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1. 发明公开

KR1020080000990A 기판처리장치 无效
标题翻译：用于处理基板的装置
公开(公告)号：KR1020080000990A
公开(公告)日：2008-01-03
申请号：KR1020060058962
申请日：2006-06-28
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 홍형식 , 허노현 , 최해문 , 박준호 , 김광현 , 강주호
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： C23C16/45574 , C23C16/45559 , C23C16/45565
摘要： A substrate treatment apparatus is provided to uniformly spray a reaction gas on one surface of a wafer by symmetrically arranging first and second diffusion holes on the basis of a center of a wafer. An upper spray plate(320) is installed below an upper wall of a process chamber(10) to form an upper buffer in which a first gas stays. The upper spray plate has plural first diffusion holes for spraying the first gas and plural second diffusion holes for spraying a second gas. A lower spray plate(340) is installed below the upper spray plate to form a lower buffer in which the second gas stays. The lower spray plate has plural first spray holes for spraying the first gas and plural second spray holes for spraying the second gas. A first communication line(380) communicates the first diffusion holes with the first spray holes, and a second communication line(360) communicates second supply holes(18) with the second spray holes. The second supply holes correspond to a center of the substrate, and the first diffusion holes are symmetrical to the second diffusion holes.
摘要翻译：提供了一种基板处理装置，用于通过基于晶片的中心对称地布置第一和第二扩散孔，将反应气体均匀地喷射在晶片的一个表面上。上喷雾板（320）安装在处理室（10）的上壁下方，以形成其中第一气体停留的上缓冲器。上喷射板具有用于喷射第一气体的多个第一扩散孔和用于喷射第二气体的多个第二扩散孔。下喷雾板（340）安装在上部喷雾板的下方，形成下部缓冲器，其中第二种气体停留在其中。下喷射板具有用于喷射第一气体的多个第一喷射孔和用于喷射第二气体的多个第二喷射孔。第一通信线路（380）将第一扩散孔与第一喷射孔连通，第二连通线路（360）将第二供给孔（18）与第二喷射孔连通。第二供给孔对应于基板的中心，第一扩散孔与第二扩散孔对称。

2. 发明授权

KR100572325B1 이온 주입 장치 및 이를 이용한 이온 주입 방법 失效
标题翻译：离子注入装置及使用其的离子注入方法
公开(公告)号：KR100572325B1
公开(公告)日：2006-04-19
申请号：KR1020030092634
申请日：2003-12-17
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 금경수 , 채승기 , 홍형식 , 차상엽 , 한재현 , 임태섭 , 강현규 , 윤길중 , 송두근
IPC分类号： H01L21/265
CPC分类号： H01J37/3171 , H01J37/304 , H01J2237/0044
摘要： 본 발명은 이온 주입 장치 및 이를 이용한 이온 주입 방법을 개시한다. 개시된 본 발명의 이온 주입 장치는, 회전 디스크를 내장하고 밀폐된 공간을 정의하는 디스크 챔버에 고정 설치되어 상기 회전 디스크에 마운팅되는 웨이퍼의 표면과 근접 대향하여 웨이퍼 표면의 대전 상태를 읽는 전하 감지기를 포함하는 것을 특징으로 한다. 개시된 본 발명의 이온 주입 방법은, 양이온을 생성시키는 단계와; 상기 양이온에 전자를 제공하여 상기 양이온을 중성화하는 단계와; 상기 중성화된 입자를 회전 디스크에 마운팅된 웨이퍼에 주입시키는 단계와; 상기 웨이퍼의 표면 전하 상태를 감지하는 단계와; 상기 감지 결과 상기 웨이퍼의 표면 전하 상태가 중성 상태가 아니면 상기 웨이퍼의 표면 전하 상태를 중성화되도록 제어하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 따르면, 전하 감지기는 이온 빔에 의한 증착으로부터 자유롭게 되어 이온 빔 증착으로 인한 노이즈 증가를 방지할 수 있다. 따라서, 신호/노이즈 비가 향상되어 이온 주입의 신뢰성이 확보되는 효과가 있다.
摘要翻译：本发明公开了一种离子注入装置以及使用该离子注入装置的离子注入方法。本发明的所公开的离子注入装置，被牢固地固定到盘室，其包含一个旋转盘，并限定一个封闭的空间，电荷检测器来读取晶片表面的带电状态朝靠近晶片的表面将被安装在旋转圆盘而且，其特征在于。所公开的本发明的离子注入方法包括：产生阳离子; 向阳离子提供电子以中和阳离子; 将中和的颗粒注入安装在旋转盘上的晶片上; 感测晶片的表面电荷状态; 并且如果晶片的表面电荷状态由于检测而不是中性状态，则控制晶片的表面电荷状态为中性。据此，电荷检测器不会被离子束沉积，并且可以防止由于离子束沉积而导致的噪声增加。因此，具有提高信噪比的效果，确保离子注入的可靠性。

3. 发明公开

KR1020040093534A 고밀도 플라즈마를 이용하는 화학기상증착 설비의공정가스 공급장치 无效
标题翻译：使用高密度等离子体改善供应结构结构的CVD设备的工艺气体供应设备
公开(公告)号：KR1020040093534A
公开(公告)日：2004-11-06
申请号：KR1020030027436
申请日：2003-04-30
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 차상엽 , 홍주표 , 박충훈 , 이욱현 , 김정규 , 홍형식
IPC分类号： H01L21/205
摘要： PURPOSE: A process gas supply apparatus of CVD(Chemical Vapor Deposition) equipment using high density plasma is provided to distribute uniformly process gas on the upper surface of a wafer by improving the structure of a supply nozzle. CONSTITUTION: A process gas supply apparatus includes a plurality of supply nozzles. The supply nozzle for spraying process gas to the center of a wafer includes a body part and a curve part. The body part(24a) is formed into a pipe shape. The curve part(24b) is prolonged from an end of the body part. The angle between the curve part and a length direction of the body part is in the range of 30 to 80 degrees.
摘要翻译：目的：提供使用高密度等离子体的CVD（化学气相沉积）设备的工艺气体供应装置，通过改进供应喷嘴的结构来均匀地分布在晶片的上表面上的工艺气体。构成：工艺气体供给装置包括多个供给喷嘴。用于将处理气体喷射到晶片中心的供应喷嘴包括主体部分和曲线部分。主体部（24a）形成为管状。弯曲部分（24b）从主体部分的端部延伸。曲线部分与身体部位的长度方向之间的角度在30至80度的范围内。

4. 发明公开

KR1020040043026A 리프팅 장치 无效
标题翻译：提升装置
公开(公告)号：KR1020040043026A
公开(公告)日：2004-05-22
申请号：KR1020020071018
申请日：2002-11-15
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 홍형식 , 금경수 , 박충훈 , 조정훈 , 류시원
IPC分类号： H01L21/68
摘要： PURPOSE: A lifting apparatus is provided to be capable of restraining the generation of a popping phenomenon and stably loading and unloading a semiconductor substrate. CONSTITUTION: A lifting apparatus includes a socket(110) connected to the lower portion of the first hole. At this time, the socket has the second hole having the same pivot as the first hole. The lifting apparatus further includes a bellows(120) connected with the lower portion of the socket and a lift pin(130). The lift pin includes a load integrated along the pivot of the second hole and bellows for loading and unloading a process object part by the motion of the bellows, and a head formed at the upper portion of the load for supporting the process object part. A path is formed between the second hole and the lift pin for exhausting the gas of the bellows while the bellows is shrunk. Preferably, a groove and the third hole are used as the path.
摘要翻译：目的：提供一种能够抑制产生爆裂现象并稳定地加载和卸载半导体衬底的提升装置。构成：提升装置包括连接到第一孔的下部的插座（110）。此时，插座具有与第一孔相同的枢轴的第二孔。提升装置还包括与插座的下部连接的波纹管（120）和升降销（130）。提升销包括沿着第二孔和波纹管的枢轴一体化的负载，用于通过波纹管的运动装载和卸载处理对象部分，以及形成在用于支撑处理对象部分的负载的上部的头部。在波纹管收缩时，在第二孔和提升销之间形成有用于排出波纹管的气体的路径。优选地，使用槽和第三孔作为路径。

5. 发明授权

KR100363333B1 반도체 웨이퍼 공정 시스템의 고전압 챔버의 파라미터를 모니터링하기 위한 장치 失效
标题翻译：用于监测半导体晶片处理系统的高压室参数的设备
公开(公告)号：KR100363333B1
公开(公告)日：2002-12-05
申请号：KR1020000073012
申请日：2000-12-04
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 전상문 , 금경수 , 홍형식
IPC分类号： H01L21/66
摘要： 여기에 개시된 본 발명의 신규한 반도체 웨이퍼 공정 파라미터 모니터링 장치는, 이온 주입기와 같이 고 에너지를 사용하는 반도체 제조 장비로부터 발생되는 공정 파라미터가 전기적 신호에서 광 신호로 변환되어 출력되면, 이를 다시 전기적 신호로 변환한 후, 변환된 신호를 실시간으로 모니터링한다. 여기서, 모니터링되는 상기 공정 파라미터들은 반도체 제조 장비가 가지고 있는 높은 전위차에 영향을 받지 않으므로, 측정시 계측 장치 등에 손상을 주지 않는다.

6. 发明授权

KR100257901B1 반도체장치 제조용 웨이퍼 정렬장치 失效
标题翻译：用于半导体器件制造的波形对准装置
公开(公告)号：KR100257901B1
公开(公告)日：2000-06-01
申请号：KR1019970066718
申请日：1997-12-08
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 안성수 , 홍형식
IPC分类号： H01L21/00
CPC分类号： H01L21/68
摘要： PURPOSE: An apparatus for aligning a wafer in semiconductor manufacturing equipment is provided to transfer generated electric static electricity to the outside by using a guide roller. CONSTITUTION: An apparatus for aligning a wafer in semiconductor manufacturing equipment comprises a cassette support plate(1), a guide roller(4), and a wafer support plate(3). The cassette support plate(1) loads a cassette for loading and unloading wafers(2). The guide roller(4) is rotated by being contacted with wafers(2) within the cassette. The wafer support plate(3) is rotated by being contacted with the guide roller(4). The wafer support plate(3) supports aligned wafers(2). The guide roller(4) is formed with polyether including a carbon fiber.
摘要翻译：目的：提供一种用于对准半导体制造设备中的晶片的装置，以通过使用导辊将产生的电静电转移到外部。构成：用于在半导体制造设备中对准晶片的装置包括盒支撑板（1），导辊（4）和晶片支撑板（3）。盒支撑板（1）装载用于装载和卸载晶片（2）的盒。引导辊（4）通过与盒内的晶片（2）接触而旋转。晶片支撑板（3）通过与引导辊（4）接触而旋转。晶片支撑板（3）支撑对准的晶片（2）。引导辊（4）由具有碳纤维的聚醚构成。

7. 发明公开

KR1019980074185A 마이크로스코프 검사장비의 전원 스위치장치 및 그 방법 无效
标题翻译：显微镜检查设备的电源开关装置和方法
公开(公告)号：KR1019980074185A
公开(公告)日：1998-11-05
申请号：KR1019970009878
申请日：1997-03-21
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 홍형식 , 윤명식 , 우창우
IPC分类号： H01L21/66
摘要： 마이크로스코프 검사장비에 전원을 자동으로 인가하거나 차단하도록 하는 마이크로스코프 검사장비의 전원 스위치장치 및 그 방법에 관한 것이다.
본 발명은 마이크로스코프 검사장비를 구성하는 각 구성부에 인가되는 전원을 선택적으로 차단하도록 하는 전원 스위치장치에 있어서, 상기 마이크로스코프 검사장비의 소정 위치에 작업자가 위치됨을 감지하는 인체 감지센서와, 상기 인체 감지센서로부터 인가되는 신호를 통해 마이크로스코프 검사장비의 전원을 선택적으로 차단하는 제어부를 포함하여 구성됨을 특징으로 한다.
따라서, 본 발명에 의하면, 마이크로스코프 검사장비의 사용할 때에만 전원을 인가하도록 함으로써 불필요한 전원에 의한 구성부의 가열 현상이 방지되어 생산라인 내의 온도 상승과 전력 소모를 줄이게 되고, 불필요한 구성부의 사용이 중단됨에 따라 마이크로스코프 검사장비의 수명이 연장되며, 이에 따라 마이크로스코프 검사장비의 관리가 용이한 이점이 있다.

8. 发明公开

KR1020060085358A 막 형성 장치 无效
公开(公告)号：KR1020060085358A
公开(公告)日：2006-07-27
申请号：KR1020050006172
申请日：2005-01-24
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 홍형식 , 채승기 , 원제형 , 금경수 , 하태홍
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： C23C16/4586 , C23C16/06 , C23C16/45565 , C23C16/509 , C23C16/513
摘要： 반도체 웨이퍼 상에 막을 형성하기 위한 막 형성 장치는 공정 챔버 내부에 상기 반도체 웨이퍼를 지지하기 위한 스테이지와 막 형성을 위해 상기 공정 챔버로 공급되는 반응 가스를 상기 반도체 웨이퍼 상으로 균일하게 공급하기 위한 샤워 헤드를 구비한다. 상기 반도체 웨이퍼 상에 형성되는 막의 종류에 따라 상기 샤워 헤드와 상기 반도체 웨이퍼 사이의 거리를 조절하기 위해 구동부는 상기 스테이지를 상승 및 하강시킨다. 상기 반도체 웨이퍼 상에 형성되는 막의 종류에 따라 온/오프 되도록 상기 공정 챔버와 연결되는 고주파 전원은 상기 반응 가스를 플라즈마 상태로 변환한다. 온도 조절부는 상기 스테이지의 온도를 조절한다.

9. 发明授权

KR100534209B1 반도체소자 제조용 화학기상증착 공정설비 失效
标题翻译：用于制造半导体器件的化学气相沉积制造设备
公开(公告)号：KR100534209B1
公开(公告)日：2005-12-08
申请号：KR1020030052178
申请日：2003-07-29
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 홍형식 , 금경수 , 김용갑 , 박충훈 , 배도인 , 채승기 , 조정훈
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： H01L21/67103 , C23C16/4586
摘要： 본 발명은 절연막이나 금속막을 증착하는 반도체소자 제조용 화학기상증착 공정설비에 관한 것으로서, 이에 대한 특징적인 구성은, 하부 중심 부위에 배기라인을 연결한 챔버와; 상기 챔버 내부로 투입된 기판의 저면을 받쳐 지지하는 판 형상으로 내부에 히팅 플레이트를 구비한 히터블록; 및 상기 챔버 바닥을 관통하여 상기 히터블록의 하부를 받쳐 지지하는 관 형상으로 상기 히팅 플레이트의 전선이 상기 챔버 하측으로 연장 돌출되게 안내하는 지지축을 포함한 구성으로 이루어진다.

10. 发明授权

KR100503525B1 웨이퍼 얼라인 장치 및 웨이퍼 얼라인 방법 失效
标题翻译：晶圆对准器和对准晶片的方法
公开(公告)号：KR100503525B1
公开(公告)日：2005-07-22
申请号：KR1020020085746
申请日：2002-12-28
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 금경수 , 홍형식 , 박충훈 , 허장무 , 이상민 , 강현규
IPC分类号： H01L21/027
摘要： 웨이퍼 얼라인 장치 및 웨이퍼 얼라인 방법이 개시되어 있다. 웨이퍼 척 상에 웨이퍼를 로딩한다. 상기 로딩된 웨이퍼의 플랫존을 센싱할 수 있도록 센싱 감도를 조절한다. 상기 웨이퍼 가장자리에서 일부 차단되거나 통과된 광을 수광하여 상기 로딩된 웨이퍼의 플랫존을 센싱한다. 상기 센싱된 플랫존의 위치를 기준으로 상기 웨이퍼가 원하는 오리엔트 각도에 위치시키기 위한 웨이퍼 척의 회전각을 계산한다. 이어서, 상기 웨이퍼 척을 상기 회전각만큼 수평 회전시킨 후 정지시킴으로서 웨이퍼를 원하는 위치에 얼라인한다. 따라서, 수회에 걸쳐 회전하지 않더라도 상기 웨이퍼를 원하는 오리엔트 각을 갖도록 얼라인할 수 있다.

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