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1. 发明授权

KR101863388B1 평탄한 실리콘 함유막 有权
公开(公告)号：KR101863388B1
公开(公告)日：2018-05-31
申请号：KR1020137009445
申请日：2011-08-09
申请人： 노벨러스 시스템즈, 인코포레이티드
发明人： 폭스키스 , 니우동 , 워맥조 , 스리람만디암 , 안토넬리조지앤드류 , 판슈라벤디크바르트 , 올러프린제니퍼
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： C23C16/505 , C23C16/24 , C23C16/345 , C23C16/402 , C23C16/4401 , C23C16/45523 , C23C16/509 , C23C16/54 , H01L21/02104 , H01L21/02123 , H01L21/02129 , H01L21/0214 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/022 , H01L21/02211 , H01L21/02263 , H01L21/02274 , H01L21/0245 , H01L21/02507 , H01L21/02532 , H01L21/0254 , H01L21/6719 , H01L21/67201 , H01L21/67207 , H01L21/8229
摘要： 초평탄실리콘함유막들및 막스택들을위한방법들및 하드웨어가개시된다. 일예에있어서, 플라즈마강화화학기상증착장치에서기판상에실리콘함유막을성막하는방법의일 실시형태가개시되며, 방법은플라즈마강화화학기상증착장치에실리콘함유반응물을공급하는단계; 플라즈마강화화학기상증착장치에공반응물을공급하는단계; 플라즈마강화화학기상증착장치의프로세스스테이션에용량결합형플라즈마를공급하는단계로서, 플라즈마는실리콘함유반응물로부터발생된실리콘라디칼들및 공반응물로부터발생된공반응물라디칼들을포함하는, 용량결합형플라즈마를공급하는단계; 및기판상에실리콘함유막을성막하는단계를포함하고, 실리콘함유막은 1.4 내지 2.1 의굴절률을가지며, 실리콘함유막은또한실리콘기판상에서측정될때 4.5 이하의절대조도를갖는다.

2. 发明授权

KR101854569B1 CVD 코팅가공의 인서트 로딩/언로딩 장치 有权
标题翻译：插入用于CVD涂层工艺的装载/卸载装置
公开(公告)号：KR101854569B1
公开(公告)日：2018-05-08
申请号：KR1020170107094
申请日：2017-08-24
申请人： 황태상
发明人： 황태상
IPC分类号： C23C16/54 , C23C16/458 , C23C16/52
CPC分类号： C23C16/54 , C23C16/4584 , C23C16/4585 , C23C16/52
摘要： 본발명에의한 CVD 코팅가공의인서트로딩/언로딩장치는, CVD(Chemical Vapor Deposition)방식의코팅가공이수행되기전 또는상기코팅가공이완료된인서트(insert)가수용된팔레트를이송하는팔레트이송유닛; 매거진데크로부터상기코팅가공시 상기인서트를거치하는보드(board)를인입하거나또는취출하는데크로더부; 상기코팅가공의필요에의해상기인서트의방향이나배치위치가변경되게정렬시키는턴테이블유닛; 및상기팔레트이송유닛과상기턴테이블유닛또는상기턴테이블유닛과상기데크로더부사이에배치되어상기인서트가상기팔레트이송유닛, 상기데크로더부및 상기턴테이블유닛간 상호이송되도록상기인서트를그리핑및 그리핑해제하는적어도 1개의그리핑유닛을포함할수 있다. 본발명에의한 CVD 코팅가공의인서트로딩/언로딩장치는, CVD 코팅가공시 인서트가수용된팔레트상에서코팅로에장입되는보드로로딩하는과정및 코팅가공이끝난뒤 언로딩하는과정을자동화된장치로수행될수 있어제조비용이감소되고제품수율이향상되며, 특히, 언로딩과정에서 CVD 코팅가공으로인해보드상에인서트가예기치않은접합이발생될때에도가진부를통해인서트와보드간 접합을용이하게분리하며언로딩할수 있어전체제조공정의택트타임(tact time)이감소되고제품생산성이향상될수 있다.

3. 发明授权

KR101708938B1 성막 방법 有权
标题翻译：膜沉积法
公开(公告)号：KR101708938B1
公开(公告)日：2017-02-21
申请号：KR1020100087353
申请日：2010-09-07
申请人： 후지필름 가부시키가이샤
发明人： 후지나미다츠야 , 다카하시신스케 , 후지나와준 , 도노하라고우지
IPC分类号： C23C16/50 , C23C16/44 , C23C16/503 , C23C16/505 , C23C16/509 , C23C16/517 , C23C16/54 , C23C16/52 , C23C16/455
CPC分类号： C23C16/50 , C23C16/44 , C23C16/503 , C23C16/505 , C23C16/509 , C23C16/517 , C23C16/54 , C23C16/545
摘要： (과제) 장척기판을길이방향으로반송하면서드럼에걸어감아기판의표면에막을형성할때에, 드럼에전위를인가하여성막을행하는경우에도, 기판이드럼에걸려감기기시작하는위치및 기판이드럼으로부터이간되는위치를포함하는공간에서의드럼으로부터의이상방전을억제하고, 이로써고품질의막을효율적으로연속성막할수 있고, 또한기판이나성막장치의손상을방지할수 있는성막방법을제공한다. (해결수단) 기판이드럼에걸려감기기시작하는위치및 기판이드럼으로부터이간되는위치중 적어도한쪽을포함하는공간인걸어감는공간을포함하는실과상기성막실사이에, 두실에연통하는차압실을배치하고, 상기걸어감는공간의압력을성막실보다낮은압력으로함으로써상기과제를해결한다.
摘要翻译：薄膜沉积方法将薄膜沉积在基板的表面上，以条带形式在圆筒形滚筒的圆周表面上行进，在至少一个薄膜沉积室周围的圆筒表面上。该方法事先将一个薄膜沉积隔室和隔室之间的差分隔室置于包含一个包装空间的隔间，该包装空间包含基板开始在滚筒上行进的第一位置和基板与滚筒分离的第二位置中的至少一个，与包括所述包装空间和所述成膜室的所述隔室连通的所述差动隔间将所述包装空间的第一压力设定为低于所述至少一个成膜室的第二压力，并且利用电力在所述成膜室中进行膜沉积提供给鼓。

4. 发明授权

KR101671570B1 뱃치식 종형 기판 처리 장치 및 기판 유지구 有权
标题翻译：批量式垂直基板加工装置和基板支架
公开(公告)号：KR101671570B1
公开(公告)日：2016-11-01
申请号：KR1020140032912
申请日：2014-03-20
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 오카다,미츠히로 , 하세베,가즈히데
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/673 , C23C16/458 , C23C16/54 , H01L21/677
CPC分类号： H01L21/6719 , C23C16/4584 , C23C16/54 , H01L21/67303 , H01L21/67757
摘要： 본발명은기판유지구의높이가높아져도, 처리소공간에있어서의밀폐성의악화를억제하는것이가능한뱃치식종형기판처리장치를제공하는것이다. 본발명의일 실시예에따른뱃치식종형기판처리장치는복수의피처리기판을높이방향으로쌓아올려유지하는기판유지구가삽입되는처리실과, 상기처리실의외측에설치되고, 상기처리실의내부를가열하는가열장치와, 상기처리실의내벽으로부터상기처리실의내부공간을향하여, 평면방향을따라돌출되어형성되고, 상기처리실의내부를, 상기높이방향을따라복수의처리소공간으로분리하는복수의플랜지부와, 상기복수의처리소공간의내부에처리가스를공급하는가스공급기구와, 상기복수의처리소공간의내부로부터상기처리가스를배기하는가스배기기구를구비하고, 상기복수의플랜지부는각각상기기판유지구를삽입관통시키는삽입관통구멍을갖고, 상기삽입관통구멍의직경이, 상기처리실의상방에서작고, 상기처리실의하방을향함에따라순차적으로크게되어있다.

5. 发明公开

KR1020160093814A 표시 장치의 제조 장치 및 표시 장치의 제조 방법 审中-实审
标题翻译：制造显示装置的装置和制造显示装置的方法
公开(公告)号：KR1020160093814A
公开(公告)日：2016-08-09
申请号：KR1020150014589
申请日：2015-01-29
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 장철민 , 고동균 , 김인교 , 정석원 , 하남 , 허명수
IPC分类号： G02F1/13 , G02F1/1333
CPC分类号： H01L51/56 , C23C16/4412 , C23C16/45551 , C23C16/45563 , C23C16/54 , H01L51/0097 , H01L51/5253 , H01L51/5256 , G02F1/1303 , G02F1/1333 , G02F2001/1316
摘要： 본발명은표시장치의제조장치및 표시장치의제조방법을개시한다. 챔버와, 상기챔버내부에배치되며, 유기층을성막하는제1 노즐유닛과, 상기챔버내부에상기제1 노즐유닛과제1 방향으로나란하게배치되며, 무기층을성막하는제2 노즐유닛및 상기제1 노즐유닛의외측또는상기제2 노즐유닛의외측에형성되어, 상기챔버내부저장된제1 가스를분사하는분사노즐유닛을제공한다.
摘要翻译：公开了一种显示装置的制造装置及其制造方法。显示装置的制造装置包括：室; 室内的第一喷嘴单元，其沉积有机层; 第二喷嘴单元，其在第一方向上平行于所述室内的第一喷嘴平行设置，并且沉积无机层; 以及喷嘴单元，其设置在所述第一喷嘴单元的外部或所述第二喷嘴单元的外部，以喷射储存在所述室内的第一气体。因此，显示装置可以提高耐久性并且在一个位置执行清洁操作。

6. 实用新型

KR2020150004190U 기판 프로세싱 시스템을 위한 인덱싱되는 가스 제트 주입기 审中-实审
标题翻译：基板加工系统的喷油喷射器
公开(公告)号：KR2020150004190U
公开(公告)日：2015-11-20
申请号：KR2020157000046
申请日：2014-02-18
申请人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
发明人： 칼슨,데이비드케이.
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/54 , C23C16/455 , C23C16/458
CPC分类号： C23C16/54 , C23C16/45504 , C23C16/45519 , C23C16/45563 , C23C16/45578 , C23C16/45589 , C23C16/4587 , C30B25/02 , C30B25/025 , C30B25/08 , C30B25/14 , C30B25/165
摘要： 기판프로세싱챔버에서사용하기위한장치가본원에서제공된다. 몇몇실시예들에서, 프로세스챔버에서사용하기위한인덱싱되는제트주입기는, 실질적인원통형중앙볼륨을갖는바디, 바디의제 1 표면상에배치된가스입력포트, 바디에형성되고가스입력포트및 원통형중앙볼륨에유체적으로커플링된가스분배채널, 원통형중앙볼륨내에배치되고바디에회전가능하게커플링된가스분배드럼― 가스분배드럼은가스분배드럼을통해형성된복수의제트채널들을가짐―, 및바디의제 2 표면상에형성된복수의인덱서출력포트들을포함할수 있으며, 여기에서, 복수의제트채널들각각은, 가스분배드럼의 360° 회전마다적어도한 번, 가스입력포트를복수의인덱서출력포트들중 적어도하나에유체적으로커플링시킨다.

7. 发明公开

KR1020150103764A 공통 플라즈마 코팅 구역에서 복수의 코팅 재료를 침착시키기 위한 장치 및 방법 有权
标题翻译：用于在普通等离子涂层区沉积多种涂料的装置和方法
公开(公告)号：KR1020150103764A
公开(公告)日：2015-09-11
申请号：KR1020157023296
申请日：2008-05-19
申请人： 엑사테크 엘.엘.씨.
发明人： 가스워스,스티븐,엠.
IPC分类号： C23C16/513 , C23C16/455 , C23C16/44 , C23C16/52
CPC分类号： C23C8/36 , C23C16/513 , C23C16/54
摘要： 장치를 통한 이동 경로를 따라 이동되는 기재(20)를 코팅하기 위한 장치 및 방법. 플라즈마 급원(30)은 플라즈마 제트(32)를 발생시키고, 제1 시약이 제트의 업스트림에 위치한 방출 오리피스(144, 146)로부터 상기 제트 내로 분사된다. 제2 시약은 제트의 다운스트림에 위치한 방출 오리피스(244, 246)로부터 제트 내로 분사된다. 제어기(166)는 제1 세트의 파라미터에 따라 제1 시약의 흐름을 조절하고 제2 세트의 파라미터에 따라 제2 시약의 흐름을 조절하도록 설정되어 있다. 결과적으로, 제1 시약 및 제2 시약은 기재에 적용되어 기재 위에 적어도 하나의 코팅 층을 형성한다.

8. 发明授权

KR101535155B1 기판 처리장치 有权
标题翻译：加工基材的装置
公开(公告)号：KR101535155B1
公开(公告)日：2015-07-09
申请号：KR1020140003063
申请日：2014-01-09
申请人： 주식회사 유진테크
发明人： 제성태 , 이재호 , 최상호 , 윤승현
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/683
CPC分类号： C23C16/46 , C23C16/4412 , C23C16/45508 , C23C16/45565 , C23C16/52 , C23C16/54 , H01L21/6719 , H01L21/67709 , H01L21/68785
摘要： 본발명의일 실시예에의하면, 기판처리장치는, 기판에대한공정이이루어지는내부공간을제공하는챔버; 상기내부공간에설치되며, 상부에상기기판이놓여지는서셉터; 상기서셉터의둘레를따라상기챔버의측벽에형성된배기포트상에설치되며, 복수의관통홀들을가지는고정플레이트; 및상기고정플레이트의상부또는하부에설치되어상기서셉터의중심을기준으로회전가능하며, 상기관통홀들을선택적으로개폐하는하나이상의슬라이딩플레이트를포함한다.
摘要翻译：根据本发明的实施例，一种用于处理衬底的设备包括：提供内部空间的腔室，在该腔室内执行衬底的工艺; 安装在所述内部空间中并具有布置在所述上部上的所述基板的感受器; 固定板，其安装在形成在所述基座的所述室的侧壁上的排气口上，并且包括多个通孔; 以及安装在固定板的上部或下部的一个或多个滑板，围绕基座的中心旋转，并且选择性地打开和关闭通孔。

9. 发明公开

KR1020150063803A 원자층 증착 공정 방법 및 원자층 층착 장치 无效
标题翻译：原子层沉积过程的方法和处理原子层析沉积过程的装置
公开(公告)号：KR1020150063803A
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：KR1020130148622
申请日：2013-12-02
申请人： 신화일렉트론 주식회사
发明人： 이정현 , 신원호
IPC分类号： C23C16/448 , C23C16/455 , C23C16/458
CPC分类号： C23C16/45546 , C23C16/45527 , C23C16/4586 , C23C16/54
摘要： 복수의기판들에대하여개별적으로원자층증착공정을수행하는복수의처리공간들을제공하는처리용기들에서원자층증착공정의방법에서, a) 처리공간들중 제1 처리공간내부에제1 수평방향으로금속전구체를공급하여, 내부에배치된기판상에금속반응물을화학흡착시키고, b) 제1 처리공간내부에퍼지가스를공급하여, 제1 처리공간내부의잔류물을제거한다. 이후, c) 제1 처리공간내부에산화제를제2 수평방향으로공급하여금속반응물과산화제를반응시켜, 기판상에금속산화물을형성한다. 처리공간들내에서단계 a) 내지단계 c)를시차분할(time-divided) 방식으로수행된다.
摘要翻译：本发明涉及一种原子层沉积工艺的方法和一种用于原子层沉积工艺的设备。在处理容器中的原子层沉积工艺的方法以提供多个处理空间以在多个基板上单独进行自动层沉积工艺包括以下步骤：（a）将金属反应物化学吸附在布置的基板的顶部上通过在第一水平方向上的处理空间中的第一处理空间上提供金属前体; （b）通过向第一处理空间提供净化气体来除去第一处理空间内的残留物; 和（c）通过在第一水平方向上在第一处理空间上提供氧化剂使基板上形成金属氧化物，使金属反应物与氧化剂反应，其中步骤（a）至步骤（c）为使用时分方法在处理空间中进行。

10. 发明公开

KR1020150060086A 클러스터형 배치식 기판처리 시스템 无效
标题翻译：用于处理基板的集群式批处理系统
公开(公告)号：KR1020150060086A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：KR1020130144079
申请日：2013-11-25
申请人： 주식회사 테라세미콘
发明人： 박상권
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/02 , H01L21/677
CPC分类号： H01L21/67161 , C23C16/45546 , C23C16/463 , C23C16/54 , H01L21/67109 , H01L21/6719 , H01L21/67742 , H01L21/67769
摘要： 클러스터형배치식기판처리시스템이개시된다. 본발명에따른클러스터형배치식기판처리시스템은, 기판(40)이반입되는기판반입부(1); 회전축을기준으로회전하며기판(40)의로딩/언로딩을수행하는기판이송로봇(7); 및기판이송로봇(7)을중심으로방사형으로배치되는복수개의배치식기판처리장치(9: 9a, 9b)를포함하는것을특징으로한다.
摘要翻译：公开了一种集束批式基板处理系统。根据本发明，集束批式基板处理系统包括：基板（1）取入基板（40）; 基板传送机器人（7），通过在旋转轴上旋转来装载/卸载基板（40）; 以及沿着基板传送机器人（7）周围径向配置的多个间歇式基板处理装置（9：9a，9b）。

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