽带隙层。在一些这种情况下，宽带隙层可具有大于1.4电子伏（eV）的带隙，并且甚至可以具有大于2.0eV的带隙。在其他情况下，例如，宽带隙层可以通过氧化或氮化部分或完全转变为绝缘体。所得到的结构可以与平面，翅片或纳米线/纳米级晶体管架构一起使用以帮助防止衬底泄漏问题。

3. 发明公开

KR1020130124493A 기판을 처리하는 방법 및 기판 审中-实审
标题翻译：一种处理基板和基板的方法
公开(公告)号：KR1020130124493A
公开(公告)日：2013-11-14
申请号：KR1020137010469
申请日：2011-11-08
申请人： 콤프테크 솔루션스 오와이
发明人： 라우카넨,페카 , 랑,요우코 , 푼키넨,마르코 , 투오미넨,마르유카 , 투오미넨,베이코 , 달,요니 , 베이리넨,유하니
IPC分类号： H01L21/316
CPC分类号： H01L29/02 , H01L21/02046 , H01L21/02109 , H01L21/02172 , H01L21/02241 , H01L21/28264 , H01L21/31666 , H01L21/3245 , H01L29/1054 , H01L29/20 , H01L29/201 , H01L29/205
摘要： A method for treating a compound semiconductor substrate, in which method in vacuum conditions a surface of an In-containing III-As, III-Sb or III-P substrate is cleaned from amorphous native oxides and after that the cleaned substrate is heated to a temperature of about 250-550° C. and oxidized by introducing oxygen gas onto the surface of the substrate. The invention relates also to a compound semiconductor substrate, and the use of the substrate in a structure of a transistor such as MOSFET.

4. 发明公开

KR1020050094337A 수증기 산화 장치 失效
标题翻译：蒸汽氧化装置
公开(公告)号：KR1020050094337A
公开(公告)日：2005-09-27
申请号：KR1020047014720
申请日：2003-12-26
申请人： 소니 주식회사
发明人： 다나카요시유키 , 나루이히로노부 , 야마우치요시노리 , 와타나베요시아키 , 다나카사다오
IPC分类号： H01S5/18
CPC分类号： H01L21/67017 , H01L21/02178 , H01L21/02241 , H01L21/02255 , H01L21/31662
摘要： A steam oxidization apparatus capable of providing excellent controllability and reproducibility in the steam oxidation of an oxidized article stored in a reactor by suppressing the condensation of steam in steam entrained inert gas fed to the reactor. The steam oxidation apparatus (78) used when a current constricting structure is formed in a surface emitting laser element by steam- oxidizing a high A1 containing layer comprises the reactor (42) as a reactor device to perform steam oxidization, a steam entrained inert gas system feeding the steam entrained inert gas to the reactor (42), an inert gas system feeding inert gas to the reactor (42), a reactor bypass tube (52) bypassing the steam entrained inert gas system and the inert gas system to the reactor, and an exhaust system exhausting gas exhausted from the reactor (42). The steam oxidation apparatus (78) also comprises an H2O bubbler (60), a second gas tube (68), automatic open/close valves (66A to 66D), a third gas tube (70) near the automatic open/close valves (66A to 66D), and a constant temperature oven (72) storing a part of the reactor (42) on the gas inlet port (42A) side.
摘要翻译：一种蒸汽氧化装置，其能够通过抑制供给到反应器的蒸汽夹带的惰性气体中的蒸汽的冷凝来提供储存在反应器中的氧化物的蒸汽氧化中的优异的可控制性和再现性。当通过蒸汽氧化高含Al层在表面发射激光元件中形成电流收缩结构时使用的蒸汽氧化装置（78）包括作为反应器装置进行蒸汽氧化的反应器（42），蒸汽夹带的惰性气体将蒸汽夹带的惰性气体送入反应器（42）的系统，向反应器（42）供给惰性气体的惰性气体系统，绕过蒸汽夹带的惰性气体系统的反应器旁通管（52）和反应器的惰性气体系统以及排出从反应器（42）排出的气体的排气系统。蒸汽氧化装置（78）还包括H2O起泡器（60），第二气体管（68），自动打开/关闭阀（66A至66D），自动打开/关闭阀附近的第三气体管（70） 66A至66D）和将反应器（42）的一部分储存在气体导入口（42A）侧的恒温炉（72）。

5. 发明公开

KR1020140124273A 질화물 반도체 소자 및 그 제조 방법 审中-实审
标题翻译：氮化物半导体及其方法
公开(公告)号：KR1020140124273A
公开(公告)日：2014-10-24
申请号：KR1020130041813
申请日：2013-04-16
申请人： 엘지전자 주식회사
发明人： 신종훈 , 김웅선 , 장태훈
IPC分类号： H01L29/778 , H01L21/335
CPC分类号： H01L29/7783 , H01L21/02241 , H01L29/2003 , H01L29/66462 , H01L29/7787
摘要： 본 명세서는, 광전기화학을 이용해 패시베이션층을 형성한 인핸스먼트형 질화물 반도체 소자 및 그 제조방법을 제공한다.
이를 위하여, 일 실시예에 따른 반도체 소자는, GaN 층; 상기 GaN 층 상에 형성되는 AlGaN 층; 상기 AlGaN 층 상에 형성되는 p-GaN 층; 상기 p-GaN 층 상에 형성되는 게이트 전극; 상기 AlGaN 층의 일부 영역 상에 형성되는 소스 전극, 드레인 전극; 및 상기 AlGaN 층의 일부 영역 상에 형성되고, 상기 소스 전극 및 상기 게이트 전극 간 또는 상기 게이트 전극 및 상기 드레인 간에 형성되는 패시베이션 층을 포함하되, 상기 패시베이션 층은, 상기 p-GaN층의 일부가 산화되어 형성되는 것일 수 있다.
摘要翻译：本说明书提供了具有使用光电化学形成的钝化层的增强型氮化物半导体器件及其制造方法。为此，根据本发明的一个实施例的半导体器件包括GaN层，形成在GaN层上的AlGaN层，形成在AlGaN层上的p-GaN层，形成在AlGaN层上的栅电极形成在AlGaN层的一部分区域上的p-GaN层，源电极和漏电极以及形成在AlGaN层的区域的一部分上并形成在源电极和源极之间的钝化层栅极电极或栅极电极和漏电极之间。钝化层通过部分氧化p-GaN层形成。

6. 发明授权

KR100996661B1 수증기 산화 장치 失效
标题翻译：蒸汽氧化装置
公开(公告)号：KR100996661B1
公开(公告)日：2010-11-25
申请号：KR1020047014720
申请日：2003-12-26
申请人： 소니 주식회사
发明人： 다나카요시유키 , 나루이히로노부 , 야마우치요시노리 , 와타나베요시아키 , 다나카사다오
IPC分类号： H01S5/18
CPC分类号： H01L21/67017 , H01L21/02178 , H01L21/02241 , H01L21/02255 , H01L21/31662
摘要： 리액터에 공급되는 수증기 동반 불활성 가스 중의 수증기의 응결을 억제하고, 리액터에 수용하는 피산화물의 수증기 산화에 있어, 양호한 제어성 및 재현성을 얻는 수증기 산화장치를 제공한다. 수증기 산화장치(78)는, 높은 Al 함유량을 수증기 산화시키고 전류 협착 구조를 면 발광 레이저 소자에 형성할 때에 사용하는 장치이며, 수증기 산화를 행하는 반응기로서, 리액터(42)와, 수증기 동반 불활성 가스 리액터(42)에 공급하는 수증기 동반 불활성 가스계와, 불활성 가스를 리액터(42)에 공급하는 불활성 가스계와, 수증기 동반 불화성 가스계 및 불활성 가스계와 리액터 바이패스 시키는 리액터 바이패스관(52) 및 리액터(42)에서 배출된 가스를 배기하는 배기계를 구비한다. 수증기 산화 장치(78)는 H
2 O 버블러(60), 제 2 가스관(68), 자동 개폐 밸브(66A에서 66D), 자동 개폐 밸브(66A에서 66D) 근방의 제 3 가스관(70) 및 가스 유입구(42A) 측의 일부를 수용하는 항온조(72)를 구비한다.

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