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1. 发明授权

KR101640171B1 리본 이온 빔을 위한 질량 분석 자석 有权
标题翻译：用于RIBBON离子束的质量分析磁体
公开(公告)号：KR101640171B1
公开(公告)日：2016-07-15
申请号：KR1020117010640
申请日：2009-11-12
申请人： 베리안 세미콘덕터 이큅먼트 어소시에이츠, 인크.
发明人： 벤베니스트,빅터,엠. , 버프,제임스,에스. , 싱클레어,프랭크 , 올슨,죠셉,씨.
IPC分类号： H01J37/05 , H01J37/08 , H01J37/317 , H01J49/30
CPC分类号： H01J37/05 , H01J37/08 , H01J37/3171 , H01J49/30 , H01J2237/022 , H01J2237/055 , H01J2237/057 , H01J2237/083 , H01J2237/31705
摘要： 제1 및제2 솔레노이드코일들및 강철요크배열을가지는질량분석기자석가개시된다. 각솔레노이드코일들은하나의리본이온빔이관통하는공간을형성하여실질적으로 '경주트랙' 모양을가진다. 상기솔레노이드코일들은리본이온빔의이동방향을따라이격하여위치한다. 각솔레노이드코일들은하나의이온소스로부터생성된이온들의희망하는이미지를생산하기위한넓은리본이온빔들의질량분해를수용하기위해균일한자기장을생성한다.

2. 发明公开

KR1020160064147A 이온 주입기내 ＳｉＣ 코팅 审中-实审
标题翻译： SIC涂料在离子植绒
公开(公告)号：KR1020160064147A
公开(公告)日：2016-06-07
申请号：KR1020167010646
申请日：2014-09-24
申请人： 베리안 세미콘덕터 이큅먼트 어소시에이츠, 인크.
发明人： 마손,로버트제이. , 파텔,샤르둘 , 베텐코우트,로버트에이치. , 밀러,티모씨제이.
IPC分类号： H01J37/317 , H01J37/12 , H01J37/08
CPC分类号： H01J37/08 , H01J37/12 , H01J37/3171 , H01J2237/022 , H01J2237/061 , H01J2237/083
摘要： 이온주입기는이온들에노출되는하나이상의전도성표면들상에저 저항률실리콘카바이드의코팅을갖는다. 예를들어, 이온들이이온소스챔버내에서생성되고, 벽들의내부표면들은저 저항률실리콘카바이드로코팅된다. 실리콘카바이드는경질이고스퍼터링에내성이있기때문에, 이것은이온소스챔버로부터추출되는이온빔으로도입되는오염물질이온들의양을줄일수 있다. 일부실시예들에서, 추출전극들이이들컴포넌트들에의해도입된오염물질이온들을줄이기위해실리콘카바이드로또한코팅된다.

3. 发明公开

KR1020120130681A 이온 소스 有权
标题翻译：离子源
公开(公告)号：KR1020120130681A
公开(公告)日：2012-12-03
申请号：KR1020117025073
申请日：2010-04-22
申请人： 베리안 세미콘덕터 이큅먼트 어소시에이츠, 인크.
发明人： 고데,루도비 , 라도바노브,스베틀라나 , 밀러,티모시,제이.
IPC分类号： H01J37/08 , H01J37/09 , H01J27/02
CPC分类号： H01J37/08 , H01J27/024 , H01J37/09 , H01J2237/0451 , H01J2237/0453 , H01J2237/0456 , H01J2237/065 , H01J2237/08 , H01J2237/083 , H01J2237/31 , H01J2237/31701 , Y10S438/961
摘要： 이온 소스는 추출 개구를 갖는 아크 챔버와, 플라즈마 쉬스 조절기를 포함한다. 플라즈마 쉬스 조절기는 플라즈마와, 추출 개구에 근접한 플라즈마 쉬스 사이의 경계의 형상을 제어하도록 구성된다. 플라즈마 쉬스 조절기는 아크 챔버 내에 위치된 한 쌍의 절연체들로서, 추출 개구에 근접하게 위치된 갭에 의해 서로 이격되어 있는 한 쌍의 절연체들을 포함할 수 있다. 높은 전류 밀도를 갖는 양호하게 집속된 이온 빔은 이온 소스에 의해 생성될 수 있다. 높은 전류 밀도 이온 빔은 관련된 처리의 스루풋을 향상시킬 수 있다. 또한, 이온 빔의 방사도가 제어될 수 있다.

4. 发明公开

KR1020110126663A 높은 투명도의 전극들을 이용하여 추출된 이온 빔 품질을 개선시키기 위한 기술들 有权
标题翻译：使用高透明电极改善提取离子束质量的技术
公开(公告)号：KR1020110126663A
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：KR1020117020871
申请日：2010-02-12
申请人： 베리안 세미콘덕터 이큅먼트 어소시에이츠, 인크.
发明人： 버프,제임스,에스. , 라도바노브,스베틀라나 , 구,존본웅 , 플라토우,빌헬름,피. , 싱클레어,프랭크 , 리스쳐,디.,제프리 , 채니,크레이그,알. , 보리체브스키,스티븐,씨. , 잭탭,마유르 , 코브,에릭,알. , 퍼서,케네스,에이치. , 파텔,샤르둘 , 벤베니스트,빅터,엠.
IPC分类号： H01J37/317 , H01J27/02 , H01J37/08 , H01J37/09 , H01J37/304 , H01L21/265
CPC分类号： H01J37/3171 , H01J27/024 , H01J37/08 , H01J37/09 , H01J37/304 , H01J2237/0453 , H01J2237/0458 , H01J2237/083 , H01J2237/24542 , H01L21/265
摘要： 높은 투명도의 전극들을 이용하여 추출된 이온 빔 품질을 개선시키기 위한 기술들이 개시된다. 하나의 특정한 예시적인 실시예에서, 상기 기술들은 이온 주입을 위한 장치로서 실현될 수 있다. 상기 장치는 이온 빔을 발생하기 위한 이온 소스를 포함할 수 있고, 이온 소스는 이온 빔이 통과하여 이동하기 위한 개구를 갖는 페이스 플레이트를 포함한다. 또한, 상기 장치는 적어도 억제 전극 및 높은 투명도의 접지 전극을 포함하는 추출 전극들의 집합을 포함할 수 있고, 상기 추출 전극들의 집합은 페이스 플레이트를 통해 이온 소스로부터 이온 빔을 추출할 수 있고, 상기 높은 투명도의 접지 전극은 개선된 추출 이온 빔 품질을 위하여 억제 전극 및 높은 투명도의 접지 전극 사이의 기체 컨덕턴스를 최적화하도록 구성될 수 있다.

5. 发明授权

KR100419585B1 이온주입시스템용이온빔실드 失效
公开(公告)号：KR100419585B1
公开(公告)日：2004-07-23
申请号：KR1019980705134
申请日：1997-02-14
申请人： 액셀리스 테크놀로지스, 인크.
发明人： 브라케쥬리안지
IPC分类号： H01J27/02
CPC分类号： H01L21/67109 , H01J27/14 , H01J37/08 , H01J37/18 , H01J37/3002 , H01J37/3007 , H01J37/304 , H01J37/3171 , H01J2237/022 , H01J2237/083 , H01J2237/184 , H01J2237/2001 , H01J2237/2007 , H01J2237/20228 , H01J2237/204 , H01J2237/31701 , H01J2237/31705 , H01L21/67069 , H01L21/67739 , H01L21/67748 , H01L21/67751 , H01L21/67778 , H01L21/6838
摘要： An ion implantation system is described having an ion source coupled to a process chamber, and a workpiece handling assembly having a workpiece support that is mounted within the process chamber. The system implants ions into a photoresist coated workpiece to change the conductivity of the workpiece. An ion beam shield is provided that is positioned between the ion source and the workpiece support during processing to prevent outgassed photoresist from coating portions of the ion source.
摘要翻译：描述了离子注入系统，其具有耦合到处理室的离子源以及具有安装在处理室内的工件支撑件的工件处理组件。该系统将离子注入光刻胶涂覆的工件中以改变工件的导电性。提供离子束屏蔽，其在处理期间定位在离子源与工件支撑件之间以防止离开光致抗蚀剂涂覆离子源的部分。

6. 发明授权

KR101710977B1 전극 조정 어셈블리 및 전극을 조정하기 위한 방법 有权
公开(公告)号：KR101710977B1
公开(公告)日：2017-02-28
申请号：KR1020147031853
申请日：2013-04-15
申请人： 베리안 세미콘덕터 이큅먼트 어소시에이츠, 인크.
发明人： 발로우,존 , 모린,잰노트 , 새라드즈키,만니 , 올슨,죠셉씨
IPC分类号： H01J37/15
CPC分类号： H01J37/3007 , H01J37/15 , H01J2237/083 , H01J2237/1502 , H01J2237/31701
摘要： 전극조정방법및 전극조정어셈블리가작업물프로세싱에서의사용을위해개시된다. 어셈블리는제 1 및제 2 단부(126, 128)들을갖는전극어셈블리(124)를포함할수 있다. 제 1 및제 2 조종기들(130, 132)은제 1 및제 2 단부들에결합될수 있다. 조종기들은전극들을통과하는이온빔의하나이상의특성들을조정하기위해전극어셈블리의제 1 및제 2 단부들에움직임을선택적으로부여하기위해사용될수 있다. 전극의제 1 및제 2 단부들이서로에독립적으로조정될수 있도록제 1 및제 2 조정기들은독립적으로작동할수 있다. 개시된장치를이용하는방법들이또한개시된다.

7. 发明授权

KR101668822B1 이온 소스 有权
标题翻译：离子源
公开(公告)号：KR101668822B1
公开(公告)日：2016-10-24
申请号：KR1020117025073
申请日：2010-04-22
申请人： 베리안 세미콘덕터 이큅먼트 어소시에이츠, 인크.
发明人： 고데,루도비 , 라도바노브,스베틀라나 , 밀러,티모시,제이.
IPC分类号： H01J37/08 , H01J37/09 , H01J27/02
CPC分类号： H01J37/08 , H01J27/024 , H01J37/09 , H01J2237/0451 , H01J2237/0453 , H01J2237/0456 , H01J2237/065 , H01J2237/08 , H01J2237/083 , H01J2237/31 , H01J2237/31701 , Y10S438/961
摘要： 이온소스는추출개구를갖는아크챔버와, 플라즈마쉬스조절기를포함한다. 플라즈마쉬스조절기는플라즈마와, 추출개구에근접한플라즈마쉬스사이의경계의형상을제어하도록구성된다. 플라즈마쉬스조절기는아크챔버내에위치된한 쌍의절연체들로서, 추출개구에근접하게위치된갭에의해서로이격되어있는한 쌍의절연체들을포함할수 있다. 높은전류밀도를갖는양호하게집속된이온빔은이온소스에의해생성될수 있다. 높은전류밀도이온빔은관련된처리의스루풋을향상시킬수 있다. 또한, 이온빔의방사도가제어될수 있다.

8. 发明公开

KR1020110093997A 리본 이온 빔을 위한 질량 분석 자석 有权
标题翻译： RIBBON梁的质量分析磁铁
公开(公告)号：KR1020110093997A
公开(公告)日：2011-08-19
申请号：KR1020117010640
申请日：2009-11-12
申请人： 베리안 세미콘덕터 이큅먼트 어소시에이츠, 인크.
发明人： 벤베니스트,빅터,엠. , 버프,제임스,에스. , 싱클레어,프랭크 , 올슨,죠셉,씨.
IPC分类号： H01J37/05 , H01J37/08 , H01J37/317 , H01J49/30
CPC分类号： H01J37/05 , H01J37/08 , H01J37/3171 , H01J49/30 , H01J2237/022 , H01J2237/055 , H01J2237/057 , H01J2237/083 , H01J2237/31705
摘要： 제1 및 제2 솔레노이드 코일들 및 강철 요크 배열을 가지는 리본 빔 질량 분석기가 개시된다. 각 솔레노이드 코일들은 하나의 이온 리본 빔이 관통하는 공간을 형성하여 실질적으로 '경주 트랙' 모양을 가진다. 상기 솔레노이드 코일들은 리본 빔의 이동 방향을 따라 이격하여 위치한다. 각 솔레노이드 코일들은 하나의 이온 소스로부터 생성된 이온들의 희망하는 이미지를 생산하기 위한 넓은 리본 빔들의 질량 분해를 수용하기 위해 균일한 자기장을 생성한다.

9. 发明公开

KR1020090023380A 이온 주입에서 사용하기 위해 이온 소스로부터 이온을 추출하기 위한 방법 및 장치 无效
标题翻译：用于从离子植入中使用离子源提取离子的方法和装置
公开(公告)号：KR1020090023380A
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：KR1020087030367
申请日：2007-06-12
申请人： 세미이큅, 인코포레이티드
发明人： 호르스키,토마스,엔. , 밀게이트,로버트,더블류. , 사코,조지,피. , 크럴,웨이드,알렌
IPC分类号： H01J27/00
CPC分类号： H01J37/08 , C23C14/48 , C23C14/564 , H01J9/38 , H01J27/024 , H01J37/3171 , H01J2209/017 , H01J2237/006 , H01J2237/022 , H01J2237/0812 , H01J2237/083 , H01J2237/31701 , H01L21/265
摘要： Thermal control is provided for an extraction electrode of an ion-beam producing system that prevents formation of deposits and unstable operation and enables use with ions produced from condensable vapors and with ion sources capable of cold and hot operation. Electrical heating of the extraction electrode is employed for extracting decaborane or octadecaborane ions. Active cooling during use with a hot ion source prevents electrode destruction, permitting the extraction electrode to be of heat-conductive and fluorine-resistant aluminum composition. The service lifetime of the system is enhanced by provisions for in-situ etch cleaning of the ion source and extraction electrode, using reactive halogen gases, and by having features that extend the service duration between cleanings, including accurate vapor flow control and accurate focusing of the ion beam optics. A remote plasma source delivers F or Cl ions to the de-energized ion source for the purpose of cleaning deposits in the ion source and the extraction electrode. These techniques enable long equipment uptime when running condensable feed gases such as sublimated vapors, and are particularly applicable for use with so-called cold ion sources and universal ion sources. Methods and apparatus are described which enable long equipment uptime when decaborane and octadecaborane are used as feed materials, as well as when vaporized elemental arsenic and phosphorus are used, and which serve to enhance beam stability during ion implantation.
摘要翻译：为离子束产生系统的提取电极提供热控制，其防止沉积物的形成和不稳定的操作，并且能够与可冷凝蒸气和能够冷热操作的离子源产生的离子一起使用。提取电极的电加热用于提取十硼烷或十八硼烷离子。使用热离子源时的主动冷却可防止电极破坏，从而使引出电极具有导热和防氟的铝组成。通过使用反应性卤素气体对离子源和引出电极进行原位蚀刻清洗，并且具有延长清洗之间的使用持续时间的特征，包括准确的蒸汽流量控制和精确的聚焦，增强了系统的使用寿命离子束光学。远程等离子体源将F或Cl离子输送到去激活离子源，以清除离子源和提取电极中的沉积物。这些技术使得在运行可冷凝的进料气体如升华蒸汽时长的设备正常运行时间，并且特别适用于所谓的冷离子源和通用离子源。描述了使用十硼烷和十八硼烷作为原料的长设备正常运行时间，以及当使用蒸发的元素砷和磷时，并且用于提高离子注入期间的束稳定性的方法和装置。

10. 发明公开

KR1020080092964A 이온 주입장치 有权
标题翻译：离子植入装置
公开(公告)号：KR1020080092964A
公开(公告)日：2008-10-16
申请号：KR1020087020076
申请日：2007-02-15
申请人： 가부시키가이샤 아루박
发明人： 오가타세이지 , 후쿠이료타 , 요코오히데카즈 , 니시하시츠토무
IPC分类号： H01L21/265 , H01J37/30
CPC分类号： H01J37/3171 , H01J2237/05 , H01J2237/083 , H01J2237/31703
摘要： Provided is a small ion implanting apparatus for manufacturing single crystalline films, with stable parallelism of ion beams and high controllability of density distribution. The ion implanting apparatus extracts hydrogen ions or rare gas ions from an ion source (12), desired ions (B) are selected from a first fan-shaped electromagnet (14), the ions (B) are scanned by a scanner (16), the ions (B) are parallelized by a second fan-shaped electromagnet (18) and implanted into a substrate (20), and a single crystalline film is manufactured. The ion source (12) is arranged in the vicinity of an inlet side focal point (F1) of the first fan-shaped electromagnet (14). When the opening of the extracting section of the ion source (12) is made circular and that a deflection plane in the first fan-shaped electromagnet (14) matches with the inlet side focal point on a plane vertical to the deflection plane, the spot shape of the ion beam (B) after passing through the first fan-shaped electromagnet (14) becomes circular and completely parallel on the two planes.
摘要翻译：提供了一种用于制造单晶膜的小型离子注入装置，具有稳定的离子束平行度和高密度分布的可控性。离子注入装置从离子源（12）提取氢离子或稀有气体离子，从第一扇形电磁体（14）中选择所需的离子（B），离子（B）由扫描仪（16）扫描，，离子（B）由第二扇形电磁体（18）平行化并注入到基板（20）中，制造单晶膜。离子源（12）布置在第一扇形电磁体（14）的入口侧焦点（F1）附近。当离子源（12）的提取部分的开口被制成圆形并且第一扇形电磁体（14）中的偏转平面与垂直于偏转平面的平面上的入口侧焦点匹配时，该点在通过第一扇形电磁体（14）之后离子束（B）的形状在两个平面上变为圆形并完全平行。

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