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1. 发明公开

KR20180032636A 열 민감성 접합 금속 타겟들의 냉각 및 활용도 최적화 审中-公开
标题翻译：优化热敏粘合金属靶的冷却和利用
公开(公告)号：KR20180032636A
公开(公告)日：2018-03-30
申请号：KR20187005482
申请日：2015-07-24
申请人： APPLIED MATERIALS INC
发明人： GRIMM HELMUT , ZILBAUER THOMAS WERNER
IPC分类号： H01J37/34 , C23C14/34 , C23C14/35
CPC分类号： H01J37/3408 , C23C14/3407 , C23C14/35 , H01J37/3417 , H01J37/3426 , H01J37/3435 , H01J37/3497
摘要： 스퍼터링소스(100)가설명된다. 스퍼터링소스는, 타겟수용표면(112), 및타겟수용표면반대편의추가적인표면(110)을갖는배킹지지부(102), 및추가적인표면에인접하게제공된적어도하나의자석조립체(115)를포함하며, 여기서, 배킹지지부의타겟수용표면은적어도하나의오목부(120)를갖고, 여기서, 오목부는자석조립체와대향하게제공된다.
摘要翻译：假设溅射源100。溅射源包括背衬支撑件102，背衬支撑件102具有目标接收表面112和与目标接收表面相对的附加表面110以及邻近附加表面设置的至少一个磁体组件115，，背衬支撑件的目标接收表面具有至少一个凹部120，其中凹部设置为与磁体组件相对。

2. 发明公开

KR20180027635A 스퍼터링 박막 형성 장치 审中-公开
标题翻译：溅射薄膜成形装置
公开(公告)号：KR20180027635A
公开(公告)日：2018-03-14
申请号：KR20187006202
申请日：2011-08-30
IPC分类号： C23C14/34 , C23C14/35 , H01J37/32 , H01J37/34
CPC分类号： H01J37/3411 , C23C14/3471 , C23C14/358 , H01J37/321 , H01J37/3211 , H01J37/3408 , H01J37/3417
摘要： 제막(製膜) 속도가높고, 품질이높은박막을형성할수 있는스퍼터링박막형성장치를제공한다. 스퍼터장치(10)는, 진공용기(11) 내에마련된타겟홀더(14)와, 타겟홀더(14)에대향하여마련된기판홀더(15)와, 진공용기(11) 내에플라즈마생성가스를도입하는수단(19)과, 타겟(T)의표면을포함하는영역에스퍼터용전계를생성하는수단(161)과, 진공용기(11)의벽의내면과외면의사이에마련되며, 유전체창(窓, 183)에의해진공용기의내부와구획된고주파안테나배치실(182)과, 고주파안테나배치실(182) 내에배치되며, 타겟유지수단에유지된타겟의표면을포함하는영역에고주파유도전계를생성하는고주파안테나(13)를구비한다.
摘要翻译：提供了能够高速形成高质量薄膜的薄膜形成溅射装置。溅射装置10具备：设置在真空容器11内的靶保持件14，与靶保持件14对置的基板保持件15，向真空容器11内导入等离子体生成气体的单元19，产生电场的单元161，在包括靶T的表面的区域中溅射;设置在真空容器的壁的内表面和外表面之间的天线放置室182，以及通过电介质窗183与真空容器的内部空间隔开;以及射频天线13，其设置在天线放置室182中，用于在包括由目标保持器保持的目标的表面的区域中产生射频感应电场。

3. 发明公开

KR1020170076824A 웨이퍼 프로세싱 증착 차폐 부품 审中-实审
公开(公告)号：KR1020170076824A
公开(公告)日：2017-07-04
申请号：KR1020177017742
申请日：2010-04-06
申请人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
发明人： 리커,마틴,엘. , 에워트,마우리스,이. , 서브라마니,아난타,케이.
IPC分类号： H01L21/203 , C23C14/34 , H01L21/324 , H01L21/02 , H01L21/285
CPC分类号： H01J37/3408 , C23C14/35 , C23C14/358 , H01J37/3447
摘要： 본명세서에기술된실시예들은전체적으로기판상의고 종횡비피처의바닥및 측벽들로재료들을균일하게스퍼터증착하기위한장치및 방법에관련된다. 일실시예에서는기판지지페데스탈과스퍼터링타깃사이에위치한쉴드부재와의기계적및 전기적결합을위한콜리메이터가제공된다. 상기콜리메이터는중앙영역과주변영역을포함하며, 관통하여연장하는복수의개구를구비하며, 여기서중앙영역에배치된개구들은주변영역에배치된개구들보다더 큰종횡비를가진다.

4. 发明公开

KR1020170041903A 성막 장치 및 성막 방법 审中-实审
标题翻译：成膜装置和成膜方法
公开(公告)号：KR1020170041903A
公开(公告)日：2017-04-17
申请号：KR1020177006966
申请日：2016-02-24
申请人： 가부시키가이샤 알박
发明人： 아사카와,케이치로 , 하마구치,주니치 , 소노다,카즈히로 , 누마타,유키노부 , 코카제,유타카
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/3065 , H01L21/285 , C23C14/18 , C23C14/34 , C23C14/58 , H01L21/768 , H01J37/32 , H01J37/34
CPC分类号： H01L21/76867 , C23C14/046 , C23C14/165 , C23C14/185 , C23C14/3407 , C23C14/5826 , H01J37/32036 , H01J37/32366 , H01J37/32403 , H01J37/32477 , H01J37/32513 , H01J37/32623 , H01J37/3408 , H01J37/3426 , H01J37/3476 , H01J2237/334 , H01L21/2855 , H01L21/76843 , H01L21/76865
摘要： 에칭처리시에기판엣지부에음전하가집중하는것을방지함으로써, 고-종횡비의홀 내면에커버리지좋은박막을성막할수 있는성막장치를제공한다. 타겟(21)이배치되는진공챔버(1)와, 진공챔버내에서기판(W)을유지하는스테이지(4)와, 타겟에소정의전력을투입하는제1 전원(E1)과, 스테이지에교류전력을투입하는제2전원(E2)를구비하고, 제1 전원에의해타겟에전력투입하여타겟을스퍼터링하는성막처리와, 제2 전원에의해스테이지에교류전력을투입하여기판에성막된박막을에칭하는에칭처리를할 수있는본 발명의성막장치(SM)는, 기판의주위에방착판(7c)이배치되고, 스테이지에서유지되는기판의성막면쪽을위로하고, 기판에근접하는방착판의부분(71)이기판상면과동등한평면상에위치하는성막위치와, 이방착판의부분이기판상면으로부터위쪽에위치하는에칭위치사이에서쉴드(shield)를상하움직이게하는구동수단(8)을구비한다.
摘要翻译：本发明提供一种成膜装置，其能够通过防止在蚀刻处理时负电荷集中于基板的端部而在高纵横比的孔的内表面形成覆盖率高的薄膜。用于将衬底W保持在真空室中的工作台4，用于向目标施加预定功率的第一电源E1，用于向目标施加预定功率的第一电源E1，中通过将AC功率提供给级通过第二与电源（E2），和由功率输入由第一功率源的溅射靶的成膜处理到目标，对输入的第二电源形成在基板上的薄膜房间chakpan沉积设备的一部分（SM）根据本发明可以被称为蚀刻工艺，和房间chakpan（7C）在衬底周围yibaechi，并且在膜形成在台上保持的基片，靠近所述基板的表面侧（ 71）设置有驱动装置（8），用于等效的面位于上面板成膜位置，并上下移动，其中定位在所述上表面上衬底上方各向异性chakpan的蚀刻部分的位置之间的屏蔽件（屏蔽）。

5. 发明授权

KR101702895B1 기판 처리 챔버용 냉각 차폐부 有权
标题翻译：基板加工室用冷却板
公开(公告)号：KR101702895B1
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：KR1020157015179
申请日：2008-04-22
申请人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
发明人： 파블로프,크리스토퍼마크 , 쉐이블,캐쓰린
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/203
CPC分类号： H01J37/3408 , C22C21/00 , C23C14/564 , H01J37/32477 , H01J37/32633 , H01J37/3441 , H01J37/3497
摘要： 프로세스키트(200)는기판의오버행엣지및 챔버부품들상의프로세스증착물들의증착을감소시키기위하여, 기판처리챔버(100)의스퍼터링타깃(140)을둘러싸는상부차폐부(201a)를포함한다. 상기설명된차폐부는내부표면(219) 상의수직평면(221b) 및형성된평면(221a) 및외부표면(220) 상의복수의단차부(223)들을가지는원통형밴드(214)와지지레그(226) 및정상링(216)을갖는단일구성이다. 정상링은상기스퍼터링타깃의경사진주변엣지를에워싸도록형성된아치형표면을가지는반경방향내측융기부(217)를포함한다.
摘要翻译：处理套件包括在衬底处理室中环绕溅射靶的上屏蔽件，以减少工艺沉积物沉积在腔室部件和衬底悬垂边缘上的沉积。所描述的屏蔽具有整体结构，具有顶环，支撑凸缘和具有多个台阶的圆柱形带。

6. 发明授权

KR101670101B1 ＲＦ 스퍼터링 장치 有权
标题翻译： RF射频安排
公开(公告)号：KR101670101B1
公开(公告)日：2016-10-27
申请号：KR1020117011767
申请日：2009-11-20
申请人： 에바텍 어드벤스드 테크놀로지스 아크티엔게젤샤프트
发明人： 크라저마틴
IPC分类号： H01J37/34
CPC分类号： H01J37/3408 , H01J37/3438
摘要： 본발명의스퍼터링장치는적어도하나의측벽, 저부및 커버에의해한정되는진공챔버와, 진공챔버내에배치된표면을갖는적어도하나의제1 전극과, 진공챔버내에배치된표면을갖는상대전극과, RF 발생기를포함한다. RF 발생기는적어도하나의제1 전극과상대전극에걸쳐서 RF 전계를가하여제1 전극과상대전극간에플라즈마를점화시키도록구성된다. 상대전극은진공챔버의측벽및/또는저부의적어도일부분과추가의전도성부재를포함한다. 추가의전도성부재는일반적으로서로평행하게배치되고소정거리만큼이격된적어도두 개의표면을포함한다.

7. 发明授权

KR101643133B1 물리 기상 증착 챔버용 셔터 디스크 有权
标题翻译：用于物理气相沉积室的快门盘
公开(公告)号：KR101643133B1
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：KR1020117009308
申请日：2009-09-21
申请人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
发明人： 브라운,칼엠. , 샬러,제이슨
IPC分类号： H01L21/203
CPC分类号： C23C14/564 , H01J37/3408 , H01J37/3447
摘要： 물리기상증착챔버에서기판지지체를차폐하기적절한셔터디스크가제공된다. 일실시예에서, 셔터디스크는최상부표면과바닥표면사이에위치된외경을포함하는디스크-형상본체를포함한다. 디스크-형상본체는상기바닥표면을상기외경에연결하는이중스텝부를포함한다.
摘要翻译：提供了一种适用于在物理气相沉积室中屏蔽衬底支撑的遮盘。在一个实施例中，遮盘包括盘形主体，该盘形主体包括定位在顶表面和底表面之间的外径。盘形主体包括将底面连接到外径的双台阶部分。

8. 发明授权

KR101642037B1 프로세스 키트 차폐물들 및 이의 사용 방법들 有权
标题翻译：工艺套件及其使用方法
公开(公告)号：KR101642037B1
公开(公告)日：2016-07-22
申请号：KR1020117006810
申请日：2009-08-24
申请人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
发明人： 좀머스,조셉,에프. , 밀러,케이쓰,에이.
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/203 , H01L21/205
CPC分类号： H01J37/32495 , C23C14/35 , C23C14/564 , C23C16/4404 , C23C16/4407 , H01J37/32477 , H01J37/32504 , H01J37/3408
摘要： 프로세스챔버에서사용하기위한프로세스키트차폐물들및 그사용방법들이본원에제공된다. 일부실시예들에서, 프로세스키트차폐물은바디를포함할수 있고, 상기바디는제1 층및 상기제1 층에접착된제2 층을포함하는벽을구비하고, 상기제1 층은프로세싱중에상기제1 층상에배치된물질을제거하기위해사용되는세정화학물질에내성이있는제1 물질을포함하고, 상기제2 층은, 상기제1 물질과상이하며상기제1 물질의열팽창계수와실질적으로유사한열팽창계수를갖는제2 물질을포함한다. 일부실시예들에서, 프로세스키트차폐물은프로세싱용적및 비-프로세싱용적을구비하는프로세스챔버내에배치될수 있다. 프로세스키트차폐물은프로세싱용적및 비-프로세싱용적사이에배치될수 있다.

9. 发明授权

KR101641398B1 ＲＦ 스퍼터링 장치 有权
标题翻译： RF溅射装置
公开(公告)号：KR101641398B1
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：KR1020117014450
申请日：2009-12-21
申请人： 에바텍 어드벤스드 테크놀로지스 아크티엔게젤샤프트
发明人： 웨이체트쥬얼겐 , 펠처하인즈
IPC分类号： H01J37/34 , H01J37/32
CPC分类号： H01J37/34 , H01J37/32541 , H01J37/3408 , H01J37/3438
摘要： 스퍼터링장치는진공챔버, 진공챔버내에배열된제1 표면을갖는적어도하나의제1 전극, 진공챔버내에배열된표면을갖는상대전극, 및 RF 발생기를포함한다. RF 발생기는제1 전극과상대전극사이에플라즈마를발생시키기위하여적어도하나의제1 전극과상대전극을가로질러 RF 전기장을인가하도록구성된다. 상대전극은진공챔버와연통하는적어도 2개의공동을포함하는데, 공동의각각은플라즈마가공동내에형성될수 있도록하는치수를갖는다.
摘要翻译：该溅射设备包括真空室，具有布置在真空室中的第一表面的至少一个第一电极，具有布置在真空室中的表面的反电极以及RF发生器。 RF发生器被配置为在至少一个第一电极和对电极上施加RF电场以在第一电极和对电极之间产生等离子体。反电极包括与真空室连通的至少两个空腔，每个空腔的尺寸使得可以在空腔中形成等离子体。

10. 发明公开

KR1020150136142A 웨이퍼 프로세싱 증착 차폐 컴포넌트들 审中-实审
标题翻译：波浪加工沉积屏蔽部件
公开(公告)号：KR1020150136142A
公开(公告)日：2015-12-04
申请号：KR1020157032979
申请日：2009-04-14
申请人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
发明人： 리커,마틴,리 , 밀러,케이쓰,에이. , 서브라마니,아난타,케이.
IPC分类号： H01L21/203 , H01L21/02 , C23C16/458 , C23C14/34 , C23C14/50 , C23C14/56
CPC分类号： C23C16/4585 , C23C14/34 , C23C14/50 , C23C14/564 , H01J37/32623 , H01J37/32633 , H01J37/3408 , H01J37/3441
摘要： 본명세서에기술된실시예들은일반적으로반도체프로세싱챔버를위한컴포넌트들, 반도체프로세싱챔버를위한프로세스키트, 및프로세스키트를갖는반도체프로세싱챔버에관한것이다. 일실시예에서, 스퍼터링타겟및 기판지지대를에워싸기위한하부실드가제공된다. 하부실드는, 기판지지대및 스퍼터링타겟의스퍼터링표면을에워싸도록치수설정된제 1 직경을갖는실린더형외부밴드― 실린더형밴드는스퍼터링타겟의스퍼터링표면을둘러싸는상단벽 및기판지지대를둘러싸는바닥벽을포함함―, 실린더형외부밴드로부터방사상바깥방향으로연장되며레스팅표면을포함하는지지레지, 실린더형밴드의바닥벽으로부터방사상안쪽방향으로연장되는베이스플레이트, 및베이스플레이트와결합되며기판지지대의주변에지를부분적으로둘러싸는실린더형내부밴드를포함한다.

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