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1. 发明授权

KR101874504B1 마스크 블랭크용 기판, 마스크 블랭크, 반사형 마스크 블랭크, 전사 마스크, 및 반사형 마스크, 그리고 그들의 제조방법 有权
公开(公告)号：KR101874504B1
公开(公告)日：2018-07-04
申请号：KR1020137031095
申请日：2012-05-15
申请人： 호야 가부시키가이샤
发明人： 사사키다츠야 , 니시무라다카히토
IPC分类号： G03F1/38 , G03F1/60 , H01L21/027
CPC分类号： G03F1/24 , B32B3/02 , G03F1/22 , G03F1/38 , G03F1/42 , G03F1/60 , Y10T428/24488
摘要： 연마가공에있어서, 경사단면으로이루어지는기판마크에의한평탄도에의악영향을배제하여평탄도를향상시킬수 있는마스크블랭크용기판, 마스크블랭크및 전사마스크, 그리고그들의제조방법의제공을목적으로한다. 마스크블랭크용기판(1)은경사단면으로이루어지는기판마크(4)가형성되고, 주표면(112)에대한기판마크(4)의경사각이 45°보다크고 90°미만이며, 주표면(112)과기판마크(4)의경계부터마스크블랭크용기판(1)의외주까지의거리(W)가 1.5mm 미만이다.

2. 发明授权

KR101804853B1 레지스트 제거액, 이를 이용한 레지스트 제거 방법 및 포토마스크의 제조 방법 有权
标题翻译：抗蚀剂去除液，使用其的抗蚀剂去除方法以及光掩模制造方法
公开(公告)号：KR101804853B1
公开(公告)日：2017-12-05
申请号：KR1020157029652
申请日：2014-04-04
申请人： 후지필름 가부시키가이샤
发明人： 미즈타니아츠시
IPC分类号： G03F7/42 , H01L21/033 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/322 , B08B3/08 , C11D1/38 , C11D1/40 , C11D7/3281 , C11D11/0047 , G03F1/22 , G03F7/30 , G03F7/425
摘要： EUV 리소그래피용포토마스크의패터닝에이용되는레지스트의제거성이우수한레지스트제거액, 이를이용한제거방법및 포토마스크의제조방법을제공한다. EUV 리소그래피용포토마스크의패터닝에있어서, 포토마스크기판상에부여된레지스트에레지스트제거액을접촉시켜레지스트를제거하는방법으로서, 레지스트제거액으로서, 알칼리화합물과특정함질소화합물과물을함유하고, 수분량이 50질량% 초과인것을이용하는레지스트제거방법.
摘要翻译：优异的在光掩模的EUV光刻的图案化抗蚀剂中使用的可除去的光刻胶去除，提供了一种制造光掩膜，并使用相同的去除的方法。在光掩模的用于EUV光刻中，抗蚀剂去除剂施加到光掩模基板的光致抗蚀剂接触以除去抗蚀剂，抗蚀剂去除剂，碱性化合物和特定的含氮化合物和水，并且水含量的方法图案化更优选为50质量％以上。

3. 发明授权

KR101802721B1 반사형 마스크 블랭크 및 반사형 마스크의 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR101802721B1
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：KR1020177003832
申请日：2009-12-24
申请人： 호야 가부시키가이샤
发明人： 호소야,모리오
IPC分类号： H01L21/033 , H01L21/027 , G03F7/20
CPC分类号： G03F1/24 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F1/0092 , G03F1/22 , G03F7/2002
摘要： 파장 200㎚이하의검사광에대한검사시의콘트라스트를향상시키고, 마스크사용시의노광광에대한콘트라스트를향상시켜, 고해상도의미세패턴을형성할수 있는반사형마스크블랭크및 반사형마스크를제공한다. 기판(1)과, 그기판상에순차적으로형성된, 노광광을반사하는다층반사막(2)과, 다층반사막(2) 상의루테늄(Ru) 또는그 화합물을주성분으로하는보호막(6)과, 노광광을흡수하는흡수체막(4)을갖는반사형마스크블랭크(10)로서, 흡수체막(4)은, 최상층(4b)과하층(4a)으로이루어지는적층구조로되어있고, 최상층(4b)은, Si, Cr 중적어도 1 이상의원소의질화물, 산화물, 산화질화물, 탄화물, 질화탄화물, 또는산화질화탄화물을주성분으로하는재료로형성되어있다. 반사형마스크(20)는, 이반사형마스크블랭크의흡수체막에전사패턴을형성하여얻어진다.

4. 发明公开

KR1020170098329A 플레어 계측용 마스크, 플레어 계측 방법, 및 노광 방법 审中-实审
标题翻译：耀斑测量面罩，耀斑测量方法和曝光方法
公开(公告)号：KR1020170098329A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：KR1020177022985
申请日：2010-02-17
申请人： 가부시키가이샤 니콘
发明人： 시라이시마사유키
IPC分类号： G03F1/84 , G01N21/47 , G03F1/22 , G03F7/20
CPC分类号： G03F1/44 , G01N21/4738 , G03F1/14 , G03F1/144 , G03F1/22 , G03F1/70 , G03F1/84 , G03F7/70941
摘要： 투영광학계의플레어정보를계측하는방법으로서, 투영광학계의물체면에, 제 1 변 (3Aa), 제 1 변 (3Aa) 에대해미리결정된각도Δφ로 경사진제 2 변 (3Ab), 및제 1 변 (3Aa) 의양단부와제 2 변 (3Ab) 의양단부를연결하는내경부 (3Ac) 및외경부 (3Ad) 에의해둘러싸이는부채형패턴 (3A) 을배치하는단계; 부채형패턴 (3A) 의이미지를투영광학계를통해투영하는단계; 및부채형패턴 (3A) 의이미지의광량과이미지로부터멀어진위치에서제공되는광량에기초하여플레어정보를결정하는단계를포함한다. 본플레어계측방법에의하면, 임의의각도범위내에서플레어정보를정확하게계측하는것이가능하다.
摘要翻译：一种用于测量投影光学系统的耀斑信息的方法，包括以下步骤：形成第一边（3Aa），相对于第一边（3Aa）倾斜预定角度Δφ的第二边（3Ab）设置由连接第一侧壁（3Aa）的两端和第二侧（3Ab）的两端侧的内径部（3Ac）和外径部（3Ad）包围的扇形图案（3A）通过投影光学系统投影扇形图案（3A）的图像; 并且基于扇形图案3A的图像的光量和提供在远离图像的位置处的光量来确定耀斑信息。根据本发明的耀斑测量方法，可以精确地测量任意角度范围内的耀斑信息。

5. 发明公开

KR1020170097174A 증착을 위한 모니터링 시스템 및 그 동작 방법 审中-实审
标题翻译：沉积监测系统和操作方法
公开(公告)号：KR1020170097174A
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：KR1020177020254
申请日：2015-12-15
申请人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
发明人： 부디알토,에드워드더블유. , 포아드,마지드에이. , 호프만,랄프 , 노왁,토마스 , 이간,토드 , 바에즈-이라바니,메흐디
IPC分类号： H01L21/66 , H01L21/67 , H01L21/02 , H01L21/033 , H01L21/285
CPC分类号： H01L21/67253 , G03F1/22 , G03F1/24 , H01L21/02631 , H01L21/0332 , H01L21/0337 , H01L21/2855 , H01L22/12 , H01L22/26
摘要： 모니터링및 증착제어시스템및 그동작방법은, 재료층을기판상에증착시키기위한증착챔버; 증착동안재료층의층 두께의변화들에대해재료층의증착을모니터링하기위한센서어레이; 및증착동안층 두께의변화들에기초하여증착파라미터들을조정하기위한프로세싱유닛을포함한다.
摘要翻译：监测和沉积控制系统及其操作方法包括：沉积室，用于在基底上沉积材料层; 一种传感器阵列，用于在沉积期间监测材料层的沉积以改变材料层的层厚度; 以及处理单元，用于基于沉积期间层厚度的变化来调整沉积参数。

6. 发明授权

KR101761018B1 다층 구조체를 갖는 마스크 및 이를 이용한 제조 방법 有权
标题翻译：具有多层结构的掩模及使用其的制造方法
公开(公告)号：KR101761018B1
公开(公告)日：2017-07-24
申请号：KR1020150143299
申请日：2015-10-14
申请人： 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드
发明人： 시치-충 , 유신-셍 , 첸젱-홍 , 옌앤소니
IPC分类号： H01L21/033 , H01L21/027 , H01L21/324 , G03F1/22
CPC分类号： G03F1/22 , G03F1/24 , G03F7/2004
摘要： 본발명은포토리소그래피마스크를제공한다. 포토리소그래피마스크는저 열팽창재료(LTEM)를포함하는기판을포함한다. 다층(ML) 구조체는기판위에배치된다. ML 구조체는방사선을반사하도록구성된다. ML 구조체는다수의인터리빙필름쌍을포함한다. 각각의필름쌍은제1 필름및 제2 필름을포함한다. 상기제1 필름과제2 필름은상이한재료조성물을갖는다. 각각의필름쌍은각각의두께를갖는다. 적어도다수의필름쌍의일 서브세트에대해, 필름쌍의각각의두께는미리규정된방향을따라임의로변한다.
摘要翻译：本发明提供一种光刻掩模。该光刻掩模包括包含低热膨胀材料（LTEM）的衬底。多层（ML）结构设置在衬底上。 ML结构配置为反射辐射。 ML结构包括多个交错膜对。每对膜包括第一膜和第二膜。第一部电影任务2的电影有不同的材料组成。每个膜对具有相应的厚度。对于多个膜对的至少一个子集，每个膜对的厚度可选地沿预定方向变化。

7. 发明授权

KR101751576B1 극자외선 리소그래피 공정, 및 쉐도우 현상이 감소되고 강도가 향상된 마스크 有权
公开(公告)号：KR101751576B1
公开(公告)日：2017-06-27
申请号：KR1020140147303
申请日：2014-10-28
申请人： 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드
发明人： 루옌-쳉 , 유신-쉥 , 첸젱-호릉 , 옌안토니
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： G03F1/24 , G03F1/22 , G03F1/26 , G03F1/36 , G03F1/76 , G03F7/2002 , G03F7/2004
摘要： 본개시는극자외선(EUV) 마스크의일 실시형태를제공한다. EUV 마스크는서로상이한제1 상태및 제2 상태와, 제1 메인다각형및 이제1 메인다각형에인접한제2 메인다각형과, 복수의하위해상도보조다각형과, 필드를포함한다. 제1 및제2 메인다각형, 하위해상도보조다각형및 필드의각각은연관된상태를갖는다. 제1 메인다각형에지정된상태는제2 메인다각형에지정된상태와는상이하다. 복수의보조다각형에는필드에지정된상태와는상이한같은상태들이지정된다.

8. 发明授权

KR101726553B1 포토마스크 블랭크, 포토마스크 및 포토마스크 블랭크의 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR101726553B1
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：KR1020167011171
申请日：2009-03-31
申请人： 호야 가부시키가이샤
发明人： 이와시따,히로유끼 , 시시도,히로아끼 , 고미나또,아쯔시 , 하시모또,마사히로 , 호소야,모리오
IPC分类号： G03F1/22 , G03F1/46 , G03F1/54 , H01L21/027
CPC分类号： G03F1/22 , G03F1/46 , G03F1/54 , G03F1/80 , H01L21/0274
摘要： ArF 엑시머레이저광이적용되는포토마스크를제작하기위해이용되는포토마스크블랭크로서, 투광성기판상에, 다층구조의박막을갖고, 상기박막의최상층은, 크롬과, 질소, 산소및 탄소중 적어도하나를포함하는재료로이루어지는아몰퍼스구조인포토마스크블랭크이다.

9. 发明授权

KR101720991B1 노광용 마스크의 제조 방법, 노광용 마스크의 제조 시스템 및 반도체 장치의 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR101720991B1
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：KR1020150006537
申请日：2015-01-14
申请人： 가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지
发明人： 아베타카유키 , 야마구치테츠오
IPC分类号： H01L21/027 , H01L21/033 , G03F7/20
CPC分类号： H01L22/20 , G03F1/22 , G03F1/84
摘要： 본발명의일태양의노광용마스크의제조방법은, 복수의극단자외(EUV: Extreme Ultra Violet) 노광용마스크블랭크에각각발생되어있는적어도 1 개이상의결함의위치를나타내는, EUV 노광용마스크블랭크마다의결함위치데이터를계측하여, 기록하고, 묘화대상이되는도형패턴이정의된패턴데이터를입력하고, 패턴데이터에정의되는도형패턴의배치위치를기초로, 복수의 EUV 노광용마스크블랭크중에서, 상기 EUV 노광용마스크블랭크마다의결함위치데이터를이용하여, 도형패턴을묘화하는경우에차광영역에배치되지않은결함수가임계치이하가되도록도형패턴을배치가능한 EUV 노광용마스크블랭크를탐색하고, 하전입자빔을이용하여, 탐색된 EUV 노광용마스크블랭크에, 상기차광영역에배치되지않은결함수가상기임계치이하가되도록상기도형패턴을묘화하는것을특징으로한다.

10. 发明公开

KR1020170031617A 마스크 블랭크 审中-实审
标题翻译：蒙版空白
公开(公告)号：KR1020170031617A
公开(公告)日：2017-03-21
申请号：KR1020160107483
申请日：2016-08-24
申请人： 아사히 가라스 가부시키가이샤
发明人： 하야시가즈유키
IPC分类号： G03F7/09 , G03F7/20 , G03F1/66
CPC分类号： G03F1/46 , G03F1/22 , G03F1/24
摘要： (과제) 전사프로세스용의마스크로서사용했을때에, 패턴전사정밀도의저하를유의하게억제할수 있는마스크블랭크. (해결수단) 투명기판을갖는마스크블랭크에있어서, 상기투명기판은, 서로대향하는제 1 주면및 제 2 주면을갖고, 제 1 주면에는차광막이설치되고, 제 2 주면에는반사방지막이배치되고, 상기반사방지막은적어도 2 개의층을갖고, 당해마스크블랭크에있어서, 상기반사방지막을제거하고, 파장 193 ㎚의 광을상기투명기판의제 2 주면의측에서부터입사각 5°로조사했을때에얻어지는반사율 R은 50 % 이상이고, 당해마스크블랭크에있어서, 상기차광막을제거하고, 상기광을상기투명기판의제 1 주면의측에서부터입사각 5°로조사했을때에얻어지는반사율을 R로하고, 상기투명기판만으로측정되는동일반사율을 R로했을때, 비 R/R가 0.1 이하이다.
摘要翻译：（任务），以作为用于转印工艺的掩模一起使用时，掩模，其可显著抑制图案转印精度坯件的减小。在具有（解决手段），掩模坯件，一透明基板，所述透明基板，具有第一主面和第二主面彼此相对的，并且已经安装了一个光屏蔽膜的第一主表面，第二主表面，所述防反射膜被布置，该防反射膜是至少具有两层，根据本领域掩模坯料，所得到的反射率，当防反射从透明基板的第二主面侧与入射角5°ř除去膜和辐照以193㎚光的波长为至少50％，根据本领域空白掩模，移除从与入射角5°至R，仅在透明基板的所述测量的透明基板的第一主面侧照射光时获得的光屏蔽膜，和反射率， R被定义为R，比率R / R为0.1或更小。

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