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1. 发明公开

KR1020140020349A 반도체 시료 중의 금속 오염 평가 방법 및 반도체 기판의 제조 방법 有权
标题翻译：用于评估半导体样品中的金属污染的方法和用于制造半导体衬底的方法
公开(公告)号：KR1020140020349A
公开(公告)日：2014-02-18
申请号：KR1020147000237
申请日：2012-06-14
申请人： 가부시키가이샤 사무코
发明人： 마츠모토케이 , 오노류지
IPC分类号： H01L21/66
CPC分类号： G01R31/2632 , H01L22/14 , H01L2924/0002 , H01L22/12 , H01L2924/00
摘要： 본 발명의 일 측면은, DLTS법에 의한 반도체 시료 중의 금속 오염 평가 방법에 관한 것이며, 반도체 시료 상의 반도체 접합으로 공핍층을 형성하기 위한 역(reverse)방향 전압 V
R 과 공핍층에 캐리어를 포획하기 위한 약(weak)전압 V
1 을 교대로 그리고 주기적으로 인가함으로써 발생하는 DLTS 신호를 온도를 변화시키면서 측정하여 제1 DLTS 스펙트럼을 얻고, 반도체 접합으로 V
R 을 주기적으로 인가함으로써 발생하는 DLTS 신호를 온도를 변화시키면서 측정하여 제2 DLTS 스펙트럼을 얻고, 제2 DLTS 스펙트럼의 형태, 또는 제2 DLTS 스펙트럼을 직선 내지 곡선 근사하여 얻어진 스펙트럼의 형태의 보정용 스펙트럼과 상기 제1 DLTS 스펙트럼의 차 스펙트럼을 얻는 것을 구비하며, 차 스펙트럼을 평가용 DLTS 스펙트럼으로서 이용한다.

2. 发明公开

KR1020120130050A 실리콘 웨이퍼의 평가 방법 및 제조 방법 有权
标题翻译：评估硅波的方法和制造硅波的方法
公开(公告)号：KR1020120130050A
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：KR1020120051361
申请日：2012-05-15
申请人： 가부시키가이샤 사무코
发明人： 우치노신 , 호우라이마사타카 , 고이케야스오 , 오노류지
IPC分类号： H01L21/66
CPC分类号： G01N21/6489 , G01N21/6456 , H01L22/12
摘要： PURPOSE: Evaluating and manufacturing methods for a silicon wafer are provided to evaluate presence and in-plane distribution of an oxygen precipitate in the silicon wafer using photoluminescence. CONSTITUTION: First in-plane distribution information about a silicon wafer(W) surface is obtained. Second in-plane distribution information about the silicon wafer is obtained. The differential information between the first in-plane information and third in-plane information, which is obtained by correcting the second in-plane information with a correction factor below 1, is obtained. Presence of an oxygen precipitate in an evaluated silicon wafer and an evaluation item which is selected from a group formed by in-plane distribution of the oxygen precipitate are evaluated based on the differential information.
摘要翻译：目的：提供硅晶片的评估和制造方法，以评估硅晶片中氧沉淀物的存在和面内分布，使用光致发光。构成：获得关于硅晶片（W）表面的第一平面分布信息。获得关于硅晶片的第二面内分布信息。获得通过以小于1的校正系数校正第二平面内信息而获得的第一面内信息和第三平面内信息之间的差分信息。基于差分信息，评价在评价硅晶片中存在氧析出物，并且根据差异信息评价选自由沉淀物的面内分布形成的组的评价项目。

3. 发明授权

KR101318749B1 실리콘 웨이퍼의 평가 방법 및 제조 방법 有权
标题翻译：评估硅波的方法和制造硅波的方法
公开(公告)号：KR101318749B1
公开(公告)日：2013-10-16
申请号：KR1020120051361
申请日：2012-05-15
申请人： 가부시키가이샤 사무코
发明人： 우치노신 , 호우라이마사타카 , 고이케야스오 , 오노류지
IPC分类号： H01L21/66
CPC分类号： G01N21/6489 , G01N21/6456 , H01L22/12
摘要： (과제) 기판 저항에 상관없이 실리콘 웨이퍼에 있어서의 산소 석출물의 유무 및 면 내 분포를 고정밀도로 평가하기 위한 수단을 제공하는 것.
(해결 수단) 평가 대상 실리콘 웨이퍼에 대하여 당해 실리콘 웨이퍼 표면에 있어서 포토루미네선스 강도의 면 내 분포를 나타내는 제1 면 내 분포 정보를 취득하는 것, 상기 제1 면 내 분포 정보 취득 후의 평가 대상 실리콘 웨이퍼에 대하여 열산화 처리를 행한 후, 당해 실리콘 웨이퍼 표면에 있어서 포토루미네선스 강도의 면 내 분포를 나타내는 제2 면 내 분포 정보를 취득하는 것, 제1 면 내 분포 정보와, 제2 면 내 분포 정보에 1 미만의 보정 계수에 의한 보정을 가하여 얻어진 제3 면 내 분포 정보와의 차분 정보를 얻는 것 및, 얻어진 차분 정보에 기초하여, 평가 대상 실리콘 웨이퍼에 있어서의 산소 석출물의 유무 및 산소 석출물의 면 내 분포로 이루어지는 군으로부터 선택되는 평가 항목의 평가를 행하는 것을 포함하는 실리콘 웨이퍼의 평가 방법.

4. 发明授权

KR101606110B1 반도체 시료 중의 금속 오염 평가 방법 및 반도체 기판의 제조 방법 有权
标题翻译：在半导体样品中评价金属污染的方法和制造半导体基板的方法
公开(公告)号：KR101606110B1
公开(公告)日：2016-03-24
申请号：KR1020147000237
申请日：2012-06-14
申请人： 가부시키가이샤 사무코
发明人： 마츠모토케이 , 오노류지
IPC分类号： H01L21/66
CPC分类号： G01R31/2632 , H01L22/14 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 본발명의일 측면은, DLTS법에의한반도체시료중의금속오염평가방법에관한것이며, 반도체시료상의반도체접합으로공핍층을형성하기위한역(reverse)방향전압 V과공핍층에캐리어를포획하기위한약(weak)전압 V을교대로그리고주기적으로인가함으로써발생하는 DLTS 신호를온도를변화시키면서측정하여제1 DLTS 스펙트럼을얻고, 반도체접합으로 V을주기적으로인가함으로써발생하는 DLTS 신호를온도를변화시키면서측정하여제2 DLTS 스펙트럼을얻고, 제2 DLTS 스펙트럼의형태, 또는제2 DLTS 스펙트럼을직선내지곡선근사하여얻어진스펙트럼의형태의보정용스펙트럼과상기제1 DLTS 스펙트럼의차 스펙트럼을얻는것을구비하며, 차스펙트럼을평가용 DLTS 스펙트럼으로서이용한다.

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