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1. 发明授权

KR101888828B1 연속적으로 회전되는 원자층 증착 캐러셀 및 사용 방법들 有权
公开(公告)号：KR101888828B1
公开(公告)日：2018-08-16
申请号：KR1020137025397
申请日：2012-03-01
申请人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
发明人： 유도브스키,조셉
IPC分类号： C23C16/44 , C23C16/455 , C23C16/458 , H01L21/205
CPC分类号： C23C16/458 , C23C16/45551 , C23C16/45578 , C23C16/54
摘要： 기판들의연속적인프로세싱을위해복수의기판캐리어들을갖는회전하는휠을포함하는원자층증착장치및 방법들이제공된다. 프로세싱챔버는, 회전하는휠을정지시킬필요없이, 기판캐리어들로부터기판들을언로딩및 로딩하기위해하나또는그 초과의로봇들을갖도록구성된로딩스테이션을전방단부상에가질수 있다.

2. 发明公开

KR1020180086663A 금속-유기 화학 기상 증착에 의한 삼차원 고체 배터리용 리튬 포스페이트 박막 전해질의 균일한 증착 방법 및 장치 有权
公开(公告)号：KR1020180086663A
公开(公告)日：2018-08-01
申请号：KR1020170010383
申请日：2017-01-23
申请人： 영남대학교 산학협력단
发明人： 박진호 , 부비엣투안 , 정재학
IPC分类号： C23C16/30 , C23C16/448 , C23C16/458 , C23C16/52 , H01M10/0562
CPC分类号： C23C16/30 , C23C16/448 , C23C16/458 , C23C16/52 , H01M10/0562 , C23C16/4482 , C23C16/4488 , C23C16/4583 , H01M2300/0068 , Y02P70/54
摘要： 본발명은금속-유기화학기상증착에의한삼차원고체배터리용리튬포스페이트박막전해질의균일한증착방법및 장치에관한것으로, 금속-유기화학기상증착을통해리튬전구체, 포스페이트전구체및 활성화제로서물을이용하여기판상에증착하는단계를포함하는리튬포스페이트박막전해질의증착방법을제공한다.

3. 发明公开

KR20180053491A 가스 분사 장치 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 审中-公开
公开(公告)号：KR20180053491A
公开(公告)日：2018-05-23
申请号：KR20160150561
申请日：2016-11-11
申请人： SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD , WONIK IPS CO LTD
发明人： LEE JONG CHEOL , SHIN JAE CHUL , JUNG MIN HWA , CHUNG SUK JIN , CHOI GEUN KYU , LEE JUNG HWAN
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/205 , H01L21/67 , H01L21/683
CPC分类号： C23C16/45565 , C23C16/458 , H01L21/68771
摘要： 본발명은기판을향해공정가스들을분사하는가스분사장치및 이를포함하는기판처리장치에관한것이다. 본발명의가스분사장치는베이스부; 상기베이스부상에위치되고, 반응억제작용기를포함하는제1 가스를분사하는제1 가스분사부; 상기베이스부상에서, 상기제1 가스분사부로부터제1 방향으로이격되고, 제1 물질의전구체를포함하는제2 가스를분사하는제2 가스분사부; 및상기베이스부상에서, 상기제2 가스분사부로부터상기제1 방향으로이격되고, 상기제1 물질의전구체와반응하는제3 가스를분사하는제3 가스분사부를포함한다.

4. 发明授权

KR101854069B1 합성 다이아몬드 물질을 제조하기 위한 극초단파 플라즈마 반응기 有权
标题翻译：微波等离子体反应器制备合成金刚石材料
公开(公告)号：KR101854069B1
公开(公告)日：2018-05-02
申请号：KR1020167034988
申请日：2015-06-10
申请人： 엘리먼트 씩스 테크놀로지스 리미티드
发明人： 브랜든존로버트 , 프리엘이안 , 쿠퍼마이클앤드류 , 스카스브룩지오프리앨런 , 그린벤류린
IPC分类号： H01J37/32 , C23C16/27 , C23C16/511 , C30B25/10 , C30B29/04
CPC分类号： H01J37/32201 , C23C16/274 , C23C16/458 , C23C16/511 , C30B25/105 , C30B25/205 , C30B29/04 , H01J37/32192 , H01J37/3222 , H01J37/32247 , H01J37/32284 , H01J37/32293 , H01J37/32302 , H01J37/3244 , H01J37/32715 , H01J2237/3321 , H01J2237/3323
摘要： 화학적증착을통해합성다이아몬드물질을제조하기위한극초단파플라즈마반응기로서, 상기극초단파플라즈마반응기는제 1 극초단파공명모드주파수(f)를갖는제 1 극초단파공명모드를뒷받침하기위한공명강(cavity)을한정하는플라즈마챔버; 총극초단파동력(P)을갖는극초단파를발생시키고상기플라즈마챔버내로공급하기위한, 상기플라즈마챔버에연결된복수개의극초단파공급원; 공정기체를상기플라즈마챔버내로공급하고이 기체를상기플라즈마챔버로부터제거하기위한기체유동시스템; 및사용시합성다이아몬드물질이침착되어야하는기재를지지하기위한지지표면을포함하고상기플라즈마챔버내에배치되는기재홀더를 포함하고, 이때 상기복수개의극초단파공급원이상기총 극초단파동력(P)의 30% 이상을상기제 1 극초단파공명모드주파수(f)로상기플라즈마챔버에연결하도록구성되고, 상기복수개의극초단파공급원중적어도일부가고상(solid state) 극초단파공급원인, 극초단파플라즈마반응기.

5. 发明公开

KR20180023505A 원자층 증착 장비 및 그를 이용한 원자층 증착 방법 有权
标题翻译：原子层沉积装置及其沉积方法
公开(公告)号：KR20180023505A
公开(公告)日：2018-03-07
申请号：KR20160108987
申请日：2016-08-26
申请人： 주식회사 넥서스비
发明人： 오기영 , 최학영 , 최영태 , 김동원 , 김상훈 , 김근식
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/44 , C23C16/458
CPC分类号： C23C16/44 , C23C16/455 , C23C16/458
摘要： 원자층증착장비가제공된다. 본발명의일 실시예에따른원자층증착장비는, 소스가스, 퍼지가스및 반응가스를포함하는원자층증착가스를동시에증착대상기판의다른영역에분사하는가스공급모듈및 상기가스공급모듈의일 측에마련되며, 상기증착대상기판이안착되는안착부를포함하는스테이지를포함하되, 상기스테이지가 1 회전함에따라 2층이상의원자층이상기증착대상기판에증착될수 있다.
摘要翻译：提供了一种原子层沉积装置。根据本发明的一个实施例，原子层沉积设备包括：气体供应模块，用于在待沉积的基板的不同区域同时喷射包括源气体，净化气体和反应物的原子层沉积气体加油站; 以及平台，布置在所述气体供应模块的一侧上，并且包括安装部件，所述安装部件上安装有待沉积的所述衬底，其中当所述平台旋转一次时，可以在所述待沉积的衬底上沉积两层或更多层原子层。

6. 发明公开

KR1020170142876A 복수의 플라즈마 프로세싱 스테이션들에 걸쳐 임피던스들 또는 전력을 조정하기 위한 결합기 및 분배기 审中-实审
标题翻译：一个组合器和分配器，用于调整多个等离子体处理站的阻抗或功率
公开(公告)号：KR1020170142876A
公开(公告)日：2017-12-28
申请号：KR1020170066496
申请日：2017-05-30
申请人： 램 리써치 코포레이션
发明人： 카푸어수닐 , 토마스조지 , 란지네니야스완스 , 아우구스티니악에드워드
IPC分类号： H01J37/32 , H03H7/38
CPC分类号： C23C16/458 , C23C16/505 , C23C16/52 , H03H7/40
摘要： 복수의플라즈마프로세싱스테이션들에걸쳐임피던스들또는전력또는이들의조합을조정하기위한시스템들및 방법들이기술된다. 시스템들중 일시스템은제 1 주파수를가진제 1 RF (radio frequency) 신호를생성하는제 1 RF 생성기, 제 2 주파수를가진제 2 RF 신호를생성하는제 2 RF 생성기, 및제 1 RF 신호를수신하도록제 1 RF 생성기에커플링된제 1 매칭네트워크를포함한다. 제 1 임피던스매칭네트워크는제 1 RF 신호를수신할시 제 1 수정된 RF 신호를출력한다. 시스템은제 2 RF 신호를수신하도록제 2 RF 생성기에커플링된제 2 매칭네트워크를더 포함한다. 제 2 매칭네트워크는제 2 RF 신호를수신할시 제 2 수정된 RF 신호를출력한다. 시스템은제 1 매칭네트워크의출력부및 제 2 매칭네트워크의출력부에커플링된결합기및 분배기를더 포함한다.
摘要翻译：描述了用于在多个等离子体处理站上调整阻抗或功率或其组合的系统和方法。该系统的系统接收第二RF发生器，mitje第一RF信号，以生成具有第一RF产生器的第二RF信号，并用于产生第一射频（RF），具有第一频率信号的第二频率以及耦合到第一RF发生器的第一匹配网络。第一阻抗匹配网络在接收到第一RF信号时输出第一修改的RF信号。该系统还包括耦合到第二RF发生器以接收第二RF信号的第二匹配网络。第二匹配网络在接收到第二RF信号时输出第二修改的RF信号。该系统还包括耦合到第一匹配网络的输出和第二匹配网络的输出的组合器和分离器。

7. 发明授权

KR101799609B1 기판 상에 원자 층을 증착시키는 장치 및 방법 有权
标题翻译：用于在衬底上沉积原子层的设备和方法
公开(公告)号：KR101799609B1
公开(公告)日：2017-12-20
申请号：KR1020127023116
申请日：2011-02-11
申请人： 네덜란제 오르가니자티에 포오르 토에게파스트-나투우르베텐샤펠리즈크 온데르조에크 테엔오
发明人： 베르메르,아드리아누스요하네스페트루스마리아 , 루제붐,프레디 , 밴딜렌,조프
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/458 , C23C16/54 , H01L21/677
CPC分类号： C23C16/45544 , C23C16/45551 , C23C16/45563 , C23C16/45589 , C23C16/458 , C23C16/52 , C23C16/545 , H01L21/67784
摘要： 본발명은기판상에원자층을증착시키는방법및 장치를개시한다. 본발명은증착헤드(이는회전가능한드럼의일부가될 수있음)의프리커서기체공급부로부터제공되는프리커서기체를공급하는것을포함한다. 프리커서기체공급부에서제공되는프리커서기체는기판을향한다. 본발명은기판(이는회전하는드럼을따라서이동함)을따라서증착헤드를회전시킴으로써프리커서기체공급부를이동시키는것을더 포함한다.
摘要翻译：本发明公开了用于在衬底上沉积原子层的方法和设备。本发明包括供应由沉积头（其可以是可旋转鼓的一部分）的前体气体供应源提供的前体气体。提供在前体气体供应部分中的前体气体被引导至基板。本发明进一步包括通过沿着基板（其沿着旋转鼓移动）旋转沉积头来移动前体气体供应源。

8. 发明公开

KR1020170123254A 처리 챔버를 위한 세라믹 코팅된 석영 리드 审中-实审
标题翻译：用于加工室的陶瓷涂层石英铅
公开(公告)号：KR1020170123254A
公开(公告)日：2017-11-07
申请号：KR1020170052858
申请日：2017-04-25
申请人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
发明人： 황,버나드엘.
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/3065 , H01L21/683 , H01L21/56
CPC分类号： C23C16/405 , C23C16/40 , C23C16/4404 , C23C16/45591 , C23C16/458 , C23C16/4585 , H01L21/67063
摘要： 본개시내용의구현예들은처리챔버내에서의입자발생을감소시키기위해이용되는방법들및 장치들을포함한다. 일구현예에서, 기판처리챔버를위한리드가제공된다. 리드는, 제1 표면및 제1 표면에대향하는제2 표면을갖는커버부재; 커버부재를관통하는중앙개구 - 중앙개구의내측프로파일은제1 직경을갖는제1 섹션, 제2 직경을갖는제2 섹션, 및제3 직경을갖는제3 섹션을포함하고, 제2 직경은제1 직경과제3 직경사이에있고, 제1 직경은제2 섹션으로부터커버부재의제1 표면을향하여증가함 -; 및제1 표면에서폐쇄경로를따라형성된트렌치 - 트렌치는트렌치의내측표면에형성된리세스를가짐 - 를포함한다.
摘要翻译：本公开的实施方式包括用于减少处理室中的颗粒产生的方法和设备。在一个实施例中，提供了用于基板处理室的盖子。引线包括：具有第一表面和与第一表面相对的第二表面的盖构件; 穿过盖构件的中心开口的内轮廓包括具有第一直径的第一部分，具有第二直径的第二部分和具有第三直径的第三部分，直径任务3直径，第一直径从第二部分朝向盖构件的第一表面增加; 并且在器件1的表面处沿封闭路径形成的沟槽具有在沟槽的内表面中形成的凹槽。

9. 发明授权

KR101770577B1 복수의 구역을 포함하는 가스 쿠션 상에 놓인 기판 홀더를 구비한 ＣＶＤ 반응기 有权
标题翻译：一种CVD反应器，具有放置在包括多个区域的气垫上的衬底支架
公开(公告)号：KR101770577B1
公开(公告)日：2017-08-23
申请号：KR1020127012630
申请日：2010-10-08
申请人： 아익스트론 에스이
发明人： 루다와이비트,프란시스코 , 캐펠러,요하네스
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/458 , C23C16/46 , C23C16/48 , H01L21/02
CPC分类号： C23C16/458 , C23C16/4583 , C23C16/4584 , C23C16/4586 , C23C16/46 , C23C16/481
摘要： 본발명은프로세스챔버(23) 및상기프로세스챔버내에배치되고하나이상의베어링면(4)을포함하는기판홀더지지체(1)를구비한 CVD-반응기에관한것으로서, 이경우에는복수의가스유입라인(7, 8)이베어링면(4')으로통한다. 또한, 상기 CVD-반응기는그 후면이상기베어링면(4') 쪽을향하는기판홀더(2)를구비하며, 이경우상기가스유입라인들(7, 8)을통해베어링면(4')과후면사이에있는공간으로보내어진가스들은상기기판홀더(2)를지지하는가스쿠션(19)을형성한다. 본발명에따르면, 상기가스쿠션은각각할당된가스유입라인(7, 8)을통해개별적으로공급될수 있는복수의구역(A, C)을포함하고, 상기구역들은구역들(A, C) 간의가스교환을저지하는수단들(15)에의해서로분리되어있다. 하나이상의내부구역(C)에는가스배출라인(13, 14)이할당되어있고, 상기가스배출라인을통해서는상기유입라인(7, 8)을거쳐상기내부구역(C)으로공급된가스가배출될수 있다. 상기구역들에는상이한열 전도성을갖는가스들이공급된다.
摘要翻译：本发明涉及一种设置在处理室23配备有衬底保持器支撑体（1）一反应器的CVD和处理室包括至少一个支承表面4，在此情况下，多个气体入口管线（7 ，8连接到支承表面4'。另外，它的后轴承表面之间的移相器的CVD反应器（4“）通过气体入口管线面向基板保持架（2），并且具有，在这种情况下，支承面侧（7,8）（4-a”）和背面送到基板支架2内的空间的气体形成支撑基板支架2的气垫19。根据本发明，该气体缓冲，并包括多个可通过气体入口线分别供给区（A，C）的（7,8）分配给每个区域是之间的区域（A，C）用防止气体交换的手段（15）分开。至少一个内部区（C）中，气体排出管线（13，14）被分配，并且通过所述入口管的气体排气管线（7,8）穿过的内部区域供给的气体排出（C）它可以是。这些区域供应有不同导热率的气体。

10. 发明公开

KR1020170090194A 복수 개의 가스 배출관 들 및 가스 센서들을 가진 반도체 소자 제조 설비 审中-实审
标题翻译：带有多个气体排放管和气体传感器的半导体设备制造设施
公开(公告)号：KR1020170090194A
公开(公告)日：2017-08-07
申请号：KR1020160010753
申请日：2016-01-28
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 신재철 , 이종철 , 최근규 , 정민화 , 정숙진
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/54 , H01L21/683 , H01L21/60 , H01L21/66 , H01L21/67
CPC分类号： C23C16/45565 , C23C16/4412 , C23C16/458 , C23C16/52 , H01L21/67017 , H01L21/67253
摘要： 챔버의상부에배치된샤워헤드, 상기샤워헤드상에배치된가스공급부, 상기챔버의내부에배치된서셉터, 및상기챔버의하부에배치된가스배출부를포함하는반도체소자제조설비가설명된다. 상기챔버는가상적으로분리된제1 반응공간및 제2 반응공간을가질수 있다. 상기가스공급부는상기제1 반응공간으로제1 가스를공급하는제1 가스공급관및 상기제2 반응공간으로제2 가스를공급하는제2 가스공급관을포함할수 있다. 상기가스배출부는상기서셉터의양쪽에상기제1 반응공간과가깝도록배치된제1 가스배출관, 상기제2 반응공간과가깝도록배치된제2 가스배출관, 상기제1 가스배출관과공간적으로연결되어상기제2 가스를센싱하는제1 가스센서, 및상기제2 가스배출관과공간적으로연결되어상기제1 가스를센싱하는제2 가스센서를포함할수 있다.
摘要翻译：描述了包括设置在腔室上部的喷头的半导体器件制造设备，设置在喷头上的气体供给部，设置在腔室内的基座以及设置在腔室下部的气体排出部。该室可以具有实质上分离的第一反应空间和第二反应空间。气体供应单元可以包括用于将第一气体供应到第一反应空间的第一气体供应管和用于将第二气体供应到第二反应空间的第二气体供应管。气体排出部连接到所述基座的每一侧布置成尽可能靠近反应空间中，其中的第二气体出口管布置为尽可能靠近反应空间，该第一气体出口管和所述空间的第一的第一气体出口管第一气体传感器感测第二气体，第二气体传感器在空间上连接到第二气体排出管以感测第一气体。

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