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1. 发明公开

KR20180021002A 유기층의 고해상도 패턴화 방법 审中-公开
标题翻译：有机层的高分辨率图案化方法
公开(公告)号：KR20180021002A
公开(公告)日：2018-02-28
申请号：KR20177037874
申请日：2016-06-27
申请人： IMEC VZW , FUJIFILM CORP
发明人： KE TUNG HUEI , MALINOWSKI PAWEL , NAKAMURA ATSUSHI
IPC分类号： H01L51/00 , H01L51/05 , H01L51/42 , H01L51/56
CPC分类号： H01L51/0018 , H01L51/0085 , H01L51/0508 , H01L51/42 , H01L51/56
摘要： 유기층(301), 예를들면, 유기전자디바이스의유기반도체층을포토리소그래피패턴화하는방법으로서, 유기층상에수용성차폐층(131)을제공하는단계, 상기차폐층상에포토레지스트층(141)을제공하는단계, 패턴화포토레지스트층을형성하기위해서상기포토레지스트층을포토리소그래피패턴화하는단계, 패턴화차폐층및 패턴화유기층을형성하기위해, 상기패턴화포토레지스트층을마스크로서사용하여상기차폐층및 상기유기층을에칭하는단계, 및이후상기패턴화차폐층을제거하는단계, 를포함한다. 상기방법은상기수용성차폐층을제공하기전에, 상기유기층상에소수성상부면을갖는소수성보호층(121)을제공하는단계를포함한다.
摘要翻译：将有机层301，例如，作为用于光刻构图的有机电子器件的有机半导体层的方法，包括：屏蔽层上的有机层中提供一种水溶性屏蔽层131，光致抗蚀剂层141 以形成提供的步骤，图案化以形成光致抗蚀剂层的步骤，筛选光致抗蚀剂层的光刻图案，图案化屏蔽层，和图案化的有机层中使用图案化的光刻胶层作为掩模的蚀刻屏蔽层和有机层，然后去除图案化的屏蔽层。之前提供水溶性屏蔽层的方法，包括提供在有机层上具有疏水顶表面疏水保护层121的步骤。

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