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1. 发明公开

KR20180009315A 시간 메모리 시스템의 하드웨어 구현 审中-公开
标题翻译：硬件实现时间存储系统
公开(公告)号：KR20180009315A
公开(公告)日：2018-01-26
申请号：KR20170089035
申请日：2017-07-13
申请人： IMEC VZW
发明人： DEGRAEVE ROBIN , RODOPOULOS DIMITRIOS
IPC分类号： G06N3/063 , G06N3/04
CPC分类号： G06N3/0635 , G06N3/0445 , G06N3/0454 , G06N3/0472 , G06N3/049
摘要： 시간메모리시스템의하드웨어구현은, 행들및 열들에따라논리적으로구성된메모리셀들(memory cells)(40)의적어도하나의어레이(360,361,362) -상기메모리셀 각각은스칼라값을저장하고, 상기저장된스칼라값을변경(예를들어, 증가시키거나감소시킴)함-, 입력프레임을입력으로서수신하고, 상기입력에대한표현을생성하는입력시스템(340) -상기표현은상기적어하나의어레이(360, 361, 362)에서메모리셀 어드레싱에적합함-, 행어드레스및 열어드레스로서상기적어도하나의어레이내의메모리셀을식별하는적어도하나의어드레싱유닛 -상기적어도하나의어드레싱유닛은, 상기표현또는상기표현의파생물(derivative)을입력으로서수신하고상기표현또는상기파생물을열 어드레스로서상기어레이에적용하는열 어드레싱유닛(41) 및과거의특정된시간에(at a specified time in the past) 상기표현의딜레이된버전(delayed version)을입력으로서수신하고상기표현의딜레이된버전을행 어드레스로서상기어레이에적용하는행 어드레싱유닛(42)을포함함-, 및상기적용된행 어드레스에기초하여상기어레이내의메모리셀들의선택된행(selected row of memory cells in the array)으로부터스칼라값들을판독하는판독(reading) 유닛(43) -상기판독된스칼라값 각각은상기행 어드레스의상기입력표현및 상기열 어드레스의상기입력표현간의시간적일치의가능성(likelihood of temporal coincidence)에대응하며, 상기가능성은상기메모리셀에저장된상기스칼라값을통해조정가능함(being adjustable)-을포함한다.
摘要翻译：时间存储器系统（10）的硬件实现包括 - 逻辑上按行和列组织的至少一个存储器单元（40）的阵列（360,361,362），每个存储器单元适于存储标量值并适用于改变，例如用于递增或递减所存储的标量值; - 输入系统（340），其适于接收输入帧作为输入并且用于创建适合于所述至少一个阵列中的存储器单元寻址的那个输入的表示; - 在至少一个寻址单元，用于识别具有行地址和列地址的所述至少一个阵列中的存储器单元，所述至少一个寻址单元包括：列寻址单元（41），用于接收所述表示或其导数作为输入;以及列寻址单元将所述表示或所述导数作为列地址应用于所述单元阵列，以及 - 行寻址单元（42），用于在过去的指定时间接收所述表示的延迟版本作为输入，并且将该表示应用为行地址提供给单元阵列; - 读取单元（43），适于基于所施加的行地址从阵列中的选定行中的存储器单元读出标量值，每个读出的标量值对应于行地址的输入表示与列地址的输入表示之间的时间重合的可能性，该可能性可通过存储在存储单元中的标量值进行调整。

2. 发明公开

KR20180021002A 유기층의 고해상도 패턴화 방법 审中-公开
标题翻译：有机层的高分辨率图案化方法
公开(公告)号：KR20180021002A
公开(公告)日：2018-02-28
申请号：KR20177037874
申请日：2016-06-27
申请人： IMEC VZW , FUJIFILM CORP
发明人： KE TUNG HUEI , MALINOWSKI PAWEL , NAKAMURA ATSUSHI
IPC分类号： H01L51/00 , H01L51/05 , H01L51/42 , H01L51/56
CPC分类号： H01L51/0018 , H01L51/0085 , H01L51/0508 , H01L51/42 , H01L51/56
摘要： 유기층(301), 예를들면, 유기전자디바이스의유기반도체층을포토리소그래피패턴화하는방법으로서, 유기층상에수용성차폐층(131)을제공하는단계, 상기차폐층상에포토레지스트층(141)을제공하는단계, 패턴화포토레지스트층을형성하기위해서상기포토레지스트층을포토리소그래피패턴화하는단계, 패턴화차폐층및 패턴화유기층을형성하기위해, 상기패턴화포토레지스트층을마스크로서사용하여상기차폐층및 상기유기층을에칭하는단계, 및이후상기패턴화차폐층을제거하는단계, 를포함한다. 상기방법은상기수용성차폐층을제공하기전에, 상기유기층상에소수성상부면을갖는소수성보호층(121)을제공하는단계를포함한다.
摘要翻译：将有机层301，例如，作为用于光刻构图的有机电子器件的有机半导体层的方法，包括：屏蔽层上的有机层中提供一种水溶性屏蔽层131，光致抗蚀剂层141 以形成提供的步骤，图案化以形成光致抗蚀剂层的步骤，筛选光致抗蚀剂层的光刻图案，图案化屏蔽层，和图案化的有机层中使用图案化的光刻胶层作为掩模的蚀刻屏蔽层和有机层，然后去除图案化的屏蔽层。之前提供水溶性屏蔽层的方法，包括提供在有机层上具有疏水顶表面疏水保护层121的步骤。

3. 发明公开

KR20200128713A 3 차원 이미지를 디스플레이 하기 위한 장치 审中-公开
公开(公告)号：KR20200128713A
公开(公告)日：2020-11-16
申请号：KR20207028436
申请日：2019-03-04
申请人： IMEC VZW
发明人： ROTTENBERG XAVIER , LODEWIJKS KRISTOF
IPC分类号： G02B30/56 , G02B30/10 , G03B21/606 , G03B21/608 , H04N13/388
摘要： 3 차원이미지를디스플레이하기위한장치는: 입사광빔(112)을수신하고 3 차원광 필드를생성하도록구성된광 필드생성유닛(110); 및광 필드생성유닛(110)에의해생성된 3 차원광 필드를수신하도록배열된이미지노출매체(120) - 이미지노출매체(120)는유체내에현탁된기포또는입자를갖는유체를포함하고, 기포또는입자는 40 내지 500 nm 범위의크기를갖음 - 를포함한다.

4. 发明公开

KR20180006617A 간섭계 및 분광기 칩 审中-公开
标题翻译：干涉仪和光谱仪芯片
公开(公告)号：KR20180006617A
公开(公告)日：2018-01-18
申请号：KR20177032265
申请日：2016-04-28
申请人： IMEC VZW , SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD
发明人： CLAES TOM
IPC分类号： G01J3/453 , G01J3/02 , G02B6/293
CPC分类号： G01J3/4531 , G01J3/0218 , G01J3/0259 , G02B6/29346 , G02B6/29349
摘要： 일양상에따른간섭계는다중모드도파로(120), 다중모드도파로(120)에광 신호를공급하기위해다중모드도파로(120)의제1 측면에광학적으로결합된입력도파로(110), 다중모드도파로(120)의제2 측면에광학적으로결합되고제1 도파로거울(150)에의해종결되는제1 도파로(130), 다중모드도파로(120)의제2 측면에광학적으로결합되고제2 도파로거울(160)에의해종결되는다른단부에서의제2 도파로(140), 또는다중모드도파로(120)의제2 측면에직접광학적으로결합된제2 도파로거울(160) 및다중모드도파로(120)내에부분적으로또는전체적으로통합되고, 제1 도파로거울(150) 및제2 도파로거울(160)로부터반사된광을두 개의반사파들사이의위상차이에의존하는전력으로수신하도록배치되는적어도하나이상의신호판독구조(170)를포함할수 있다.
摘要翻译：根据一个方面的干涉仪包括输入波导110，其光学耦合到多模波导120的第一侧以向多模波导120提供光信号; 光耦合到搅拌器2侧并且由第一波导镜150终止的第一波导130，光耦合到多模波导120的第二侧并且由第二波导镜160耦合的第二波导镜直接光学耦合到多模波导120的第二侧的第二波导镜160和部分或全部集成在多路复用模式波导120中的第二波导镜160，并且至少一个信号读取结构170被布置为以取决于两个反射波之间的相位差的功率接收从第一波导镜150和第二波导镜160反射的光。

5. 发明公开

KR20200125959A 3 차원 광 필드의 분포를 형성하기 위한 광학 장치, 시스템 및 방법 审中-公开
公开(公告)号：KR20200125959A
公开(公告)日：2020-11-05
申请号：KR20207027224
申请日：2019-02-19
申请人： IMEC VZW
发明人： ROTTENBERG XAVIER , LODEWIJKS KRISTOF
IPC分类号： G03H1/02 , G02F1/135 , G03H1/22
摘要： 3 차원광 필드의분포를형성하기위한광학장치(100)는: 단위셀(104)의어레이(102) - 단위셀(104)의광학특성을제1 및제2 조건사이에서전환하기위해개별적으로어드레싱가능한단위셀(104) 임 -; 단위셀(104)은선택적으로활성또는비활성으로구성되고, 어레이(102)는적어도제1 및제2 분리서브세트(110; 112; 114; 116)를포함하고, 및서브세트(110; 112; 114; 116)의단위셀(104)은공동으로비활성에서활성으로전환되도록구성되고, 활성단위셀(104)은상기 3 차원광 필드의분포를형성하기위해입사광빔(106)과상호작용하도록구성되고; 광학장치(100)는단위셀(104)의광학특성을전환하기위해비활성단위셀(104)을어드레싱하도록구성된다.

6. 发明公开

KR20180025276A EUV 리소그래피용 리소그래픽 마스크 审中-公开
标题翻译：用于EUV光刻的EUV光刻掩膜
公开(公告)号：KR20180025276A
公开(公告)日：2018-03-08
申请号：KR20170110422
申请日：2017-08-30
申请人： IMEC VZW
发明人： JONCKHEERE RIK , D'HAVE KOEN
IPC分类号： G03F1/38 , G03F1/66 , G03F7/20 , H01L21/033
CPC分类号： G03F1/22 , G03F1/42 , G03F1/54 , H01L21/682
摘要： 본발명은 EUV 리소그래피용리소그래픽마스크, 마스크를제작하는방법, 마스크를구비하여패턴을인쇄하는방법, 마스크를구비하여패턴을인쇄하도록구성된스테퍼/스캐너및 패턴의변형을계산하기위한컴퓨터-구현방법에관한것이다. 본발명에따른마스크는의도된패턴에대하여, EUV 마스크의 2-차원평면내에서의도적으로(intentionally) 변형된, 흡수체패턴을포함한다. 패턴의변형은블랭크상에멀티레이어결함의위치에대한이전측정(previous measurement)에기초되고, 변형된패턴에서, 멀티레이어결함의최대치(maximum)가흡수체물질에의해덮이도록계산된다. 이어서패턴이스테퍼/스캐너에서반도체웨이퍼상에인쇄될때, 패턴변형이웨이퍼상에복제되지(reproduced) 않도록스캐너작동이조정된다.
摘要翻译：本公开涉及用于EUV光刻的光刻掩模，用于制造掩模的方法，用于利用掩模印制图案的方法，配置为用掩模印制图案的步进机/扫描器以及计算机 - 用于计算图案变形的实施方法。掩模包括相对于预期图案在EUV掩模的二维平面中有意变形的吸收体图案。图案的变形是基于先前对坯料上多层缺陷位置的测量，并计算得以使得在变形图案中，多层缺陷的最大值被吸收材料覆盖。当图案随后被印刷在步进机/扫描仪中的半导体晶片上时，扫描仪操作被调制，使得图案变形不会在晶片上再现。

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