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1. 发明授权

KR102238648B1 반도체 공정 관리 시스템, 이를 포함하는 반도체 제조 시스템 및 반도체 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR102238648B1
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：KR1020140067789
申请日：2014-06-03
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 한동훈 , 원제형 , 김도형 , 김성협 , 김호준
IPC分类号： H01L21/00 , H01L21/66
摘要： 반도체공정관리시스템은하나이상의공정설비로부터공정레시피를수신하고, 하나이상의계측설비로부터샘플링포인트별 계측값을수신하는통신부와, 상기공정레시피및 상기샘플링포인트별 계측값에기반하여상기공정레시피및 상기샘플링포인트별 계측값간의상호영향모델을수립하는제1 판단부를포함한다.

2. 发明授权

KR100635786B1 플라스마 도핑 방법 및 이를 수행하기 위한 플라스마 도핑장치 失效
标题翻译： 플라스마도핑방법및이를수행하기위한플라스마도핑장치장치
公开(公告)号：KR100635786B1
公开(公告)日：2006-10-18
申请号：KR1020050093301
申请日：2005-10-05
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 금경수 , 허지현 , 원제형 , 허노현 , 오재준
IPC分类号： H01L21/265
摘要： A plasma doping method and a plasma doping apparatus for performing the same are provided to rapidly and completely remove ions accumulated on a semiconductor substrate by using a power supplying unit being operated in a dual mode. A doping gas is supplied to a plasma doping chamber(110). A first electrode(120) is arranged within the doping chamber. A second electrode(130) is separately arranged from the first electrode to support a substrate(W). A power supplying unit is operated in a first mode and a second mode. The first mode forms electric field between the first electrode and the second electrode to excite the doping gas in plasma state. The second mode reverses the direction of the electric field between the first electrode and the second electrode to dope the substrate with the plasma ions.
摘要翻译：提供一种等离子体掺杂方法和用于执行该等离子体掺杂方法的等离子体掺杂装置，以通过使用以双模式操作的供电单元来快速且完全地去除积聚在半导体基板上的离子。掺杂气体被供应到等离子体掺杂室（110）。第一电极（120）布置在掺杂室内。第二电极（130）与第一电极分开布置以支撑衬底（W）。供电单元以第一模式和第二模式操作。第一模式在第一电极和第二电极之间形成电场以激发处于等离子体状态的掺杂气体。第二模式反转第一电极与第二电极之间的电场方向以用等离子体离子掺杂衬底。

3. 发明公开

KR1020060085358A 막 형성 장치 无效
公开(公告)号：KR1020060085358A
公开(公告)日：2006-07-27
申请号：KR1020050006172
申请日：2005-01-24
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 홍형식 , 채승기 , 원제형 , 금경수 , 하태홍
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： C23C16/4586 , C23C16/06 , C23C16/45565 , C23C16/509 , C23C16/513
摘要： 반도체 웨이퍼 상에 막을 형성하기 위한 막 형성 장치는 공정 챔버 내부에 상기 반도체 웨이퍼를 지지하기 위한 스테이지와 막 형성을 위해 상기 공정 챔버로 공급되는 반응 가스를 상기 반도체 웨이퍼 상으로 균일하게 공급하기 위한 샤워 헤드를 구비한다. 상기 반도체 웨이퍼 상에 형성되는 막의 종류에 따라 상기 샤워 헤드와 상기 반도체 웨이퍼 사이의 거리를 조절하기 위해 구동부는 상기 스테이지를 상승 및 하강시킨다. 상기 반도체 웨이퍼 상에 형성되는 막의 종류에 따라 온/오프 되도록 상기 공정 챔버와 연결되는 고주파 전원은 상기 반응 가스를 플라즈마 상태로 변환한다. 온도 조절부는 상기 스테이지의 온도를 조절한다.

4. 发明授权

KR100585160B1 이온 전류 밀도를 향상시킬 수 있는 아크 챔버를 갖는이온 주입 장치 有权
标题翻译：具有电弧室的离子注入机用于提高离子电流密度
公开(公告)号：KR100585160B1
公开(公告)日：2006-05-30
申请号：KR1020040075116
申请日：2004-09-20
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 권의희 , 금경수 , 정원영 , 차광호 , 김영태 , 채승기 , 원제형 , 박영관 , 김태경
IPC分类号： H01L21/265 , H01J37/30
CPC分类号： H01J37/08 , H01J27/08 , H01J2237/082 , H01J2237/31703
摘要： 이온 주입 장치를 제공한다. 본 발명은 내부에 일정 공간을 갖는 아크 챔버를 포함한다. 상기 아크 챔버 내의 일측에는 열전자를 방출하는 필라멘트가 위치하고, 상기 아크 챔버 내의 타측에는 상기 열전자의 소모를 방지하는 리펠러가 위치한다. 본 발명은 상기 아크 챔버 내에 자기장을 제공하는 전자석을 구비하고, 상기 아크 챔버의 바디나 내벽 형태가 외측으로 볼록하게 되어 있다. 이에 따라, 본 발명은 열전자가 바디에서 소모되지 않아 전자 손실을 줄여 아크 챔버로부터 방출되는 양이온의 이온 전류 밀도를 크게 향상시킬 수 있다.

5. 发明公开

KR1020070064912A ＣＶＤ 장치의 샤워 헤드 无效
标题翻译：化学蒸气沉积装置的淋浴头
公开(公告)号：KR1020070064912A
公开(公告)日：2007-06-22
申请号：KR1020050125517
申请日：2005-12-19
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 홍형식 , 원제형 , 허노현 , 금경수 , 박영권 , 김기곤 , 강주호 , 강경호 , 최진호
IPC分类号： C23C16/00
CPC分类号： C23C16/45565 , C23C16/45574
摘要： A shower head in which a plurality of process gases are mixed with each other to prevent an undesired reaction by-product from being generated is provided. A shower head(100) of a chemical vapor deposition apparatus comprises: an upper plate(103a) connected to first and second process gas supply pipes(121,122); an intermediate plate(103b) which is connected to the bottom of the upper plate through brazing by means of a filler metal(150), wherein the intermediate plate has a first process gas diffusing part(131) formed by connecting the intermediate plate to the upper plate to diffuse a first process gas supplied through the first process gas supply pipe, a plurality of first process gas channels(132) communicating with the first process gas diffusing part, a port(130) which is in communication with the second process gas supply pipe, and in which a second process gas channel(142) is formed, and second process gas diffusing parts(141) formed for diffusing a second process gas delivered through the second process gas channel; and a lower plate(103c) which is connected to the bottom of the intermediate plate through brazing by means of the filler metal, wherein the lower plate has a plurality of first process gas ejection holes(133) communicating with the first process gas channels, and a plurality of second process gas ejection holes(143) communicating with the second process gas diffusing parts.
摘要翻译：提供了一种淋浴头，其中多个处理气体彼此混合以防止产生不期望的反应副产物。化学气相沉积设备的喷头（100）包括：连接到第一和第二工艺气体供应管（121,122）的上板（103a）; 中间板（103b），其通过钎料（150）与所述上板的底部连接，其中所述中间板具有通过将所述中间板连接到所述中间板而形成的第一工艺气体扩散部（131）上板，用于扩散通过第一工艺气体供应管供应的第一工艺气体;与第一工艺气体扩散部分连通的多个第一工艺气体通道（132），与第二工艺气体连通的端口（130）供给管，其中形成有第二处理气体通道（142）;以及第二处理气体扩散部（141），其形成为扩散通过第二处理气体通道输送的第二处理气体; 和通过所述填充金属钎焊连接到所述中间板的底部的下板（103c），其中所述下板具有与所述第一工艺气体通道连通的多个第一工艺气体喷射孔（133）以及与第二处理气体扩散部连通的多个第二处理气体喷出孔（143）。

6. 发明公开

KR1020050040274A 플라즈마 발생용 안테나 및 이를 갖는 플라즈마 처리장치 无效
标题翻译：用于生成等离子体和等离子体处理装置的天线
公开(公告)号：KR1020050040274A
公开(公告)日：2005-05-03
申请号：KR1020030075436
申请日：2003-10-28
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김우석 , 채승기 , 감도영 , 이광명 , 원제형 , 신재광 , 오재준 , 전상진
IPC分类号： H05H1/26
摘要： 플라즈마 발생용 안테나는 동일한 형상을 갖는 브랜치들을 포함한다. 브랜치들은 서로 대칭적으로 배치되어 동일한 중심을 갖는 적어도 2개의 동심 패턴을 형성한다. 브랜치는 동심 패턴의 중심으로부터 점진적으로 증가하는 반경들을 갖는 동심패턴 형성부들과, 동심패턴 형성부들을 연결하는 연결부들을 포함한다. 각 브랜치의 양단에 전압 인가와 접지를 위한 입출력 포트가 형성된다. 동일 형상을 갖는 브랜치들이 대칭적으로 배치되어 동심 패턴들을 형성하게 되므로, 플라즈마를 균일하게 발생시킬 수가 있다. 또한, 브랜치들은 고주파 전원에 병렬로 연결되므로, 임피던스가 낮아져서 RF 파워의 전달 효율이 증가된다.

7. 发明公开

KR1020020075056A 텅스텐 실리사이드막의 형성방법 失效
标题翻译：形成铁氧体膜的方法
公开(公告)号：KR1020020075056A
公开(公告)日：2002-10-04
申请号：KR1020010015225
申请日：2001-03-23
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 원제형
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： C23C16/45512 , C23C16/42 , C23C16/4401
摘要： PURPOSE: A tungsten silicide film formation method is provided to prevent a visual failure and a damage due to Cl radical by using hydrogen-compound gas for resolving the Cl radical. CONSTITUTION: A semiconductor substrate having a polysilicon layer is loaded in a reaction chamber of PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)(S10). A tungsten source gas such as WF6, a silicon source gas as SiH2Cl2, and a hydrogen-compound gas for resolving Cl radical are supplied to the reaction chamber(S12). A tungsten silicide film is then deposited on the semiconductor substrate by using the WF6, SiH2Cl2 and the hydrogen-compound gas as a reacting gas(S14). The surface of the deposited tungsten silicide film is post-polished by supplying the hydrogen-compound gas(S16). The hydrogen-compound gas is one selected from group consisting of B2H6, PH3, AsH3 and NH3.
摘要翻译：目的：提供一种硅化钨膜形成方法，以通过使用氢化合物气体来分离Cl自由基来防止视觉破坏和由Cl自由基引起的损伤。构成：将具有多晶硅层的半导体衬底装载在PECVD（等离子体增强化学气相沉积）的反应室中（S10）。将诸如WF6的钨源气体，SiH2Cl2的硅源气体和用于分解Cl自由基的氢化合物气体供应到反应室（S12）。然后通过使用WF 6，SiH 2 Cl 2和氢化合物气体作为反应气体，在半导体衬底上沉积硅化钨膜（S14）。通过供给氢化合物气体对沉积的硅化钨膜的表面进行后抛光（S16）。氢化合物气体选自B2H6，PH3，AsH3和NH3。

8. 发明公开

KR1020020061261A 반도체 기판 상에 실리사이드막을 형성하는 방법 无效
标题翻译：在半导体衬底上形成硅化物膜的方法
公开(公告)号：KR1020020061261A
公开(公告)日：2002-07-24
申请号：KR1020010002219
申请日：2001-01-15
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 원제형 , 박주환 , 김호식 , 박영규
IPC分类号： H01L21/24
摘要： PURPOSE: A method for forming a silicide film on a semiconductor substrate is provided to minimize the influence due to the chlorine and the abnormal crystal of silicon chloride when forming a tungsten silicide film from the tungsten silicide material by using a dichlorosilane gas. CONSTITUTION: A silicon substrate having a polysilicon film is placed in a chamber for carrying out the plasma chemical vapor deposition(S10). The substrate is heated to the temperature of 450-700 deg.C by heating the chamber and maintaining the chamber at a pressure of 1000-1500 mTorr(S12). After applying the power having an RF(Radio Frequency) to the chamber, the tungsten silicide film is formed on a part of the polysilicon film by forming the mixture gas plasma of SiH2Cl2, WF6 and NH3 gas(S14). The chlorine formed by the formation of the tungsten silicide film is removed by supplying a NH3 gas to the chamber(S16).
摘要翻译：目的：提供一种在半导体衬底上形成硅化物膜的方法，以便通过使用二氯硅烷气体从硅化钨材料形成硅化钨膜时，最小化由于氯和氯化硅异常晶体引起的影响。构成：将具有多晶硅膜的硅衬底放置在用于进行等离子体化学气相沉积的室中（S10）。通过加热室并将室保持在1000-1500mTorr的压力（S12），将基板加热至450-700℃的温度。在将具有RF（射频）的电力施加到室之后，通过形成SiH 2 Cl 2，WF 6和NH 3气体的混合气体等离子体，在多晶硅膜的一部分上形成硅化钨膜（S14）。通过向室供应NH 3气体来除去由形成硅化钨膜形成的氯（S16）。

9. 发明授权

KR101901781B1 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 有权
公开(公告)号：KR101901781B1
公开(公告)日：2018-10-01
申请号：KR1020140056645
申请日：2014-05-12
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이의형 , 이동현 , 김진형 , 원제형 , 이상현 , 최진호
IPC分类号： H01L21/66 , H01L21/02 , H01L21/08
CPC分类号： H01L21/306 , C25D17/001 , C25D21/14 , H01L21/2885 , H01L21/30604 , H01L21/3063 , H01L21/67086 , H01L21/67253 , H01L21/76898 , H01L22/26
摘要： 기판처리장치및 기판처리방법이제공된다. 기판처리장치는, 제 1 및제 2 소스의처리용액으로기판처리공정을수행하는기판처리부와, 상기제 1 및상기제 2 소스를상기기판처리부에제공하는소스공급부와, 상기처리용액내의상기제 2 소스의농도또는상기처리용액의 PH를검출하고, 표준용액으로상기제 2 소스의측정기준값을교정하는분석기들과, 상기소스공급부로부터상기제 1 및상기제 2 소스를제공받아상기표준용액을제조하고상기표준용액을상기분석기에제공하는표준용액공급부를포함한다.

10. 发明公开

KR1020160083715A 가스 분사 유닛을 포함하는 반도체 공정 설비 审中-实审
标题翻译：具有气体喷射单元的半导体处理装置
公开(公告)号：KR1020160083715A
公开(公告)日：2016-07-12
申请号：KR1020150000181
申请日：2015-01-02
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 임홍택 , 남정훈 , 박철 , 서영채 , 원제형 , 이승무 , 한동훈
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/683
CPC分类号： C23C16/45512 , C23C16/4412 , C23C16/45565 , C23C16/45574 , C23C16/45591 , H01L21/02263 , H01L21/683
摘要： 반도체공정설비가제공된다. 상기반도체공정설비는공정대상물을지지하는서셉터; 상기서셉터와이격되고, 상기공정대상물의상부면과마주보는오목영역및 상기오목영역의외측에위치하는경사면을포함하는가스박스; 및상기가스박스의상기오목영역내에위치하는샤워헤드를포함한다. 상기가스박스의상기경사면의경사각은 10°초과 35°미만이다.
摘要翻译：提供半导体处理设备。半导体处理设备包括：基座，被配置为支撑被处理物体; 与所述基座间隔开的气体箱，并且包括面对所述待处理物体的上表面的凹部区域和设置在所述凹部区域的外侧的倾斜面; 以及位于气箱的凹部区域中的淋浴喷头。气箱倾斜面倾斜角大于10°，小于35°。因此，半导体处理装置能够防止处理气体对待处理物体的速度的快速变化。

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