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1. 发明公开

KR1020070091603A ＥＵＶ 콜렉터 파편 관리 失效
标题翻译： EUV收集器破产管理
公开(公告)号：KR1020070091603A
公开(公告)日：2007-09-11
申请号：KR1020077009514
申请日：2005-10-20
申请人： 사이머 엘엘씨
发明人： 파틀로윌리엄엔. , 포멘코프이고르브이. , 에르쇼프알렉산더아이. , 올드햄윌리엄 , 햄버그오스카 , 마르크스윌리엄에프.
IPC分类号： H01L21/306
CPC分类号： B08B7/00
摘要： A method and apparatus that may comprise an EUV light producing mechanism utilizing an EUV plasma source material comprising a material that will form an etching compound, which plasma source material produces EUV light in a band around a selected center wavelength comprising: an EUV plasma generation chamber; an EUV light collector contained within the chamber having a reflective surface containing at least one layer comprising a material that does not form an etching compound and/or forms a compound layer that does not significantly reduce the reflectivity of the reflective surface in the band; an etchant source gas contained within the chamber comprising an etchant source material with which the plasma source material forms an etching compound, which etching compound has a vapor pressure that will allow etching of the etching compound from the reflective surface. The etchant source material may comprises a halogen or halogen compound. The etchant source material may be selected based upon the etching being stimulated in the presence of photons of EUV light and/or DUV light and/or any excited energetic photons with sufficient energy to stimulate the etching of the plasma source material. The apparatus may further comprise an etching stimulation plasma generator providing an etching stimulation plasma in the working vicinity of the reflective surface; and the etchant source material may be selected based upon the etching being stimulated by an etching stimulation plasma. There may also be an ion accelerator accelerating ions toward the reflective surface. The ions may comprise etchant source material. The apparatus and method may comprise a part of an EUV production subsystem with an optical element to be etched of plasma source material.
摘要翻译：可以包括使用EUV等离子体源材料的EUV发光机构的方法和装置，所述EUV等离子体源材料包括将形成蚀刻化合物的材料，所述等离子体源材料在所选择的中心波长周围的带内产生EUV光，包括：EUV等离子体产生室 ; 包含在室内的EUV光收集器具有反射表面，该反射表面包含至少一层，该层包含不形成蚀刻化合物的材料和/或形成不显着降低该带中的反射表面的反射率的化合物层; 包含在腔室内的蚀刻剂源气体包括蚀刻剂源材料，等离子体源材料与蚀刻剂源材料形成蚀刻化合物，该蚀刻化合物具有允许从反射表面蚀刻蚀刻化合物的蒸气压。蚀刻剂源材料可以包含卤素或卤素化合物。蚀刻剂源材料可以基于在存在EUV光和/或DUV光的光子和/或具有足够能量以激发等离子体源材料的蚀刻的任何激发能量光子的情况下被激发的蚀刻来选择。该装置还可以包括在反射表面的工作附近提供蚀刻刺激等离子体的蚀刻刺激等离子体发生器; 并且蚀刻剂源材料可以基于通过蚀刻刺激等离子体刺激的蚀刻来选择。还可以存在离子加速剂将离子朝向反射表面加速。离子可以包括蚀刻剂源材料。该装置和方法可以包括具有待蚀刻的等离子体源材料的光学元件的EUV生产子系统的一部分。

2. 发明授权

KR101234575B1 ＥＵＶ 콜렉터 파편 관리 失效
标题翻译： EUV收集器破产管理
公开(公告)号：KR101234575B1
公开(公告)日：2013-02-19
申请号：KR1020077009514
申请日：2005-10-20
申请人： 사이머 엘엘씨
发明人： 파틀로윌리엄엔. , 포멘코프이고르브이. , 에르쇼프알렉산더아이. , 올드햄윌리엄 , 햄버그오스카 , 마르크스윌리엄에프.
IPC分类号： H01L21/306
CPC分类号： B08B7/00
摘要： 에칭 컴파운드를 형성할 재료를 포함하고, 선택된 중심 파장 주변 밴드에서 EUV 광을 생성하는 EUV 플라즈마 소스 재료를 사용하는 EUV 광 생성 메카니즘을 포함한 방법 및 장치가 개시되는데, 이 메카니즘은 EUV 플라즈마 발생 챔버; 에칭 컴파운드를 형성하지 않고, 그리고/또는 그 밴드 내에서 반사면의 반사력을 상당히 감소시키지 않는 컴파운드 층을 형성하는 재료를 포함하는 적어도 하나의 층을 가진 반사면을 갖춘 챔버 내에 포함된 EUV 광 콜렉터; 및 플라즈마 소스 재료가 에칭 컴파운드를 형성하는 에천트 소스 재료를 포함하는 챔버 내부에 포함된 에천트 소스 가스를 포함하고, 에칭 컴파운드는 반사면으로부터 에칭 컴파운드가 에칭 가능한 증기압을 가진다. 에천트 소스 재료는 할로겐 또는 할로겐 컴파운드를 포함할 수 있다. 에천트 소스 재료는 EUV 광 및/또는 DUV 광의 광자, 및/또는 플라즈마 소스 재료의 에칭을 자극하기 위해 충분한 에너지를 가진 임의의 여기된 활발한 광자의 존재에 자극받는 에칭을 기초로 선택될 수 있다. 이 장치는, 또한, 반사면 부근에서 동작하는 에칭 자극 플라즈마를 제공하는 에칭 자극 플라즈마 발생기를 더 포함하고, 에천트 소스 재료는 에칭 자극 플라즈마에 의해 자극되는 에칭을 기초로 선택될 수 있다. 또한, 이온을 반사면을 향해 가속시키는 이온 가속기를 포함할 수 있다. 이 이온은 에천트 소스 재료를 포함할 수 있다. 이 장치 및 방법은 플라즈마 소스 재료에 의해 에칭되는 광학부재를 가진 EUV 생성 서브시스템의 일부를 포함할 수 있다.
EUV 광 생성 메카니즘, 에칭 컴파운드, 중심 파장, 밴드, EUV 광, EUV 플라즈마, EUV 플라즈마 생성 챔버, EUV 광 콜렉터, 에천트 소스 가스, 증기압.

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