基本信息:
- 专利标题： 원자층 증착 장치
- 专利标题（英）：Atomic Layer Deposition Apparatus
- 专利标题（中）：原子层沉积装置
- 申请号：KR1020060110553 申请日：2006-11-09
- 公开(公告)号：KR101355638B1 公开(公告)日：2014-01-29
- 发明人： 박형상 , 김대연 , 아키라시미주
- 申请人： 한국에이에스엠지니텍 주식회사
- 申请人地址： 충청남도 천안시 서북구 직산읍 직산로 ***
- 专利权人： 한국에이에스엠지니텍 주식회사
- 当前专利权人： 한국에이에스엠지니텍 주식회사
- 当前专利权人地址： 충청남도 천안시 서북구 직산읍 직산로 ***
- 代理人： 팬코리아특허법인
- 主分类号： H01L21/20
- IPC分类号： H01L21/20
摘要：
본 발명의 실시예에 따른 원자층 증착 장치는 기판에 평행하게 기체가 흐르는 수평 흐름 원자층 반응기로서, 기판에 수평한 방향으로 원료 기체가 유입될 뿐만 아니라 짧은 경로를 통해 기판에 수직한 방향으로 원료 기체의 일부가 유입되게 함으로써, 막 형성 온도에서 안정하지 않은 원료 물질을 사용하는 경우에도 균일한 막을 형성할 수 있다.
수평 흐름, 원자층 증착 장치, 수직 유입
摘要（英）：
수평 흐름, 원자층 증착 장치, 수직 유입
Atomic layer deposition according to embodiments of the present invention the device is a parallel horizontal flow atom bed reactor gas flows to the substrate, a vertical raw material in one direction to the substrate via the short path as well as the raw material gas flows in a direction parallel to the substrate when using a raw material by making a part that is not stable in the inlet, the film formation temperature of the substrate can be formed in a uniform film. Horizontal flow, the atomic layer deposition apparatus, the vertical inlet
公开/授权文献:
- KR1020080042312A 원자층 증착 장치 公开/授权日：2008-05-15
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/20 | ....半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长 |