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1. 发明公开

KR1020170084148A 상부 접점 아래에 트렌치를 갖는 발광 디바이스 审中-实审
标题翻译：在上触点下方具有沟槽的发光器件
公开(公告)号：KR1020170084148A
公开(公告)日：2017-07-19
申请号：KR1020177015302
申请日：2015-11-05
申请人： 코닌클리케 필립스 엔.브이.
发明人： 카라스,보리스
IPC分类号： H01L33/20 , H01L33/10 , H01L33/62 , H01L33/32
CPC分类号： H01L33/10 , H01L33/0079 , H01L33/06 , H01L33/20 , H01L33/405 , H01L33/46 , H01L33/32 , H01L33/58 , H01L33/62
摘要： 본발명의실시예들은흡수구조들아래에서광이발생되는것을방지하고/하거나흡수구조들로부터멀리광을지향시키는수직발광디바이스의구조들에관한것이다. 본발명의실시예들은 n형영역과 p형영역사이에배치된발광층을포함하는반도체구조체를포함한다. 하부접점은반도체구조체의하부표면상에배치된다. 하부접점은 n형영역및 p형영역중 하나에전기적으로접속된다. 상부접점은반도체구조체의상부표면상에배치된다. 상부접점은 n형영역및 p형영역중 다른하나에전기적으로접속된다. 상부접점은제1 측면및 제1 측면에대향하는제2 측면을포함한다. 제1 트렌치는상부접점의제1 측면아래의반도체구조체내에형성된다. 제2 트렌치는상부접점의제2 측면아래의반도체구조체내에형성된다.
摘要翻译：本发明的实施例针对垂直发光装置的结构，其防止光在吸收结构下方产生和/或将光引导离开吸收结构。本发明的实施例包括半导体结构，该半导体结构包括设置在n型区域和p型区域之间的发光层。底部触点设置在半导体结构的底表面上。底部触点电连接到n型区域和p型区域中的一个。上接触件设置在半导体结构的上表面上。上触点电连接到n型区域和p型区域中的另一个。上触点包括第一侧和与第一侧相对的第二侧。第一沟槽形成在上触点的第一侧下方的半导体结构中。第二沟槽形成在上接触件的第二侧下方的半导体结构中。

2. 发明公开

KR1020140147137A W-메사 스트리트를 형성하기 위한 방법 및 장치 审中-实审
标题翻译：用于创建W-MESA街的方法和装置
公开(公告)号：KR1020140147137A
公开(公告)日：2014-12-29
申请号：KR1020147031987
申请日：2013-04-05
申请人： 코닌클리케 필립스 엔.브이.
发明人： 우,송난 , 카라스,보리스
IPC分类号： H01L21/78 , H01L33/00
CPC分类号： H01L33/0095 , H01L21/78 , H01L33/24
摘要： 에피택셜 구조물을 제조하기 위한 방법은 하나 이상의 에피택셜층을 포함하는 웨이퍼를 제공하는 단계를 포함한다. 웨이퍼는 다이로 분할되는데, 여기서, 다이 사이의 면적은 스트리트(street)로 불린다. 각각의 스트리트는 스트리트의 어느 하나의 측면에 형성된 슬롯을 갖는다. 슬롯들은 에피택셜층을 관통하지만 기판을 관통하지 않고, 슬롯들 사이에서 에피택셜층의 일부를 그대로 두어 "W"자형 단면을 형성한다. 그 다음, 웨이퍼 상에 보호층이 형성된다. 레이저가 사용되어 웨이퍼를 개개의 다이로 싱귤레이트(singulate)할 수 있다. 레이저는 슬롯들 사이에 각각의 스트리트를 분할한다. 에피택셜층들의 장벽(barrier wall)은 레이저 분리에 의해 형성된 파편으로부터 개개의 다이를 보호한다.

3. 发明公开

KR1020140117515A 선택적인 영역 조면화에 의해 제어되는 LED 광 출력 审中-实审
标题翻译：通过选择区域粗糙控制LED灯输出
公开(公告)号：KR1020140117515A
公开(公告)日：2014-10-07
申请号：KR1020147022241
申请日：2013-01-03
申请人： 코닌클리케 필립스 엔.브이.
发明人： 베네딕트,마씨에 , 마틴,폴,에스. , 카라스,보리스
IPC分类号： H01L33/22 , H01L33/00
CPC分类号： H01L33/22 , H01L33/0008 , H01L33/005 , H01L33/0079 , H01L33/36
摘要： 발광 디바이스의 표면은 표면의 광 추출 효율을 향상시키기 위해 조면화되지만, 조면화된 영역의 양은 광 추출 효율의 원하는 레벨을 달성하기 위해 선택된다. 포토-리소그래픽 기술들은 조면화를 발광 표면의 선택 영역들로 제한하는 마스크를 생성하기 위해 사용될 수 있다. 조면화된 영역의 양이 정밀하게 제어될 수 있기 때문에, 광 추출 효율은 정밀하게 제어될 수 있으며, 표면을 조면화하기 위해 사용되는 특정한 프로세스와 실질적으로 독립적일 수 있다. 추가적으로, 표면의 선택적인 조면화는 원하는 발광 출력 패턴을 달성하기 위해 사용될 수 있다.

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