专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明授权

KR100878772B1 압전 구동기를 갖춘 레이저 파장 제어 유닛 有权
标题翻译：具有压电驱动器的激光波长控制单元
公开(公告)号：KR100878772B1
公开(公告)日：2009-01-14
申请号：KR1020037011272
申请日：2002-02-15
申请人： 사이머 엘엘씨
发明人： 스팽글러로날드엘. , 자크로버트엔. , 룰존에이. , 팔렌샤트프레데릭에이. , 포멘코프이고르브이. , 알고츠존엠. , 립콘쟈콥피. , 샌드스트롬리차드엘.
IPC分类号： H01S3/10
CPC分类号： G03F7/70575 , G03F7/70025 , G03F7/70041 , G03F7/70333 , G03F7/70933 , H01S3/02 , H01S3/036 , H01S3/038 , H01S3/0385 , H01S3/0404 , H01S3/041 , H01S3/08036 , H01S3/097 , H01S3/0971 , H01S3/0975 , H01S3/104 , H01S3/105 , H01S3/1055 , H01S3/1305 , H01S3/1312 , H01S3/134 , H01S3/137 , H01S3/22 , H01S3/2207 , H01S3/225
摘要： 고속 파장 보정 기능을 갖춘 전기 방전 레이저가 개시되었다. 고속 파장 보정 장비는 적어도 하나의 압전 구동기와 고속 파장 측정 시스템(104)과 고속 피드백 응답 시간을 포함한다. 바람직한 실시예에서, 수밀리미터의 저속 시간 프레임, 약 1 내지 5 밀리초의 중속 시간 프레임 및 수 마이크로초의 초고속 프레임상에서 파장을 제어하기 위해 장비가 제공된다. 바람직한 기술은 튜닝 미러를 사용하여 레이저 파장을 튜닝하기 위해 초고속 압전 구동기와 비교적 저속인 스테퍼 모터의 조합을 포함한다. 초고속 파장 제어는 압전 구동기와의 조합으로 압전 로드 셀에 제공된다. 바람직한 실시예는 파장 측정치, 고속 진동 제어, 로드 셀 및 액티브 댐핑 모듈(320)을 사용한 액티브 댐핑, 및 이력 버스트 데이터를 기초로 하여 피드 포워드 알고리즘을 사용한 트랜지언트 반전에 기초하여 고속 피드백 제어를 제공한다.
전기 방전 레이저, 파장 보정, 튜닝 미러, 압전 구동기, 댐핑, 버스트 데이터, 피드백 제어, 스테퍼 모터

2. 发明授权

KR100767301B1 헬륨 퍼지된 라인 협소화 유닛을 구비한 고전력 가스 방전레이저 有权
标题翻译：高功率气体放电激光器，带有直径线的纳米单元
公开(公告)号：KR100767301B1
公开(公告)日：2007-10-17
申请号：KR1020027006940
申请日：2000-11-22
申请人： 사이머 엘엘씨
发明人： 파틀로윌리엄엔. , 샌드스트롬리차드엘. , 사이벌스키레이몬드에프. , 포멘코프이고르브이. , 에르쇼프알렉산더아이.
IPC分类号： H01S3/22
摘要： 높은 반복률의 고 에너지 레이저 빔을 생성하는 라인 협소화된 레이저내의 열 왜곡을 최소화하는 격자 기반 라인 협소화 디바이스용 헬륨 퍼지가 개시된다. 출원인은 종래의 질소 퍼지에 비해 헬륨 퍼지를 사용함으로써 성능면에서 실질적인 향상을 보여주었다. 바람직한 실시예에서, 헬륨 가스의 흐름은 격자(16)를 가로지른다. 다른 실시예에서, 퍼지 가스 압력은 감소되어서, 고온 가스 레이어의 광학효과를 감소시킨다.
반복률, 헬륨 가스, 퍼지 가스, 고온 가스 레이어, 매니폴드

3. 发明公开

KR1020070091603A ＥＵＶ 콜렉터 파편 관리 失效
标题翻译： EUV收集器破产管理
公开(公告)号：KR1020070091603A
公开(公告)日：2007-09-11
申请号：KR1020077009514
申请日：2005-10-20
申请人： 사이머 엘엘씨
发明人： 파틀로윌리엄엔. , 포멘코프이고르브이. , 에르쇼프알렉산더아이. , 올드햄윌리엄 , 햄버그오스카 , 마르크스윌리엄에프.
IPC分类号： H01L21/306
CPC分类号： B08B7/00
摘要： A method and apparatus that may comprise an EUV light producing mechanism utilizing an EUV plasma source material comprising a material that will form an etching compound, which plasma source material produces EUV light in a band around a selected center wavelength comprising: an EUV plasma generation chamber; an EUV light collector contained within the chamber having a reflective surface containing at least one layer comprising a material that does not form an etching compound and/or forms a compound layer that does not significantly reduce the reflectivity of the reflective surface in the band; an etchant source gas contained within the chamber comprising an etchant source material with which the plasma source material forms an etching compound, which etching compound has a vapor pressure that will allow etching of the etching compound from the reflective surface. The etchant source material may comprises a halogen or halogen compound. The etchant source material may be selected based upon the etching being stimulated in the presence of photons of EUV light and/or DUV light and/or any excited energetic photons with sufficient energy to stimulate the etching of the plasma source material. The apparatus may further comprise an etching stimulation plasma generator providing an etching stimulation plasma in the working vicinity of the reflective surface; and the etchant source material may be selected based upon the etching being stimulated by an etching stimulation plasma. There may also be an ion accelerator accelerating ions toward the reflective surface. The ions may comprise etchant source material. The apparatus and method may comprise a part of an EUV production subsystem with an optical element to be etched of plasma source material.
摘要翻译：可以包括使用EUV等离子体源材料的EUV发光机构的方法和装置，所述EUV等离子体源材料包括将形成蚀刻化合物的材料，所述等离子体源材料在所选择的中心波长周围的带内产生EUV光，包括：EUV等离子体产生室 ; 包含在室内的EUV光收集器具有反射表面，该反射表面包含至少一层，该层包含不形成蚀刻化合物的材料和/或形成不显着降低该带中的反射表面的反射率的化合物层; 包含在腔室内的蚀刻剂源气体包括蚀刻剂源材料，等离子体源材料与蚀刻剂源材料形成蚀刻化合物，该蚀刻化合物具有允许从反射表面蚀刻蚀刻化合物的蒸气压。蚀刻剂源材料可以包含卤素或卤素化合物。蚀刻剂源材料可以基于在存在EUV光和/或DUV光的光子和/或具有足够能量以激发等离子体源材料的蚀刻的任何激发能量光子的情况下被激发的蚀刻来选择。该装置还可以包括在反射表面的工作附近提供蚀刻刺激等离子体的蚀刻刺激等离子体发生器; 并且蚀刻剂源材料可以基于通过蚀刻刺激等离子体刺激的蚀刻来选择。还可以存在离子加速剂将离子朝向反射表面加速。离子可以包括蚀刻剂源材料。该装置和方法可以包括具有待蚀刻的等离子体源材料的光学元件的EUV生产子系统的一部分。

4. 发明公开

KR1020060125903A 고 반복율 레이저 발생 플라즈마 ＥＵＶ 광원 有权
标题翻译：高重复率激光器生产等离子体光源
公开(公告)号：KR1020060125903A
公开(公告)日：2006-12-06
申请号：KR1020067019050
申请日：2005-03-03
申请人： 사이머 엘엘씨
发明人： 아킨스로버트피. , 샌드스트롬리차드엘. , 파르틀로윌리암엔. , 포멘코프이고르브이. , 스타이거토마스디. , 알고츠마틴제이. , 보워링노버트알 , 자크스로버트엔. , 팔렌샤트프레데릭에이. , 송준
IPC分类号： G01J1/00 , G03F7/20 , H01J35/20 , H01J65/04
CPC分类号： B82Y10/00 , G03F7/70033 , H05G2/003 , H05G2/008
摘要： An EUV light source apparatus (20) comprises a pulse laser (22) providing laser pulses (55) at a selected pulse repetition rate focused at a desired target ignition site (28); a target formation system (92) providing discrete targets (94); a target steering system (350) intermediate the target formation system (92) and the ignition site (28); a target tracking system (42) providing information about movement of the target (94) between the target formation system (92) and the target steering system (350); an electrostatic plasma containment apparatus (314) providing an electric plasma confinement field (316) at or near the ignition site (28) at the time of ignition; a vessel (30) having an intermediate wall (282) for passing EUV light; and a magnetic plasma confinement mechanism (329) creating a magnetic field (320) in the vicinity of the ignition site (28).
摘要翻译： EUV光源装置（20）包括脉冲激光器（22），所述脉冲激光器以聚焦在期望的目标点火现场（28）的选定的脉冲重复频率提供激光脉冲（55）; 提供离散目标（94）的目标形成系统（92）; 在目标形成系统（92）和点火位置（28）之间的目标转向系统（350）; 目标跟踪系统（42）提供关于目标形成系统（92）和目标转向系统（350）之间的目标（94）的移动的信息; 静电等离子体容纳装置（314），其在点火时在点火现场（28）处或附近提供电等离子体限制场（316）; 具有用于使EUV光通过的中间壁（282）的容器（30）以及在点火现场（28）附近产生磁场（320）的磁等离子体限制机构（329）。

5. 发明公开

KR1020050111619A ＥＵＶ광원용 콜렉터 失效
标题翻译： EUV光源收集器
公开(公告)号：KR1020050111619A
公开(公告)日：2005-11-25
申请号：KR1020057018039
申请日：2004-04-07
申请人： 사이머 엘엘씨
发明人： 파틀로윌리엄엔. , 알고츠제이.마틴 , 블루멘스톡게리엠. , 바우어링노버트 , 어쇼브알렉산더아이. , 포멘코프이고르브이. , 판지아오지앙제이.
IPC分类号： H01S3/10
CPC分类号： H05G2/001 , B82Y10/00 , G03F7/70033 , G03F7/70175 , G03F7/70916 , G21K1/062
摘要： A method and apparatus for debris removal from a reflecting surface of an EUV collector in an EUV light source is disclosed which may comprise the reflecting surface comprises a first material and the debris comprises a second material and/or compounds of the second material, the system and method may comprise a controlled sputtering ion source which may comprise a gas comprising the atoms of the sputtering ion material; and a stimulating mechanism exciting the atoms of the sputtering ion material into an ionized state, the ionized state being selected to have a distribution around a selected energy peak that has a high probability of sputtering the second material and a very low probability of sputtering the first material. The stimulating mechanism may comprise an RF or microwave induction mechanism. The gas is maintained at a pressure that in part determines the selected energy peak and the stimulating mechanism may create an influx of ions of the sputtering ion material that creates a sputter density of atoms of the second material from the reflector surface that equals or exceeds the influx rate of the plasma debris atoms of the second material. A sputtering rate may be selected for a given desired life of the reflecting surface. The reflecting surface may be capped. The collector may comprise an elliptical mirror and a debris shield which may comprise radially extending channels. The first material may be molybdenum, the second lithium and the ion material may be helium. The system may have a heater to evaporate the second material from the reflecting surface. The stimulating mechanism may be connected to the reflecting surface between ignition times. The reflecting surface may have barrier layers. The collector may be a spherical mirror in combination with grazing angle of incidence reflector shells, which may act as a spectral filter by selection of the layer material for multi-layer stacks on the reflector shells. The sputtering can be in combination with heating, the latter removing the lithium and the former removing compounds of lithium, and the sputtering may be by ions produced in the plasma rather than excited gas atoms.
摘要翻译：公开了一种用于从EUV光源中的EUV收集器的反射表面去除碎片的方法和装置，其可以包括反射表面，其包括第一材料，并且所述碎屑包括第二材料和/或第二材料的化合物，所述系统并且方法可以包括受控的溅射离子源，其可以包括包含溅射离子材料的原子的气体; 以及将溅射离子材料的原子激发成离子化状态的刺激机构，所选择的离子化状态具有围绕选择的能量峰的分布，其具有溅射第二材料的可能性很高，并且溅射的可能性非常低材料。刺激机构可以包括RF或微波感应机构。气体保持在部分地决定所选择的能量峰值的压力下，并且刺激机构可以产生溅射离子材料的离子的流入，其从反射器表面产生第二材料的原子的溅射密度等于或超过第二种材料的等离子体碎片原子的流入速率。可以在反射表面的给定期望寿命期间选择溅射速率。反射面可以被盖住。收集器可以包括椭圆镜和可包括径向延伸通道的碎片屏蔽。第一材料可以是钼，第二锂和离子材料可以是氦。该系统可以具有从反射表面蒸发第二材料的加热器。刺激机构可以在点火时间之间连接到反射表面。反射表面可以具有阻挡层。收集器可以是与入射反射器壳的掠射角组合的球面镜，其可以通过选择反射器壳体上的多层堆叠的层材料来充当光谱滤光器。溅射可以与加热相结合，后者除去锂和前者除去锂的化合物，并且溅射可以是在等离子体中产生的离子而不是被激发的气体原子。

6. 发明公开

KR1020010041553A 신뢰성있고 모듈화되고 생성력이 우수한 협대역 ＫｒＦ엑시머 레이저 有权
标题翻译：窄带KrF准分子激光器，可靠，模块化且生产效率高
公开(公告)号：KR1020010041553A
公开(公告)日：2001-05-25
申请号：KR1020007009736
申请日：1999-02-16
申请人： 사이머 엘엘씨
发明人： 노울레스데이비드에스. , 아졸라제임즈에이치. , 베샤우셀레헤르베에이. , 다스팔라쉬피. , 에르소브알렉산더아이. , 주하스즈티보르 , 네스리차드엠. , 오자르스키로버트지. , 파틀로웰리암엔. , 로스웨일다니엘에이. , 샌드스트롬리차드엘. , 유자즈도우스키리차드씨. , 와트슨톰웨이 , 포멘코프이고르브이.
IPC分类号： H01S3/225
摘要： 약 0.6pm이하의 대역폭을 가지고 1000Hz에서 10mJ 레이저 펄스를 생성할 수 있는 신뢰성있고 모듈화되고 생성력이 우수한 협대역 KrF 엑시머 레이저. 본 발명은 특히 집적회로의 리소그래피 제조에서의 장기간의 24 시간 연속동작에 적합하다. 종래 레이저보다 향상된 것은 단일 업스트림 예비전리기 튜브 및 음향 배플을 포함하는 것이다. 바람직한 실시예는 감소된 플루오르 농도, 블로워 베이링 상에 공기역학적 반작용력을 감소시키도록 형상화된 애노드 지지바, 빠른 펄스 상승 시간을 제공하는 변형된 펄스 전력 시스템, 실질적으로 증가된 반사율을 갖는 출력 커플러, CaF 프리즘 빔 익스팬더를 구비한 라인 협소화 모듈, 더욱 정확한 파장계, 새롭고 향상된 펄스 에너지 제어 알고리즘으로 프로그래밍된 레이저 컴퓨터 컨트롤러를 포함한다.

7. 发明公开

KR1020000062868A 블라스트 실드를 갖춘 플라즈마 포커싱된 고 에너지 포톤소스 失效
公开(公告)号：KR1020000062868A
公开(公告)日：2000-10-25
申请号：KR1020000012732
申请日：2000-03-14
申请人： 사이머 엘엘씨
发明人： 파틀로윌리엄엔. , 포멘코프이고르브이. , 벅스다니엘엘.
IPC分类号： H01L21/263
CPC分类号： H05G2/003 , B82Y10/00 , G03F7/70033 , G03F7/70166 , G03F7/70916 , H05G2/005
摘要： 고에너지포톤소스가개시되었다. 한쌍의플라즈마핀치전극이진공챔버에위치된다. 이챔버는소망하는스펙트럼라인을제공하기위해선택된활성가스및 노블버퍼가스를포함하는작용가스를함유한다. 펄스파워소스는활성가스의스펙트럼라인에서방사선을제공하는작용가스에서초고온, 고밀도플라즈마핀치를발생시키기위해전그사이에서전기방전을일으키기에충분한전압으로전기펄스를공급한다. 고밀도핀치의위치바로위에위치된블라스트실드는그 축방향연장을제한하는핀치를한정하는물리적장벽을제공한다. 바람직한실시예에서, 플라즈마와대면하는실드의표면은돔 형상이다. 바람직한실시예에서, 외부반사방사선콜렉터-디렉터는플라즈마핀치에서발생된방사선을수집하여소망하는방향으로지향시킨다. 또한바람직한실시예에서리튬증기이고버퍼가스는헬륨이고방사선-콜렉터는고 그레이징입사반사도를갖는물질로코팅되거나이 물질로만들어진다. 반사물질을위한양호한선택은몰리브데늄, 팔라디윰, 루데늄, 로듐, 금또는텅스텐이다.

8. 发明授权

KR100965770B1 초협대역이고 2챔버를 갖는 고반복율 가스 방전 레이저시스템 有权
标题翻译：非常窄带，两个室，高倍率气体放电激光系统
公开(公告)号：KR100965770B1
公开(公告)日：2010-06-24
申请号：KR1020047002982
申请日：2002-08-28
申请人： 사이머 엘엘씨
发明人： 노울레스데이비드에스. , 브라운다니엘제이.,더블유. , 베사첼레허브에이. , 마이어스데이비드더블유. , 어쇼프알렉산더아이. , 파르틀로윌리암엔. , 샌드스트롬리차드엘. , 다스플래쉬피. , 앤더슨스튜어트엘. , 포멘코프이고르브이. , 우자즈도우스키리차드씨. , 온켈스에커하드디. , 네스리차드엠. , 스미스스코트티. , 헐버드윌리암지. , 오이클레스제프리
IPC分类号： H01S3/10
CPC分类号： G01J1/4257 , G03F7/70025 , G03F7/70041 , G03F7/70333 , G03F7/70483 , G03F7/70575 , G03F7/70933 , H01S3/005 , H01S3/0057 , H01S3/02 , H01S3/03 , H01S3/036 , H01S3/038 , H01S3/0385 , H01S3/0387 , H01S3/0404 , H01S3/041 , H01S3/08004 , H01S3/08009 , H01S3/08036 , H01S3/0943 , H01S3/097 , H01S3/09702 , H01S3/09705 , H01S3/0971 , H01S3/0975 , H01S3/104 , H01S3/105 , H01S3/1055 , H01S3/1305 , H01S3/134 , H01S3/137 , H01S3/139 , H01S3/22 , H01S3/2207 , H01S3/223 , H01S3/225 , H01S3/2251 , H01S3/2256 , H01S3/2258 , H01S3/2333 , H01S3/2366
摘要： 약 4,000Hz이상의 펄스율과 약 5mJ이상의 펄스에너지로 고품질의 펄스된 레이저빔을 산출할 수 있는 주입 시딩된 모듈러 가스 방전 레이저 시스템이 개시되었다. 두 개의 개별 방전 챔버가 제공되고, 하나는 제2 방전 챔버에서 증폭되는, 초협대역 시드 빔을 산출하는 마스터 오실레이터의 일부분이다. 챔버는 챔버 증폭에서 펄스 에너지 파라미터의 최적화 및 마스터 오실레이터에서 파장 파라미터의 개별 최적화를 개별적으로 허용하도록 제어된다. MOPA로서 구성된 ArF 엑시머 레이저 시스템의 바람직한 실시예는 집적회로 리소그래피를 위한 광원으로서의 사용을 위해 설계된다. 바람직한 MOPA 실시예에서, 각각의 챔버는 펄스간에 약 0.25 밀리초 미만의 시간으로 충전 영역으로부터의 잔해를 클리어시킴으로써 4,000Hz이상의 펄스율로 동작하는 것을 허용하기 위해 충분한 가스 흐름을 제공하는 단일 탄젠셜 팬을 포함한다. 마스터 오실레이터에는 0.2pm미만의 정밀도로 4,000Hz이상의 반복율로 펄스 기준에서 중심라인 파장을 제어할 수 있는 초고속 튜닝 미러를 갖는 라인 협소화 패키지가 구비된다.
펄스율, 광원, 파장, 가스 방전 레이저, 펄스, 미러, 방전 챔버, 전극

9. 发明公开

KR1020070110886A ＥＵＶ 플라즈마 소스 타겟 전달 방법 및 장치 有权
标题翻译：用于EUV等离子体源目标传送的方法和装置
公开(公告)号：KR1020070110886A
公开(公告)日：2007-11-20
申请号：KR1020077021532
申请日：2006-02-17
申请人： 사이머 엘엘씨
发明人： 알고트스존마틴 , 포멘코프이고르브이. , 얼쇼프알렉산더아이. , 파틀로윌리엄엔. , 샌드스트롬리차드엘. , 헴버그오스카 , 바이카노프알렉산더엔. , 콥데니스더블유.
IPC分类号： H05G2/00
CPC分类号： H05G2/003 , H05G2/005 , H05G2/006
摘要： An EUV plasma formation target delivery system and method is disclosed which may comprise: a target droplet formation mechanism comprising a magneto-restrictive or electro-restrictive material, a liquid plasma source material passageway terminating in an output orifice; a charging mechanism applying charge to a droplet forming jet stream or to individual droplets exiting the passageway along a selected path; a droplet deflector intermediate the output orifice and a plasma initiation site periodically deflecting droplets from the selected path, a liquid target material delivery mechanism comprising a liquid target material delivery passage having an input opening and an output orifice; an electromotive disturbing force generating mechanism generating a disturbing force within the liquid target material, a liquid target delivery droplet formation mechanism having an output orifice; and/or a wetting barrier around the periphery of the output orifice.
摘要翻译：公开了一种EUV等离子体形成靶递送系统和方法，其可以包括：目标液滴形成机构，其包括磁阻或电子限制材料，终止于输出孔的液体等离子体源材料通道; 将电荷施加到液滴形成喷射流或沿着选定路径离开通道的各个液滴的充电机构; 在输出孔之间的液滴偏转器和等离子体引发位置周期性地偏转来自所选择的路径的液滴;液体靶材料输送机构，包括具有输入开口和输出孔的液体靶材料输送通道; 产生在液体目标材料内的干扰力的电动干扰力产生机构，具有输出孔的液体目标传送液滴形成机构; 和/或围绕输出孔周边的润湿屏障。

10. 发明授权

KR100504073B1 엑시머 레이저용 펄스 에너지 제어 有权
标题翻译：激光激光的脉冲能量控制
公开(公告)号：KR100504073B1
公开(公告)日：2005-07-27
申请号：KR1020007003843
申请日：1998-09-01
申请人： 사이머 엘엘씨
发明人： 샌드스트롬리차드엘. , 베샤우셀레헤르베에이. , 포멘코프이고르브이. , 다스팔라시피.
IPC分类号： H01S3/225
摘要： 엑시머 레이저에 의해 발생된 펄스의 버스트에서 펄스 에너지를 제어하는 프로세스. 각 버스트에 있는 각 펄스의 에너지가 측정된다. 펄스 에너지와 충전전압의 변화율이 결정된다. 펄스 에너지 에러는 현재 버스트의 이전 펄스에 대하여 결정된다. 집적된 선량 에러는 또한 현재 버스트에 있는 모든 이전 펄스에 대하여 결정된다. 다음 펄스에 대한 충전전압은 펄스 에너지 에러, 집적된 선량 에러, 충전전압과 기준전압과의 에너지의 변화율을 사용하여 결정된다. 바람직한 실시예에서, 전압과 에너지의 변화율은 한번은 낮고 한번은 높은 각 버스트의 두개의 펄스동안 전압을 디더링함으로써 결정된다. 기준전압은 이전 전압과 에너지 데이터를 사용하여 계산된 전압이다. 이 실시예에서 펄스의 제 1 부분동안 기준 전압을 결정하는 방법은 버스트의 나중 부분동안 사용된 방법과는 다르다. 각 펄스에 대하여 펄스의 제 1 세트(이 실시예에서는 40)동안 이전 버스트에 있는 대응 펄스로부터 에너지 데이터와 전압을 사용하여 계산된 특정 전압은 목표 펄스 에너지를 수렴하는 펄스 에너지를 발생시키기 위해 필요한 예견 전압으로 사용된다. 펄스(41)동안 및 그후 각 펄스에 대한 기준전압은 이전 펄스에 대한 특정전압이다.

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式