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1. 发明公开

KR20180055043A ta-C 복합 코팅층, ta-C 복합 코팅층 제조 장치 및 이를 이용한 제조방법 有权
公开(公告)号：KR20180055043A
公开(公告)日：2018-05-25
申请号：KR20160152349
申请日：2016-11-16
申请人： 한국생산기술연구원
发明人： PARK KWANG SUK , PARK HYUNG KI , KIM HYUNG GIUN , KANG JANG WON , LEE CHANG WOO
IPC分类号： C23C14/06 , C23C14/14 , C23C14/32 , C23C14/34 , C23C14/54
CPC分类号： C23C14/0605 , C23C14/14 , C23C14/325 , C23C14/34 , C23C14/3464 , C23C14/542
摘要： 본발명은주석또는게르마늄이도핑된 ta-C 복합코팅층, 상기 ta-C 복합코팅층제조장치및 상기장치를이용한 ta-C 복합코팅층제조방법에관한것이다. 더욱상세하게는구체적으로는탄소와결합이가능하면서탄소보다원자반경이커서잔류응력저감이가능한주석또는게르마늄을도핑한 ta-C 복합코팅층, 상기 ta-C 복합코팅층을진공여과아크법으로제조하는방법및 상기 ta-C 복합코팅층제조장치에관한것이다. 따라서본 발명은 ta-C 복합코팅층의기계적물성이유지되고잔류응력이저감되며복합코팅층의두께가향상된특성이있다.

2. 发明公开

KR1020170107092A 고주파 스퍼터링 장치 및 스퍼터링 방법 审中-实审
标题翻译：高频溅射装置和溅射方法
公开(公告)号：KR1020170107092A
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：KR1020177025057
申请日：2016-03-15
申请人： 가부시키가이샤 알박
发明人： 후지이,요시노리 , 나카무라,신야
IPC分类号： C23C14/50 , C23C14/52 , C23C14/54 , C23C14/34 , H01J37/32 , H01J37/34 , H05H1/46
CPC分类号： H01J37/32697 , C23C14/081 , C23C14/345 , C23C14/35 , C23C14/50 , C23C14/52 , C23C14/542 , H01J37/32715 , H01J37/3405 , H01J37/3426 , H01J37/347 , H01J37/3476 , H05H1/46
摘要： 처리기판에서발생하는역 스퍼터링양을될 수있는대로억제하여효율적으로성막할수 있는고주파스퍼터링장치를제공한다. 진공상태에서타겟(21)에고주파전력을투입하고, 처리기판(W)의단면(Wa)에대해성막처리하는본 발명에따른고주파스퍼터링장치(SM)는처리기판의단면을개방하면서도전기적으로절연된상태로처리기판을유지하는스테이지(4)를포함한다. 스테이지는그 처리기판의유지면에홈부(42)를가지며, 처리기판의외주가장자리가스테이지의유지면(41)과맞닿도록처리기판을유지할때 처리기판의다른면과홈부의윤곽으로구획되는공간(43)에, 처리기판에근접하는방향또는멀어지는방향으로이동가능하게접지에연결되는가동체(44)를마련한다.
摘要翻译：本发明提供一种高频溅射装置，其能够通过尽可能地抑制在被处理基板中产生的反溅射量来有效地形成膜。的高频溅射装置（SM）根据本发明，为了输入在真空状态下靶21自我高频电力，在端面上的基板的（WA）（W）的成膜处理是电绝缘的，同时打开所述衬底的部分以及用于在处理基板被保持的状态下保持处理基板的台4。空间级具有在基板的保持表面上的凹槽42中，在基板的外周缘，以保持所述基板和所述槽与所述阶段冲洗时被分成轮廓保持表面（41）和所述基板的另一侧（43）设置有与地面连接的移动体（44），以能够朝向或远离处理基板移动。

3. 发明公开

KR1020170044188A 타겟 수명에 걸쳐서 낮은 불-균일성을 유지하기 위한 방법들 및 장치 审中-实审
标题翻译：用于在目标寿命期间维持低不均匀性的方法和设备
公开(公告)号：KR1020170044188A
公开(公告)日：2017-04-24
申请号：KR1020177007911
申请日：2015-08-03
申请人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
发明人： 조한슨,윌리엄 , 장,푸홍 , 앨런,아돌프밀러 , 리우,유와이.
IPC分类号： C23C14/34 , C23C14/54 , C23C14/50 , H01J37/32 , H01J37/34
CPC分类号： H01J37/347 , C23C14/3492 , C23C14/50 , C23C14/542 , H01J37/32733 , H01J2237/026
摘要： 타겟의수명의경과에걸쳐낮은불-균일성을유지하기위한개선된방법들및 장치의실시예들이본원에서제공된다. 몇몇실시예들에서, 물리기상증착챔버에서기판을프로세싱하는방법은: 기판의상부표면이커버링의상부표면위에서제 1 거리에포지셔닝되도록, 기판지지부를둘러싸는커버링을갖는기판지지부정상에기판을배치하는단계; 제 1 거리를유지하면서, 필름을기판정상에증착시키기위해, 기판지지부에대향하여(opposite) 배치된타겟으로부터소스재료를스퍼터링하는단계; 및타겟의수명에걸쳐, 후속하는기판들정상에필름들을증착시키기위해, 커버링에대해기판지지부를하강시키고타겟으로부터소스재료를스퍼터링하는단계를포함한다.
摘要翻译：本文提供了用于在目标寿命期间维持低不均匀性的改进方法和设备的实施例。在一些实施例中，在物理气相沉积腔室中处理一基板的方法，包括：将基板放置在具有围绕所述覆盖物的基板支撑部的基板支撑顶部被定位在高于所述衬底的所述覆盖顶部表面的上表面上的第一距离该方法包括：从与衬底支撑件相对设置的靶溅射源材料，以在保持第一距离的同时将膜沉积在衬底的顶部上; 并且相对于覆盖物降低基板支撑件并在靶材的寿命期间从靶材溅射源材料以将膜沉积在后续基板的顶部上。

4. 发明公开

KR1020160095091A 증착 배열체, 증착 장치 및 그의 동작 방법들 审中-实审
标题翻译：沉积布置，沉积装置及其操作方法
公开(公告)号：KR1020160095091A
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：KR1020167018037
申请日：2013-12-06
申请人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
发明人： 쉬쓸러,우베 , 반게르트,슈테판 , 카임,카를-알베르트 , 디귀츠-캄포,요제마누엘
IPC分类号： C23C14/14 , C23C14/24 , C23C14/54 , B01D1/00 , F27B14/20 , C23C14/16 , F27D19/00
CPC分类号： C23C14/14 , B01D1/0064 , B01D1/0082 , C23C14/24 , C23C14/246 , C23C14/542 , C23C14/545 , C23C14/16 , C23C14/243 , F27B14/20 , F27D2019/0028
摘要： 알칼리금속또는알칼리토금속을포함하는재료의증발을위한그리고기판상에서의재료의증착을위한증착배열체가설명된다. 증착배열체는재료를액화하도록구성된제 1 챔버― 제 1 챔버는제 1 챔버에서의가스의유입구로구성된가스유입구를포함함―, 액화된재료를증발시키도록구성된증발구역, 액화된재료를위한, 제 1 챔버와증발구역사이의유체연통을제공하는라인― 라인은, 라인의유동저항을정의하는제 1 부분을포함함―, 상기유동저항을갖는라인을통하는액화된재료의유량을제어하기위해제 1 챔버에서의가스의유량을제어하도록구성된밸브, 및증발된재료를기판을향하여지향시키기위한하나또는그 초과의배출구들을포함한다.
摘要翻译：描述了用于蒸发包括碱金属或碱土金属的材料并用于将材料沉积在基底上的沉积布置。沉积装置包括被配置用于液化材料的第一室，其中第一室包括构造成用于第一室中的气体入口的气体入口，被配置为蒸发液化材料的蒸发区，第一室和用于液化材料的蒸发区，其中所述管线包括限定管线的流动阻力的第一部分，被配置为控制第一室中的气体的流量以控制液化材料的流量的阀通过具有所述流动阻力的管线，以及用于将蒸发的材料引向衬底的一个或多个出口。

5. 发明公开

KR1020150125154A GaAs 기판상에 Au방울 성장 제어방법 无效
标题翻译：在GAAS基底上的所有液滴的生长控制方法
公开(公告)号：KR1020150125154A
公开(公告)日：2015-11-09
申请号：KR1020140051925
申请日：2014-04-29
申请人： 광운대학교 산학협력단
发明人： 이지훈 , 김은수 , 이명옥 , 모수
IPC分类号： C23C14/54 , C23C14/28
CPC分类号： C23C14/5806 , B82Y40/00 , C23C14/16 , C23C14/28 , C23C14/542
摘要： 본발명의일 측면에따르면, GaAs 기판상에펄스레이즈증착법에의해진공플라즈마이온코팅챔버하에서 Au 방울을자발-형성방법으로증착하는 Au 증착방법에있어서, 상기증착된 Au 방울의나노구조물에대한평균높이, 측면직경, 밀도및 표면거칠기중 어느하나이상의특성을증착과정의열처리온도또는 Au 증착량에의하여제어하는 GaAs 기판상에 Au 방울성장제어방법이제공된다.
摘要翻译：根据本发明的一个方面，提供了一种用于通过脉冲激光沉积在真空等离子体离子涂覆室中通过自形成在GaAs衬底上沉积Au液滴的GaAs衬底上的Au液滴的生长控制的方法。沉积的Au液滴的纳米结构的平均高度，侧面直径，密度和表面粗糙度之间的任何一个特征由沉积过程中的热处理温度或Au沉积量来控制。

6. 发明公开

KR1020150120990A 염색 장치 审中-实审
标题翻译：染色设备
公开(公告)号：KR1020150120990A
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：KR1020157022474
申请日：2014-02-18
申请人： 가부시키가이샤 니데크
发明人： 오타야스오 , 이누즈카미노르 , 야노야츠시 , 다나카모토시
IPC分类号： D06P5/28 , D06P5/13 , D06P5/20 , G02C7/02
CPC分类号： C23C14/24 , B29D11/00903 , B29D11/00923 , C23C14/28 , C23C14/50 , C23C14/54 , C23C14/541 , C23C14/542 , D06P5/004 , D06P5/13 , D06P5/20 , G02B1/041 , G02B1/10 , G02B1/12
摘要： 염색장치는, 염색용기체에부착된승화성염료를, 설치부에설치된수지체에증착시켜정착시킴으로써, 수지체를염색한다. 염색장치는, 수지체의주위를폐색하는폐색챔버내의압력을펌프에의해저하시킨다(S27). 염료가부착된염색용기체의부착면이수지체에비접촉으로대향하는상태로, 압력이저하된폐색챔버내의염색용기체에부착되어있는염료를가열함으로써, 염료를승화시켜수지체에증착시킨다(S28). 폐색챔버내의압력을증착시의압력보다상승시킨다(S30). 염료가증착된수지체에전자파를조사함으로써수지를가열하여염료를정착시킨다(S36).

7. 发明公开

KR1020140116102A 균질의 HiPIMS 코팅 방법 审中-实审
标题翻译：均匀HIPIMS涂料方法
公开(公告)号：KR1020140116102A
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：KR1020147019513
申请日：2012-11-23
申请人： 오를리콘 서피스 솔루션스 아크티엔게젤샤프트, 페피콘
发明人： 크라스니트저,시그프리드 , 루디기어,헬무트
IPC分类号： H01J37/34 , C23C14/34
CPC分类号： C23C14/35 , C23C14/3464 , C23C14/3485 , C23C14/3492 , C23C14/542 , H01J37/3417 , H01J37/3467
摘要： 본 발명은 코팅 챔버의 높이에 대해 내내 균질의 박막층들이 증착 가능한 HiPIMS 방법에 관한 것이다. 상기 목적을 위해 2개의 캐소드가 사용된다. 본 발명에 따라, 부분 캐소드들에 적용되는 개별 전력 펄스 간격들의 길이가 개별로 선택됨으로써, 코팅 챔버의 높이에 대해 내내 요구되는 코팅 두께 프로파일이 구현된다.

8. 发明公开

KR1020140098693A 진공증착장치 및 진공증착방법 审中-实审
标题翻译：真空蒸发装置和真空蒸发方法
公开(公告)号：KR1020140098693A
公开(公告)日：2014-08-08
申请号：KR1020140010126
申请日：2014-01-28
申请人： 히다치 조센 가부시키가이샤
发明人： 다이쿠히로유키
IPC分类号： C23C14/24 , H01L51/56
CPC分类号： C23C14/542 , C23C14/12 , C23C14/24 , H01L51/001 , H01L51/56
摘要： The present invention relates to a vacuum evaporation apparatus capable of uniformly forming the whole thickness of an organic EL layer. In order to accomplish the objective of the present invention, the vacuum evaporation apparatus includes a guide path for transferring an evaporation material obtained from an evaporation source, and a discharge member for discharging the evaporation material introduced from the guide path to a target deposition member. The discharging member includes a dispersion container (7) for diffusing the evaporation material, and a plurality of nozzle members (8) protruding toward the target deposition member and having a front end portion thereof with an iris opening to discharge the evaporation material to the target deposition member. Each nozzle member (8) has an inner diameter (D) and a length (L) thereof, and a diameter (D′) of the iris opening (8a). Each discharging member has a unit (13) for regulating the flow rate of the evaporation material in the nozzle member (8) so that the flow rate of the evaporation material in the nozzle member (8) has a predetermined value. The inner diameter (D) mm, and the length (L) mm of the nozzle member (8), and the diameter (D′) mm of the iris opening satisfy an equation, L >= 9D and D′
摘要翻译：本发明涉及能够均匀地形成有机EL层的整体厚度的真空蒸镀装置。为了实现本发明的目的，真空蒸发装置包括用于传送从蒸发源获得的蒸发材料的引导路径和用于将从引导路径引入的蒸发材料排出到目标沉积构件的排出构件。排出构件包括用于扩散蒸发材料的分散容器（7）和朝向目标沉积构件突出的多个喷嘴构件（8），并且其前端部分具有虹膜开口以将蒸发材料排放到靶沉积构件。每个喷嘴构件（8）具有内径（D）和长度（L）以及虹膜开口（8a）的直径（D'）。每个排出构件具有用于调节喷嘴构件（8）中的蒸发材料的流量的单元（13），使得喷嘴构件（8）中的蒸发材料的流量具有预定值。喷嘴构件（8）的内径（D）mm和长度（L）mm以及虹膜开口的直径（D'）mm满足等式，L> = 9D，D'<= 2.7D ^ 2 / L，或L <9D和D'<= D / 3。

9. 发明公开

KR1020140077026A 증착율 측정센서의 교체 기구가 개선된 증착 장치 및 그것을 이용한 증착율 측정센서의 교체 방법 审中-实审
标题翻译：提供用于沉积速率测量传感器的改进的交换机构的沉积装置和使用其的交换方法
公开(公告)号：KR1020140077026A
公开(公告)日：2014-06-23
申请号：KR1020120145715
申请日：2012-12-13
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 최은선
IPC分类号： C23C14/24 , H01L51/50
CPC分类号： C23C14/542 , H01L51/001
摘要： A deposition apparatus provided with an improved device to replace a deposition-rate measuring sensor and a method to replace the deposition-rate measuring sensor, using the same are disclosed. The disclosed deposition apparatus comprises: a sensor head provided with deposition-rate measuring sensors and installed inside a vacuum chamber; a sensor extraction unit interposed and connected between the vacuum chamber and a vacuum retaining valve to extract the deposition-rate measuring sensors of the sensor head outside; and a sensor input unit interposed and connected between the vacuum chamber and the vacuum retaining valve to input the deposition-rate measuring sensors. The deposition apparatus provided with an improved device to replace a deposition-rate measuring sensor and the method to replace the deposition-rate measuring sensor, using the same, are provided to quickly and conveniently replace the deposition-rate sensor without releasing a vacuum state in a vacuum chamber, thereby improving the efficiency of production and bring about the effect of maintaining product quality.
摘要翻译：公开了一种沉积设备，其具有用于替代沉积速率测量传感器的改进装置和使用其的替代沉积速率测量传感器的方法。所公开的沉积装置包括：设置有沉积速率测量传感器并安装在真空室内的传感器头; 传感器提取单元，插入并连接在真空室和真空保持阀之间，以将传感器头的沉积速率测量传感器提取到外部; 以及传感器输入单元，插入并连接在真空室和真空保持阀之间，以输入沉积速率测量传感器。提供了具有改进的装置以替代沉积速率测量传感器的沉积设备和使用其的替代沉积速率测量传感器的方法，以快速和方便地更换沉积速率传感器而不释放真空状态真空室，从而提高生产效率，带来保持产品质量的效果。

10. 发明授权

KR101298166B1 전원 장치 有权
标题翻译：电源
公开(公告)号：KR101298166B1
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：KR1020117002275
申请日：2009-06-17
申请人： 가부시키가이샤 알박
发明人： 호리시타요시쿠니 , 마츠바라시노부 , 오노아쯔시
IPC分类号： C23C14/34 , H02M3/155 , H05H1/46
CPC分类号： H05H1/46 , C23C14/3464 , C23C14/542 , H01J37/34 , H01J37/3444 , H03H7/38
摘要： 기판의 차지-업에 기인한 이상 방전의 발생을 억제할 수 있고, 대면적의 기판에 대해서도 양호한 박막 형성이 가능한 전원 장치를 제공한다. 본 발명의 전원 장치(E)는 플라즈마에 접촉하는 한 쌍의 타겟(T1, T2)에 대하여 소정의 주파수로 교대로 극성을 반전시켜서 소정의 전위를 인가하는 제 1 방전 회로(E1)와, 상기 한 쌍의 타겟 중에서 제 1 방전 회로로부터 전위가 인가되고 있지 않은 전극과 그라운드의 사이에서 소정의 전위를 인가하는 제 2 방전 회로(E2)를 구비한다. 그리고, 제 2 방전 회로에는, 극성 반전시에 상기 전극의 적어도 한 쪽에 출력 전위와 반대인 전위를 인가하는 역전위 인가 수단(3)이 설치되어 있다.
摘要翻译：本发明提供一种电源装置，其能够抑制由基板的充电引起的异常放电的产生，并且即使在大面积的基板上也能够形成良好的薄膜。本发明的电源装置（E）包括：第一放电电路（E1），用于通过以预定频率交替地反转极性而向与等离子体接触的一对靶（T1，T2）施加预定电位; 以及第二放电电路（E2），用于在所述一对目标中的第一放电电路的接地和未施加电位的电极之间施加预定电位。第二放电电路设置有反向电位施加装置（3），用于在极性反转时向至少一个电极施加与输出电位相反的电位。

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