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1. 发明授权

KR101896607B1 나노큐어 자외선 챔버용 석영 샤워헤드 有权
公开(公告)号：KR101896607B1
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：KR1020137012575
申请日：2011-09-29
申请人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
发明人： 바루자,사니이브 , 로차-알바레츠,주안카를로스 , 데모스,알렌산드로스티. , 노와크,토마스 , 저우,젠화
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： C23C16/56 , C23C16/4405 , C23C16/45565 , C23C16/482 , H01L21/6719 , H01L21/67742 , Y10T137/0391
摘要： 일반적으로, 본원발명의실시예들은프로세싱챔버내에서가스유동프로파일을제어하기위한장치들및 방법들을제공한다. 하나의실시예에서, 프로세싱도구는프로세싱영역을규정하는자외선프로세싱챔버, 기판지지부, UV 복사선소스와기판지지부사이에배치된윈도우, 윈도우와기판지지부사이의프로세싱영역내에배치되고상부프로세싱영역및 하부프로세싱영역사이의하나또는둘 이상의투과성샤워헤드통로를가지는투과성샤워헤드를포함한다. 또한, 프로세싱도구는가스분배링 내측채널과상부프로세싱영역사이의하나또는둘 이상의가스분배링 통로들을가지는가스분배링, 및가스분배링 아래에배치된가스배출구링을포함하고, 가스배출구링은가스배출구링 내의가스배출구링 내측채널과하부프로세싱영역사이의하나또는둘 이상의가스배출구통로들을가진다.

2. 发明公开

KR20180045150A 증착 장치 및 이를 이용한 비휘발성 메모리 장치의 제조 방법 审中-公开
公开(公告)号：KR20180045150A
公开(公告)日：2018-05-04
申请号：KR20160138939
申请日：2016-10-25
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/324 , H01L27/115
CPC分类号： H01L21/76825 , C23C16/482 , C23C16/50 , C23C16/54 , H01L21/02164 , H01L21/02348 , H01L21/28282 , H01L21/31111 , H01L21/76802 , H01L21/76877 , H01L27/1157 , H01L27/11582
摘要： 증착장치및 이를이용한비휘발성메모리장치의제조방법이제공된다. 증착장치는, 챔버, 상기챔버내에배치되어기판을지지하는지지부, 상기기판상에제1 희생막, 제1 산화막, 제2 희생막, 및제2 산화막을순차적으로증착시키는증착공정을수행하는증착부(deposition unit) 및상기제1 산화막이증착된후, 상기제1 산화막에대해제1 UV 어닐링(Ultraviolet Ray annealing) 공정을수행하고, 상기제2 산화막이증착된후, 상기제2 산화막에대해상기제1 UV 어닐링공정과다른제2 UV 어닐링공정을수행하는 UV 어닐링부(annealing unit)를포함하되, 상기증착공정과상기제1 및제2 UV 어닐링공정은상기챔버내에서인-시츄(in-situ)로수행된다.

3. 发明授权

KR101790497B1 도핑된 ＺｎＯ막을 자외선 화학기상증착법에 의해 고분자 기판 상에 증착시키는 방법 有权
标题翻译：通过紫外化学气相沉积法在聚合物基底上沉积掺杂的ZnO膜的方法
公开(公告)号：KR101790497B1
公开(公告)日：2017-10-26
申请号：KR1020127012374
申请日：2010-10-14
申请人： 알케마 인코포레이티드
发明人： 쉬천 , 실버맨게리에스. , 코로트코프로만와이. , 스미스로버트쥐.
IPC分类号： H01L21/02 , C23C16/40 , C23C16/48 , G02B5/08 , G02B5/20 , H01L31/0392 , H01L31/18
CPC分类号： H01L21/0262 , C23C16/407 , C23C16/482 , G02B5/0891 , G02B5/208 , H01L21/02422 , H01L21/02554 , H01L21/02573 , H01L31/0392 , H01L31/1884 , Y02E10/50
摘要： 본발명은고분자기판을하나이상의전구체와접촉시키는단계와, 자외선을인가하여상기하나이상의전구체를분해하고, 고분자기판상에층을증착시키는단계를포함하여, 고분자기판상에층을형성하는방법을제공한다. 또한본 발명은고분자기판이포함된용기에아연과도펀트를포함하는하나이상의전구체를도입하는단계와, 자외선을인가하여상기하나이상의전구체를분해하고, 도핑된산화아연을포함하는층을고분자기판상에증착시키는단계에의해얻어지는, 고분자기판상에증착되는산화아연을포함하는도핑층을제공한다.
摘要翻译：本发明提供了一种在聚合物基材上形成层的方法，包括以下步骤：使聚合物基材与至少一种前体接触，通过施加紫外光分解至少一种前体，并在聚合物基材上沉积一层提供。本发明还提供了一种制造薄膜晶体管的方法，包括：将至少一种含有锌和掺杂剂的前体引入含有聚合物基底的容器中;通过施加紫外光来分解所述至少一种前体; 沉积在聚合物基底上的氧化锌层。

4. 发明公开

KR1020160135778A 개선된 열 처리 챔버 审中-实审
标题翻译：改进的热处理室
公开(公告)号：KR1020160135778A
公开(公告)日：2016-11-28
申请号：KR1020167029103
申请日：2015-03-11
申请人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
发明人： 라니쉬,조셉엠. , 헌터,아론뮤어
IPC分类号： C23C16/458 , C23C16/46 , C23C16/48 , C23C16/44
CPC分类号： C23C16/46 , C23C16/4411 , C23C16/4584 , C23C16/4585 , C23C16/48 , C23C16/481 , C23C16/482 , C23C16/483 , C23C16/488
摘要： 본명세서에설명된실시예들은기판처리장치를제공하는데, 이기판처리장치는제1 돔과제2 돔을포함하는진공챔버; 제1 돔과제2 돔사이에서진공챔버내부에배치된기판지지체; 및제2 돔에근접하게위치되며, 구획된하우징내에배열된시준에너지소스를포함하고, 제2 돔은시준에너지소스와기판지지체사이에있다. 기판지지체및 제2 돔의적어도일부는시준에너지소스로부터의시준에너지에대해광학적으로투명할수 있다.
摘要翻译：本文所述的实施例提供了一种基板处理装置，其包括真空室，该真空室包括第一圆顶和第二圆顶，设置在第一和第二圆顶之间的真空室内部的基板支撑件，准直的能量源，布置在分隔的壳体中，第二圆顶，其中所述第二圆顶在准直能量源和所述衬底支撑件之间。第二圆顶和衬底支撑件的至少一部分可以对于来自准直能量源的准直能量而言是光学透明的。

5. 发明授权

KR101677819B1 집광경 가열로 有权
标题翻译：聚光镜炉
公开(公告)号：KR101677819B1
公开(公告)日：2016-11-18
申请号：KR1020147015047
申请日：2012-11-30
申请人： 고쿠리츠켄큐카이하츠호진 상교기쥬츠 소고켄큐쇼
发明人： 이케다신이치 , 하라시로 , 미카하라다카노리 , 하부카히토시 , 쿰푸앙소마완
IPC分类号： F27D11/02
CPC分类号： C23C16/482 , C30B13/24 , F27B17/0025 , F27D2099/0026 , H01L21/67115 , Y10T117/108
摘要： 광원으로부터방사된빛을반사경장치에의해반사시켜서피가열물에조사시켜피가열물을가열하기위한집광경방식가열로로서, 반사경장치는 1차반사경및 2차반사경으로이루어지며, 광원으로부터방사된빛을 1차반사경및 2차반사경에순차적으로반사시켜서피가열물에조사하고, 그 2차반사경에반사되어피가열물표면에조사되는빛은그 피가열물표면에대해수직으로조사되지않는, 피가열물을가열하기위한집광경방식가열로를제공한다. 그것에의해집광된적외선에의해가열하는장치에있어서회전타원면을사용한장치라도가열성능은그대로소형화하는것을가능하게한다.

6. 发明公开

KR1020140103291A 인 시투 계측을 위해 구성된 반응 체임버를 가지는 침착 시스템 및 관련 방법 审中-实审
标题翻译：具有基于现代计量学和相关方法配置的反应室的沉积系统
公开(公告)号：KR1020140103291A
公开(公告)日：2014-08-26
申请号：KR1020147017180
申请日：2012-11-12
申请人： 소이텍
发明人： 린도우에드 , 버트램로날드 , 카니자레스클라우디오
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/02 , C23C16/48 , C23C16/52 , C23C16/30
CPC分类号： C23C16/482 , C23C16/303 , C23C16/52
摘要： 침착 시스템들은 반응 체임버(102), 반응 체임버 내에서 물질을 가열하기 위한 적어도 하나의 열방사선 방출기(104), 및 반응 체임버(102) 내에서 제 자리에서 공작물 기판의 특징을 검출 및/또는 측정하기 위한 적어도 하나의 계측 장치(106)를 구비한다. 하나 이상의 체임버 벽들은 방사선이 반응 체임버에 및 반응 체임버로부터 각각 보내지도록 허용하기 위해, 열방사선 및 계측 장치에 의해 수신될 방사선 신호들에 대해 투명할 수 있다. 불투명 재료의 적어도 하나의 볼륨은 열방사선의 적어도 일부로부터 계측 장치(106)의 센서(108)를 차폐하기 위해 위치된다. 침착 시스템을 형성하는 방법은 열방사선으로부터 센서를 차폐하는 위치에 불투명 재료의 이와 같은 볼륨을 제공하는 것을 포함한다. 침착 시스템을 이용하는 방법들은 열방사선의 적어도 일부로부터 센서를 차폐하는 것을 포함한다.

7. 实用新型

KR200472939Y1 네일용 자외선 경화 장치 有权
标题翻译：使用超紫外线固化的固化装置
公开(公告)号：KR200472939Y1
公开(公告)日：2014-06-02
申请号：KR2020130000057
申请日：2013-01-03
申请人： 주식회사 맥스메이트
发明人： 이승국
IPC分类号： A45D29/18 , B05C9/12 , C23C16/48
CPC分类号： A45D29/18 , B05C9/12 , C23C16/482
摘要： 본 고안은 상부본체 내부에 구비된 자외선 램프를 안전하게 보호할 수 있도록 하는 네일용 자외선 경화 장치에 관한 것이다. 본 고안은 네일용 자외선 경화 장치의 보관 또는 이동 도중에, 상부본체가 임의로 회전되지 않아, 상부본체 내부에 구비된 자외선 램프가 안전하게 보호되는 효과가 있다. 또한, 하부본체의 탄성부재와 연결된 회전축이 그 하방으로 가압력을 갖게 되고, 상기 가압력에 의하여 상부본체의 회전안내부가 하부본체의 지지부에 밀착되거나, 상부본체의 슬라이딩부가 하부본체의 지지부에 밀착되도록 구성되므로, 외부 압력 없이, 상부본체가 임의로 회전되지 않게 되는 효과가 있다. 또한, 상부본체가 전방으로 슬라이딩 이동 가능하도록 구성되므로, 자외선 램프의 위치를 전후 방향으로 용이하게 이동시킬 수 수 있게 되어, 손톱 또는 발톱에 칠해진 메니큐어를 고르게 경화시킬 수 있게 되는 효과가 있다.

8. 发明公开

KR1020110041569A 산화 아연막(ＺｎＯ) 또는 산화 마그네슘아연막(ＺｎＭｇＯ)의 성막 방법 및 산화 아연막 또는 산화 마그네슘아연막의 성막 장치 有权
标题翻译：氧化锌（ZNO）薄膜或氧化镁（ZNMGO）薄膜的制造方法，氧化锌薄膜或氧化镁薄膜的制造方法
公开(公告)号：KR1020110041569A
公开(公告)日：2011-04-21
申请号：KR1020117005548
申请日：2008-09-24
申请人： 도시바 미쓰비시덴키 산교시스템 가부시키가이샤
发明人： 시라하타타카히로 , 오리타히로유키 , 요시다아키오 , 코구라마사히사
IPC分类号： C23C16/40 , C23C16/44
CPC分类号： C23C16/4486 , C23C16/407 , C23C16/452 , C23C16/45523 , C23C16/482 , C23C18/12 , C23C18/1216 , C23C18/1279 , C23C18/1291 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/0262 , H01L21/02628
摘要： 본 발명은 투과율이 높은 산화 아연막 또는 산화 마그네슘아연막의 성막 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 그리고 본 발명에 관한 산화 아연막 또는 산화 마그네슘아연막의 성막 방법에서는, (A) 아연 또는 아연과 마그네슘을 포함하는 용액(4, 8)을 미스트화시키는 공정과, (B) 기판(2)을 가열하는 공정과, (C) 가열중의 기판의 제 1의 주면상에 미스트화된 용액과 오존을 공급하는 공정을 구비하고 있다.

9. 发明公开

KR1020110001918A 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 无效
标题翻译：基板加工方法和基板加工装置
公开(公告)号：KR1020110001918A
公开(公告)日：2011-01-06
申请号：KR1020100060658
申请日：2010-06-25
申请人： 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키
发明人： 히야마신
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： H01L21/31612 , C23C16/045 , C23C16/401 , C23C16/4405 , C23C16/482 , C23C16/488 , H01L21/02164 , H01L21/02211 , H01L21/02216 , H01L21/02222 , H01L21/02277
摘要： PURPOSE: A substrate processing method and a substrate processing apparatus are provided to improve the throughput and form a layer of high quality by implementing modification process of treating the reaction product attached to the process chamber with the excited gas having oxygen. CONSTITUTION: A lighting-emitting area(4) is separated by a permeable window(5) of quartz. An excimer is located inside the lighting-emitting area. A gas induction pipe(14) of a process chamber(1) is connected with a silicone compound gas service pipe(15), an oxygen containing gas supply tube(25), and a cleaning gas supply pipe(35).
摘要翻译：目的：提供基板处理方法和基板处理装置，以通过利用具有氧气的激发气体处理连接到处理室的反应产物的改进方法来提高生产量并形成高质量层。构成：发光区域（4）由石英的可渗透窗口（5）分开。准分子位于发光区域内。处理室（1）的气体导入管（14）与硅氧烷化合物气体管道（15），含氧气体供给管（25）和清洁气体供给管道（35）连接。

10. 发明公开

KR1020090017661A 반도체 프로세싱을 위한 시스템 및 방법 无效
标题翻译：用于半导体处理的系统和方法
公开(公告)号：KR1020090017661A
公开(公告)日：2009-02-18
申请号：KR1020087032103
申请日：2007-05-31
申请人： 에이에스엠 인터내셔널 엔.브이.
发明人： 느구옌튜 , 느구옌타이둥 , 베르코크레이그알란
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： C23C16/482 , C23C16/45536 , H01J37/32009 , H01J37/32321 , H01J37/32339 , H01L21/67115 , H01L21/67248
摘要： Systems and methods are disclosed to perform semiconductor processing with a process chamber; a flash lamp adapted to be repetitively triggered; and a controller coupled to the control input of the flash lamp to trigger the flash lamp. The system can deploy a solid state plasma source in parallel with the flash lamp in wafer processing.
摘要翻译：公开了利用处理室执行半导体处理的系统和方法; 适合重复触发的闪光灯; 以及耦合到闪光灯的控制输入以触发闪光灯的控制器。该系统可以在晶片处理中部署与闪光灯并联的固态等离子体源。

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