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1. 发明授权

KR102263065B1 발광 소자 및 그 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR102263065B1
公开(公告)日：2021-06-10
申请号：KR1020140129019
申请日：2014-09-26
申请人： 서울바이오시스 주식회사
发明人： 김창연 , 박주용 , 손성수
IPC分类号： H01L33/38 , H01L33/50

2. 发明公开

KR1020210069026A 발광 소자 및 그 제조 방법 审中-实审
公开(公告)号：KR1020210069026A
公开(公告)日：2021-06-10
申请号：KR1020210072067
申请日：2021-06-03
申请人： 서울바이오시스 주식회사
发明人： 김창연 , 박주용 , 손성수
IPC分类号： H01L33/38 , H01L33/62

3. 发明公开

KR1020160150245A 모바일 기기 살균 케이스 审中-实审
标题翻译：移动设备灭菌箱
公开(公告)号：KR1020160150245A
公开(公告)日：2016-12-29
申请号：KR1020150087693
申请日：2015-06-19
申请人： 서울바이오시스 주식회사
发明人： 한건우 , 김화목 , 허정훈 , 이충민 , 손성수 , 박기연
IPC分类号： A61L2/10
摘要： 모바일기기살균케이스에대한발명이개시된다. 개시된발명은: 모바일기기를수용하기위한수용공간이내측에형성되고, 모바일기기를수용공간에출입시키기위한투입구가형성되는케이스본체부와; 충전위치또는소독위치로위치변화가가능하도록수용공간에설치되고, 충전위치또는소독위치에서모바일기기와전기적으로접속되는단자부; 및수용공간에설치되고, 소독위치에서단자부가모바일기기와접속되면수용공간에수용된모바일기기에자외선을조사하는엘이디모듈을포함한다.

4. 发明公开

KR1020160056524A 발광 소자 审中-实审
标题翻译：发光装置
公开(公告)号：KR1020160056524A
公开(公告)日：2016-05-20
申请号：KR1020140156839
申请日：2014-11-12
申请人： 서울바이오시스 주식회사
发明人： 김창연 , 손성수
IPC分类号： H01L33/36 , H01L33/64
CPC分类号： H01L33/647 , H01L33/38 , H01L33/62
摘要： 발광소자가개시된다. 발광소자는, 발광구조체; 발광구조체상에위치하며, 제1 및제2 도전형반도체층에각각오믹컨택하는제1 컨택전극및 제2 컨택전극; 제1 컨택전극및 제2 컨택전극을부분적으로덮는제1 및제2 절연부; 발광구조체상에위치하며, 제1 및제2 컨택전극각각에전기적으로연결된제1 전극및 제2 전극; 제1 전극및 제2 전극의측면을덮는제3 절연부; 제1 전극, 제2 전극및 제3 절연부상에위치하는연결층; 및연결층상에위치하는제1 패드전극및 제2 패드전극을포함하고, 제1 패드전극및 제2 패드전극은연결층을통해각각제1 전극과제2 전극에전기적으로연결되며, 제1 패드전극의수평면적은제1 전극의수평면적보다작고, 제2 패드전극의수평면적은제2 전극의수평면적보다크다.
摘要翻译：公开了具有均匀的发光特性和确保优异的散热效率的发光器件。发光器件包括：发光结构; 第一接触电极和第二接触电极，分别设置在发光结构上并与第一和第二导电型半导体层欧姆接触; 第一绝缘部分和用于部分覆盖第一接触电极和第二接触电极的第二绝缘部分; 第一电极和第二电极，其分别设置在所述发光结构上并电连接到所述第一和第二接触电极; 用于覆盖第一电极和第二电极的侧表面的第三绝缘部分; 设置在所述第一电极，所述第二电极和所述第三绝缘部分上的连接层; 以及设置在所述连接层上的第一焊盘电极和第二焊盘电极，其中所述第一焊盘电极和所述第二焊盘电极分别通过所述连接层电连接到所述第一电极和所述第二电极。第一焊盘电极的水平面积小于第一电极的水平面积，第二焊盘电极的水平面积大于第二电极的水平面积。

5. 发明公开

KR1020160036865A 발광 소자 및 그 제조 방법 审中-实审
标题翻译：发光装置及其制造方法
公开(公告)号：KR1020160036865A
公开(公告)日：2016-04-05
申请号：KR1020140129019
申请日：2014-09-26
申请人： 서울바이오시스 주식회사
发明人： 김창연 , 박주용 , 손성수
IPC分类号： H01L33/36
CPC分类号： H01L33/38 , H01L33/502 , H01L2933/0016
摘要： 발광소자및 그제조방법이개시된다. 발광소자는, 제1 도전형반도체층, 제2 도전형반도체층, 및제1 도전형반도체층과제2 도전형반도체층의사이에위치하는활성층을포함하고, 제1 면및 제2 면을포함하는발광구조체; 제1 및제2 도전형반도체층에각각오믹컨택하는제1 컨택전극및 제2 컨택전극; 발광구조체의제1 면상에위치하며, 제1 도전형반도체층에전기적으로연결된제1 전극; 및발광구조체의제1 면상에위치하며, 제2 도전형반도체층에전기적으로연결된제2 전극을포함하고, 제1 및제2 전극각각은금속입자소결체를포함하고, 제1 및제2 전극각각은, 그수직단면의측면에대한접선기울기가변화하는경사진측면을포함한다.
摘要翻译：公开了一种发光器件及其制造方法。发光器件包括：包括第一导电半导体层，第二导电半导体层和第一和第二导电半导体之间的有源层的发光结构，并且包括第一和第二表面; 分别与第一和第二导电半导体层欧姆接触的第一和第二接触电极; 第一电极，其位于发光结构的第一表面上并与第一导电半导体层电连接; 以及位于发光结构的第一表面上并与第二导电半导体层电连接的第二电极。第一和第二电极中的每一个包括烧结金属颗粒体。第一电极和第二电极中的每一个包括具有到横截面的横向侧的各种切向斜面的倾斜侧面。

6. 发明公开

KR1020140085946A 수직형 발광다이오드 审中-实审
标题翻译：垂直型发光装置
公开(公告)号：KR1020140085946A
公开(公告)日：2014-07-08
申请号：KR1020120155857
申请日：2012-12-28
申请人： 서울바이오시스 주식회사
发明人： 이미희 , 임창익 , 박주용 , 김창연 , 손성수
IPC分类号： H01L33/36 , H01L33/38 , H01L33/22
CPC分类号： H01L33/385 , H01L33/145 , H01L33/22
摘要： A vertical light emitting diode by the present invention includes a first conductive clad layer having a trench within an upper surface, a second conductive clad layer formed on the lower part of the first conductive clad layer, an active layer formed between the first conductive clad layer and the second conductive clad layer and spaced apart from the trench, an upper electrode formed by filling the trench, and a lower electrode electrically connected to the lower part of the second conductive clad layer.
摘要翻译：通过本发明的垂直发光二极管包括在上表面内具有沟槽的第一导电覆层，形成在第一导电覆层的下部的第二导电覆层，在第一导电覆层和第二导电覆层，并且与沟槽间隔开，通过填充沟槽形成的上电极和电连接到第二导电覆层的下部的下电极。

7. 发明公开

KR1020140078977A 고효율 발광 다이오드 审中-实审
标题翻译：高效发光二极管
公开(公告)号：KR1020140078977A
公开(公告)日：2014-06-26
申请号：KR1020120148361
申请日：2012-12-18
申请人： 서울바이오시스 주식회사
发明人： 임창익 , 이미희 , 박주용 , 손성수 , 김창연
IPC分类号： H01L33/36
CPC分类号： H01L33/502 , G02B1/007 , H01L33/04 , H01L33/38 , H01L33/40 , H01L2933/0083
摘要： Disclosed is a high efficiency light emitting diode. The light emitting diode includes a semiconductor stack structure which includes a p-type compound semiconductor layer, an active layer, and an n-type compound semiconductor layer; a first electrode which is located on the semiconductor stack structure; and a graphene-meta material stack structure which is at least partly located between the first electrode and the semiconductor stack structure. Because the meta material is used, optical loss due to the first electrode is prevented, thereby increasing the optical efficiency of the light emitting diode.
摘要翻译：公开了一种高效率的发光二极管。发光二极管包括包括p型化合物半导体层，有源层和n型化合物半导体层的半导体堆叠结构; 位于半导体堆叠结构上的第一电极; 以及至少部分地位于第一电极和半导体堆叠结构之间的石墨烯材料堆叠结构。由于使用了元素材料，因此防止了由于第一电极引起的光学损失，从而提高了发光二极管的光学效率。

8. 发明授权

KR101761835B1 고효율 발광 다이오드 有权
标题翻译：高效率的发光二极管
公开(公告)号：KR101761835B1
公开(公告)日：2017-07-26
申请号：KR1020160048327
申请日：2016-04-20
申请人： 서울바이오시스 주식회사
发明人： 김태균 , 이준희 , 김기현 , 손성수
IPC分类号： H01L33/40 , H01L33/14 , H01L33/12
CPC分类号： H01L33/145 , H01L33/10 , H01L33/38 , H01L33/387 , H01L33/405 , H01L33/44 , H01L33/46 , H01L2933/0016
摘要： 본발명의일 실시예에따른발광다이오드는제2 도전형반도체층, 상기제2 도전형반도체층상면에위치하는활성층, 및상기활성층상면에위치하는제1 도전형반도체층을포함하는발광구조체, 상기제1 도전형반도체층과전기적으로접속되는적어도하나의제1 전극, 상기발광구조체의하면에위치하는전류차단층; 및상기제2 도전형반도체층과전기적으로접속되는제2 전극을포함하며, 상기제2 전극은, 상기제2 도전형반도체층과접하는제1 반사금속층, 상기전류차단층의하면및 상기제1 반사금속층의하면을덮으며상기제2 도전형반도체층의일부와접하는제2 반사금속층, 및상기제2 반사금속층과상기제2 도전형반도체층의접촉저항은상기제1 반사금속층과상기제2 도전형반도층의접촉저항보다클 수있다.
摘要翻译：的发光结构中的根据本发明的一个实施例包括第二导电型半导体层，第一有源层，以及位于所述第二导电类型半导体层的上表面上的有源层的顶表面上的第一导电型半导体层的LED，至少一个电连接到第一导电类型半导体层的第一电极，位于发光结构底部的电流阻挡层，以及第二电极，电连接到所述第二导电类型半导体层，其中所述第二电极包括：与所述第二导电类型半导体层接触的第一反射金属层; 第二反射金属层，覆盖金属层的表面并且与第二导电类型半导体层的一部分接触，以及第二反射金属层和第二导电类型半导体层之间的接触电阻，它可能大于半导体层的接触电阻。

9. 发明授权

KR102263066B1 발광 소자 有权
公开(公告)号：KR102263066B1
公开(公告)日：2021-06-10
申请号：KR1020140156839
申请日：2014-11-12
申请人： 서울바이오시스 주식회사
发明人： 김창연 , 손성수
IPC分类号： H01L33/64 , H01L33/62 , H01L33/38

10. 发明公开

KR1020160092465A 발광 소자 审中-实审
标题翻译：发光装置
公开(公告)号：KR1020160092465A
公开(公告)日：2016-08-04
申请号：KR1020150076527
申请日：2015-05-29
申请人： 서울바이오시스 주식회사
发明人： 채종현 , 김창연 , 서대웅 , 손성수
IPC分类号： H01L33/36 , H01L33/12 , H01L33/64
CPC分类号： H01L33/62 , H01L33/38 , H01L33/44
摘要： 발광소자가개시된다. 발광소자는, 제1 도전형반도체층, 제2 도전형반도체층및 활성층을포함하는발광구조체; 발광구조체상에위치하며, 제1 및제2 도전형반도체층에각각오믹컨택하는제1 컨택전극및 제2 컨택전극; 제1 컨택전극및 제2 컨택전극을절연시키며, 제1 및제2 컨택전극을부분적으로덮는절연층; 절연층상에위치하는응력완충층; 발광구조체및 응력완충층발광구조체및 절연층상에위치하며, 제1 및제2 컨택전극각각에전기적으로연결된제1 벌크전극및 제2 벌크전극; 및제1 벌크전극및 제2 벌크전극의측면을덮고, 제1 벌크전극및 제2 벌크전극의상면을적어도부분적으로노출시키는절연지지체를포함하고, 제1 벌크전극은, 제1 및제2 벌크전극이서로대향하는측면으로부터돌출된돌출부를포함하며, 제2 벌크전극은, 제1 및제2 벌크전극이서로대향하는측면으로부터함입된오목부를포함한다.
摘要翻译：根据本发明，公开了由于优异的机械稳定性而具有降低的故障概率的发光装置。发光器件包括：发光结构，包括第一和第二导电半导体层，以及有源层; 第一和第二接触电极，分别设置在发光结构上，并与第一和第二导电半导体层欧姆接触; 绝缘层，绝缘所述第一和第二接触电极，并且部分地覆盖所述第一和第二接触电极; 位于所述绝缘层上的应力缓冲层; 放置在发光结构上的第一和第二体电极，应力缓冲层和绝缘层，并分别电连接到第一和第二接触电极; 以及覆盖第一和第二体电极的侧表面并且暴露第一和第二体电极的上表面的至少一部分的绝缘支撑结构。第一体电极包括从第一和第二体电极彼此面对的侧表面突出的突出单元。第二体电极包括从第一和第二体电极彼此面对的侧表面凹陷的凹形单元。

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