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1. 发明授权

KR101890781B1 터치 패널에서 이용하기 위한 투명 바디 및 그 제조 방법 및 장치 有权
公开(公告)号：KR101890781B1
公开(公告)日：2018-08-22
申请号：KR1020147030596
申请日：2012-03-30
申请人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
发明人： 그릴마이어,유르겐 , 칠바우어,토마스베르너
IPC分类号： G06F3/041 , H01J37/34
CPC分类号： G02B1/116 , C23C14/35 , C23C14/352 , G02B1/105 , G02B1/115 , G02B1/14 , G02B5/285 , G06F3/041 , G06F2203/04103 , H01J37/3405 , H01J37/3414 , H01J37/3429 , H01J2237/332
摘要： 터치스크린패널에서이용하기위한투명바디를제조하기위한프로세스가제공된다. 프로세스는투명기판(14) 위에제 1 투명층 스택(12)을증착하는단계― 상기제 1 투명층 스택(12)은제 1 굴절률을갖는제 1 유전체필름(16) 및상기제 1 굴절률과상이한제 2 굴절률을갖는제 2 유전체필름(18)을적어도포함함― ; 구조화된(structured) 투명전도성필름(22)을제공하는단계― 상기구조화된투명전도성필름(22)은, 상기제 1 투명층 스택(12) 및상기투명전도성필름(22)이이러한순서(order)로상기기판(14) 위에배치되는방식으로제공되며, 상기구조화된투명전도성필름은 100 Ohm/square 또는그 미만의시트저항(sheet resistance)을가짐― ; 및상기투명전도성필름위에제 2 투명층 스택을증착하는단계를포함하며, 상기제 2 투명층 스택은, 제 3 굴절률을갖는제 3 유전체필름및, 제 4 굴절률을갖는, 제 4 유전체필름또는투명접착제를적어도포함하며, 제 1 투명층 스택, 구조화된투명전도성필름및 제 2 투명층 스택은이러한순서로제공된다.

2. 发明公开

KR1020170102808A 기판 처리 장치 审中-实审
标题翻译：基板处理设备
公开(公告)号：KR1020170102808A
公开(公告)日：2017-09-12
申请号：KR1020170024176
申请日：2017-02-23
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 덴포,가즈키
IPC分类号： H01L21/02 , H05H1/46 , H01J49/10 , H01J37/32 , H01L21/324
CPC分类号： H01J37/32128 , C23C16/08 , C23C16/45536 , C23C16/45544 , C23C16/505 , C23C16/52 , H01J37/32091 , H01J37/321 , H01J37/3244 , H01J37/32724 , H01J2237/332
摘要： PEALD 처리를행하는기판처리장치에있어서, 웨이퍼에입사하는이온의에너지를대폭저감시키고, 이온의주입에의한퇴적막에의대미지를억제시켜, 표면성상이양호한성막처리를실시한다. 기판에대하여원료가스를공급하고, 기판에대하여플라즈마를조사해서성막처리를행하는기판처리장치는, 기판을적재하는적재대를기밀하게수용하는처리용기와, 상기처리용기내에플라즈마를생성하는플라즈마원을구비하고, 상기플라즈마원에는, 플라즈마생성용고주파전원이구비되고, 상기플라즈마원은, 생성되는플라즈마의시스전위를저감시키는시스전위저감수단을구비한다.
摘要翻译：用于进行PEALD工艺，并减少显著离子入射的能量在晶片上，通过离子注入来抑制沉积膜的损坏，并进行成膜处理的基板处理装置是优选的表面性质。的基板处理装置供给原料气体，以在衬底和通过照射等离子体至基板用于进行膜形成工艺，并且处理容器以气密地容纳在安装台用于安装基片，在处理容器中产生等离子体的等离子体源其中等离子体源设有用于产生等离子体的高频电源，并且等离子体源设有用于降低所产生的等离子体的鞘电位的鞘电位降低装置。

3. 发明公开

KR1020170099371A 플로우 쓰루 라인 충전 볼륨 审中-实审
标题翻译：通过线路收费量
公开(公告)号：KR1020170099371A
公开(公告)日：2017-08-31
申请号：KR1020170022073
申请日：2017-02-20
申请人： 램 리써치 코포레이션
发明人： 리저카를
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/205 , H01L21/67
CPC分类号： H01J37/3244 , C23C14/22 , C23C16/448 , C23C16/45544 , C23C16/45561 , H01J37/32009 , H01J37/32449 , H01J2237/332 , H01J2237/334 , H01L21/67069 , H01L21/67253
摘要： 반도체웨이퍼들을프로세싱하기위한반응기로의가스의전달에사용되는충전볼륨구성이제공된다. 충전볼륨은근위단부와원위단부사이에서연장하는챔버를포함한다. 베이스는챔버의근위단부에연결되고, 그리고베이스는유입부포트및 유출부포트를포함한다. 튜브는챔버내에배치된다. 튜브는챔버직경미만인튜브직경을갖는다. 튜브는챔버의근위단부에서유입부포트에커플링된연결단부및 챔버의원위단부에배치된출력단부를갖는다.
摘要翻译：提供充电体积配置用于将气体输送到用于处理半导体晶片的反应器。填充容积包括在近端和远端之间延伸的腔室。基座连接到腔室的近端，并且基座包括入口端口和出口端口。该管设置在腔室内。该管具有小于腔直径的管直径。该管具有连接端，该连接端连接到室的近端处的入口端和连接到室的上端的输出端。

4. 发明公开

KR1020170072965A 스퍼터링 타겟 및 그 제조방법, 및 트랜지스터 审中-实审
标题翻译：溅射靶，其制造方法和晶体管
公开(公告)号：KR1020170072965A
公开(公告)日：2017-06-27
申请号：KR1020177017122
申请日：2010-10-21
申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
发明人： 야마자키순페이 , 타카야마토루 , 사토케이지
IPC分类号： C23C14/10 , C23C14/34 , C23C14/56 , B29C31/00 , C04B35/01 , C04B35/453 , C04B41/00 , H01L21/02 , H01L29/786
CPC分类号： H01J37/3429 , B29C31/008 , C04B35/01 , C04B35/453 , C04B35/645 , C04B35/6455 , C04B41/0072 , C04B41/009 , C04B41/80 , C04B2111/00844 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3418 , C04B2235/658 , C04B2235/662 , C04B2235/666 , C04B2235/77 , C23C14/10 , C23C14/3414 , C23C14/564 , H01J2237/332 , H01L21/0242 , H01L21/02422 , H01L21/02488 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L29/41733 , H01L29/42384 , H01L29/45 , H01L29/66742 , H01L29/66969 , H01L29/78618 , H01L29/7869 , C04B35/04 , C04B35/10 , C04B35/457 , C04B41/4517 , C04B41/53
摘要： 산화물반도체막을성막하는성막기술을제공하는것을일 과제로한다. 금속산화물의소결체를포함하고, 그금속산화물의소결체의함유수소농도가예를들어 1×10atoms/cm미만으로낮은스퍼터링타겟을이용하여산화물반도체막을형성함으로써, HO로대표되는수소원자를포함하는화합물또는수소원자등의불순물의함유량이적은산화물반도체막을성막한다. 또한이 산화물반도체막을트랜지스터의활성층으로서적용한다.
摘要翻译：本发明的目的是提供一种用于形成氧化物半导体膜的成膜技术。它包括金属氧化物的烧结产物，并通过使用低溅射靶中所含的金属氧化物的烧结体，例如氢的浓度小于1×10atoms /厘米，以形成半导体薄膜由氧化物，含有的氢原子的化合物，其由HO表示或者氢原子等杂质含量少的氧化物半导体膜。氧化物半导体膜被用作晶体管的有源层。

5. 发明公开

KR1020170026384A 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법 审中-实审
标题翻译：等离子体加工设备和等离子体处理方法
公开(公告)号：KR1020170026384A
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：KR1020167036263
申请日：2015-06-23
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 구보타신지 , 이치카와유스케
IPC分类号： H01J37/32 , H01L21/3065 , H01L21/31 , H01L21/02
CPC分类号： C23C16/511 , C23C16/455 , C23C16/52 , H01J37/32201 , H01J37/32311 , H01J37/3244 , H01J37/32715 , H01J37/32935 , H01J2237/332 , H01L21/3065 , H01L21/67069 , H01J37/32247 , H01L21/02315 , H01L21/31
摘要： 플라즈마처리장치는, 처리용기와, 배치대와, 가스공급기구와, 플라즈마생성기구와, 조정부를구비한다. 배치대는, 처리용기의내부에마련되고, 피처리체가배치된다. 가스공급기구는, 플라즈마반응에이용되는처리가스를처리용기의내부에공급한다. 플라즈마생성기구는, 마이크로파발진기를포함하고, 그마이크로파발진기에의해발진되는마이크로파를이용하여, 처리용기의내부에공급된처리가스를플라즈마화한다. 조정부는, 피처리체를플라즈마처리하기위한복수의단계의각각이실행되는경우에, 복수의단계의각각이전환되는타이밍에, 마이크로파발진기에의해발진되는마이크로파의주파수를단계마다미리정해진목표주파수로조정한다.
摘要翻译：该等离子体处理装置设置有处理容器，放置台，气体供给机构，等离子体生成机构和调整单元。放置台设置在处理容器中，待处理对象放置在放置台上。气体供给机构向处理容器的内部供给处理气体，所述处理气体用于等离子体反应的目的。等离子体产生机构包括微波振荡器，并且使用通过微波振荡器振荡的微波将提供给处理容器内部的处理气体带入等离子体状态。在进行用于等离子体处理对象的多个步骤的情况下，调整单元在通过微波振荡器将要振荡的微波的频率切换到各步骤的预定频率的同时，调整步骤的定时。

6. 发明授权

KR101699254B1 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치 및 기록 매체 有权
标题翻译：制造半导体器件基板处理装置和非电子计算机可读记录介质的方法
公开(公告)号：KR101699254B1
公开(公告)日：2017-01-24
申请号：KR1020160116445
申请日：2016-09-09
申请人： 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키
发明人： 쿠리바야시코에이 , 에바타신야
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/67 , H01L21/60
CPC分类号： H01J37/32449 , C23C16/401 , C23C16/45527 , C23C16/45546 , H01J37/32926 , H01J2237/332 , H01L21/02164 , H01L21/02211 , H01L21/02274 , H01L21/0228
摘要： 본발명은기판상에잔류하는원료가스를효율적으로퍼지하여기판의면내균일성을향상시키는기술의제공한다.처리실내에제1 원료가스를공급하는제1 공급공정; 상기처리실내에불활성가스를공급하면서배기하여상기처리실내의압력의증감을반복하여, 상기제1 원료가스및 상기불활성가스를상기처리실내로부터배기하는제1 급배(給排) 공정; 상기처리실내에제2 원료가스를공급하는제2 공급공정; 및상기처리실내에불활성가스를공급하면서배기하여상기처리실내의압력의증감을반복하여, 상기제2 원료가스및 상기불활성가스를상기처리실내로부터배기하는제2 급배공정;을복수회 수행하는것에의해상기처리실내의기판상에박막을형성하는공정을포함하고, 상기제2 급배공정이상기제1 급배공정보다급배시간이더 길고, 상기제1 급배공정및 상기제2 급배공정중 적어도어느하나의공정에서의상기처리실내의압력의최고값은상기제1 공급공정또는상기제2 공급공정중 적어도어느하나에서의상기처리실의압력의최고값보다낮은반도체장치의제조방법이제공된다.
摘要翻译：本发明的方法涉及有效地吹扫残留在基板上的源气体并提高基板的面内均匀性的技术。本发明的方法包括：通过（a）将源气体供应到处理室中，在容纳在处理室中的基板上形成薄膜，和（b）将惰性气体供给到处理室中，同时交替地增加和减少供给到处理室中的惰性气体的流量和来自处理室的源气体和惰性气体的排出。

7. 发明公开

KR1020160132373A 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법 审中-实审
标题翻译：等离子体处理装置和等离子体处理方法
公开(公告)号：KR1020160132373A
公开(公告)日：2016-11-18
申请号：KR1020167021739
申请日：2015-02-20
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 구보타가즈히로 , 혼다마사노부
IPC分类号： H01J37/32 , H01L21/311
CPC分类号： H01J37/05 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01J37/32174 , H01J37/32422 , H01J37/3244 , H01J37/32559 , H01J37/32568 , H01J37/32715 , H01J2237/332 , H01J2237/334 , H01L21/31116
摘要： 플라즈마처리장치는, 처리용기와, 처리공간과비처리공간으로처리용기내부를구획하는부재로서, 라디칼을투과하며또한이온을포착하는이온포착부재와, 처리공간에배치된배치대와, 비처리공간에제1 처리가스를공급하는제1 가스공급부와, 처리공간에제2 처리가스를공급하는제2 가스공급부와, 제1 처리가스를플라즈마화하는고주파전력을공급함으로써, 비처리공간에있어서라디칼및 이온을생성하는제1 고주파전원과, 제2 처리가스를플라즈마화하는고주파전력을배치대에공급함으로써, 이온포착부재에의해처리공간에투과되는라디칼과는별도로, 처리공간에있어서라디칼및 이온을생성하는제2 고주파전원과, 제2 고주파전원으로부터의고주파전력보다주파수가낮은고주파전력을배치대에공급함으로써, 처리공간에있어서생성되는이온을피처리체에인입하는제3 고주파전원을구비한다.
摘要翻译：公开了一种等离子体处理装置，其包括处理容器，将处理容器的内部分隔成处理空间的离子捕获部件和非处理空间以及透射自由基和捕集离子，放置台，第一气体供应单元，首先将处理气体进入非处理空间，将第二处理气体供应到处理空间中的第二气体供应单元，提供高频功率以在非处理空间中产生自由基和离子的第一高频电源，第二提供高频功率以在处理空间中产生自由基和离子的高频电源，以及提供比由第二高频电源提供的高频功率低的频率的高频功率的第三高频电源将处理空间中产生的离子吸入工件。

8. 发明授权

KR101669127B1 성막 장치 및 인젝터 有权
标题翻译：层成型装置和注射器
公开(公告)号：KR101669127B1
公开(公告)日：2016-10-25
申请号：KR1020157020362
申请日：2014-02-21
申请人： 미쯔이 죠센 가부시키가이샤
发明人： 핫토리노조무 , 미야타케나오마사 , 모리야스나리
IPC分类号： H01L21/314 , C23C16/455 , H01J37/32 , H05H1/46
CPC分类号： C23C16/45574 , C23C16/4412 , C23C16/45519 , C23C16/45536 , C23C16/45544 , C23C16/545 , H01J37/32091 , H01J37/3244 , H01J37/32761 , H01J2237/332
摘要： 성막장치는, 성막중의기판을반송하는반송기구, 성막용가스를상기기판을향해공급하는인젝터를상기기판의반송경로를따라복수개설치한인젝터유닛, 반응물질을생성하는반응물질공급유닛을포함한다. 상기인적터유닛은, 상기인젝터사이각각의간극으로부터상기반응물질을상기성막성분의층에공급한다. 상기인젝터의기판대향면은, 상기성막용가스를출력하는성막용가스공급구, 상기성막용가스공급구에대하여상기기판의반송방향의양측에설치되억, 성막용가스등의여분의가스를흡인하는제1 가스배기구, 및상기제1 가스배기구의각각에대하여상기성막용가스공급구로부터멀어지는쪽에설치되어, 불활성가스를공급하는불활성가스공급구를포함한다.

9. 发明公开

KR1020160108424A 대기압 미만의 압력에서 로터와 컬렉터 사이에 전기적 커넥션을 갖는 회전 가능한 타겟의 앤드블록 审中-实审
标题翻译：在具有大气压力的收集器和转子之间的电气连接的可旋转目标的终止
公开(公告)号：KR1020160108424A
公开(公告)日：2016-09-19
申请号：KR1020167021583
申请日：2014-12-30
申请人： 센트르 룩셈부르크게오이 데 레체르체 푸으 르 베르 에 라 세라미끄 에스. 에이. (씨.알.브이.씨.)
发明人： 가란,길버트 , 위셀딩,진필립 , 코만스,가이 , 슈로렘버그,마셀
IPC分类号： H01J37/34 , H01J37/32 , C23C14/34
CPC分类号： C23C14/34 , H01J37/32816 , H01J37/3405 , H01J37/3411 , H01J37/3417 , H01J37/342 , H01J37/3435 , H01J37/3497 , H01J2237/332
摘要： 회전가능한마그네트론스퍼터링타겟과같은회전가능한스퍼터링타겟(1)의앤드블록(4)이제공된다. 하나이상의이러한앤드블록을포함하는스퍼터링장치는, (대기압에서의영역(9)과달리) 진공하에서의영역(8) 내에서앤드블록에서컬렉터(20)와로터(22) 사이에전기적컨택(예를들면, 브러시)(18)를위치하는단계를포함한다.

10. 发明授权

KR101654660B1 스퍼터링 장치 및 자석 유닛 有权
标题翻译：溅射装置和磁铁单元
公开(公告)号：KR101654660B1
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：KR1020157000297
申请日：2013-03-14
申请人： 캐논 아네르바 가부시키가이샤
发明人： 스즈키히데카즈
IPC分类号： H01J37/34 , C23C14/35
CPC分类号： H01J37/345 , H01F7/021 , H01F7/0221 , H01J37/3405 , H01J37/3452 , H01J37/3461 , H01J2237/332
摘要： 본발명은자석유닛의폭을좁게했을경우에있어서도, 타겟의표면상에충분한누설자속밀도가얻어질수 있는스퍼터링장치및 자석유닛을제공한다. 본발명의일 실시형태에따른스퍼터링장치는, 타겟홀더와, 장변및 단변을갖는직사각형의자석유닛을구비한다. 자석유닛은, 제1 자석과, 제1 자석의주위에배치되고, 제1 자석의자화방향과는다른역방향으로자화된제2 자석과, 단변방향에있어서의제1 자석과제2 자석사이의일부이며또한적어도제1 자석과제2 자석사이의중앙의위치에단변방향으로자화된제3 자석을갖는다. 제3 자석은, 제2 자석과대향하는면이제2 자석의타겟홀더측의면과동극의극성을갖고, 제1 자석과대향하는면이제1 자석의타겟홀더측의면과동극의극성을갖는다.
摘要翻译：溅射装置包括：目标支架; 以及具有长边和短边的矩形的磁体单元。磁体单元包括：第一磁体; 第二磁体，其围绕所述第一磁体设置并沿与所述第一磁体的磁化方向不同且相反的方向磁化;以及第三磁体，位于所述第一磁体和所述第二磁体之间的短边方向上的部分，并且至少在第一磁体和第二磁体之间的中心位置处，第三磁体沿短边方向被磁化。在第三磁体中，面对第二磁体的表面具有与靶保持器侧的第二磁体的表面相同的极性，并且面向第一磁体的表面具有与第一磁体的表面相同的极性在目标持有人一方。

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