专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明授权

KR101916144B1 발광소자, 발광소자 패키지 및 라이트 유닛 有权
公开(公告)号：KR101916144B1
公开(公告)日：2018-11-08
申请号：KR1020120051745
申请日：2012-05-16
申请人： 엘지이노텍 주식회사
发明人： 정환희 , 김소정
IPC分类号： H01L33/36
CPC分类号： H01L33/405 , H01L33/08 , H01L33/20 , H01L33/382 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 실시예에따른발광소자는, 제1 도전형반도체층, 상기제1 도전형반도체층아래에활성층, 상기활성층아래에제2 도전형반도체층을포함하는발광구조물; 상기발광구조물아래에배치되며, 제1 영역은상기제2 도전형반도체층아래에배치되고, 제2 영역은상기제1 영역으로부터연장되어상기제2 도전형반도체층과상기활성층을관통하여배치된반사전극; 상기제1 도전형반도체층에전기적으로연결된전극; 을포함한다.

2. 发明授权

KR101901320B1 발광소자 및 그 제조방법 有权
公开(公告)号：KR101901320B1
公开(公告)日：2018-09-21
申请号：KR1020120054444
申请日：2012-05-22
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 황경욱 , 손철수 , 유건욱 , 이동훈 , 차남구 , 허재혁
IPC分类号： H01L33/22 , H01L33/10 , H01L33/46
CPC分类号： H01L33/08 , H01L33/16 , H01L33/24 , H01L33/405 , H01L33/42 , H01L33/46
摘要： 본발명의일 실시예에따르면, 하부층과, 상기하부층상에구비된복수의수직형발광구조체와, 상기복수의수직형발광구조체의적어도일부를둘러싸는전도성부재와, 상기복수의수직형발광구조체사이에배치되며상기수직형발광구조체의측방향으로방출되는빛을반사시키는복수의반사부재를포함함으로써, 수직형발광소자에서측방향으로방출되는빛이광흡수부재를통과하는횟수를최소화하여발광효율을향상시킬수 있는발광소자를제공한다.

3. 发明授权

KR101896458B1 발광 장치 및 표시 장치 有权
公开(公告)号：KR101896458B1
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：KR1020120013219
申请日：2012-02-09
申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
发明人： 세오사토시 , 사사키토시키 , 오사와노부하루 , 우시쿠보타카히로 , 야마자키순페이
IPC分类号： H01L51/50 , G02B5/20
CPC分类号： H01L27/322 , H01L27/15 , H01L27/3209 , H01L33/405 , H01L33/44 , H01L51/10 , H01L51/44 , H01L51/5016 , H01L51/5218 , H01L51/5221 , H01L51/5265
摘要： 표시장치를높은생산성으로제작하는기술을제공한다. 또한, 색순도가좋은고정세(高精細)한표시장치를제공한다. 컬러필터층의투과중심파장에의해, 반사성을가지는전극과발광층과의광학거리를조절함으로써, 발광층을선택적으로도포하는일 없이색순도가좋은고정세한표시장치를제공한다. 발광소자는발광색이다른발광층이복수적층되어, 반사성을가지는전극에가까운발광층일수록나타내는발광색의파장이짧다.

4. 发明授权

KR101860973B1 광전 반도체 칩 有权
公开(公告)号：KR101860973B1
公开(公告)日：2018-05-24
申请号：KR1020137033279
申请日：2012-04-26
申请人： 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하
发明人： 모트마커스 , 엔글칼 , 타이저세바스찬 , 발터로버트 , 스토케요한네스
IPC分类号： H01L33/38 , H01L33/16 , H01L33/40
CPC分类号： H01L33/46 , H01L33/06 , H01L33/20 , H01L33/32 , H01L33/382 , H01L33/405 , H01L33/42 , H01L33/60 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 본발명은반도체물질로이루어진반도체바디(1), p-콘택층(21a) 및 n-콘택층(2)을포함하는광전반도체칩(10)에관한것이다. 반도체바디(1)는복사를생성하기위해제공된활성층(1a)을포함한다. 반도체바디는 p-면(1c)과 n-면(1b)을포함하고, 상기면들사이에활성층(1a)이배치된다. p-콘택층(21a)은 p-면(1c)의전기접촉을위해제공된다. n-콘택층(2)은 n-면(1b)의전기접촉을위해제공된다. n-콘택층(2)은 TCO 층(2a)과거울층(2b)을포함하고, 이경우 TCO 층(2a)은반도체바디(1)의 n-면(1b)과거울층(2b) 사이에배치된다.

5. 发明公开

KR20180025833A UV LED 패키지 有权
标题翻译： UV LED UV LED包装
公开(公告)号：KR20180025833A
公开(公告)日：2018-03-09
申请号：KR20170120154
申请日：2017-09-19
申请人： 주식회사 루멘스
发明人： KIM MIN PYO , KIM DAE WON
IPC分类号： H01L33/48 , H01L33/02 , H01L33/36 , H01L33/40 , H01L33/62 , H01L33/64
CPC分类号： H01L33/48 , H01L33/02 , H01L33/36 , H01L33/405 , H01L33/62 , H01L33/64 , H01L2924/12041 , H01L2933/0016
摘要： UV LED 패키지가개시된다. 이 UV LED 패키지는, 제1함몰부와; 상기제 1함몰부의일측면과대응하는일측면을갖는제2함몰부와; 상기제 1함몰부와상기제2 함몰부의서로대응하는일측면들사이에형성되는절연재료와; 상기제 1함몰부와상기제2 함몰부의상측에서일정높이를갖도록형성되는보호부재와; 상기제1 함몰부의상면에형성된방열기판과, 상기방열기판의상면에형성된제1 반사전극막과, 전극분리갭을사이에두고상기제1 반사전극막과이격되어형성된제2 반사전극막을포함하는서브마운트와; 상기서브마운트의상기제1반사전극막과상기제2 반사전극막상에플립칩본딩되는 200nm~400nm의 UV LED칩을포함하고, 상기서브마운트는 4개의코너를갖는사각형으로형성되고, 상기제2 반사전극막은적어도하나이상의코너를갖도록형성되고, 상기제1 반사전극막은적어도두개이상의코너를갖도록형성된다.
摘要翻译：公开了一种UV LED封装。该UV LED封装包括：第一凹陷; 第二凹陷，其一侧对应于第一凹陷的一侧; 在第一凹陷的一侧和第二凹陷的相应侧之间形成的绝缘材料; 保护构件，所述保护构件形成为在所述第一凹陷和所述第二凹陷上方具有预定高度; 第一反射电极膜，其形成在所述散热板的上表面上;以及第二反射电极膜，其与所述第一反射电极膜隔开，基台; 以及倒装接合在所述基台的所述第一反射电极膜和所述第二反射电极膜上的200nm到400nm的UV LED芯片，其中所述基台由具有四个拐角的四边形形成，反射电极膜被形成为具有至少一个角部，并且第一反射电极膜被形成为具有至少两个或更多个角部。

6. 发明授权

KR101806227B1 광전자 반도체 칩 有权
公开(公告)号：KR101806227B1
公开(公告)日：2017-12-07
申请号：KR1020127028609
申请日：2011-03-10
申请人： 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하
发明人： 폰말름,노르빈
IPC分类号： H01L27/15 , H01L33/20 , H01L33/38 , H01L25/075 , H01L33/00 , H01L33/22 , H01L33/40 , H01L33/44
CPC分类号： H01L33/36 , H01L25/0753 , H01L27/153 , H01L33/0079 , H01L33/20 , H01L33/22 , H01L33/385 , H01L33/405 , H01L33/44 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 본발명에서는광전자반도체칩이제시되며, 상기광전자반도체칩은 n-전도성영역(12)과 p-전도성영역(13)을구비한반도체몸체(1) 및단일 n-형콘택소자(2)를포함하고, n-전도성영역(12)은상기단일 n-형콘택소자(2)를거쳐 p-전도성영역(13)으로전기접속될수 있다.

7. 发明授权

KR101781748B1 UV LED 패키지 有权
标题翻译： UV LED封装
公开(公告)号：KR101781748B1
公开(公告)日：2017-09-25
申请号：KR1020160112768
申请日：2016-09-01
申请人： 주식회사 루멘스
发明人： 김민표 , 김대원
IPC分类号： H01L33/48 , H01L33/36 , H01L33/40 , H01L33/02 , H01L33/62
CPC分类号： H01L33/38 , F21K9/237 , G02B6/102 , H01L23/12 , H01L23/13 , H01L23/4824 , H01L23/485 , H01L25/0753 , H01L25/167 , H01L33/32 , H01L33/34 , H01L33/36 , H01L33/387 , H01L33/483 , H01L33/486 , H01L33/60 , H01L33/62 , H01L33/641 , H05B33/08 , H01L33/48 , H01L33/02 , H01L33/405 , H01L33/64 , H01L2924/12041 , H01L2933/0016
摘要： UV LED 패키지가개시된다. 이 UV LED 패키지는방열기판과, 상기방열기판상에전극분리갭에의해서로이격되게형성된제1 반사전극막및 제2 반사전극막과, 상기제1 반사전극막상에형성된제1 플립칩본딩패드및 제1 와이어본딩패드와, 상기제2 반사전극막상에형성된제2 플립칩본딩패드및 제2 와이어본딩패드를포함하는서브마운트; 200nm ~ 400nm의 UV 광을발하며, 제1 플립칩본딩패드에대응하는제1 도전형전극패드및 제2 플립칩본딩패드에대응하는제2 도전형전극패드를구비하며, 제1 플립칩본딩패드와상기제1 도전형전극패드사이에개재되는제1 본딩범프와제2 플립칩본딩패드와상기제2 도전형전극패드사이에개재되는제2 본딩범프에의해상기서브마운트에플립칩본딩되는 UV LED칩; 및상기서브마운트가실장되고제1 본딩와이어에의해상기제1 와이어본딩패드와전기적으로연결되는제1 금속바디부와, 절연재료에의해상기제1 금속바디부와이격되며제2 본딩와이어에의해제2 와이어본딩패드와전기적으로연결되는제2 금속바디부를포함하는패키지바디를포함한다.
摘要翻译：公开了一种UV LED封装。在UV LED封装包括：第一反射电极层和所述第二第一倒装晶片反射电极膜和，形成在第一反射电极膜贴合形成为通过电极分隔间隙在散热基板与散热板垫间隔开，并且包括第一引线键合焊盘，形成在所述第二反射电极膜上的第二倒装芯片键合焊盘以及第二引线键合焊盘; Balhamyeo为200nm〜400nm的，第一和对应于倒装芯片接合在所述第一导电电极焊盘与对应于焊盘键合焊盘的第二倒装芯片的第二导电类型电极焊盘，第一倒装芯片接合焊垫的UV光插入在第一导电类型电极焊盘和第二倒装芯片接合焊盘之间的第一接合凸点和插入在第二导电类型电极焊盘之间的第二接合凸点， LED芯片; 和子和安装被安装，并通过电连接到第一引线接合垫主体部分的接合线的第一金属，以及从所述第二接合线的第一金属体部分隔开的绝缘材料的以及电连接到双线接合焊盘的第二金属主体部分。

8. 发明公开

KR1020170105572A 유기 전계발광 장치 및 그 제조 방법 审中-实审
标题翻译：有机电致发光器件及其制造方法
公开(公告)号：KR1020170105572A
公开(公告)日：2017-09-19
申请号：KR1020177022812
申请日：2016-06-07
申请人： 보에 테크놀로지 그룹 컴퍼니 리미티드
发明人： 우,창정
IPC分类号： H01L51/52 , H01L51/50 , H01L51/56
CPC分类号： H01L51/504 , G02F1/133553 , H01L21/02008 , H01L27/14629 , H01L27/15 , H01L33/405 , H01L33/42 , H01L51/5044 , H01L51/5218 , H01L51/5234 , H01L51/5265 , H01L51/5271 , H01L51/5278 , H01L51/5016 , H01L51/5048 , H01L51/56
摘要： 탠덤형유기전계발광장치는반사전극(102); 반사전극상의제1 발광유닛(103); 반사전극에대해먼 쪽에있는제1 발광유닛의측면상의반투명접속층(106); 제1 발광유닛에대해먼 쪽에있는반투명접속층의측면상의적어도하나의제2 발광유닛(104); 및반투명접속층에대해먼 쪽에있는적어도하나의제2 발광유닛의측면상의투명전극(105)을포함한다. 반투명접속층과반사전극은마이크로캐비티(30)를형성한다.
摘要翻译：串联型有机电致发光器件包括反射电极102; 反射电极上的第一发光单元（103）在第一发光单元的远离反射电极的一侧上的半透明连接层（106）在半透明连接层的远离第一发光单元的一侧上的至少一个第二发光单元（104）以及在至少一个第二发光单元远离半透明连接层的一侧上的透明电极（105）。半透明连接层和反射电极形成微腔（30）。

9. 发明授权

KR101761835B1 고효율 발광 다이오드 有权
标题翻译：高效率的发光二极管
公开(公告)号：KR101761835B1
公开(公告)日：2017-07-26
申请号：KR1020160048327
申请日：2016-04-20
申请人： 서울바이오시스 주식회사
发明人： 김태균 , 이준희 , 김기현 , 손성수
IPC分类号： H01L33/40 , H01L33/14 , H01L33/12
CPC分类号： H01L33/145 , H01L33/10 , H01L33/38 , H01L33/387 , H01L33/405 , H01L33/44 , H01L33/46 , H01L2933/0016
摘要： 본발명의일 실시예에따른발광다이오드는제2 도전형반도체층, 상기제2 도전형반도체층상면에위치하는활성층, 및상기활성층상면에위치하는제1 도전형반도체층을포함하는발광구조체, 상기제1 도전형반도체층과전기적으로접속되는적어도하나의제1 전극, 상기발광구조체의하면에위치하는전류차단층; 및상기제2 도전형반도체층과전기적으로접속되는제2 전극을포함하며, 상기제2 전극은, 상기제2 도전형반도체층과접하는제1 반사금속층, 상기전류차단층의하면및 상기제1 반사금속층의하면을덮으며상기제2 도전형반도체층의일부와접하는제2 반사금속층, 및상기제2 반사금속층과상기제2 도전형반도체층의접촉저항은상기제1 반사금속층과상기제2 도전형반도층의접촉저항보다클 수있다.
摘要翻译：的发光结构中的根据本发明的一个实施例包括第二导电型半导体层，第一有源层，以及位于所述第二导电类型半导体层的上表面上的有源层的顶表面上的第一导电型半导体层的LED，至少一个电连接到第一导电类型半导体层的第一电极，位于发光结构底部的电流阻挡层，以及第二电极，电连接到所述第二导电类型半导体层，其中所述第二电极包括：与所述第二导电类型半导体层接触的第一反射金属层; 第二反射金属层，覆盖金属层的表面并且与第二导电类型半导体层的一部分接触，以及第二反射金属层和第二导电类型半导体层之间的接触电阻，它可能大于半导体层的接触电阻。

10. 发明公开

KR1020170084148A 상부 접점 아래에 트렌치를 갖는 발광 디바이스 审中-实审
标题翻译：在上触点下方具有沟槽的发光器件
公开(公告)号：KR1020170084148A
公开(公告)日：2017-07-19
申请号：KR1020177015302
申请日：2015-11-05
申请人： 코닌클리케 필립스 엔.브이.
发明人： 카라스,보리스
IPC分类号： H01L33/20 , H01L33/10 , H01L33/62 , H01L33/32
CPC分类号： H01L33/10 , H01L33/0079 , H01L33/06 , H01L33/20 , H01L33/405 , H01L33/46 , H01L33/32 , H01L33/58 , H01L33/62
摘要： 본발명의실시예들은흡수구조들아래에서광이발생되는것을방지하고/하거나흡수구조들로부터멀리광을지향시키는수직발광디바이스의구조들에관한것이다. 본발명의실시예들은 n형영역과 p형영역사이에배치된발광층을포함하는반도체구조체를포함한다. 하부접점은반도체구조체의하부표면상에배치된다. 하부접점은 n형영역및 p형영역중 하나에전기적으로접속된다. 상부접점은반도체구조체의상부표면상에배치된다. 상부접점은 n형영역및 p형영역중 다른하나에전기적으로접속된다. 상부접점은제1 측면및 제1 측면에대향하는제2 측면을포함한다. 제1 트렌치는상부접점의제1 측면아래의반도체구조체내에형성된다. 제2 트렌치는상부접점의제2 측면아래의반도체구조체내에형성된다.
摘要翻译：本发明的实施例针对垂直发光装置的结构，其防止光在吸收结构下方产生和/或将光引导离开吸收结构。本发明的实施例包括半导体结构，该半导体结构包括设置在n型区域和p型区域之间的发光层。底部触点设置在半导体结构的底表面上。底部触点电连接到n型区域和p型区域中的一个。上接触件设置在半导体结构的上表面上。上触点电连接到n型区域和p型区域中的另一个。上触点包括第一侧和与第一侧相对的第二侧。第一沟槽形成在上触点的第一侧下方的半导体结构中。第二沟槽形成在上接触件的第二侧下方的半导体结构中。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式