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    • 전자소스가대향하는제 1 및제 2 표면을갖는실리콘기판상에형성된다. 전자방출을향상시키기위해적어도하나의전계이미터가실리콘기판의제 2 표면상에준비된다. 실리콘의산화를방지하기위해, 얇고연속적인붕소층이산화및 결함을최소화하는공정을사용하여전계이미터의출력표면상에직접적으로배치된다. 전계이미터는피라미드및 둥근위스커와같은다양한형상을취할수 있다. 방출전류의빠르고정확한제어및 높은방출전류를달성하기위해하나또는여러개의선택적게이트층들이전계이미터팁의높이에또는그보다약간낮게배치될수 있다. 전계이미터는 p 형도핑될수 있고역 바이어스모드에서작동하도록구성될수 있거나, 전계이미터는 n 형도핑될수 있다.
    • 它被形成具有第一表面到第二mitje电子源计数器在硅衬底上。 至少一个仪表jeongyeyi在硅衬底的第二表面上而制备,以增强电子发射。 为了防止硅的氧化,使用最小化它直接布置在jeongyeyi米的输出表面上的薄的连续层氧化钛和硼的缺陷的方法。 字段具有已经chwihalsu多种形状,如金字塔形发射器和卷曲晶须。 为了实现一个或几个选择性的栅极层,发射电流的快速而精确的控制和高的发射电流可以略低于的尖端jeongyeyi微米或更小的高度被设置。 Jeongyeyi计来掺杂p型和任一被配置在反向偏置模式下操作,jeongyeyi计可以是掺杂的n型。