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21. 发明专利

JP2011090973A Charged particle beam apparatus, and display method of three dimensional information in charged particle beam apparatus 有权
标题翻译：充电颗粒光束装置和充电颗粒光束装置中三维信息的显示方法
公开(公告)号：JP2011090973A
公开(公告)日：2011-05-06
申请号：JP2009245029
申请日：2009-10-26
申请人： Hitachi High-Technologies Corp , 株式会社日立ハイテクノロジーズ
发明人： YAGUCHI NORIE , NAGAKUBO KOHEI , AZUMA JUNZO , WATABE AKIRA
IPC分类号： H01J37/20 , H01J37/24
CPC分类号： H01J37/26 , G01N23/2204 , G01N23/2251 , H01J37/18 , H01J37/20 , H01J2237/006 , H01J2237/2003 , H01J2237/24578 , H01J2237/2608 , H01J2237/2611
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a charged particle beam apparatus capable of capturing in three dimensions changes of a sample due to gas atmosphere, light irradiation and heating or the like without exposing to the atmosphere.
SOLUTION: The apparatus includes a sample table rotatable with a rotating axis perpendicular to an irradiation direction of electron beams as a center, and a sample holder which can form an airtight chamber around the sample table. The sample can be chemically-reacted in an arbitrary atmosphere to enable to perform a three-dimensional analysis on this reaction. Further, the three-dimensional analysis can be performed on a sample likely to be changed in the atmosphere without exposing the sample to the atmosphere.
COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够三维捕获由于气体气氛，光照射和加热等而导致的样品的变化而不暴露于大气的带电粒子束装置。解决方案：该装置包括可以垂直于作为中心的电子束的照射方向的旋转轴旋转的样品台，以及可以在样品台周围形成气密室的样品保持器。样品可以在任意气氛中进行化学反应，以便对该反应进行三维分析。此外，可以对在大气中可能变化的样品进行三维分析，而不将样品暴露在大气中。版权所有（C）2011，JPO＆INPIT

22. 发明专利

JP4299208B2 Three-dimensional image construction method 有权
公开(公告)号：JP4299208B2
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：JP2004240832
申请日：2004-08-20
申请人：日本電子システムテクノロジー株式会社 , 日本電子株式会社
发明人：河弘光古
IPC分类号： H01J37/22 , H01J37/21 , H01J37/26
CPC分类号： H01J37/265 , H01J37/26 , H01J2237/216 , H01J2237/2611

23. 发明专利

JP2007531864A Systems and methods for determining a cross sectional feature of the structure elements using a reference structure element 有权
公开(公告)号：JP2007531864A
公开(公告)日：2007-11-08
申请号：JP2006520256
申请日：2004-07-12
申请人：アプライドマテリアルズイスラエルリミテッド
发明人：アヴィラムタム， , オヴァディャメナデヴァ， , ズヴィカローゼンベルグ，
IPC分类号： G01N23/225 , G01B15/04 , G01R31/305 , G01R31/307 , H01J37/28 , H01L21/66
CPC分类号： H01J37/1478 , G01B15/04 , G01N23/2251 , G01R31/307 , H01J37/28 , H01J2237/24578 , H01J2237/2487 , H01J2237/2611 , H01J2237/2814 , H01J2237/2816 , H01J2237/2817
摘要：第１横断区分と第２横断区分との間に置かれた中間区分により画成されるサブミクロン断面を有する被測定構造素子の断面特徴を決定するためのシステム及び方法。この方法は、基準構造素子の第１部分と、上記被測定構造素子の少なくとも第１横断区分とを第１の傾斜状態で走査して、上記基準構造素子と上記第１横断区分との間の第１関係を決定する第１ステップで開始する。この第１ステップの後に、基準構造素子の第２部分と、上記被測定構造素子の少なくとも第２横断区分とを第２の傾斜状態で走査して、上記基準構造素子と上記第２横断区分との間の第２関係を決定する第２ステップが続く。この方法は、上記第１関係及び第２関係に応答して上記被測定構造素子の断面特徴を決定する第３ステップで終了となる。
【選択図】図４

24. 发明专利

JP2006064421A Semiconductor inspection method and semiconductor inspection equipment 有权
标题翻译：半导体检测方法和半导体检测设备
公开(公告)号：JP2006064421A
公开(公告)日：2006-03-09
申请号：JP2004244546
申请日：2004-08-25
申请人： Hitachi High-Technologies Corp , 株式会社日立ハイテクノロジーズ
发明人： MATSUI MIYAKO
IPC分类号： G01B15/00 , G01B15/04 , H01L21/66
CPC分类号： H01J37/28 , G01N2223/07 , G01N2223/414 , G01N2223/6116 , H01J2237/24578 , H01J2237/2611
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an inspection equipment and a method for displaying the 3-D structure by making inspection and quantitative evaluation of the part shaded to the incident electron rays or structure buried in the wafer by only observation from upside as a technology for inspecting a wafer halfway in the process for manufacturing semiconductor.
SOLUTION: There are provided processes for: (40) acquiring scanning image by the signal generated secondarily by irradiating the surface of the wafer with an electron beam with energy arriving at the part not exposed to the electron beam while passing through a part of the surface of the wafer; (41) forming the 3-D model of the pattern; (44) detecting the edge position information of the pattern from the obtained secondary signal; (45) detecting the intensity of the signal; (46) computing the characteristics amount of the pattern to be inspected from the detected information; and (47) displaying the 3-D structure of the pattern by constructing the 3-D structure from the computed characteristics of the pattern. The 3-D structure is thereby evaluated.
COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI
摘要翻译：解决的问题：提供一种检查设备和显示三维结构的方法，通过仅通过从上方观察来对被埋入晶片的入射电子束或结构遮蔽的部分进行检查和定量评估在半导体制造工艺中半途检查晶片的技术。解决方案：提供了以下处理：（40）通过用能量到达未暴露于电子束的部分的电子束照射晶片的表面来次级产生的信号来获取扫描图像，同时通过部件的晶片表面; （41）形成图案的3-D模型; （44）从所获得的二次信号中检测图案的边缘位置信息; （45）检测信号的强度; （46）根据检测到的信息计算要检查的图案的特征量; 和（47）通过从所计算的图案的特征构造3-D结构来显示图案的3-D结构。由此评估3-D结构。版权所有（C）2006，JPO＆NCIPI

25. 发明专利

JP2006054074A Charged particle beam column 有权
标题翻译：充电颗粒光束柱
公开(公告)号：JP2006054074A
公开(公告)日：2006-02-23
申请号：JP2004233286
申请日：2004-08-10
申请人： Hitachi High-Technologies Corp , 株式会社日立ハイテクノロジーズ
发明人： KAWASAKI TAKESHI , YOSHIDA TAKAO , NAKANO TOMONORI
IPC分类号： H01J37/153 , H01J37/09
CPC分类号： H01J37/153 , H01J37/1478 , H01J2237/0458 , H01J2237/1534 , H01J2237/2611 , H01J2237/2809 , H01J2237/2817
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a charged particle beam column not generating image shift or deterioration of image resolution when slanting the beams in large angles.
SOLUTION: On the charged particle beam column comprising an aberration correction device 10, a convergent charged particle beam is formed, slanted against a sample 18 face in large angles by controlling an incident direction of the beams incident on a second condenser lens 7 without moving an object point of the condenser lens by using a deflection device 51, and also without moving an object point of an objective lens 17 located on a beam axis. At this time, the image shift or deterioration of image resolution due to the slanting of the beams is prevented by the aberration correction device 10.
COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI
摘要翻译：要解决的问题：提供一种在大角度倾斜光束时不产生图像偏移或图像分辨率劣化的带电粒子束列。解决方案：在包括像差校正装置10的带电粒子束柱上，通过控制入射在第二聚光透镜7上的光束的入射方向，形成会聚的带电粒子束，以大角度倾斜到样品18的表面而不通过使用偏转装置51移动聚光透镜的物体点，并且也不移动位于光束轴上的物镜17的物体点。此时，通过像差校正装置10防止由于光束的倾斜导致的图像偏移或图像分辨率的劣化。（C）2006年，JPO＆NCIPI

26. 发明专利

JPWO2002056259A1 立体構造検証支援装置、立体構造検証方法、記録媒体、及びプログラム有权
公开(公告)号：JPWO2002056259A1
公开(公告)日：2004-05-20
申请号：JP2002556845
申请日：2001-12-10
申请人：株式会社先端科学技術インキュベーションセンター
发明人：片山　栄作 , 馬場　則男
IPC分类号： G01N23/04 , G01N33/48 , G06F3/00 , G06T1/00 , G06T15/60 , G06T19/00 , H01J37/22 , H01J37/26
CPC分类号： H01J37/26 , H01J37/222 , H01J2237/22 , H01J2237/2611 , H01J2237/2617
摘要：結晶化していない物質のモデリング理論や画像処理方法の妥当性を検証しやすくする。3次元再構成画像に影を付けた3次元推定付影画像を回転しながら表示させる第1の表示部140と、実験的な構造解析により得られた前記物質の画像を、3次元推定付影画像に合わせて回転しながら立体的に表示させる第2の表示部160とを備える。

27. 发明专利

JP5364112B2 A charged particle beam apparatus 有权
公开(公告)号：JP5364112B2
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：JP2011012435
申请日：2011-01-25
申请人：株式会社日立ハイテクノロジーズ
发明人：真一富田 , 航小竹 , 祐博伊東
IPC分类号： H01J37/147 , H01J37/04 , H01J37/28
CPC分类号： H01J37/1478 , H01J37/153 , H01J37/28 , H01J2237/1536 , H01J2237/20207 , H01J2237/2611

28. 发明专利

JP5268324B2 Charged particle beam microscopic devices and microscopic method 有权
公开(公告)号：JP5268324B2
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：JP2007279781
申请日：2007-10-29
申请人：株式会社日立ハイテクノロジーズ
发明人：るり子常田 , 秀樹菊池 , 貴文四辻 , 紀恵矢口
IPC分类号： H01J37/22 , H01J37/20 , H01J37/26 , H01J37/28
CPC分类号： H01J37/20 , H01J2237/20207 , H01J2237/20214 , H01J2237/20242 , H01J2237/20285 , H01J2237/20292 , H01J2237/2611 , H01J2237/262 , H01J2237/28 , H01J2237/2802
摘要： An electric charged particle beam microscope is provided in which a specimen movement due to a specimen rotation is classified into a repeatable movement and a non-repeatable movement, a model of movement is determined for the repeatable movement, a range of movement is determined for the non-repeatable movement, the repeatable movement is corrected on the basis of the movement model through open-loop and the non-repeatable movement is corrected under a condition set on the basis of the range of movement.

29. 发明专利

JP5183318B2 A charged particle beam apparatus 有权
公开(公告)号：JP5183318B2
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：JP2008167023
申请日：2008-06-26
申请人：株式会社日立ハイテクノロジーズ
发明人：祐博伊東 , 純一片根 , 茂川俣 , 真一富田
IPC分类号： H01J37/147 , H01J37/153 , H01J37/18
CPC分类号： H01J37/1478 , H01J37/153 , H01J37/265 , H01J37/28 , H01J2237/2611

30. 发明专利

JP2013025967A Scanning/transmission electron microscope 有权
标题翻译：扫描/传输电子显微镜
公开(公告)号：JP2013025967A
公开(公告)日：2013-02-04
申请号：JP2011158548
申请日：2011-07-20
申请人： Hitachi High-Technologies Corp , 株式会社日立ハイテクノロジーズ
发明人： INADA HIROMI , NAKAMURA KUNIYASU
IPC分类号： H01J37/28 , H01J37/153 , H01J37/21 , H01J37/244
CPC分类号： H01J37/263 , G01N23/2206 , H01J37/153 , H01J37/21 , H01J37/244 , H01J37/28 , H01J2237/0455 , H01J2237/0492 , H01J2237/153 , H01J2237/1532 , H01J2237/21 , H01J2237/221 , H01J2237/225 , H01J2237/226 , H01J2237/24475 , H01J2237/2448 , H01J2237/2611 , H01J2237/2802
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a scanning (transmission) electron microscope which enables (a) the three-dimensional (3D) observation of a 0.1 nm-atomic size structure, and (b) the identification of a 3D structure of an atom in a sample, and the material thereof.SOLUTION: The scanning/transmission electron microscope is arranged to enable 3D observation of a 0.1 nm-atomic size structure, and has: an electronic lens system having a small spherical aberration coefficient; an aperture arranged so that an irradiation angle can be changed; an irradiation electronic lens system arranged so that the probe size of an electron beam probe, and the irradiation angle can be changed; a secondary-electron detector; a transmitted electron detector; a forward scattering electron beam detector; a focus controller; an image arithmetic unit for identification of image contrast; an image arithmetic unit for computing for image sharpness; an arithmetic unit for forming a 3D image; and a mixer for mixing secondary electron signals and sample forward scattering electron signals.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种扫描（透射）电子显微镜，其能够（a）对0.1nm原子尺寸结构进行三维（3D）观察，以及（b）识别3D结构的3D结构样品中的原子及其材料。解决方案：扫描/透射电子显微镜被布置成能够实现0.1nm原子尺寸结构的3D观察，并且具有：具有小球面像差系数的电子透镜系统; 孔径布置成能够改变照射角度; 照射电子透镜系统布置成使得电子束探针的探针尺寸和照射角度可以改变; 二次电子检测器; 透射电子检测器; 前向散射电子束检测器; 焦点控制器用于识别图像对比度的图像运算单元; 用于计算图像清晰度的图像运算单元; 用于形成3D图像的算术单元; 以及用于混合二次电子信号和样品前向散射电子信号的混合器。版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

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