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11. 发明公开

KR1020060125910A 실리콘막 형성장치 失效
标题翻译：硅胶成型设备
公开(公告)号：KR1020060125910A
公开(公告)日：2006-12-06
申请号：KR1020067019605
申请日：2005-03-22
申请人： 닛신덴키 가부시키 가이샤
发明人： 도묘아츠시 , 다카하시에이지 , 후지와라마사키 , 고테라다카시 , 오노다마사토시
IPC分类号： C23C14/14 , C23C14/34
CPC分类号： H01J37/321 , C23C14/165 , C23C14/3471
摘要： Silicon film forming equipment is provided with a film forming chamber (10), a silicon sputter target (2) arranged in the chamber, a hydrogen gas supplying circuit (102 or 102') for supplying the chamber with hydrogen gas, and a high- frequency power applying apparatus (antenna (1, 1'), power supply PW, etc.) for applying high-frequency power to the hydrogen gas supplied in the film forming chamber (10) so as to generate inductively coupled plasma. The silicon film forming equipment forms a silicon film on a substrate S by chemically sputtering the target (2) by the plasma. Silane gas may be used at the same time. A gas reservoir (GR) may be provided on a silane gas supplying circuit (101). A desired silicon film can be formed at a relatively low temperature at a low cost and at a higher speed.
摘要翻译：硅成膜设备设置有成膜室（10），设置在室中的硅溅射靶（2），用于向室供应氢气的氢气供应回路（102或102'），用于向在所述成膜室（10）中供应的氢气施加高频电力以产生电感耦合等离子体的高频电力施加装置（天线（1,1'），电源PW等）。硅膜形成设备通过用等离子体化学溅射靶（2）在衬底S上形成硅膜。硅烷气可以同时使用。可以在硅烷气体供给回路（101）上设置储气罐（GR）。可以以较低的成本和较高的速度在较低的温度下形成所需的硅膜。

12. 发明公开

KR1020060124777A 결정성 실리콘 박막의 형성방법 및 장치 失效
标题翻译：用于形成结晶硅薄膜的方法和设备
公开(公告)号：KR1020060124777A
公开(公告)日：2006-12-05
申请号：KR1020067019603
申请日：2005-03-22
申请人： 닛신덴키 가부시키 가이샤
发明人： 도묘아츠시 , 다카하시에이지
IPC分类号： H01L21/203
CPC分类号： H01J37/34 , C23C14/14 , C23C14/3471 , H01L21/02422 , H01L21/02532 , H01L21/02631
摘要： Hydrogen gas is introduced into a film forming chamber (10) wherein a silicon sputter target (2) and a substrate (S) whereupon a film is to be formed are arranged, high-frequency power is applied to the gas, and plasma having a value Halpha/SiH* at 0.3 to 1.3 is generated in the film forming chamber. The silicon sputter target (2) is chemically sputtered by the plasma, and a crystalline silicon thin film is formed on the substrate (S). The high-quality crystalline silicon thin film can be safely formed at a relatively low temperature at a low cost.
摘要翻译：将氢气引入到其中将形成硅溅射靶（2）和衬底（S）的薄膜形成室（10）中，并且其上形成有膜，高频功率被施加到气体上，等离子体具有在成膜室中产生0.3〜1.3的值Halpha / SiH *。硅溅射靶（2）由等离子体化学溅射，在基片（S）上形成晶体硅薄膜。高质量的结晶硅薄膜可以以较低的成本在较低的温度下安全地形成。

13. 发明公开

KR1020060094332A 금 나노가 함유된 기능성 침 无效
标题翻译：纳诺黄金包含一个脊椎
公开(公告)号：KR1020060094332A
公开(公告)日：2006-08-29
申请号：KR1020050015419
申请日：2005-02-24
申请人： 양원동
发明人： 양원동
IPC分类号： A61H39/08 , A61L2/00 , C23C14/34 , C23C16/50
CPC分类号： A61H39/086 , A61L2/0082 , C23C14/3471 , C23C16/50
摘要： 본원 발명은 침술 원이나 한 의원에서 인체가 삐거나 결리거나 통증 시와 비만치료에 맞게 되는 침(10)에 관한 것으로서 스테인리스 스틸이나 티타늄과 같은 금속과 최근에 출시된 광물질, 플라스틱 수 지 재로 이루어진 침(10)의 소재에
금 나노(100)를 투입하여 침(10)을 항 살균, 제독하고 음 이온을 발생시키고 금에전기를 가하여 전기 전도율을 높여 치료효과를 높일 수 있는 기능성 침(10)의 제조 방법에 관한 것이다.
세균이나 바이러스는 많은 사람의 손이 많이 닿는 곳에 가장 많이 잠복해 있으며 사람들은 대부분 이 사실을 모르고 있으며 특이 나 한의원이나 침술 원에서 사용하는 침(10)은 항상 세균과 바이러스 위험에 노출되어있다.
침(10)의 대분류로는 일회용과 다 회용 침(10)으로 나뉘게 되는데 일회용 침(10)이라고 해서 안전하고 다 회용 침(10)이라고 해서 비위생적이라고 말하기는 어렵고 일단 일회용 침(10)이라고 해도 감염은 될 수 있는데 침(10)을 시술하기 전에 알코올로 소독을 하지만 소독이라기보다는 문지르는 것이고 문제가 되는 것은 침(10)을 놓는 한의사나 침 술사의 손이다.
침의 시술은 침(10)의 상부를 잡고 손에 힘을 주어 침(10)을 놓는데 우리 인체 속으로 들어가는 부분도 시술자의 손이 닿을 수 있기 때문에 병균에 감염될 수 있고 매번 환자의 몸에 침(10)을 놓을 때마다 손을 씻는다고 가정해도 엄청난 수의 세균이나 바이러스가 한의사나 침술사의 손에 붙어 있고 사람의 손으로 놓게 되니 손에 묻은 병균이 인체로 들어갈 수밖에 없으며 손을 통하여 주위의 모든 병원균을 거의 모든 것을 옮겨줄 가능성이 있다 해도 과언이 아니며 이미 매스컴 등을 통해서 알려진 바와 같이 사람의 손에는 약 2만 마리/㎠~ 만 마리/㎠ 이상의 세균이 잠복해 있다고 공중파로 보도되어 우리를 놀라게 하고 있는 실정이다.
침이란 속성은 피부에 삽입되어 어떻게든 상처를 내기 때문에 침(10)을 맞고 알코올로 잘 소독한다고 해도 침(10)을 꼽았던 상처로 병균이 들어갈 확률이 높아 감염되는 경우가 흔하게 발생한다.
본원 발명은 침(10)의 소재에 금 나노재를 배합이나 코팅(110)하여 각종 곰팡이, 세균, 바이러스 등을 살균하고, 음 이온과 원적외선을 발생하는 한편 전 기침을 맞을 시에 금의 높은 전도율에의 하여 전기가 몸속으로 고루 퍼지게 하여 통증 완화와 체지방을 분해하는데 지대한 효과를 가질 수 있으며 침 시술자의 손에 의하여 감염될 수 있는 세균과 바이러스를 살균하여 깨끗하고 안전하고 청결한 침(10)을 사용하여 국민의 건강과 보건에 효과가 있는 목적이 있다.
침, 금 나노, 전기자극, 코팅, 살균, 제독

14. 发明公开

KR1020050092431A 박막 또는 박층의 이온화 증착 장치 및 방법 无效
标题翻译：膜或薄膜的沉积沉积的装置和方法
公开(公告)号：KR1020050092431A
公开(公告)日：2005-09-21
申请号：KR1020057013332
申请日：2004-01-21
申请人： 허니웰 인터내셔날 인코포레이티드
发明人： 미제,존 , 니에멜라,케네쓰 , 우,스티븐
IPC分类号： H01L21/20 , H01L21/02
CPC分类号： H01J37/321 , C23C14/3471 , H01J37/3405
摘要： A coil assembly (200) is described herein that comprises a) at least one coil (220) with a width (240); and b) at least one boss (210) coupled to the at least one coil, wherein the at least one boss comprises at least two support sections. Methods of forming and/or producing coil assemblies are described herein and comprise a) providing a coil; b) providing at least one boss having at least two support sections; and c) coupling the at least one boss to the coil.
摘要翻译：本文描述的线圈组件（200）包括：a）具有宽度（240）的至少一个线圈（220）; 和b）联接到所述至少一个线圈的至少一个凸台（210），其中所述至少一个凸台包括至少两个支撑部分。本文描述了形成和/或制造线圈组件的方法，并且包括：a）提供线圈; b）提供至少一个具有至少两个支撑部分的凸台; 以及c）将所述至少一个凸台联接到所述线圈。

15. 发明公开

KR20180011203A 레이저 시스템들 또는 다른 시스템들 및 관련 디바이스들에서 사용할 도파관들을 형성하기 위한 기술들 审中-公开
标题翻译：形成用于激光系统或其他系统及相关设备的波导的技术
公开(公告)号：KR20180011203A
公开(公告)日：2018-01-31
申请号：KR20177036731
申请日：2016-07-01
IPC分类号： G02B6/42 , G02B6/122 , G02B6/132 , H01S3/042 , H01S3/063 , H01S3/16 , H01S3/23
CPC分类号： G02B6/4272 , C23C14/3471 , C23C14/35 , G02B6/122 , G02B6/132 , H01S3/042 , H01S3/0632 , H01S3/1643 , H01S3/2308
摘要： 방법은전도기판(102a, 102b, 302a, 302b)의적어도일부를커버하는코팅(106a, 106b, 306a, 306b)을형성하는단계를포함하며, 전도기판은열 에너지를운반하도록구성된다. 방법은또한코팅상에광 도파관의적어도일부를형성하는단계를포함한다. 광도파관은다수의클래딩층(108a-108b, 308a-308b) 및코어(110, 310)를포함하고, 광도파관은광 신호들을운반하도록구성된다. 전도기판, 코팅및 광도파관은집적모놀리식도파관구조를형성한다.
摘要翻译：该方法包括形成覆盖导电衬底（102a，102b，302a，302b）的至少一部分的涂层（106a，106b，306a，306b），其中导电衬底被配置为承载热能。该方法还包括在涂层上形成光波导的至少一部分。光波导包括多个包层108a-108b，308a-308b和芯110和310，并且光波导被配置为承载光信号。导电基底，涂层和光波导形成一个集成的单片波导结构。

16. 发明公开

KR1020160109204A 대향 타겟식 스퍼터링 장치 有权
标题翻译：相对靶溅射装置
公开(公告)号：KR1020160109204A
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：KR1020150033212
申请日：2015-03-10
申请人： 성균관대학교산학협력단
发明人： 한전건 , 문룡 , 이준석 , 진수봉
IPC分类号： C23C14/34
CPC分类号： C23C14/3471
摘要： 본발명은대향타겟식스퍼터링장치에관한것이다. 보다상세하게, 본발명의일 측면에따른대향타겟식스퍼터링장치는, 소정의공간을에워싸는타겟면과타겟면의후면에배치된자기장발생유닛을포함하는제 1 스퍼터링부, 제 1 스퍼터링부의하부에배치되고, 소정의공간을에워싸는타겟면과타겟면의후면에배치된자기장발생유닛을포함하는제 2 스퍼터링부, 및제 1 스터퍼링부의상부에형성된개구부를덮도록배치된덮개부를포함하되, 제 1 스퍼터링부의타겟면과제 2 스퍼터링부의타겟면의소스물질이상이한것이다.
摘要翻译：反靶溅射设备技术领域本发明涉及一种反靶溅射设备。更特别地，根据本发明的一个方面，对置靶型溅射设备，所述第一溅射单元，第一溅射的下部部分，包括包围所述预定区域设置在所述目标表面的后部和所述目标表面的磁场产生单元布置，并包括：包围规定的空间在靶表面和所述第2部分溅射包括设置在所述靶的表面的后部的磁场产生单元，mitje 1上的盖的请求者水垢设置成覆盖形成于部件中的开口，所述第一溅射部分的靶表面问题2以上是溅射部分靶表面的源材料。

17. 发明公开

KR1020160085453A 다층 박막, 그 제조 방법 및 이를 포함하는 전자 제품 审中-实审
标题翻译：多层薄膜，其制造方法和包括其的电子产品
公开(公告)号：KR1020160085453A
公开(公告)日：2016-07-18
申请号：KR1020150002476
申请日：2015-01-08
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 조진현 , 유형준 , 이서준 , 정민철 , 정현준
IPC分类号： B32B15/04 , B32B37/24 , B32B38/00 , C23C14/34 , C23C28/00
CPC分类号： H05K3/46 , C23C14/0015 , C23C14/0042 , C23C14/0641 , C23C14/08 , C23C14/205 , C23C14/34 , C23C14/352 , C23C28/322 , C23C28/34 , C23C28/345 , H04M1/0283 , H05K3/0041 , H05K2203/085 , H05K2203/095 , B32B15/043 , B32B37/24 , B32B38/0008 , B32B2307/4026 , B32B2457/00 , C23C14/3471 , C23C28/00
摘要： 본발명은제품의표면에다층박막을증착시키는기술에관한발명이다. 본발명의일 실시예에따른다층박막은, 비전도성물질을포함하고, 대상체에결합되는제1층, 금속성물질을포함하고, 제1층에결합되는제2층및 비전도성물질을포함하고, 제2층에결합되는제3층을포함한다.
摘要翻译：本发明涉及在产品表面上沉积多层薄膜的技术。根据本发明的实施例，多层薄膜包括：具有非导电材料的第一层，并且耦合到物体; 第二层，具有金属材料，并且耦合到第一层; 以及具有非导电材料并且耦合到第二层的第三层。

18. 发明授权

KR101579742B1 웨이퍼 표면에서 등방성 이온 속도 분포의 소스를 이용한 물리적 기상 증착 방법 有权
标题翻译：具有等离子体速度分布在水面上的物理蒸气沉积方法
公开(公告)号：KR101579742B1
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：KR1020107022676
申请日：2009-03-12
申请人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
发明人： 호프만,다니엘제이. , 브라운,칼엠 , 루이,잉 , 피피톤,존
IPC分类号： H01L21/203
CPC分类号： C23C14/35 , C23C14/3471 , C23C14/50 , C23C14/542 , H01J37/32091 , H01J37/32174 , H01J37/32577 , H01J37/3266 , H01J37/32706 , H01J37/32715 , H01J37/34 , H01J37/3444
摘要： 작업물위로의물질의플라즈마강화물리적기상증착에서, 금속타겟은작업물의직경미만의타겟-투-작업물갭을가로질러작업물에대향한다. 캐리어가스가챔버내에유입되고, 챔버내의가스압력은임계압력을초과하게유지되는데, 임계압력에서평균자유경로는갭의 5% 미만이다. VHF 발생기로부터의 RF 플라즈마소스전력이타겟에인가되어타겟에용량결합플라즈마를발생시키는데, VHF 발생기는 30 MHz를초과하는주파수를갖는다. 플라즈마는 VHF 발생기의주파수에서작업물을통하여제 1 VHF 접지리턴경로를제공함으로써갭을가로질러작업물까지연장된다.
摘要翻译：在等离子体中将材料物理气相沉积到工件上时，金属靶在工件间距小于工件直径的工件间距对象。将载气引入室中，并且室中的气体压力保持在平均自由程小于间隙的5％的阈值压力以上。来自VHF发生器的RF等离子体源功率被施加到目标以在目标处产生电容耦合等离子体，VHF发生器具有超过30MHz的频率。通过在VHF发生器的频率处提供穿过工件的第一VHF接地返回路径，等离子体跨越间隙延伸到工件。

19. 发明公开

KR1020140133513A 스퍼터 장치 无效
标题翻译：喷头装置
公开(公告)号：KR1020140133513A
公开(公告)日：2014-11-19
申请号：KR1020147021919
申请日：2013-02-12
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 미즈노,시게루 , 고미,아츠시 , 미야시타,데츠야 , 하타노,다츠오 , 미즈사와,야스시
IPC分类号： H01L21/67 , C23C14/16 , C23C14/34 , H01J37/32 , H01J37/34
CPC分类号： H01J37/3411 , C23C14/165 , C23C14/3471 , H01J37/32082 , H01J37/3408 , H01J37/3438 , H01J37/345 , H01J2237/332 , H01L21/67011 , C23C14/34 , H01L21/02266 , H01L21/02631 , H01L21/203
摘要： 기판 상에 있어서의 성막 속도에 대하여 높은 면내 균일성을 확보하면서, 성막 효율을 향상시킬 수 있는 스퍼터 장치를 제공하는 것이다. 진공 용기(1) 내의 적재부(8) 상에 적재된 웨이퍼(10)에 대향하도록 타깃(21)을 배치하여, 적재부(8)를 대향 전극으로서 구성한다. 타깃(21)에 고주파 전력의 공급과 부의 직류 전압의 인가를 행하고, 이에 의해 타깃(21)과 적재부(8) 사이에 전계를 형성한다. Ar 가스는 이 전계에 의해 플라즈마화되어, 균일성이 높은 고밀도 플라즈마가 형성되고, 플라즈마 중의 Ar 이온이 타깃(21)에 충돌하여 스퍼터 입자가 방출된다. 이와 같은 플라즈마가 생성되기 때문에, 타깃(21)과 적재부(8)의 거리가 30㎜ 이하로 가까워짐으로써, 기판 상의 성막 속도의 면내 균일성을 확보하면서, 성막 효율을 향상시킬 수 있다.

20. 发明公开

KR1020140090754A ＭＡＸ 상 박막의 제조방법 审中-实审
标题翻译：最大相薄膜制造方法
公开(公告)号：KR1020140090754A
公开(公告)日：2014-07-18
申请号：KR1020130002743
申请日：2013-01-10
申请人： 부산대학교 산학협력단
发明人： 강명창 , 김광호 , 허재영 , 성진우
IPC分类号： C23C14/34
CPC分类号： C23C14/0641 , C23C14/3471 , C23C14/3485 , C23C14/5806
摘要： The present invention relates to a Ti2AIN MAX phase thin film and provides a method to manufacture a crystalline thin film directly from an amorphous Ti2AIN MAX thin film while depositing the thin film at relatively low temperatures, which is different from a conventional technology crystallizing by treating the amorphous Ti2AIN MAX thin film, which is formed by sputtering, with post heat at 800°C. According to the present invention, the method provides a wide choice of base materials since the method is capable of manufacturing an excellent crystalline thin film at the relatively low temperature of 400-500°C by manufacturing and using a Ti2AIN target, and ionizing metal particles escaping from the target by using plasma discharged by supplying impulse voltage, thereby extending the limit of application of the Ti2AIN MAX phase thin film.
摘要翻译：本发明涉及Ti2AIN MAX相薄膜，并且提供了一种从非晶Ti2AIN MAX薄膜直接制造晶体薄膜的方法，同时在相对低的温度下沉积薄膜，这与传统技术结晶不同，非晶Ti2AIN MAX薄膜，其通过溅射形成，在800℃下后热。根据本发明，该方法提供了广泛的基材选择，因为该方法能够通过制造和使用Ti2AIN靶而在400-500℃的较低温度下制造优异的结晶薄膜，并且电离金属颗粒通过使用通过提供脉冲电压的等离子体放电，从目标逃逸，从而延长了Ti2AIN MAX相薄膜的应用极限。

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