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1. 发明公开

KR20180059393A 마스크 블랭크, 위상 시프트 마스크 및 반도체 디바이스의 제조 방법 审中-公开
公开(公告)号：KR20180059393A
公开(公告)日：2018-06-04
申请号：KR20177032663
申请日：2016-09-27
IPC分类号： G03F1/32 , G03F1/54 , G03F7/20
CPC分类号： G03F1/32 , G03F1/54
摘要： 크롬마이그레이션을억제하는것을가능하게하는마스크블랭크를제공한다. 마스크블랭크(100)는투광성기판(1) 상에위상시프트막(2) 및차광막(3)이이 순서로적층된구조를구비하고, 상기위상시프트막은, ArF 노광광을 2% 이상 30% 이하의투과율로투과시키는기능과, 그투과하는 ArF 노광광에대하여 150도이상 200도이하의위상차를발생시키는기능을갖고, 규소를함유하고, 크롬을실질적으로함유하지않는재료로형성되고, 상기투광성기판측으로부터하층(21)과상층(22)이적층된구조를포함하고, 상기하층은상기투광성기판보다도굴절률 n이작고, 상기상층은상기투광성기판보다도굴절률 n이크고, 상기하층은상기상층보다도소쇠계수 k가크고, 상기차광막은상기위상시프트막에접하는층을포함하고, 상기위상시프트막에접하는층은크롬을함유하는재료를포함하고, 상기상층보다도굴절률 n이작고, 또한상기상층보다도소쇠계수 k가크다.

2. 发明授权

KR101812439B1 마스크 블랭크, 전사용 마스크 및 전사용 마스크의 제조 방법 有权
标题翻译：掩模空白，转印掩模和转印掩模的制造方法
公开(公告)号：KR101812439B1
公开(公告)日：2017-12-26
申请号：KR1020167032324
申请日：2010-07-14
申请人： 호야 가부시키가이샤
发明人： 하시모또,마사히로 , 고미나또,아쯔시 , 이와시따,히로유끼 , 노자와,오사무
IPC分类号： G03F1/46 , G03F1/50 , G03F1/54 , G03F1/74 , G03F1/80 , H01L21/027 , G03F1/60
CPC分类号： G03F1/74 , G03F1/50 , G03F1/54 , G03F1/80
摘要： EB 결함수정을바람직하게적용할수 있고, 또한차광막의박막화를가능하게하는마스크블랭크를제공한다. ArF 노광광이적용되는전사용마스크를작성하기위해서이용되며, 투광성기판(1) 상에차광막(2)을갖는마스크블랭크(10)로서, 차광막(2)은, 천이금속및 규소에산소및 질소로부터선택되는적어도 1개이상의원소를더 함유하는재료를주성분으로한다. 이차광막은, 불소를함유하는물질에대한하전입자의조사를받지않은상태에서의에칭레이트가, 불소를함유하는물질에대한하전입자의조사를받은상태에서의에칭레이트에대하여적어도에칭선택성을확보할수 있을정도로느리다.
摘要翻译：本发明提供一种能够适当地应用EB缺陷校正并且能够减小遮光膜的厚度的掩模板。使用屏蔽膜2作为在透光性基板1上具有遮光膜2并用于形成施加了ArF曝光光的转印用掩模的掩模基板10，并且选自由金属元素和金属元素组成的组中的至少一种元素。在包含氟的物质未被带电粒子照射的状态下，相对于含有氟的物质在带电物体照射下的二次光膜至少具有蚀刻选择性够慢的。

3. 发明授权

KR101808981B1 포토마스크 블랭크, 포토마스크 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：光掩模坯料，光掩模及其制造方法
公开(公告)号：KR101808981B1
公开(公告)日：2017-12-13
申请号：KR1020167032592
申请日：2009-10-27
申请人： 호야 가부시키가이샤
发明人： 이와시따,히로유끼 , 고미나또,아쯔시 , 하시모또,마사히로 , 시시도,히로아끼
IPC分类号： G03F1/46 , G03F1/50 , G03F1/54 , G03F1/22 , H01L21/027
CPC分类号： G03F1/50 , G03F1/46 , G03F1/54
摘要： 파장 200㎚이하의노광광이적용되는포토마스크(100)를제작하기위해서이용되는포토마스크블랭크이다. 포토마스크블랭크는, 투광성기판(1)과, 그투광성기판상에형성된차광막(10)을구비한다. 차광막은, 천이금속및 실리콘을함유하는차광층(12)과, 그차광층상에접하여형성되며, 산소및 질소중 적어도한쪽을함유하는재료로이루어지는표면반사방지층(13)을갖는다. 차광막은, 노광광에대한표면반사율이소정값이하이고, 또한, 표면반사방지층의막 두께가 2㎚의범위에서변동한경우에서, 노광파장에서의표면반사율을그 변동폭이 2% 이내로되도록제어할수 있는특성을갖는다. 이특성이얻어지도록하는굴절률 n 및감쇠계수 k를갖는표면반사방지층의재료를선정한다.
摘要翻译：并且是用于制造应用了波长为200nm或更小的曝光光的光掩模100的光掩模坯。光掩模坯包括透光衬底1和形成在透光衬底上的遮光膜10。光屏蔽膜，以及形成在与所述遮光层12，含有过渡金属和硅的光屏蔽层接触，并且具有由含有氧和氮中的至少一种的材料的表面上的防反射层13。光屏蔽膜，和用于曝光的光的较少的表面反射率yisojeong值，另外，防反射层的膜厚度的表面具有可控制这样的特性，即上述的范围内，该表面的反射率eseoui曝光波长变化的是在2％以内内hangyeongwoo2㎚的变化。选择具有折射率n和用于得到该特性的衰减系数k的表面防反射层的材料。

4. 发明授权

KR101806583B1 포토마스크 블랭크의 제조 방법, 포토마스크 블랭크, 포토마스크 및 패턴 전사 방법 有权
公开(公告)号：KR101806583B1
公开(公告)日：2017-12-07
申请号：KR1020130054823
申请日：2013-05-15
申请人： 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤
发明人： 요시까와,히로끼 , 후까야,소우이찌 , 이나즈끼,유끼오 , 나까가와,히데오
IPC分类号： H01L21/027 , G03F1/20
CPC分类号： C23C14/0641 , C23C14/0676 , C23C14/083 , C23C14/086 , C23C14/185 , C23C14/3407 , C23C14/3464 , C23C14/352 , G03F1/00 , G03F1/46 , G03F1/50 , G03F1/54 , G03F1/80 , G03F7/20 , H01J37/34 , H01J37/3426 , H01J37/3429
摘要： 본발명은, 광학농도등의특성의편차가작고, 저결함고품질의기능성막이며높은에칭속도를갖는기능성막의제조기술을제공하는것을목적으로한다. 이를해결하기위하여, 본발명에관한포토마스크블랭크의제조방법에서는, 투명기판상에기능성막을적어도 1층구비한포토마스크블랭크를제조할때에, 기능성막을, 크롬원소와, 크롬과의혼합계가액상으로되는온도가 400℃이하인금속원소를함유하는크롬계재료를포함하는것으로하고, 이기능성막을성막하는공정에있어서, 크롬타겟(타겟 A)과, 적어도 1종의상기금속원소를주성분으로하는타겟(타겟 B)을동시에스퍼터링(코·스퍼터링: Co-Sputtering)한다. 또한, 상기타겟 A 및타겟 B를그들 1개씩사용하는형태외에, 어느한쪽의타겟을복수사용하는형태나, 양쪽의타겟을복수사용하는형태로할 수도있다.

5. 发明公开

KR1020170095786A 스퍼터링용 타겟재, 규소 함유막의 성막 방법, 및 포토마스크 블랭크 审中-实审
标题翻译：溅射靶材，形成含硅膜的方法和光掩模坯料
公开(公告)号：KR1020170095786A
公开(公告)日：2017-08-23
申请号：KR1020170101092
申请日：2017-08-09
申请人： 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤
发明人： 가네꼬,히데오 , 이나즈끼,유끼오 , 요시까와,히로끼
IPC分类号： C23C14/18 , G03F1/50 , H01L21/027 , C23C14/00 , C23C14/06 , C23C14/34 , C23C14/56 , G03F1/54
CPC分类号： C23C14/3414 , C23C14/0036 , C23C14/0676 , C23C14/564 , G03F1/54 , C23C14/185 , G03F1/50 , H01L21/0274
摘要： 본발명은스퍼터링공정중에파티클이발생하기어려운규소타겟재를제공하고, 성막되는규소함유막의저결함화(고품질화)를도모하는것에관한것이다. 또한, 규소함유막의성막에, 실온에서의비저항이 20Ωㆍcm 이상인규소타겟재를이용한다. 규소타겟재는다결정이나비정질의것일수도있지만, 단결정의것으로하면보다안정된방전상태를실현할수 있다는이점이있다. 또한, FZ법에의해결정육성된단결정실리콘은산소함유량이낮기때문에, 고순도규소타겟재로서바람직한재료이다. 또한, 안정된방전특성을얻는관점에서는도너불순물을포함하는 n형의것인쪽이바람직하다. 규소함유막의스퍼터링성막은본 발명의규소타겟재만을단독또는복수이용하여행하는것 이외에, 규소타겟재와전이금속과규소를함유하는타겟재를동시에이용하거나, 규소타겟재와전이금속타겟재를동시에이용하는것으로서행할수도있다.
摘要翻译：本发明涉及提供硬硅靶材到颗粒在溅射过程中发生，并且该含硅薄膜，其是成膜实现更低的缺陷屏幕（升级）。而且，室温下的电阻率为20Ωcm以上的硅靶材用于含硅膜的成膜。硅靶材料可以是多晶或非晶的，但是通过使用单晶可以实现更稳定的放电状态。另外，由于氧含量低，因此通过FZ法结晶生长的单晶硅是用于高纯度硅靶材的优选材料。从获得稳定的放电特性的观点出发，优选使用含有n型的施主杂质。含硅膜，在除了执行单独或多个使用本发明中，硅靶材料的硅靶灰烬和使用过渡金属作为同时含有硅的同时的靶材料，或硅靶材和过渡金属靶材料的溅射成膜等等。

6. 发明公开

KR1020170051419A 반사형 마스크 블랭크 및 그 제조 방법, 반사형 마스크 및 그 제조 방법, 및 반도체 장치의 제조 방법 审中-实审
标题翻译：反射式掩模坯及其制造方法，反射掩模及其制造方法，以及半导体装置的制造方法
公开(公告)号：KR1020170051419A
公开(公告)日：2017-05-11
申请号：KR1020177004859
申请日：2015-09-14
申请人： 호야 가부시키가이샤
发明人： 쇼끼,즈또무 , 아사까와,다쯔오 , 고자까이,히로후미
IPC分类号： G03F1/24 , G03F1/86 , C23C14/14 , C23C14/34 , C23C14/46
CPC分类号： H01L21/0274 , C23C14/0036 , C23C14/0641 , C23C14/18 , C23C14/185 , C23C14/34 , C23C14/3464 , C23C14/35 , C23C14/46 , C23C14/5806 , C23C14/5873 , G03F1/24 , G03F1/48 , G03F1/54 , G03F1/76 , G03F1/80 , G03F1/86 , G03F7/2002
摘要： 전자선에의한마스크결함검사시의차지업을방지함과함께, 평활성이높은다층반사막을갖는저결함의반사형마스크블랭크, 및반사형마스크와그 제조방법을제공한다. 기판(1) 상에도전성하지막(4)과, 노광광을반사하는다층반사막(5)과, 노광광을흡수하는흡수체막(7)이적층된 EUV 리소그래피용반사형마스크블랭크(100)이며, 상기도전성하지막은, 상기다층반사막과인접하여형성된막 두께가 1㎚이상 10㎚이하인탄탈륨계재료또는루테늄계재료의단층막, 또는상기다층반사막과인접하여형성된막 두께가 1㎚이상 10㎚이하인탄탈륨계재료층과당해탄탈륨계재료층과상기기판의사이에형성된도전성재료층을포함하는적층막을포함하는반사형마스크블랭크, 및그 마스크블랭크를사용하여제조된반사형마스크로한다. 또한, 그반사형마스크를사용하여반도체장치를제조한다.
摘要翻译：用也防止过度充电在由电子束掩模缺陷检查的时间，提供了缺陷的低反射型掩模基板，和反射型掩模和制造具有高平滑度的多层反射膜的方法。基板1是不上的薄膜导电（4），多层反射膜5和用于吸收曝光光线膜7转移层EUV光刻yongban扫描掩模坯件（100），用于反射的曝光光的吸收，导电膜是没有的，多层反射膜和钽基材料或钌系材料构成的单层膜的厚度小于10㎚1㎚形成为比厚度1㎚相邻地形成多层反射膜不大于钽更10㎚邻近于或更系统和与现有技术的钽基材料层的材料层和反射式掩模使用该多层反射型掩模坯料制造，mitgeu掩模坯料包括包括在所述基底之间形成的导电材料层的膜。此外，使用反射掩模制造半导体器件。

7. 发明公开

KR1020170048297A 포토마스크 블랭크 및 포토마스크의 제조 방법 审中-实审
标题翻译：光掩模坯和光掩模的制造方法
公开(公告)号：KR1020170048297A
公开(公告)日：2017-05-08
申请号：KR1020170052648
申请日：2017-04-25
申请人： 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤
发明人： 후까야,소우이찌 , 나까가와,히데오 , 사사모또,고우헤이
IPC分类号： H01L21/027 , G03F1/20 , G03F1/32 , G03F1/38 , G03F1/50 , G03F1/54 , G03F1/80
CPC分类号： G03F1/50 , G03F1/26 , G03F1/32 , G03F1/54 , G03F1/80
摘要： 본발명은, 크롬계재료를포함하는하드마스크막에요구되는화학적특성등의다양한특성은담보하면서, 해당크롬계재료막을에칭할때 포토레지스트에대한부하를경감시키는것이다. 투명기판(1) 상에차광막(2)이형성되어있고, 이차광막(2) 상에하드마스크막(3)이설치되어있다. 하드마스크막(3)은그 전체가주석을함유하는크롬계재료를포함한다. 주석을함유하는크롬계재료를포함하는막은염소계드라이에칭시의에칭속도를유의하게향상시킬수 있다. 뿐만아니라, 크롬의일부를경원소로치환한크롬계재료를포함하는막에비해, 불소계드라이에칭에대하여동등이상의에칭내성을갖는다. 이때문에, 하드마스크막을가공하기위한포토레지스트에대한에칭부하가경감되어, 레지스트막을얇게한 경우에도고정밀도의패턴전사가가능해진다.
摘要翻译：本发明在确保各种特性（例如包括铬基材料的硬掩模膜所需的化学特性）的同时对铬基材料膜进行蚀刻时降低了光致抗蚀剂上的负载。在透明基板1上形成遮光膜2，在二次遮光膜2上形成硬掩模膜3。硬掩模膜3包括其整个表面包含锡的铬基材料。包含含锡铬基材料的膜可显着提高氯干法蚀刻期间的蚀刻速率。另外，与含有将铬的一部分置换为轻稀土元素的铬系材料的膜相比，该膜具有与氟干式蚀刻相同或更高的耐蚀刻性。因此，用于处理硬掩模膜的光致抗蚀剂上的蚀刻负荷减小，并且即使当抗蚀剂膜变薄时，也可以进行高精度的图案转印。

8. 发明公开

KR1020170044443A 반사형 포토마스크 및 그 제조 방법 审中-实审
标题翻译：反射型光掩模及其制造方法
公开(公告)号：KR1020170044443A
公开(公告)日：2017-04-25
申请号：KR1020150144152
申请日：2015-10-15
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김인성 , 김성수
IPC分类号： G03F1/24 , G03F1/52 , G03F7/039 , H01L21/033 , H01L21/306
CPC分类号： G03F1/24 , G03F1/54
摘要： 반사형포토마스크는기판, 반사층, 흡수층을갖는다. 반사층은기판상에형성되고, 함몰부를갖는다. 흡수층은함몰부에형성되고흡수체와폴리머를갖는다.
摘要翻译：反射型光掩模具有基板，反射层和吸收层。反射层形成在基板上并具有凹陷。吸收层形成在凹陷中并具有吸收体和聚合物。

9. 发明授权

KR101724776B1 전사용 마스크, 전사용 마스크의 제조 방법 및 반도체 디바이스의 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR101724776B1
公开(公告)日：2017-04-07
申请号：KR1020127011992
申请日：2010-10-08
申请人： 호야 가부시키가이샤
发明人： 하시모또,마사히로 , 사까이,가즈야 , 스즈끼,도시유끼 , 오노,가즈노리
IPC分类号： G03F1/32 , G03F1/54 , G03F1/80 , G03F1/82 , G03F1/76
CPC分类号： G03F1/32 , G03F1/54 , G03F1/80
摘要： 투광성기판상에형성된패턴형성용박막에전사패턴이형성되어이루어지고, 파장 200㎚이하의노광광이적용되는전사용마스크이다. 패턴형성용박막은, 크롬을제외한천이금속및 규소를함유하는재료로이루어지고, 막중의크롬함유량이, 1.0×10atoms/㎤미만의것이다.

10. 发明授权

KR101681335B1 포토마스크 블랭크, 포토마스크 및 그 제조 방법과, 반도체 디바이스의 제조 방법 有权
标题翻译：用于生产它们的光伏白板光刻工艺及其生产半导体器件的方法
公开(公告)号：KR101681335B1
公开(公告)日：2016-11-30
申请号：KR1020117009907
申请日：2009-09-30
申请人： 호야 가부시키가이샤
发明人： 하시모또,마사히로 , 고미나또,아쯔시
IPC分类号： G03F1/50 , G03F1/22 , H01L21/027
CPC分类号： G03F1/80 , G03F1/14 , G03F1/54 , G03F1/68
摘要： ArF 엑시머레이저노광용포토마스크를제작하기위해이용되는포토마스크블랭크에관한것으로, 반도체디자인룰에서의 DRAM 하프피치(hp) 32㎚이후의세대에의적용을목적으로한다. 파장 200㎚이하의노광광이적용되는포토마스크를제작하기위해이용되는포토마스크블랭크로서, 상기포토마스크블랭크는, 투광성기판과, 투광성기판상에형성되고, 몰리브덴및 실리콘을함유하는차광막과, 그차광막상에접하여형성되고, 크롬을함유하는에칭마스크막을구비하고, 상기차광막은, 상기투광성기판측으로부터차광층과반사방지층을이 순서대로구비하고, 상기차광층의몰리브덴의함유량이 9원자% 이상 40원자% 이하이며, 상기에칭마스크막의크롬의함유량이 45원자% 이하인것을특징으로하는포토마스크블랭크이다.
摘要翻译： [目的]一种用于制造用ArF准分子激光曝光的光掩模的光掩模坯料。光掩模坯料旨在应用于半导体设计规则中的32nm DRAM半间距（hp）和后代。 [解决方案]光掩模坯料用于制造其中施加具有不超过200nm的波长的曝光光的光掩模。光掩模坯料的特征在于包括透明基板，形成在透明基板上并含有钼和硅的遮光膜，以及直接形成在遮光膜上并含有铬的蚀刻掩模膜。光掩模坯料的特征还在于，所述遮光膜包括从透明基板侧依次设置的遮光层和防反射层，所述遮光层的钼含量为9〜40个％，蚀刻掩模膜的铬含量为45原子％以下。

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