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1. 发明公开

KR20180025276A EUV 리소그래피용 리소그래픽 마스크 审中-公开
标题翻译：用于EUV光刻的EUV光刻掩膜
公开(公告)号：KR20180025276A
公开(公告)日：2018-03-08
申请号：KR20170110422
申请日：2017-08-30
申请人： IMEC VZW
发明人： JONCKHEERE RIK , D'HAVE KOEN
IPC分类号： G03F1/38 , G03F1/66 , G03F7/20 , H01L21/033
CPC分类号： G03F1/22 , G03F1/42 , G03F1/54 , H01L21/682
摘要： 본발명은 EUV 리소그래피용리소그래픽마스크, 마스크를제작하는방법, 마스크를구비하여패턴을인쇄하는방법, 마스크를구비하여패턴을인쇄하도록구성된스테퍼/스캐너및 패턴의변형을계산하기위한컴퓨터-구현방법에관한것이다. 본발명에따른마스크는의도된패턴에대하여, EUV 마스크의 2-차원평면내에서의도적으로(intentionally) 변형된, 흡수체패턴을포함한다. 패턴의변형은블랭크상에멀티레이어결함의위치에대한이전측정(previous measurement)에기초되고, 변형된패턴에서, 멀티레이어결함의최대치(maximum)가흡수체물질에의해덮이도록계산된다. 이어서패턴이스테퍼/스캐너에서반도체웨이퍼상에인쇄될때, 패턴변형이웨이퍼상에복제되지(reproduced) 않도록스캐너작동이조정된다.
摘要翻译：本公开涉及用于EUV光刻的光刻掩模，用于制造掩模的方法，用于利用掩模印制图案的方法，配置为用掩模印制图案的步进机/扫描器以及计算机 - 用于计算图案变形的实施方法。掩模包括相对于预期图案在EUV掩模的二维平面中有意变形的吸收体图案。图案的变形是基于先前对坯料上多层缺陷位置的测量，并计算得以使得在变形图案中，多层缺陷的最大值被吸收材料覆盖。当图案随后被印刷在步进机/扫描仪中的半导体晶片上时，扫描仪操作被调制，使得图案变形不会在晶片上再现。

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