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1. 发明公开

KR1020170046820A 비대칭 GaN 트랜지스터들 및 상승 모드 동작을 위한 자기-정렬 구조들 및 방법들 审中-实审
标题翻译：不对称的GaN晶体管和自对准结构以及提升模式操作的方法
公开(公告)号：KR1020170046820A
公开(公告)日：2017-05-02
申请号：KR1020177011069
申请日：2013-06-12
申请人： 인텔 코포레이션
发明人： 다스굽타,산사프타크 , 텐,한위 , 라도사블예비치,마르코 , 무케르지,닐로이 , 고엘,니티 , 카베히에,사나즈 , 성,승훈 , 필라리세티,라비 , 차우,로버트에스.
IPC分类号： H01L29/66 , H01L29/778 , H01L29/08 , H01L29/20 , H01L29/423
CPC分类号： H01L29/7784 , H01L21/0254 , H01L21/2233 , H01L21/2236 , H01L21/2654 , H01L21/26546 , H01L21/31111 , H01L21/31144 , H01L29/0847 , H01L29/2003 , H01L29/205 , H01L29/207 , H01L29/42376 , H01L29/66462 , H01L29/7786 , H01L29/7787
摘要： 실시예들은 HEMT(High Electron Mobility Transistor)들을포함한다. 실시예들에서, 게이트전극은소스및 드레인반도체영역으로부터상이한거리들만큼이격되어높은항복전압및 낮은온-스테이트저항을제공한다. 실시예들에서는, 자기-정렬기술들이적용되어트렌치들내에및 그사이의심축위에유전체라이너를형성하고, 이는단일마스킹작업으로게이트길이, 게이트-소스길이및 게이트-드레인길이를독립적으로정의한다. 실시예들에서, III-N HEMT들은임계전압튜닝및/또는상승모드동작을위해불소도핑된반도체장벽층들을포함한다.
摘要翻译：实施例包括HEMT（高电子迁移率晶体管）。在实施例中，栅电极与源极和漏极半导体区隔开不同的距离，以提供高击穿电压和低导通状态电阻。在该示例性实施例中，自定义了漏极独立地对准技术已被应用到所述沟槽内并在它们之间的心轴形成电介质衬垫的长度，这在栅极长度的栅极单个掩模 - 源极和栅极长度。在实施例中，III-N HEMT包括用于阈值电压调谐和/或升高模式操作的掺氟半导体阻挡层。

2. 发明公开

KR1020140089280A 고전자 이동도 트랜지스터 및 그 형성 방법 有权
标题翻译：高电子移动性晶体管及其形成方法
公开(公告)号：KR1020140089280A
公开(公告)日：2014-07-14
申请号：KR1020130042750
申请日：2013-04-18
申请人： 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드
发明人： 치앙첸하오 , 리우포춘 , 치우한친 , 첸치밍 , 유충이
IPC分类号： H01L29/778 , H01L21/335
CPC分类号： H01L29/66462 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/2654 , H01L21/283 , H01L21/31111 , H01L21/324 , H01L29/122 , H01L29/2003 , H01L29/66522 , H01L29/7783
摘要： A high electron mobility transistor (HEMT) includes a first III-V compound layer having a first band gap, and a second III-V compound layer having a second band gap over the first III-V compound layer. The second band gap is smaller than the first band gap. The HEMT further includes a third III-V compound layer having a third band gap over the second III-V compound layer, wherein the third band gap is greater than the first band gap. A gate electrode is formed over the third III-V compound layer. A source region and a drain region are over the third III-V compound layer and on opposite sides of the gate electrode.
摘要翻译：高电子迁移率晶体管（HEMT）包括具有第一带隙的第一III-V化合物层和在第一III-V化合物层上具有第二带隙的第二III-V化合物层。第二带隙小于第一带隙。 HEMT还包括在第二III-V化合物层上具有第三带隙的第三III-V化合物层，其中第三带隙大于第一带隙。在第三III-V化合物层上形成栅电极。源极区域和漏极区域在第三III-V化合物层上方和栅电极的相对侧上。

3. 发明公开

KR1020140042472A 질화물 반도체 기반의 파워 변환 장치 审中-实审
标题翻译：基于氮化物半导体的功率转换器件
公开(公告)号：KR1020140042472A
公开(公告)日：2014-04-07
申请号：KR1020120109274
申请日：2012-09-28
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 전우철 , 이백우 , 신재광 , 오재준
IPC分类号： H01L27/00 , H01L21/768
CPC分类号： H01L29/205 , H01L21/2654 , H01L21/8252 , H01L27/0605 , H01L27/0629 , H01L28/10 , H01L28/20 , H01L29/0642 , H01L29/2003 , H01L29/7786 , H01L29/86 , H01L29/94
摘要： A nitride semiconductor based power converting device is disclosed. The disclosed nitride semiconductor based power converting device includes a nitride semiconductor based power transistor and at least one passive element of a nitride semiconductor. The passive element and the power transistor include each channel layer which includes a first nitride semiconductor formed in the same vertical position, and a channel supply layer which includes a second nitride semiconductor on the channel layer and induces a two-dimensional electron gas in the channel layer. The passive element may be a resistor, an inductor, or a capacitor.
摘要翻译：公开了一种基于氮化物半导体的电力转换装置。所公开的基于氮化物半导体的功率转换器件包括氮化物半导体功率晶体管和氮化物半导体的至少一个无源元件。无源元件和功率晶体管包括每个沟道层，其包括形成在相同垂直位置的第一氮化物半导体，以及沟道供应层，其在沟道层上包括第二氮化物半导体，并在沟道中诱导二维电子气层。无源元件可以是电阻器，电感器或电容器。

4. 发明公开

KR1020120052160A 복합 기판 및 복합 기판의 제조 방법 审中-实审
标题翻译：复合基板和复合基板制造方法
公开(公告)号：KR1020120052160A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：KR1020110116208
申请日：2011-11-09
申请人： 엔지케이 인슐레이터 엘티디
发明人： 다이도모요시 , 호리유지
IPC分类号： H01L27/12 , H01L21/20
CPC分类号： H01L21/02002 , H01L21/2654 , H01L21/76254 , H01L33/007 , H01L2924/0002 , H01S5/0206 , H01S5/32341 , H01L2924/00
摘要： PURPOSE: A composite substrate and a manufacturing method thereof are provided to prevent bending or crack generation of the composite substrate during a thermal process by arranging similar thermal expansion coefficients of a first substrate and a second substrate. CONSTITUTION: A first substrate(21) which includes boron group nitrides and a second substrate(12) which includes ceramics are arranged. An ion injection layer(21c) is formed inside the first substrate by injecting hydrogen ions or noble gas ions on the rear surface(21b) of the first substrate. A metal film(23) is formed using a chemical vapor deposition method or a physical vapor deposition method on the surface(12a) of the second substrate. The rear surface of the first substrate and the surface of the second substrate are attached through the metal film. The surface of the first substrate is stripped from the ion injection layer.
摘要翻译：目的：提供一种复合基板及其制造方法，用于通过布置与第一基板和第二基板相似的热膨胀系数来防止热处理期间复合基板的弯曲或裂纹产生。构成：布置有包括硼族氮化物的第一衬底（21）和包括陶瓷的第二衬底（12）。通过在第一基板的后表面（21b）上注入氢离子或惰性气体离子，在第一基板的内部形成离子注入层（21c）。在第二基板的表面（12a）上使用化学气相沉积法或物理气相沉积法形成金属膜（23）。第一基板的后表面和第二基板的表面通过金属膜附着。从离子注入层剥离第一基板的表面。

5. 发明授权

KR101487080B1 고전자 이동도 트랜지스터 및 그 형성 방법 有权
标题翻译：高电子移动性晶体管及其形成方法
公开(公告)号：KR101487080B1
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：KR1020130042750
申请日：2013-04-18
申请人： 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드
发明人： 치앙첸하오 , 리우포춘 , 치우한친 , 첸치밍 , 유충이
IPC分类号： H01L29/778 , H01L21/335
CPC分类号： H01L29/66462 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/2654 , H01L21/283 , H01L21/31111 , H01L21/324 , H01L29/122 , H01L29/2003 , H01L29/66522 , H01L29/7783
摘要： 고전자 이동도 트랜지스터(HEMT)는 제1 대역갭을 갖는 제1 Ⅲ-Ⅴ족 화합물층, 제1 Ⅲ-Ⅴ족 화합물층 위에 있으며 제2 대역갭을 갖는 제2 Ⅲ-Ⅴ족 화합물층을 포함한다. 제2 대역갭은 제1 대역갭보다 작다. HEMT는 제2 Ⅲ-Ⅴ족 화합물층 위에 있으며 제3 대역갭을 갖는 제3 Ⅲ-Ⅴ족 화합물층을 더 포함하며, 제3 대역갭은 제1 대역갭보다 크다. 게이트 전극은 제3 Ⅲ-Ⅴ족 화합물층 위에서 형성된다. 소스 영역 및 드레인 영역은 제3 Ⅲ-Ⅴ족 화합물층 위에서 게이트 전극의 양측면 상에 존재한다.
摘要翻译：高电子迁移率晶体管（HEMT）包括具有第一带隙的第一III-V化合物层和在第一III-V化合物层上具有第二带隙的第二III-V化合物层。第二带隙小于第一带隙。 HEMT还包括在第二III-V化合物层上具有第三带隙的第三III-V化合物层，其中第三带隙大于第一带隙。在第三III-V化合物层上形成栅电极。源极区域和漏极区域在第三III-V化合物层上方和栅电极的相对侧上。

6. 发明公开

KR1020140140887A 갈륨함유 반도체 소자의 제조방법 有权
标题翻译：包含GA的半导体器件制造方法
公开(公告)号：KR1020140140887A
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：KR1020130061866
申请日：2013-05-30
申请人： 전북대학교산학협력단 , 주식회사 시지트로닉스
发明人： 양전욱 , 심규환 , 조덕호
IPC分类号： H01L21/20 , H01L29/78 , H01L21/265 , H01L21/324
CPC分类号： H01L21/3245 , H01L21/2654 , H01L29/2003 , H01L29/66462 , H01L29/7783
摘要： 본 발명에 따른 갈륨함유 반도체 소자의 제조방법은, 사파이어 기판상에 버퍼층 및 질화갈륨층이 형성된 기판을 준비하는 단계와; 상기 질화갈륨층이 성장된 기판상의 활성 영역에 이온 주입층을 형성하기 위해 포토레지스트 공정을 수행하는 단계와; 상기 포토레지스트 공정에 의해 노출된 활성 영역에 Si 이온을 주입하여 이온 주입층을 형성하는 단계와; 상기 이온 주입층이 형성된 기판상에 열처리 보호막을 형성하는 단계와; 상기 열처리 보호막이 형성된 후 적외선 및 자외선을 조사하여 열처리를 진행하는 단계와; 상기 열처리된 기판의 열처리 보호막을 제거하는 단계를 포함하는 점에 그 특징이 있다.
본 발명은 기판의 열처리 공정 시 자외선을 조사하여 기판에 주입된 이온의 활성화 효율을 높임으로써 소자 특성을 개선하여 소자 제조 공정의 생산성을 높일 수 있다.
摘要翻译：根据本发明的包括Ga的半导体器件的制造方法包括制备在蓝宝石衬底上形成缓冲层和氮化镓层的衬底的步骤; 在生长氮化镓层的衬底的有源区中进行用于形成离子注入层的光致抗蚀剂工艺的步骤; 通过将Si离子注入到由光致抗蚀剂工艺暴露的有源区域形成离子注入层的步骤; 在形成有离子注入层的基板上形成热处理保护层的工序; 在形成热处理保护层之后通过发射红外线和紫外线进行热处理的步骤; 以及去除经热处理的基板的热处理保护层的步骤。在基板的热处理中，发射紫外线以提高注入到基板中的离子的活化效率，从而提高器件制造工艺的器件特性和生产率。

7. 发明授权

KR101416838B1 (Ａｌ,Ｉｎ,Ｇａ,Ｂ)Ｎ의 전도도 제어 방법 有权
标题翻译：（Al，In，Ga，B）N的电导率控制方法
公开(公告)号：KR101416838B1
公开(公告)日：2014-07-08
申请号：KR1020087021910
申请日：2007-02-09
申请人： 더 리전츠 오브 더 유니버시티 오브 캘리포니아
发明人： 케딩존에프. , 사토히토시 , 이자마이클 , 아사미즈히로쿠니 , 종홍 , 덴바스스티븐피. , 나카무라슈지
IPC分类号： H01L21/04 , H01L29/15 , H01L21/20
CPC分类号： H01L21/2654 , H01L21/0242 , H01L21/02433 , H01L21/0254 , H01L21/02579 , H01L21/02609 , H01L21/0262 , H01L29/045 , H01L29/2003 , H01L29/207
摘要： (Al,In,Ga,B)N 반도체 결정들 내에 p-형 전도도를 제어하는 방법이 개시된다. 실시예들은 방향으로 미스컷된 {100} MgAl
2 O
4 스피넬 기판 상에 증착된 갈륨 질화물 막들을 포함한다. Mg 원자들은 반도체 결정의 밴드 구조 내에 가능한 전자 상태들을 도입하기 위하여 반극성 질화물 박막 내에 의도적으로 결합될 수 있고, 이에 따라 p-형 전도도를 가진다. 적절한 전자 상태를 유사하게 도입할 수 있는 아연 또는 탄소와 같은 다른 불순물 원자들이 또한 사용될 수 있다.
질화물 반도체, 반극성, 미스컷, 성장, 핵생성층

8. 发明公开

KR1020130040691A 주입을 통한 접합 누설 감소 특성을 갖는 반도체 장치 제조 방법 有权
标题翻译：通过植入减少接头泄漏
公开(公告)号：KR1020130040691A
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：KR1020120043964
申请日：2012-04-26
申请人： 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드
发明人： 니에춘-펭 , 유충-이 , 린훙-타
IPC分类号： H01L21/265 , H01L21/20
CPC分类号： H01L29/66522 , H01L21/2654 , H01L29/267
摘要： PURPOSE: A method for reducing a junction leakage by an ion implantation process is provided to improve the surface morphology of an III-V group layer by the ion implantation process and the following thermal process. CONSTITUTION: A first III-V group layer is formed on a substrate(15). The first III-V group layer includes a surface with a first surface morphology. An ion is implanted to the first III-V group layer through the surface(20). The first surface morphology is changed into a second surface morphology by an ion implantation process. A second III-V group layer is formed on the first III-V group layer(25). The materials of the second III-V group layer are different from the materials of the first III-V group layer. [Reference numerals] (15) Forming a first III-V group layer including a surface having a first surface morphology on a substrate; (20) Implanting an ion to the first III-V group layer through the surface and changing the first surface morphology into a second surface morphology by an ion implantation process; (25) After the ion implantation process is performed, forming a second III-V group layer on the first III-V group layer after the ion implantation process, wherein the second III-V group layer has a material composition different from that of the first III-V group layer; (AA) Start; (BB) End;
摘要翻译：目的：提供通过离子注入工艺减少结漏电的方法，以通过离子注入工艺和随后的热处理改善III-V族层的表面形态。构成：在基板（15）上形成第一III-V族层。第一III-V族层包括具有第一表面形态的表面。离子通过表面（20）注入第一III-V族层。通过离子注入工艺将第一表面形态改变为第二表面形态。在第一III-V族层（25）上形成第二III-V族层。第二III-V族层的材料与第一III-V族层的材料不同。（附图标记）（15）在基板上形成包括具有第一表面形态的表面的第一III-V族层; （20）通过所述表面将离子注入所述第一III-V族层，并通过离子注入工艺将所述第一表面形态改变为第二表面形态; （25）在进行离子注入处理之后，在离子注入工序之后，在第一III-V族层上形成第二III-V族层，其中第二III-V族层的材料成分与第一III-V组层; （AA）开始; （BB）结束;

9. 发明公开

KR1020080046097A 화합물 반도체 기판 및 그 전기적 특성 제어 방법 无效
标题翻译：化合物半导体基板及其电气性能控制
公开(公告)号：KR1020080046097A
公开(公告)日：2008-05-26
申请号：KR1020070115882
申请日：2007-11-14
申请人： 코닝정밀소재 주식회사
发明人： 유영조 , 신현민 , 최준성
IPC分类号： H01L21/265 , H01L33/02 , H01L21/318
CPC分类号： H01L21/2654 , C30B31/20 , H01L21/0445 , H01L21/263 , H01L21/2656 , H01L21/26586 , H01L21/3228 , H01L21/3245 , H01L21/425 , H01L29/2003 , H01L29/36 , H01L33/325
摘要： A compound semiconductor substrate and a method for controlling electric property thereof are provided to improve product reliability and application range by offering the compound semiconductor which may have the electrical property from high insulation to high conduction. A compound semiconductor substrate is prepared by forming point defects in a substrate by implanting an electrically-neutral impurity with energy of 0.1 to 10 MeV into the substrate. When the compound semiconductor is undoped, electrical resistance increases to increase insulating properties, and when the compound semiconductor is doped with an n-type dopant, the impurity is implanted and charge concentration of the substrate increases to increase conductive properties. The various electrical properties needed for the compound semiconductor can be effectively controlled by increasing the insulating properties of the undoped compound semiconductor or by increasing the charge concentration of the n-type compound semiconductor, and the application range to various devices can be expanded.
摘要翻译：提供化合物半导体衬底及其电性能的控制方法，通过提供具有从高绝缘性到高导电性的电性能的化合物半导体来提高产品的可靠性和应用范围。通过将0.1至10MeV的能量的电中性杂质注入到衬底中，通过在衬底中形成点缺陷来制备化合物半导体衬底。当化合物半导体未掺杂时，电阻增加以增加绝缘性能，并且当化合物半导体掺杂有n型掺杂剂时，注入杂质并且衬底的电荷浓度增加以增加导电性能。可以通过增加未掺杂的化合物半导体的绝缘性能或通过增加n型化合物半导体的电荷浓度来有效地控制化合物半导体所需的各种电性能，并且可以扩大对各种器件的应用范围。

10. 发明授权

KR101732284B1 비대칭 GaN 트랜지스터들 및 상승 모드 동작을 위한 자기-정렬 구조들 및 방법들 有权
公开(公告)号：KR101732284B1
公开(公告)日：2017-05-02
申请号：KR1020157004723
申请日：2013-06-12
申请人： 인텔 코포레이션
发明人： 다스굽타,산사프타크 , 텐,한위 , 라도사블예비치,마르코 , 무케르지,닐로이 , 고엘,니티 , 카베히에,사나즈 , 성,승훈 , 필라리세티,라비 , 차우,로버트에스.
IPC分类号： H01L29/66 , H01L29/778 , H01L29/08 , H01L29/20 , H01L29/423
CPC分类号： H01L29/7784 , H01L21/0254 , H01L21/2233 , H01L21/2236 , H01L21/2654 , H01L21/26546 , H01L21/31111 , H01L21/31144 , H01L29/0847 , H01L29/2003 , H01L29/205 , H01L29/207 , H01L29/42376 , H01L29/66462 , H01L29/7786 , H01L29/7787
摘要： 실시예들은 HEMT(High Electron Mobility Transistor)들을포함한다. 실시예들에서, 게이트전극은소스및 드레인반도체영역으로부터상이한거리들만큼이격되어높은항복전압및 낮은온-스테이트저항을제공한다. 실시예들에서는, 자기-정렬기술들이적용되어트렌치들내에및 그사이의심축위에유전체라이너를형성하고, 이는단일마스킹작업으로게이트길이, 게이트-소스길이및 게이트-드레인길이를독립적으로정의한다. 실시예들에서, III-N HEMT들은임계전압튜닝및/또는상승모드동작을위해불소도핑된반도체장벽층들을포함한다.

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