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    • 5. 发明公开
    • 발광 소자
    • KR1020220088382A
    • 2022-06-27
    • KR1020220069034
    • 2022-06-07
    • H01L33/38H01L33/64H01L33/44H01L33/58H01L33/12H01L33/40H01L33/56
    • 발광소자가개시된다. 발광소자는제1 및제2 도전형반도체층과활성층을포함하는발광구조체, 제1 및제2 도전형반도체층에각각오믹컨택하는제1 컨택전극및 제2 컨택전극, 제2 컨택전극상에위치하는연결전극, 상기제1 및제2 컨택전극을부분적으로덮는절연층; 절연층상에배치되어제1 및제2 컨택전극각각에전기적으로연결된제1 벌크전극및 제2 벌크전극, 제1 벌크전극과전기적으로연결되는하면및 하면과마주하는상면을포함하는제1 패드전극; 제2 벌크전극과전기적으로연결되는하면및 하면과마주하는상면을포함하는제2 패드전극; 및발광구조체의측면의적어도일부를덮는절연지지체를포함하고, 절연지지체는광 산란입자를포함하며, 절연층은제1 컨택전극및 연결전극을각각노출시키는제1 개구부및 제2 개구부를포함하고, 제1 패드전극의상면과제2 패드전극의상면은나란하게형성된다.
    • 6. 发明授权
    • 발광모듈
    • KR102403335B1
    • 2022-05-27
    • KR1020150111238
    • 2015-08-06
    • H01L33/40H01L33/38H01L33/62H01L33/64
    • 본발명의실시예에따른발광모듈은알루미늄을포함하는금속베이스, 상기금속베이스상에배치되고, 상기금속베이스의일부영역을노출하는광원홀을가지는절연층, 상기절연층상에배치되어도전성을가지는제1전극층, 상기제1전극층과이격되어상기절연층상에배치되고, 상기금속베이스와전기적으로연결되는제2전극층, 상기제1전극층과전기적으로연결되는제1전극과상기제2전극층과전기적으로연결되는제2전극을가지는커넥터, 상기광원홀을통해노출되는금속베이스의상부면에위치되고, 상기금속베이스및 상기제1전극층과전기적으로연결되는점광원을포함하고, 상기제1전극층및 상기제2전극층은상기금속베이스와상이한재질을포함한다.
    • 10. 发明授权
    • 반도체 소자
    • KR102343099B1
    • 2021-12-24
    • KR1020170070764
    • 2017-06-07
    • H01L33/40H01L33/62H01L33/14H01L33/22
    • 본발명에따른반도체소자는도전성기판; 상기도전성기판상에배치되며, 제1도전형반도체층, 제2도전형반도체층및 상기제1도전형반도체층과상기제2도전형반도체층사이에배치되는활성층을포함하는반도체구조물; 및상기반도체구조물상에배치되며, 상기제1도전형반도체층과전기적으로연결되는제1전극; 상기반도체구조물은상기제1도전형반도체층과상기제1전극사이에제1-1도전형반도체층을더 포함하고, 상기반도체구조물의상면은상기제1전극이배치되는평탄부, 상기평탄부를감싸는요철부를포함하며, 상기반도체구조물의저면에서상기제1-1도전형반도체층의상면까지의제1거리대비상기반도체구조물의저면에서평탄부의측면에접하는요철부의저면까지의제2거리가 70% 이상내지 95% 이하일수 있다. 본발명은반도체소자의전류퍼짐현상을개선하여광속을향상시킬수 있다.