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    • 7. 发明公开
    • 광전변환 소자 및 고체 촬상 장치
    • 光电转换元件和固态成像装置
    • KR20180013864A
    • 2018-02-07
    • KR20177031338
    • 2016-05-19
    • H01L27/28H01L27/146H01L51/00H01L51/05H01L51/42
    • H01L27/146H01L31/10H01L51/42Y02E10/549
    • 본개시의한 실시형태의광전변환소자는, 대향배치된제1 전극및 제2 전극과, 제1 전극과제2 전극사이에마련됨과함께, 서로다른모골격을갖는제1 유기반도체재료, 제2 유기반도체재료및 제3 유기반도체재료를포함하는광전변환층을구비한것이고, 제1 유기반도체재료는, 풀러렌또는풀러렌유도체이고, 제2 유기반도체재료는, 단층막의상태에서의제1 유기반도체재료및 제3 유기반도체재료의각 단층막보다도가시광영역에서의극대광흡수파장의선흡수계수가높고, 제3 유기반도체재료는, 제2 유기반도체재료의 HOMO 준위이상의값을갖는다.
    • 根据本发明的示例性的光电转换元件,设置在第一电极和第二电极,具有与第一电极任务2电极之间maryeondoem不同的父骨架结构的第一有机半导体材料,对置的第二 提供hangeotyigo含有有机半导体材料和所述第三有机半导体材料,所述第一有机半导体材料,所述富勒烯或富勒烯衍生物,并且所述第二有机半导体材料的光电转换层,eseoui单层状态下的第一有机半导体材料和 高于有机半导体材料的可见光区域eseoui极光反射吸收和第三有机半导体材料的单层膜的各波长的三个高射线吸收系数,所述第二具有比所述有机半导体材料的HOMO能级的值。