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1. 发明公开

KR1020150129804A 단결정 알루미늄 질화물 기판을 포함하는 전력 반도체 장치들 审中-实审
标题翻译：包含单晶氮化铝衬底的功率半导体器件
公开(公告)号：KR1020150129804A
公开(公告)日：2015-11-20
申请号：KR1020157028537
申请日：2014-03-13
申请人： 헥사테크, 인크.
发明人： 무디,백스터 , 미타,세이지 , 시에,진키아오
IPC分类号： H01L29/872 , H01L29/20 , H01L29/66
CPC分类号： H01L29/872 , H01L29/2003 , H01L29/66212 , H01L29/66462
摘要： 본발명은알루미늄질화물단결정기판을포함하는전력반도체장치를제공하며, 여기서상기기판의전위밀도는약 10㎝이하이고, (002) 및 (102) 결정면들에대한이중축요동곡선의반치전폭(FWHM)은약 200arcsec 이하이며, 상기알루미늄질화물단결정기판상부에위치하는적어도하나의도핑된 AlGaN 층을구비하는전력반도체구조를포함한다.
摘要翻译：本发明提供了一种包括氮化铝单晶衬底的功率半导体器件，其中衬底的位错密度小于约105cm -2，并且（002）的双轴摇摆曲线的全宽度最大值（FWHM）和（102）晶面小于约200arcsec; 以及包括覆盖在氮化铝单晶衬底上的至少一个掺杂的Al x Ga 1-x N层的功率半导体结构。

2. 发明公开

KR1020150014641A 질화갈륨계 다이오드 및 그 제조 방법 审中-实审
标题翻译：基于氮化镓的场效应晶体管及其制造方法
公开(公告)号：KR1020150014641A
公开(公告)日：2015-02-09
申请号：KR1020130090052
申请日：2013-07-30
申请人： 서울반도체 주식회사
发明人： 타케야모토노부 , 이강녕
IPC分类号： H01L29/872
CPC分类号： H01L29/872 , H01L21/0242 , H01L21/0254 , H01L21/02609 , H01L21/02647 , H01L29/045 , H01L29/0619 , H01L29/0649 , H01L29/2003 , H01L29/32 , H01L29/475 , H01L29/66143 , H01L29/66212
摘要： 본 발명의 질화갈륨계 다이오드는, 진성 질화갈륨계 반도체층; 상기 진성 질화갈륨계 반도체층과 접합된 제1 도전형의 질화갈륨계 반도체층; 상기 진성 질화갈륨계 반도체층의 제1 도전형의 질화갈륨계 반도체층과의 접합면 반대면에 위치하는 금속 재질의 제1 전극; 상기 제1 도전형의 질화갈륨계 반도체층의 상기 진성 질화갈륨계 반도체층과의 접합면 반대면에 위치하는 제2 전극; 및 상기 제1 전극의 테두리와 접하는 상기 진성 질화갈륨계 반도체층의 일부 영역에 형성된 제2 도전형 내압층을 포함할 수 있다.
摘要翻译：本发明的氮化镓基二极管可以包括本征氮化镓基半导体层; 本征氮化镓基半导体层的第一导电型氮化镓基半导体层; 位于与本征氮化镓基半导体层的第一导电型氮化镓基半导体层的接合侧相反的一侧的金属材料的第一电极; 位于与第一导电型氮化镓基半导体层的本征氮化镓基半导体层的接合侧相反的一侧的第二电极; 和第二导电型耐压层。

3. 发明公开

KR1020140023610A 반도체소자 및 그 제조방법 审中-实审
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：KR1020140023610A
公开(公告)日：2014-02-27
申请号：KR1020120089671
申请日：2012-08-16
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 전우철 , 박영환 , 박기열 , 신재광 , 오재준 , 하종봉
IPC分类号： H01L27/02 , H01L29/778
CPC分类号： H01L27/0605 , H01L21/8252 , H01L29/0619 , H01L29/1066 , H01L29/2003 , H01L29/32 , H01L29/41766 , H01L29/42316 , H01L29/4236 , H01L29/4238 , H01L29/66212 , H01L29/66462 , H01L29/7787 , H01L29/872
摘要： The present invention regarding a semiconductor device and a method for manufacturing thereof is disclosed. The disclosed semiconductor device comprises; a high electron mobility transistor (HEMT) formed on a first area of a substrate; and a diode formed on a second area of the substrate. The HEMT and the diode can be electrically connected. The HEMT and the diode can be separately placed on the upper side of the substrate in a horizontal direction. A semiconductor layer can be placed on a part of the substrate and the HEMT can be placed on the semiconductor layer. The diode can be placed on the other part of the substrate in which the semiconductor layer is not formed. The HEMT and the diode, for example, can be connected as a cascode type.
摘要翻译：本发明涉及一种半导体器件及其制造方法。所公开的半导体器件包括：形成在基板的第一区域上的高电子迁移率晶体管（HEMT）; 以及形成在所述衬底的第二区域上的二极管。 HEMT和二极管可以电连接。 HEMT和二极管可以在水平方向上分别放置在基板的上侧。可以将半导体层放置在衬底的一部分上，并将HEMT放置在半导体层上。二极管可以放置在不形成半导体层的衬底的另一部分上。例如，HEMT和二极管可以作为共源共栅型连接。

4. 发明公开

KR1020090090325A 매립층에 대한 저-저항 콘택을 제공하기 위한 주입된 영역을 포함하는 반도체 소자의 제조 방법 및 관련 소자 有权
标题翻译：制造半导体器件的方法，包括用于提供低电阻接触到被覆层和相关器件的嵌入区域
公开(公告)号：KR1020090090325A
公开(公告)日：2009-08-25
申请号：KR1020097011435
申请日：2007-11-01
申请人： 크리 인코포레이티드
发明人： 셰파드스콧티. , 수보로브알렉산더브이.
IPC分类号： H01L21/265 , H01L29/78 , H01L21/329 , B82Y30/00
CPC分类号： H01L21/2654 , H01L21/26553 , H01L29/66212 , H01L29/66446 , H01L29/66462 , H01L29/778 , H01L29/802 , H01L29/812 , H01L21/2253 , H01L21/02255 , H01L21/0257 , H01L21/2254 , H01L21/56 , H01L29/42312
摘要： Methods of fabricating a semiconductor device include forming a first semiconductor layer of a first conductivity type and having a first dopant concentration, and forming a second semiconductor layer on the first semiconductor layer. The second semiconductor layer has a second dopant concentration that is less than the first dopant concentration. Ions are implanted into the second semiconductor layer to form an implanted region of the first conductivity type extending through the second semiconductor layer to contact the first semiconductor layer. A first electrode is formed on the implanted region of the second semiconductor layer, and a second electrode is formed on a non-implanted region of the second semiconductor layer. Related devices are also discussed. ® KIPO & WIPO 2009
摘要翻译：制造半导体器件的方法包括形成第一导电类型的第一半导体层并具有第一掺杂剂浓度，以及在第一半导体层上形成第二半导体层。第二半导体层具有小于第一掺杂剂浓度的第二掺杂剂浓度。将离子注入到第二半导体层中以形成延伸穿过第二半导体层的与第一半导体层接触的第一导电类型的注入区。第一电极形成在第二半导体层的注入区上，第二电极形成在第二半导体层的非注入区上。还讨论了相关设备。 ®KIPO＆WIPO 2009

5. 发明授权

KR100231797B1 쇼트키 장벽 다이오드 失效
标题翻译：肖特基二极管二极管
公开(公告)号：KR100231797B1
公开(公告)日：1999-12-01
申请号：KR1019960035133
申请日：1996-08-23
申请人： 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼
发明人： 미야타도모야스 , 사카모토고이치
IPC分类号： H01L29/872
CPC分类号： H01L29/66212 , H01L29/872
摘要： 개선된 항복 특성을 갖는 쇼트키 장벽 다이오드는 n
+ 반도체층과, n
+ 반도체층 위에 형성된 n
_ 반도체층을 갖는다.
n
_ 반도체층은 메사부를 형성하도록 배열된다. 절연층은 메사부의 상면을 노출하도록 형성된다. 캐소드 전극은 n
+ 층과 전기적으로 연결되는 반면, 애노드 전극은 노출된 면과 메사부의 측면에 형성된다. 플라즈마 처리층은, 적어도 메사부의 측면의 일부로부터 내측으로 연장되도록 n
_ 반도체층에 형성되어 있다.

6. 发明公开

KR1020160014533A 반도체 장치와 그 제조 방법 有权
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：KR1020160014533A
公开(公告)日：2016-02-11
申请号：KR1020150104203
申请日：2015-07-23
申请人： 도요타지도샤가부시키가이샤
发明人： 가네치카마사카즈 , 우에다히로유키 , 도미타히데모토
IPC分类号： H01L27/095 , H01L29/778 , H01L29/872 , H01L29/66 , H01L29/47 , H01L29/812
CPC分类号： H01L27/0629 , H01L21/8232 , H01L21/8252 , H01L27/0605 , H01L29/0619 , H01L29/0895 , H01L29/1066 , H01L29/2003 , H01L29/205 , H01L29/66212 , H01L29/66462 , H01L29/7786 , H01L29/872
摘要： 공통의질화물반도체기판에 HEMT와 SBD가형성되어있다. 질화물반도체기판은, 적어도 HEMT의게이트구조의형성범위에서는, 제1∼제3 질화물반도체층의적층구조를구비하고있고, SMD의애노드전극의형성범위의적어도일부에서는, 제1, 제2 질화물반도체층의적층구조를구비하고있다. 애노드전극은, 제2 질화물반도체층의표면에접촉하고있다. 적어도애노드전극에접촉하는범위에서는, 제2 질화물반도체층의표면은, 제2 질화물반도체층과애노드전극이쇼트키접합하는표면으로마무리되어있다.
摘要翻译：在共同的氮化物半导体衬底上形成高电子迁移率晶体管（HEMT）和肖特基势垒二极管（SBO）。氮化物半导体衬底包括在至少HEMT的栅极结构的形成范围内的第一至第三氮化物半导体层的多层结构，并且包括第一和第二氮化物半导体层的多层结构，至少部分的SMD的阳极电极的形成范围。阳极电极接触第二氮化物半导体层的表面。在至少接触阳极的范围内，第二氮化物半导体层的表面用第二氮化物半导体层和阳极电极的肖特基结的表面结束。

7. 发明授权

KR101412190B1 쇼트키 다이오드 스위치 및 이를 포함하는 메모리 유닛들 有权
标题翻译：肖特基二极管开关和包含该开关的记忆单元
公开(公告)号：KR101412190B1
公开(公告)日：2014-06-27
申请号：KR1020137019964
申请日：2010-07-09
申请人： 시게이트 테크놀로지 엘엘씨
发明人： 김,영 , 누룰,아민 , 다디,세티아디 , 베누고팔란,바이트야나탄 , 웨이,티안 , 진,인식
IPC分类号： H01L29/872 , H01L27/115 , H01L21/8247
CPC分类号： H01L27/0814 , G11C11/161 , G11C11/1659 , G11C13/0002 , H01L21/84 , H01L27/0688 , H01L27/101 , H01L27/1021 , H01L27/11507 , H01L27/1203 , H01L27/224 , H01L27/2409 , H01L29/66143 , H01L29/66212 , H01L29/872 , H01L45/04 , H01L45/06 , H01L45/085 , H01L45/14 , H01L45/143 , H01L45/146 , H01L45/147
摘要： 제 1 부분 및 제 2 부분을 갖는 제 1 반도체층; 제 1 부분 및 제 2 부분을 갖는 제 2 반도체층; 상기 제 1 반도체층과 상기 제 2 반도체 층 사이에 배치되는 절연층; 제 1 접합을 형성하는 상기 제 1 반도체층의 제 1 부분과 접촉하며, 제 2 접합을 형성하는 상기 제 2 반도체층의 제 1 부분과 접촉하는 제 1 금속 접촉부; 및 제 3 접합을 형성하는 상기 제 1 반도체층의 제 2 부분과 접촉하며, 제 4 접합을 형성하는 상기 제 2 반도체층의 제 2 부분과 접촉하는 제 2 금속 접촉부를 포함하고, 상기 제 1 접합 및 상기 제 4 접합은 쇼트키(Schottky) 접촉들이고, 상기 제 2 접합 및 상기 제 3 접합은 오믹(ohmic) 접촉들인, 스위칭 엘리먼트가 기재된다.

8. 发明授权

KR101256466B1 질화물계 이종접합 반도체 소자 및 그 제조 방법 失效
标题翻译：氮化物双层结构半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：KR101256466B1
公开(公告)日：2013-04-19
申请号：KR1020120011891
申请日：2012-02-06
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이재훈
IPC分类号： H01L29/872
CPC分类号： H01L29/205 , H01L23/3171 , H01L29/2003 , H01L29/201 , H01L29/4236 , H01L29/66212 , H01L29/7786 , H01L29/872 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： PURPOSE: A nitride based heterostructure semiconductor device and a manufacturing method thereof are provided to improve the reliability of a device by forming an ion implantation layer on an AlGaN layer. CONSTITUTION: A GaN layer(130) is formed on a substrate. An Al-doped GaN layer(140) is formed on the GaN layer. An AlGaN layer(150) is formed on the Al-doped GaN layer. An ion implantation layer(160) is formed in a region except a first and a second region on the AlGaN layer. A passivation layer is formed on the ion implantation layer. [Reference numerals] (110) Substrate; (120) Buffer layer; (130) GaN layer; (140) Al-doped GaN layer; (150) AlGaN layer; (160) Ion implantation layer; (180) Passivation layer;
摘要翻译：目的：提供氮化物基异质结构半导体器件及其制造方法，以通过在AlGaN层上形成离子注入层来提高器件的可靠性。构成：在衬底上形成GaN层（130）。在GaN层上形成Al掺杂的GaN层（140）。在Al掺杂的GaN层上形成AlGaN层（150）。离子注入层（160）形成在除了AlGaN层上的第一和第二区域之外的区域中。在离子注入层上形成钝化层。（附图标记）（110）基板; （120）缓冲层; （130）GaN层; （140）Al掺杂的GaN层; （150）AlGaN层; （160）离子注入层; （180）钝化层;

9. 发明授权

KR101204580B1 Nitride based semiconductor device 无效
标题翻译：基于氮化物的半导体器件
公开(公告)号：KR101204580B1
公开(公告)日：2012-11-26
申请号：KR20100125286
申请日：2010-12-09
IPC分类号： H01L29/872
CPC分类号： H01L29/872 , H01L29/2003 , H01L29/66212
摘要： 본 발명은 질화물계 반도체 소자에 관한 것으로, 본 발명에 따른 질화물계 반도체 소자는 베이스 기판, 베이스 기판 상에 형성되는 반도체막, 그리고 반도체막 상에 형성된 전극 구조체를 포함하되, 전극 구조체는 반도체막과 오믹 접합되는 음극 구조물, 그리고 반도체막과 쇼트키 접합되는 쇼트키 전극과 질화막과 오믹 접합되는 오믹 전극을 포함하는 양극 구조물을 갖는다.
摘要翻译：本发明涉及一种氮化物系半导体装置中，根据形成在基底基板，在基底基板，并且包括电极结构形成在半导体膜，电极结构和半导体层上的本发明的薄膜半导体的氮化物系半导体元件它有一个负电极的结构，并包括一个欧姆电极肖特基电极作为半导体膜，用所述氮化物膜形成肖特基结，并且欧姆接触的阳极结构是欧姆结。

10. 发明公开

KR1020120064181A 질화물계 반도체 소자 失效
标题翻译：基于氮化物的半导体器件
公开(公告)号：KR1020120064181A
公开(公告)日：2012-06-19
申请号：KR1020100125287
申请日：2010-12-09
申请人： 삼성전기주식회사
发明人： 박영환 , 박기열 , 전우철
IPC分类号： H01L29/872 , H01L29/778
CPC分类号： H01L29/66212 , H01L29/0692 , H01L29/2003 , H01L29/201 , H01L29/872
摘要： PURPOSE: A nitride type semiconductor device is provided to decentralize an electric field focused in a schottky electrode unit when executing counter direction movement by inserting an ohmic contact inside the schottky electrode unit. CONSTITUTION: An electrode structure(130) comprises a first ohmic electrode(133), a second ohmic electrode(134), and a schottky electrode unit(136). The first ohmic electrode accomplishes ohmic contact with a semiconductor film. The second ohmic electrode is separated from the first ohmic electrode. The schottky electrode unit accomplishes schottky contact with the semiconductor film. The schottky electrode unit covers the second ohmic electrode. The schottky electrode unit comprises an extension unit which is extended to be contiguous to the first ohmic electrode.
摘要翻译：目的：提供一种氮化物型半导体器件，用于通过在肖特基电极单元内部插入欧姆接触来执行反方向移动来分散聚焦在肖特基电极单元中的电场。构成：电极结构（130）包括第一欧姆电极（133），第二欧姆电极（134）和肖特基电极单元（136）。第一欧姆电极与半导体膜完成欧姆接触。第二欧姆电极与第一欧姆电极分离。肖特基电极单元与半导体膜完成肖特基接触。肖特基电极单元覆盖第二欧姆电极。肖特基电极单元包括扩展单元，其延伸成与第一欧姆电极邻接。

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