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    • 1. 发明授权
    • 분포 브래그 반사기를 가지는 발광 다이오드 칩
    • KR102471102B1
    • 2022-11-25
    • KR1020150148036
    • 2015-10-23
    • H01L33/46H01L33/50H01L33/58
    • 본발명의일 실시예에따르면, 발광구조체에서방출된광을반사하도록발광구조체의일측에배치된분포브래그반사기(DBR)를포함하는발광다이오드칩이제공된다. DBR은서로교대로적층된저굴절률을갖는제1 재료층들및 고굴절률을갖는제2 재료층들을포함하며, 가시영역의중심파장(λ:554㎚)에대해, 0.25λ+10%보다큰 광학두께를가지는제1군의제1 재료층들과, 0.25λ+10%보다작고 0.25λ-10%보다큰 광학두께를가지는제2군의제1 재료층들이서로교대로배치된제1 영역; 0.25λ-10%보다작은광학두께를가지고연속하여배치된제3군의제1 재료층들을포함하는제2 영역; 및제1 영역과제2 영역사이에위치하고, 0.25λ-10%보다작은광학두께를가지는제1 재료층, 및 0.25λ보다큰 광학두께를가지는제1 재료층을포함하는제3 영역을포함한다. 이에따라, 입사각이증가해도스탑밴드에리플이발생하지않는 DBR을제공할수 있다.