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1. 发明专利

JP6427571B2 パターン測定方法、及びパターン測定装置审中-公开
公开(公告)号：JP6427571B2
公开(公告)日：2018-11-21
申请号：JP2016531172
申请日：2015-05-11
申请人：株式会社日立ハイテクノロジーズ
发明人：川田洋揮 , 栄井英雄 , 笹田勝弘
IPC分类号： H01L21/66 , G01B15/00
CPC分类号： G01B15/00 , G01B15/04 , H01J37/222 , H01J37/28 , H01J37/317 , H01J2237/2817 , H01L22/12

2. 发明专利

JP6405362B2 高炉への装入物の装入及び堆積方法、装入物の表面検出装置、並びに高炉の操業方法审中-公开
公开(公告)号：JP6405362B2
公开(公告)日：2018-10-17
申请号：JP2016506077
申请日：2014-10-31
申请人：株式会社WADECO
发明人：萱野早衛 , 黒瀬憲二
IPC分类号： C21B5/00 , G01S7/03 , G01S13/89 , G01S13/34 , C21B7/24
CPC分类号： C21B5/006 , C21B5/008 , F27B1/20 , F27D3/08 , F27D3/10 , F27D21/0028 , G01B11/24 , G01B15/04 , G01S7/03 , G01S13/08 , G01S13/34 , G01S13/882 , G01S13/89

3. 发明专利

JP6378927B2 計測システムおよび計測方法审中-公开
公开(公告)号：JP6378927B2
公开(公告)日：2018-08-22
申请号：JP2014090858
申请日：2014-04-25
申请人：株式会社日立ハイテクノロジーズ
发明人：堀田尚二 , 川田洋揮 , 井上修
IPC分类号： H01J37/28 , H01J37/22 , H01L21/027 , H01L21/66 , G01B15/00
CPC分类号： H01J37/28 , G01B15/04 , G03F7/70633 , G03F9/7061 , H01J37/22 , H01J2237/2803

6. 发明专利

JPWO2016035147A1 測定処理装置、測定処理方法、測定処理プログラムおよび構造物の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JPWO2016035147A1
公开(公告)日：2017-07-13
申请号：JP2016546226
申请日：2014-09-02
申请人：株式会社ニコン
发明人：暢且町井 , 暢且町井 , 史倫早野 , 史倫早野 , 章利河井 , 章利河井
IPC分类号： G01N23/04 , G01N23/18
CPC分类号： G01N23/04 , G01B15/04 , G01N23/046 , G01N2223/304 , G01N2223/306 , G01N2223/646
摘要：測定処理装置は、被検物を透過するX線を検出部により検出して取得した透過像に基づいて、複数の被検物を順次検査するX線検査装置に用いる測定処理装置であって、被検物の一部に被検査領域を設定する設定部と、被検査領域を透過したX線の透過像を用いて、被検査領域の良品性を判定する判定部と、判定部による判定結果に基づいて、被検査領域の修正を行う修正部と、修正部により修正された修正被検査領域を表示する表示制御部と、を備える。

7. 发明专利

JP5859795B2 計測方法、データ処理装置及びそれを用いた電子顕微鏡有权
标题翻译：测量方法，一种数据处理装置和使用其的电子显微镜
公开(公告)号：JP5859795B2
公开(公告)日：2016-02-16
申请号：JP2011221682
申请日：2011-10-06
申请人：株式会社日立ハイテクノロジーズ
发明人：大橋健良 , 田中潤一 , 関口智子 , 川田洋揮
IPC分类号： G01B15/00 , G01B15/04
CPC分类号： H01J37/28 , G01B15/04 , G01N23/22 , G01B2210/56 , H01J2237/24578 , H01J2237/2817

8. 发明专利

JP2015106530A 走査電子顕微鏡システム及びそれを用いたパターン計測方法並びに走査電子顕微鏡有权
标题翻译：扫描电子显微镜系统，其使用的图案测量方法和扫描电子显微镜
公开(公告)号：JP2015106530A
公开(公告)日：2015-06-08
申请号：JP2013249249
申请日：2013-12-02
申请人：株式会社日立ハイテクノロジーズ
发明人：宍戸千絵 , 山本琢磨 , 山田慎也 , 田中麻紀
IPC分类号： H01J37/22 , H01J37/244 , H01L21/66 , H01J37/28
CPC分类号： H01J37/29 , G01B15/00 , G01B15/04 , H01J37/244 , H01J37/28 , G01B2210/56 , H01J2237/24475 , H01J2237/2448 , H01J2237/24495 , H01J2237/2806 , H01J2237/281 , H01J2237/2815 , H01L22/12
摘要：【課題】3D−NANDの穴開け工程に代表される、超高アスペクト比の穴の開口/非開口の判定、あるいは、穴のトップ径/ボトム径を検査・計測ために、穴底で発生した後方散乱電子(BSE)を検出できるようにする。【解決手段】高加速電圧で加速した一次電子線を試料に照射し、低角(例えば仰角5度以上)の後方散乱電子(BSE)を検出することによって、穴底から放出され側壁を突き抜けた、“突き抜けBSE”で穴底観察を行うようにした。また、穴が深いと突き抜け距離が相対的に長くなるので、突き抜けBSEの量が減って像が暗くなるという特性を利用して、穴深さvs明るさの検量線を与えて、穴深さの計測を行うようにした。【選択図】図1A
摘要翻译：要解决的问题：提供一种扫描电子显微镜系统，其能够检测以超高深度比例的孔的底部出现的向后散射的电子（BSE），其以3D-NAND的钻孔步骤中形成的孔为代表，确定是否打开/未打开孔，或检查和测量孔的顶部/底部直径。解决方案：扫描电子显微镜系统布置成通过“穿透”观察孔的底部 BSE“从孔的底部发射并通过用高加速度电压加速的一次电子束照射样品而穿过侧壁，并且检测低角度（例如5度或更大）的向后散射电子（例如5度或更大）仰角）。扫描电子显微镜系统的布置采用BSE显示相对较长的穿透距离的特征，因此，在深孔的情况下，“穿透BSE”数量减少，图像变黑，提供深度与亮度标准曲线，并根据标准曲线确定孔深。

9. 发明专利

JP2014130077A Pattern shape evaluation method, semiconductor device manufacturing method, and pattern shape evaluation device 审中-公开
标题翻译：图案形状评估方法，半导体器件制造方法和图案形状评估装置
公开(公告)号：JP2014130077A
公开(公告)日：2014-07-10
申请号：JP2012287906
申请日：2012-12-28
申请人： Hitachi High-Technologies Corp , 株式会社日立ハイテクノロジーズ
发明人： FUKUDA HIROSHI
IPC分类号： G01B15/04 , H01J37/22 , H01L21/027 , H01L21/66
CPC分类号： H01J37/285 , G01B15/04 , G01B2210/56 , H01J37/222 , H01J37/265 , H01J37/28 , H01J2237/221 , H01J2237/24578 , H01J2237/24592 , H01L22/12 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To estimate and evaluate the cross-sectional shape or three-dimensional shape of a circuit pattern only from a planar image of the circuit pattern that is observed from above a wafer.SOLUTION: A pattern shape evaluation method of the present invention executes the following steps: applying a converging energy ray from a direction that is nearly perpendicular to a main surface of a substrate on the top surface of which a three-dimensional structure is formed, scanning it on the top surface of the substrate, and detecting and/or measuring the strength of a secondary energy ray generated from the substrate and structure or the strength of an energy ray reflected or scattered by the substrate and structure, thereby obtaining a top-surface observation image of the structure; obtaining uncertainty information of the scattering intensity due to the uneven shape of the surface of the structure from an application position of the converging energy ray in the top-surface observation image and from the measured strength; obtaining an inclination angle θ of the surface of the structure on the basis of the obtained uncertainty information; and estimating the three-dimensional shape of the structure on the basis of the obtained inclination angle θ.
摘要翻译：要解决的问题：仅从晶片上方观察的电路图形的平面图像估计和评估电路图案的截面形状或三维形状。解决方案：本发明的图案形状评估方法本发明执行以下步骤：在其顶表面上形成三维结构的基板的主表面几乎垂直的方向上施加会聚能量射线，在基板的顶表面上扫描; 检测和/或测量由基板和结构产生的二次能量射线的强度或由基底和结构反射或散射的能量射线的强度，从而获得该结构的顶表面观察图像; 从顶面观察图像中的会聚能量射线的施加位置和测量强度获得由于结构表面的不均匀形状引起的散射强度的不确定性信息; 获得倾斜角度和角度; 在获得的不确定性信息的基础上，对结构表面进行分析; 并且基于获得的倾斜角度来估计结构的三维形状。

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