专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明授权

KR101893199B1 발광소자, 발광소자 모듈 및 차량용 등기구 有权
公开(公告)号：KR101893199B1
公开(公告)日：2018-08-29
申请号：KR1020120027218
申请日：2012-03-16
申请人： 스탄레 덴끼 가부시키가이샤
发明人： 우에노카즈히꼬 , 타니다야스시
IPC分类号： H01L33/36 , H01L33/48
CPC分类号： H01L33/38 , F21S41/143 , H01L2224/13
摘要： 본발명은배광패턴에가로줄무늬가생기지않는복수의발광소자를직선상으로배열해서되는휘도의균일성이뛰어난발광소자모듈을위한발광소자를제공한다. 본발명의발광소자는, 구형투명성기판상에형성된기초반도체층과, 기초반도체층상에섬 형상으로형성된복수의제1전극과, 복수의제1전극의각각을둘러싸각각을이간하여기초반도체층상에형성된발광층을포함한발광반도체층과, 발광반도체층상에형성된제2전극을가진다. 제1 전극은, 구형투광성기판의한 변과평행한복수의전극열을이루도록배치된다. 전극열에수직이고또한구형투광성기판의대향하는 2변에평행한수평선중, 제1전극의최대전극폭으로제1 전극에교차하고또한 2변에가장근접하는 2개의수평선을 2개의기준수평선으로한다. 전극열의인접하는두 개의전극열에있어서, 제1전극은, 2개의기준수평선의사이의수평선의어느위에서도, 제1전극이존재하도록배치된다. 인접하는두 개의전극열에있어서, 제1전극은, 2개의기준수평선의사이의수평선상에있어서의전극폭의합계가, 2개의기준수평선이교차하는최대전극폭의합계의 35%이상 65%이하가되도록형성되어있다.

2. 发明公开

KR1020180086103A 예정화각을 제공하는 발광다이오드 패키지 구조, 발광다이오드 패키지 모듈 및 성형 방법 有权
公开(公告)号：KR1020180086103A
公开(公告)日：2018-07-30
申请号：KR1020170043685
申请日：2017-04-04
申请人： 라이트온 옵토 테크놀로지 (창조우) 컴퍼니 리미티드 , 라이트온 테크놀러지 코포레이션
发明人： 치엔,아이-첸 , 수,시흐-창
IPC分类号： H01L33/58 , H01L33/50 , H01L33/60 , H01L33/00
CPC分类号： H01L33/38 , H01L24/16 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L24/95 , H01L24/97 , H01L33/0041 , H01L33/0079 , H01L33/22 , H01L33/483 , H01L33/50 , H01L33/505 , H01L33/54 , H01L33/60 , H01L33/62 , H01L2224/16227 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/81005 , H01L2224/83005 , H01L2224/83104 , H01L2224/92125 , H01L2224/97 , H01L2924/12041 , H01L2933/005 , H01L2924/00014 , H01L2224/83 , H01L2224/81 , H01L33/58 , H01L33/005 , H01L2933/0033 , H01L2933/0058
摘要： 본발명은예정화각을제공하는발광다이오드패키지구조의성형방법에관한것으로, 다음과같은프로세스들을포함한다. 지지기판상에플립칩을배치하고, 에폭시접착제를플립칩의전극사이의공극에충진하여플립칩을지지하도록하며, 플립칩의성장기판을레이저리프트오프처리하여박형칩을형성하고, 박형칩의에피구조를외부에노출시켜에피구조를조대화(粗化)시키며, 박형칩에화각조절구조를제공하고, 예정화각을선정하여선형회귀분석계산식에근거하여화각조절구조를조절하여예정화각에이르도록한다.

3. 发明授权

KR101873259B1 마이크로 어레이 발광다이오드 제조방법 및 조명 장치 有权
公开(公告)号：KR101873259B1
公开(公告)日：2018-07-02
申请号：KR1020170014969
申请日：2017-02-02
申请人： 순천대학교 산학협력단
发明人： 곽준섭 , 홍인열 , 김태경
IPC分类号： H01L33/08 , H01L33/00 , H01L27/15 , H01L33/38 , H01L33/20 , H01L33/62
CPC分类号： H01L27/156 , H01L33/0008 , H01L33/0079 , H01L33/08 , H01L33/20 , H01L33/38 , H01L33/62 , H01L2924/12041 , H01L2933/0016
摘要： 본발명은마이크로어레이발광다이오드제조방법및 조명장치에관한것으로서, 보다상세하게는복수의발광픽셀사이의암부영역을줄일수 있는마이크로어레이발광다이오드제조방법및 조명장치에관한것이다. 본발명의일실시예에따른마이크로어레이발광다이오드제조방법은기판상에 n형반도체층, 활성층및 p형반도체층을적층하여반도체적층구조물을형성하는과정; 상기 p형반도체층상에서로이격되어 2차원적으로배열되도록복수의 p형전극을형성하는과정; 및상기복수의 p형전극사이로노출된 p형반도체층에자가정렬방식으로아이솔레이션부를형성하는과정;을포함할수 있다.

4. 发明公开

KR20180065162A 디스플레이 장치 및 그의 전극 연결 방법 审中-公开
公开(公告)号：KR20180065162A
公开(公告)日：2018-06-18
申请号：KR20160165631
申请日：2016-12-07
申请人： SEOUL VIOSYS CO LTD
发明人： CHAE JONG HYEON
IPC分类号： H05B33/12 , H01L25/075 , H01L33/36 , H01L33/62 , H05B33/10
CPC分类号： H01L27/1214 , G02F1/1333 , G02F1/133345 , G02F1/1335 , G02F1/133603 , G02F1/1343 , H01B1/02 , H01L25/0753 , H01L27/12 , H01L33/38 , H01L33/62 , H01L2933/0016 , H05B33/10 , H05B33/12
摘要： 본발명은디스플레이장치및 그의전극연결방법에관한것으로, 본발명의일 실시예에따른디스플레이장치는, 규칙적으로배열된복수의발광다이오드를포함하는발광부; 및상기복수의발광다이오드를구동시키는복수의 TFT를포함하는 TFT 패널부를포함하고, 상기발광부는, 기판; 상기기판상에규칙적으로배열된복수의전극; 상기기판상에규칙적으로배열되고, 상기복수의전극과이격배치된복수의발광다이오드; 및상기복수의전극과상기복수의발광다이오드각각을전기적으로연결하는복수의인쇄연결전극을포함할수 있다. 본발명에의하면, 질화물반도체를이용한마이크로발광다이오드를사용하여디스플레이장치를구성하여, 높은해상도와낮은소비전력그리고효율이높은디스플레이장치를제공할수 있다. 그에따라웨어러블장치나다양한장치에이용할수 있다.

5. 发明公开

KR20180061978A 발광소자, 발광소자 패키지 및 이를 포함하는 조명장치 审中-公开
公开(公告)号：KR20180061978A
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：KR20160161760
申请日：2016-11-30
IPC分类号： H01L33/08 , F21K9/00 , F21Y115/10 , H01L33/22 , H01L33/38 , H01L33/48 , H01L33/62
CPC分类号： H01L33/08 , F21K9/00 , F21Y2115/10 , H01L33/22 , H01L33/38 , H01L33/62 , H01L2924/12041
摘要： 실시예는발광소자, 발광소자의제조방법, 발광소자패키지및 조명장치에관한것이다. 실시예에따른발광소자는제1 도전형의제1 반도체층(112), 제1 활성층(114) 및제2 도전형의제2 반도체층(116)을포함하는제1 발광구조물(110); 상기제1 발광구조물(110)의일측에이격되어배치되며, 제1 도전형의제3 반도체층(122), 제2 활성층(124) 및제2 도전형의제4 반도체층(126)을포함하는제2 발광구조물(120); 상기제1 발광구조물(110)의제1 도전형의제1 반도체층(112) 및상기제2 발광구조물(120)의제1 도전형의제3 반도체층(122)과공통으로전기적으로연결되는제1 전극부(160); 및상기제1 발광구조물(110)의제2 도전형의제2 반도체층(116) 및상기제2 발광구조물(120)의제2 도전형의제4 반도체층(126)과공통으로전기적으로연결되는제2 전극부(150);를포함할수 있다.

6. 发明公开

KR20180053661A 마이크로와이어 또는 나노와이어의 LED 광원을 위한 전력 관리 审中-公开
公开(公告)号：KR20180053661A
公开(公告)日：2018-05-23
申请号：KR20187007105
申请日：2016-09-09
申请人： VALEO VISION
发明人： SEIF LOTHAR , ZOJCESKI ZDRAVKO
IPC分类号： H05B39/06 , H01L27/15 , H01L33/38 , H05B33/08
CPC分类号： H05B39/06 , H01L27/156 , H01L33/08 , H01L33/18 , H01L33/38 , H05B33/0845
摘要： 본발명은전계발광광원에의해소산되는전력을관리하는방법에관한것으로서, 그광원은기판으로부터돌출하며동일한복수의그룹으로분할된서브밀리미터의치수의전계발광로드를포함한다. 본발명의방법을사용하면, 광원을급전하는전류의강도에있어서의순간적인변화가일어날때에광원으로부터의전력의소산을관리할수 있다.

7. 发明授权

KR101845907B1 초소형 LED 모듈을 포함하는 디스플레이 장치 有权
公开(公告)号：KR101845907B1
公开(公告)日：2018-04-06
申请号：KR1020160023090
申请日：2016-02-26
申请人： 피에스아이 주식회사
发明人： 도영락 , 성연국
IPC分类号： H05B37/00 , H05B33/14 , H05B33/02 , H01L33/48 , H01L33/50
CPC分类号： H01L25/167 , G09G3/32 , G09G3/3225 , G09G3/3413 , G09G3/3426 , G09G2300/0426 , G09G2300/0439 , G09G2300/0823 , G09G2330/00 , H01L25/0753 , H01L25/50 , H01L33/38 , H01L33/42 , H01L33/62
摘要： 본발명은초소형 LED를포함하는디스플레이장치및 이의제조방법에관한것이다. 일실시예에따르면, 초소형 LED 모듈을포함하는디스플레이장치는, 제1 신호선 및제2 신호선이격자형태로배치된패널; 상기제1 신호선 및상기제2 신호선과연결되는제1 전극; 상기제1 신호선 및상기제2 신호선과상기제1 전극을연결하는둘 이상의스위치; 접지와연결되는제2 전극; 및상기제1 전극및 상기제2 전극으로구성된전극어셈블리를포함하며, 상기제1 전극및 상기제2 전극에복수개의초소형 LED 소자가연결되는 LED 모듈을포함하고, 상기제2 전극은상기패널의일층으로형성되는공통전극과연결되며, 상기공통전극은적어도하나의다른 LED 모듈이접지될수 있다.

8. 发明公开

KR20180023933A 반도체 발광소자 审中-公开
标题翻译：半导体发光器件
公开(公告)号：KR20180023933A
公开(公告)日：2018-03-07
申请号：KR20180023631
申请日：2018-02-27
IPC分类号： H01L33/10 , H01L33/38
CPC分类号： H01L33/10 , H01L33/38
摘要： 본개시는복수의반도체층; 복수의반도체층의일 측에구비되며, 활성층에서생성된빛을반사시키는반사층; 전자와정공을공급하는제1 전극및 제2 전극;으로서, 제1 전극및 제2 전극중의적어도하나는복수의반도체층으로부터전기적으로절연되어있으며, 전기적연결에의해복수의반도체층과전기적으로연통하는제1 전극및 제2 전극; 그리고, 복수의반도체층을기준으로반사층의반대측에구비되며, 육면체형상을가지는성장기판;으로서, 육면체의일면이복수의반도체층이형성되는하면, 하면과대향하는상면, 및하면과상면이어주는두 개의측면을가지고, 상면이 150㎛이하의길이를가지는성장기판;을포함하는것을특징으로반도체발광소자에관한것이다..
摘要翻译：本公开提供了一种半导体器件，包括：多个半导体层; 反射层，设置在所述多个半导体层的一侧上并且反射在所述有源层中产生的光; 用于供给的电子和空穴的第一电极和第二电极;第一电极和所述电极的第二至少一个电从所述多个半导体层的绝缘，通信成多个半导体层和电通过电连接第一电极和第二电极; 并且，被设置在基于所述多个半导体层的反射层的相反侧，具有立方体形状的生长衬底;一个，两个当形成多个半导体层的连接立方体的一个面中，当该过头部顶面，并且上表面和下表面的并且具有侧表面和长度为150μm或更小的生长衬底。

9. 发明公开

KR20180022310A 소형 발광 다이오드 칩 및 그것을 포함하는 발광 장치 有权
标题翻译：紧凑型发光二极管芯片和包括该发光二极管在内的发光装置
公开(公告)号：KR20180022310A
公开(公告)日：2018-03-06
申请号：KR20160107578
申请日：2016-08-24
申请人： 서울바이오시스 주식회사
发明人： KIM YE SEUL , KIM KYOUNG WAN , KIM JI HYE
IPC分类号： H01L33/48 , H01L33/02 , H01L33/22 , H01L33/38 , H01L33/50 , H01L33/62
CPC分类号： H01L33/48 , H01L33/02 , H01L33/22 , H01L33/38 , H01L33/50 , H01L33/62 , H01L2924/12041
摘要： 발광다이오드칩, 발광장치및 그응용품이제공된다. 일실시예에따른발광다이오드칩은, 기판; 기판상에배치된제1 도전형반도체층; 제1 도전형반도체층상에배치되고, 활성층및 제2 도전형반도체층을포함하는메사; 제1 도전형반도체층및 메사를덮되, 제1 도전형반도체층을노출시키는적어도하나의제1 개구부및 메사상부에위치하는제2 개구부를포함하는절연층; 절연층상부에배치되고, 제1 개구부를통해제1 도전형반도체층에전기적으로접속된제1 패드전극; 및절연층상부에배치되고, 제2 개구부를통해제2 도전형반도체층에전기적으로접속된제2 패드전극을포함하고, 절연층의제1 개구부는제1 패드전극에의해덮이는제1 영역과제1 패드전극의외부에노출되는제2 영역을포함한다.
摘要翻译：提供发光二极管芯片，发光装置和相应的物品。根据实施例的发光二极管芯片包括：衬底; 布置在衬底上的第一导电半导体层; 台面，所述台面设置在所述第一导电类型半导体层上并且包括有源层和第二导电类型半导体层; 绝缘层，覆盖所述第一导电类型半导体层和所述台面，所述绝缘层包括暴露所述第一导电类型半导体层的至少一个第一开口以及位于所述台面的上部的第二开口; 第一焊盘电极，设置在绝缘层上并通过第一开口电连接到第一导电类型半导体层; 以及第二焊盘电极，设置在所述绝缘层上并且通过所述第二开口电连接到所述第二导电类型半导体层，其中，所述绝缘层的所述第一开口包括被所述第一焊盘电极覆盖的第一区域，任务1：暴露于焊盘电极外部的第二区域。

10. 发明授权

KR101834464B1 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법 有权
标题翻译：有机发光显示装置及其制造方法
公开(公告)号：KR101834464B1
公开(公告)日：2018-03-06
申请号：KR1020110124400
申请日：2011-11-25
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 김광해 , 최재범 , 정관욱 , 이준우 , 김무진
IPC分类号： H01L51/50 , H01L51/56
CPC分类号： H01L33/08 , H01L27/1222 , H01L27/124 , H01L27/1288 , H01L27/326 , H01L33/38
摘要： 유기발광표시장치및 그제조방법이개시된다. 개시된유기발광표시장치는기판상의전체영역에걸쳐서활성층을균일하게형성하는단계와; 활성층상부에화소전극과게이트전극및 상부전극의패턴을각각형성하는제1마스크공정단계와; 화소전극과, 상부전극및, 박막트랜지스터영역의활성층을각각노출시키는개구가있는절연층을형성하는제2마스크공정단계와; 활성층의노출된부위에접촉하는소스드레인전극을형성하는제3마스크공정단계; 및, 화소전극을노출시키고박막트랜지스터와커패시터영역은덮는화소정의막을형성하는제4마스크공정단계;를통해제조된다. 이러한방식에의하면활성층의마스크패터닝과정이생략되므로마스크수의저감에따른비용의절감및 제조공정의단순화를실현할수 있다.
摘要翻译：公开了一种有机发光显示器及其制造方法。所公开的有机发光显示器包括：在衬底上的整个区域上均匀地形成有源层; 第一掩模处理步骤，分别在有源层上形成像素电极，栅电极和上电极的图案; 第二掩模处理步骤，形成具有暴露所述薄膜晶体管区域的所述像素电极，所述上电极和所述有源层的开口的绝缘层; 第三掩模工艺步骤，形成接触有源层的暴露部分的源极/漏极电极; 以及第四掩模工艺步骤，暴露像素电极并形成覆盖薄膜晶体管和电容器区域的像素限定层。根据该方法，由于省略了有源层的掩模图案化工艺，所以可以由于掩模数量的减少和制造工艺的简化而实现成本的降低。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式