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1. 发明授权

KR101898658B1 백색 발광 소자 및 그 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR101898658B1
公开(公告)日：2018-09-13
申请号：KR1020170085457
申请日：2017-07-05
申请人： 세종대학교산학협력단
发明人： 홍영준 , 모란 , 최지은 , 정준석
IPC分类号： H01L33/38 , H01L33/62 , H01L33/00 , H01L33/50
CPC分类号： H01L33/387 , H01L33/005 , H01L33/50 , H01L33/62 , H01L2933/0016
摘要： 기판상부의금속산화물구조체의열처리분위기및 종횡비를조절하여재현범위가넓은백색발광소자를제공하고자한다. 본발명의백색발광소자는ⅰ) P형도펀트를포함하는기판, ⅱ) 기판위에위치하는제1 전극, ⅲ) 기판위에위치하는시드층, ⅳ) 시드층위에위치하고제1 관통홀과제2 관통홀을포함하는마스크층, ⅴ) 제1 관통홀에위치하고, 420nm 내지 490nm의파장범위의청색(Blue)빛을포함하는제1 마이크로라드(microrod) 구조체, ⅵ) 제2 관통홀에위치하는제1 마이크로디스크(microdisk) 구조체, ⅶ) 제1 마이크로라드구조체및 제1 마이크로디스크구조체를둘러싸며위치하는절연체, ⅷ) 제1 마이크로라드구조체의단부와연결되고, 제1 전극과전기적으로연결되는제2 전극을포함하고제1 마이크로라드구조체의단부는 N형도펀트를포함하고, 제1 전극과제2 전극은 PN 접합된다.

2. 发明授权

KR101891257B1 반도체 발광장치 및 그 제조방법 有权
公开(公告)号：KR101891257B1
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：KR1020120033978
申请日：2012-04-02
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김유승
IPC分类号： H01L33/36
CPC分类号： H01L33/0095 , H01L33/382 , H01L33/385 , H01L33/44 , H01L33/62 , H01L2224/24 , H01L2933/0016 , H01L2933/0025 , H01L2933/0033
摘要： 본발명의일 측면에따른반도체발광장치는, 적어도일면에형성된제1 및제2 전극패턴을구비하는기판과, 상기기판의일면상에배치되며, 제1 도전형반도체층, 활성층및 제2 도전형반도체층을포함하는발광구조물과, 상기제1 도전형반도체층과전기적으로연결되도록형성되는제1 전극구조와, 상기제2 도전형반도체층과전기적으로연결되며상기기판과상기발광구조물사이에형성되어상기발광구조물의외측으로연장되는제2 전극구조와, 상기기판및 제2 전극구조사이에개재되어상기기판과상기제2 전극구조를분리하는절연층와, 상기제1 전극구조와상기제1 전극패턴을연결하는제1 연결부와, 상기발광구조물의외측으로연장된제2 전극구조와상기제2 전극패턴을연결하는제2 연결부를포함한다.

3. 发明授权

KR101874587B1 반도체 발광소자 및 이의 제조방법 有权
公开(公告)号：KR101874587B1
公开(公告)日：2018-07-04
申请号：KR1020170123366
申请日：2017-09-25
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 양종인 , 김태형 , 송상엽 , 김학환 , 손철수 , 이시혁 , 이진현
IPC分类号： H01L33/62 , H01L33/38 , H01L33/40 , H01L33/00 , H01L33/32 , H01L33/20 , H01L33/44
CPC分类号： H01L33/62 , H01L33/0025 , H01L33/005 , H01L33/007 , H01L33/0079 , H01L33/20 , H01L33/32 , H01L33/382 , H01L33/387 , H01L33/405 , H01L33/44 , H01L2924/0002 , H01L2933/0016 , H01L2933/0066 , H01L2924/00
摘要： 반도체발광소자및 그제조방법이개시된다. 개시된반도체발광소자는, 기판상에순차적으로적층된제1전극층, 제1절연층, 제2전극층, 제2반도체층, 활성층및 제1반도체층과, 상기제1전극층의일부영역상에형성된제1전극패드와, 상기제1전극층의나머지영역상으로형성된제2절연층과, 상기제2전극층상에서상기제2절연층상으로연장된제2전극패드와, 상기기판을관통하여상기제1전극패드와전기적으로연결된제1콘택과, 상기기판을관통하여상기제2전극층과통전하는제2콘택;을구비하며, 상기제1전극층은상기제2전극층, 제2반도체층및 활성층을관통하는콘택홀을채워서상기제1반도체층과전기적으로연결되며, 상기제1절연층은상기콘택홀의내주를감싸도록형성되어상기제1전극층을상기제2전극층으로부터절연한다

4. 发明授权

KR101872315B1 반도체 발광소자 有权
公开(公告)号：KR101872315B1
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：KR1020160177633
申请日：2016-12-23
申请人： 주식회사 세미콘라이트
发明人： 이성기 , 이성규
IPC分类号： H01L33/38 , H01L33/02 , H01L33/10 , H01L33/62
CPC分类号： H01L33/38 , H01L33/02 , H01L33/10 , H01L33/62 , H01L2924/12041 , H01L2933/0016
摘要： 본개시는반도체발광소자에있어서, 제1 도전성을가지는제1 반도체층, 제1 도전성과다른제2 도전성을가지는제2 반도체층및 제1 반도체층과제2 반도체층사이에개재되며전자와정공의재결합을통해빛을생성하는활성층을가지는복수의반도체층; 활성층에서생성된빛을제1 반도체층측으로반사하도록복수의반도체층위에형성된비도전성반사막; 제1 반도체층과전기적으로연결되며전자와정공중 하나를공급하는제1 전극부;그리고, 제2 반도체층과전기적으로연결되며전자와정공중 나머지하나를공급하는제2 전극부;를포함하며, 제1 전극부와제2 전극부각각은: 비도전성반사막상부에구비된상부전극; 제1 반도체층및 제2 반도체층중 하나와연결되는하부전극;그리고, 하부전극과상부전극을연결하는전기적연결;을포함하고, 제1 전극부와제2 전극부중 하나는: 하부전극과연결되어, 반도체발광소자의다른상부전극을향해뻗어있는가지전극;을포함하고, 평면도상에서, 다른상부전극은가지전극을덮지않도록둘러싸는오목부를구비하는반도체발광소자에관한것이다.

5. 发明公开

KR20180070392A 반도체 발광소자 审中-公开
公开(公告)号：KR20180070392A
公开(公告)日：2018-06-26
申请号：KR20160173025
申请日：2016-12-16
申请人： SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD
发明人： YOO HA NUL , KIM YONG IL , SIM SUNG HYUN , LIM WAN TAE , NOH HYE SEOK , YEON JI HYE
IPC分类号： H01L33/50 , H01L33/02 , H01L33/36 , H01L33/58
CPC分类号： H01L33/58 , F21K9/232 , F21K9/235 , F21K9/238 , F21V29/76 , H01L33/007 , H01L33/0079 , H01L33/06 , H01L33/12 , H01L33/22 , H01L33/32 , H01L33/405 , H01L33/502 , H01L2933/0016 , H01L2933/0041 , H01L2933/0058
摘要： 본발명의일 실시예는, 제1 영역과상기제1 영역을둘러싸는제2 영역을갖는제1 면과상기제1 면과반대에위치한제2 면을가지며, 파장변환물질이함유된투광성지지체와, 상기투광성지지체의제1 면의제1 영역상에배치되며, 제1 및제2 도전형반도체층과상기제1 및제2 도전형반도체층사이에배치된활성층을포함하는반도체적층체와, 상기투광성지지체와상기반도체적층체사이에배치된투광성접합층과, 상기투광성지지체의제2 영역상에서상기반도체적층체를둘러싸도록배치된광차단막과, 상기제1 도전형반도체층의일 영역과상기제2 도전형반도체층의일 영역에각각배치된제1 및제2 전극을포함하는반도체발광소자를제공한다.

6. 发明公开

KR20180038214A 발광소자 및 조명장치 审中-公开
公开(公告)号：KR20180038214A
公开(公告)日：2018-04-16
申请号：KR20160129020
申请日：2016-10-06
申请人： LG INNOTEK CO LTD
发明人： LEE DAE HEE , KOO JI HYUN , KIM MYUNG SUB , KIM YOUNG HOON , LEE SEUNG IL , LEE JUNG WOOK
IPC分类号： H01L33/38 , H01L33/08 , H01L33/48 , H01L33/62
CPC分类号： H01L33/382 , F21K9/00 , F21Y2101/00 , H01L33/08 , H01L33/48 , H01L33/62 , H01L2924/12041 , H01L2933/0016
摘要： 실시예는발광소자, 발광소자의제조방법, 발광소자패키지및 조명장치에관한것이다. 실시예에따른발광소자는제1 도전형전원을제공하는공통전극(210) 및상기공통전극(210) 상에배치된복수의발광구조물을포함할수 있다. 상기복수의발광구조물은제1 발광구조물(110A) 및상기제1 발광구조물(110A)의제1 축방향으로인접하게배치된제2 발광구조물(110B)을포함할수 있다. 상기제1, 제2 발광구조물(110A, 110B)은, 각각제1 도전형반도체층(112a, 112b), 활성층(114a, 114b), 제2 도전형반도체층(116a, 116b)을포함하며, 상기공통전극(210)은상기제1, 제2 발광구조물(110A, 110B)의제1 도전형반도체층(112a, 112b)과각각제1, 제2 비아전극(216a, 216b)을통해전기적으로연결될수 있다. 상기제1 발광구조물(110A)의제2 도전형반도체층(116a)은, 상기제1 발광구조물(110A)의제1 축의반대방향으로인접하게배치된제1 패드(240A) 및상기공통전극(210) 상에배치된제1 절연층(310)을관통하는제1 연결전극(220A)을통해전기적으로연결될수 있다. 상기제2 발광구조물(110B)의제2 도전형반도체층(116b)은, 상기제1 발광구조물(110A)의제1 축의반대방향으로인접하게배치된제2 패드(240B) 및상기제1 절연층(310)을관통하는제2 연결전극(220B)을통해전기적으로연결될수 있다.

7. 发明授权

KR101848034B1 심자외 LED 및 그 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR101848034B1
公开(公告)日：2018-04-11
申请号：KR1020177021838
申请日：2015-07-29
申请人： 마루분 가부시키가이샤 , 도시바 기카이 가부시키가이샤 , 고쿠리쓰 겐큐 가이하쓰 호징 리가가쿠 겐큐소 , 가부시키가이샤 아루박 , 도쿄 오카 고교 가부시키가이샤
发明人： 가시마유키오 , 마츠우라에리코 , 고쿠보미츠노리 , 다시로다카하루 , 오오카와다카후미 , 히라야마히데키 , 마에다노리토시 , 조마사후미 , 가미무라류이치로 , 오사다야마토 , 시마타니사토시
IPC分类号： H01L33/16 , H01L33/10 , H01L33/40 , H01L33/00 , H01L33/22 , H01L33/32
CPC分类号： H01L33/405 , H01L33/10 , H01L33/22 , H01L33/32 , H01L33/52 , H01L2933/0016 , H01L2933/005 , H01L2933/0058 , H01L2933/0083
摘要： 설계파장을λ로하는심자외 LED로서, Al 반사전극층과, 극박막금속층과, 투명 p형 AlGaN 콘택층을기판과는반대측으로부터이 순서로가지고, 상기투명 p형 AlGaN 콘택층의두께방향의범위내에포토닉결정주기구조를가지며, 또한상기포토닉결정주기구조는포토닉밴드갭을갖는것을특징으로하는심자외 LED.

8. 发明公开

KR20180007376A 표시장치 및 표시장치의 제조방법 审中-公开
标题翻译：显示装置及其制造方法
公开(公告)号：KR20180007376A
公开(公告)日：2018-01-23
申请号：KR20160088048
申请日：2016-07-12
IPC分类号： H05B33/12 , H01L33/00 , H01L33/38 , H05B33/10 , H05B33/26
CPC分类号： H01L33/0075 , H01L25/0753 , H01L27/156 , H01L33/06 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/405 , H01L33/44 , H01L33/62 , H01L2933/0016 , H05K1/11 , H05K1/181 , H05K2201/10106
摘要： 표시장치및 표시장치의제조방법을개시한다. 일실시예에따른표시장치는, 기판상에배치되고, 상부면이평평한제1 부분과상기제1 부분으로부터돌출되고경사면을갖는제2 부분을구비한제1 전극; 상기기판상에상기제1 전극과평행하게마주하도록배치되고, 상부면이평평한제1 부분과상기제1 부분으로부터돌출되고경사면을갖는제2 부분을구비한제2 전극; 및각각이상기제1 전극의제1 부분의상부면과컨택하는제1 전극층및 상기제2 전극의제1 부분의상부면과컨택하는제2 전극층을구비하고, 상기제1 전극및 상기제2 전극상에이격배열된복수의발광소자들;을포함한다.
摘要翻译：本发明公开了一种显示设备，该显示装置包括基板（100），在基板（100）上的第一电极（21），第一电极（21）包括具有平坦上表面的第一部分和从第一部分突出的第二部分，具有倾斜表面，在所述基板（100）上平行面向所述第一电极（21）的第二电极（22），所述第二电极（22）包括第一部分和第二部分，所述第一部分具有平坦的上表面，所述第一部分和具有倾斜表面，以及在所述第一电极和所述第二电极上彼此分离的多个发光器件，每个所述发光器件具有接触所述第一部分的所述第一部分的上表面第一电极和接触第二电极的第一部分的上表面的第二端。

9. 发明公开

KR1020170115026A 반도체 발광소자 및 이의 제조방법 审中-实审
标题翻译：半导体发光器件及其制造方法
公开(公告)号：KR1020170115026A
公开(公告)日：2017-10-16
申请号：KR1020170123366
申请日：2017-09-25
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 양종인 , 김태형 , 송상엽 , 김학환 , 손철수 , 이시혁 , 이진현
IPC分类号： H01L33/62 , H01L33/38 , H01L33/40 , H01L33/00 , H01L33/32 , H01L33/20 , H01L33/44
CPC分类号： H01L33/62 , H01L33/0025 , H01L33/005 , H01L33/007 , H01L33/0079 , H01L33/20 , H01L33/32 , H01L33/382 , H01L33/387 , H01L33/405 , H01L33/44 , H01L2924/0002 , H01L2933/0016 , H01L2933/0066 , H01L2924/00
摘要： 반도체발광소자및 그제조방법이개시된다. 개시된반도체발광소자는, 기판상에순차적으로적층된제1전극층, 제1절연층, 제2전극층, 제2반도체층, 활성층및 제1반도체층과, 상기제1전극층의일부영역상에형성된제1전극패드와, 상기제1전극층의나머지영역상으로형성된제2절연층과, 상기제2전극층상에서상기제2절연층상으로연장된제2전극패드와, 상기기판을관통하여상기제1전극패드와전기적으로연결된제1콘택과, 상기기판을관통하여상기제2전극층과통전하는제2콘택;을구비하며, 상기제1전극층은상기제2전극층, 제2반도체층및 활성층을관통하는콘택홀을채워서상기제1반도체층과전기적으로연결되며, 상기제1절연층은상기콘택홀의내주를감싸도록형성되어상기제1전극층을상기제2전극층으로부터절연한다
摘要翻译：公开了一种半导体发光器件及其制造方法。发射器件所公开的半导体光，首先形成在堆叠的所述第一电极层上的顺序的一部分，第一绝缘层，第二电极层，第二半导体层，有源层和第一半导体层和所述基板上的第一电极层第一电极焊盘，形成在第一电极层的剩余区域上的第二绝缘层，在第二电极层上的第二绝缘层上延伸的第二电极焊盘，以及第二接触件，通过所述衬底电连接到所述第二电极层，其中所述第一电极层包括贯穿所述第二电极层，所述第二半导体层和所述有源层的接触孔，并且，第一绝缘层形成为包围接触孔的内周，以使第一电极层与第二电极层绝缘

10. 发明授权

KR101785235B1 초소형 LED 및 조명 구조체 형성 프로세스 有权
标题翻译：超小型LED和照明结构形成过程
公开(公告)号：KR101785235B1
公开(公告)日：2017-10-12
申请号：KR1020167024867
申请日：2015-02-09
申请人： 엔티에이치 디그리 테크놀로지스 월드와이드 인코포레이티드
发明人： 레이윌리엄존스톤 , 로웬탈마크데이비드 , 젱리신
IPC分类号： H01L25/075 , H01L33/40 , H01L33/42 , H01L33/58 , H01L33/62 , H01L33/02
CPC分类号： H01L33/56 , H01L25/0753 , H01L33/06 , H01L33/32 , H01L33/405 , H01L33/42 , H01L33/486 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2933/0016 , H01L2933/0066 , H01L2924/00 , H01L2924/0001
摘要： 가요성광 시트는가요성기판상부에위치한하부도체층을포함한다. 수직발광다이오드(VLED)의어레이는하부도체층 위에잉크로서프린팅되어 VLED의하부전극은하부도체층과전기적으로접촉한다. VLED의상부전극은제 1 투명도체층으로형성되고, 임시소수성층은제 1 투명도체층 위에형성된다. 유전체재료는 VLED들사이에증착되지만소수성층을자동으로디웨팅한다. 소수성층이또한제거되고, 제 2 투명도체층은 VLED의상부전극과전기적으로접촉하도록증착된다. VLED는상부금속범프전극이사용되지않기때문에직경이 10 마이크론미만으로만들어질수 있다. VLED는하부도체층과제 2 투명도체층 사이의전압차동에의해조명된다.
摘要翻译：柔性片包括位于柔性基底顶部的下导体层。垂直发光二极管（VLED）的阵列被印刷油墨上的下部导电层与所述VLED银河非导电层的下电极电接触。 VLED上电极由第一透明体层形成，临时疏水层形成在第一透明体层上。电介质材料沉积在VLED之间，但是自动去湿疏水层。疏水层也被去除并且第二透明层被沉积为与VLED的上电极电接触。由于不使用上金属凸块电极，所以VLED的直径可以小于10微米。 VLED由下导体层任务2透明层之间的电压差照亮。

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