专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

JP2018195514A 荷電粒子線を用いたパターン検査方法审中-公开
公开(公告)号：JP2018195514A
公开(公告)日：2018-12-06
申请号：JP2017100136
申请日：2017-05-19
申请人：東芝メモリ株式会社
发明人：長野修
IPC分类号： H01J37/28 , H01L21/66 , H01J37/22
CPC分类号： G01N23/2251 , H01J37/244 , H01J37/265 , H01J37/28 , H01J2237/24514 , H01J2237/2817
摘要：【課題】マルチビームSEMに於いて、電子ビームに異常が発生したかどうかを判定する方法を提供する。【解決手段】基板110上に形成された複数の同一パターンをN本(Nは3以上の自然数)の荷電粒子線102でそれぞれ走査し、複数の同一パターンから発生する二次電子を検出してN個のSEM画像を取得する工程と、N個のSEM画像に関してそれぞれGray Levelの統計量を算出する工程と、N個の統計量からM個(MはN以下の自然数)の統計量を選ぶ工程と、M個の統計量の中の任意の1個を第一の統計量として残りのM−1個の統計量との差分を計算する工程と、M−1個の差分のうちの少なくとも半数より多くのものがしきい値より大きい場合に第一の統計量に対応する荷電粒子線に異常が発生していると判定する。【選択図】図2

2. 发明专利

JP2018535525A 複数の荷電粒子ビームの装置审中-公开
公开(公告)号：JP2018535525A
公开(公告)日：2018-11-29
申请号：JP2018526522
申请日：2016-11-30
申请人：エルメスマイクロビジョン,インコーポレーテッド , HERMES MICROVISION INC.
发明人：レン,ウェイミン , リウ,シュエドン , フー,シュエラン , チェン,チョンウェイ
IPC分类号： H01J37/29 , H01J37/05 , H01J37/141 , H01J37/244 , H01J37/147 , H01J37/21 , H01J37/28
CPC分类号： H01J37/28 , H01J37/14 , H01J37/141 , H01J37/153 , H01J37/20 , H01J37/244 , H01J37/292 , H01J2237/0453 , H01J2237/1532 , H01J2237/24465 , H01J2237/24592 , H01J2237/2806 , H01J2237/2817
摘要：【課題】高い収集効率と低いクロストークで二次電子検出を実行する、マルチビーム装置における二次投影結像システムが提案される。【解決手段】システムは、1つのズームレンズ、1つの投影レンズ、及び1つのスキャン防止偏向ユニットを使用する。ズームレンズ及び投影レンズは、それぞれズーム機能及び回転防止機能を実行して、複数の一次ビームレットの表面到達エネルギ及び/又は電流に対して全結像倍率及び全像回転を維持する。スキャン防止偏向ユニットは、スキャン防止機能を実行して、複数の一次ビームレットの偏向スキャンによる動的な像変位を排除する。【選択図】図3B

3. 发明专利

JP6427571B2 パターン測定方法、及びパターン測定装置审中-公开
公开(公告)号：JP6427571B2
公开(公告)日：2018-11-21
申请号：JP2016531172
申请日：2015-05-11
申请人：株式会社日立ハイテクノロジーズ
发明人：川田洋揮 , 栄井英雄 , 笹田勝弘
IPC分类号： H01L21/66 , G01B15/00
CPC分类号： G01B15/00 , G01B15/04 , H01J37/222 , H01J37/28 , H01J37/317 , H01J2237/2817 , H01L22/12

4. 发明专利

JP2018151202A 電子ビーム検査装置および電子ビーム検査方法审中-公开
公开(公告)号：JP2018151202A
公开(公告)日：2018-09-27
申请号：JP2017046252
申请日：2017-03-10
申请人：株式会社ニューフレアテクノロジー
发明人：土屋英雄
IPC分类号： G03F1/84 , G01N23/2251
CPC分类号： H01J37/222 , H01J37/20 , H01J37/244 , H01J37/28 , H01J2237/20228 , H01J2237/2448 , H01J2237/2817
摘要：【目的】危険点を特定していない当初の設計パターン情報を元に、ウェハ検査において危険点以外の領域での疑似欠陥を抑制することが可能な検査装置を提供する。【構成】検査装置100は、半導体素子の設計パターンと半導体素子の設計パターンを半導体基板に転写するための露光用マスクに形成される場合の設計マスクパターンと設計マスクパターンが半導体基板に転写されて半導体基板に形成される場合の設計基板パターンとのうち、設計基板パターンを想定して作成された設計基板パターン像を記憶する記憶装置109と、半導体基板に電子ビームを照射して得られる反射電子を含む2次電子像を取得する2次電子像取得機構150と、設計パターンデータを解析して予め設定された特徴点を有するパターン個所の位置を特定する危険個所候補解析特定回路112と、特徴点を有するパターン個所の位置情報を用いて判定閾値を可変にしながら、2次電子像と当該2次電子像に対応する領域の設計基板パターン像とを比較判定する比較回路108と、を備えたことを特徴とする。【選択図】図1

5. 发明专利

JP2018128702A SEMオーバーレイ計測のシステムおよび方法审中-公开
公开(公告)号：JP2018128702A
公开(公告)日：2018-08-16
申请号：JP2018093738
申请日：2018-05-15
申请人：ケーエルエー−テンカーコーポレイション
发明人：ドミトリーシュア
IPC分类号： G01B15/00 , G03F7/20
CPC分类号： H01J37/26 , G01N21/66 , G06T7/0004 , H01J37/28 , H01J2237/2809 , H01J2237/2814 , H01J2237/2817 , H01L22/34
摘要：【課題】エッジぼけに起因するSEMアーチファクトを回避する。【解決手段】本開示は、オーバーレイターゲット構造の特徴配置またはパターニングと略位置合わせされているかまたはこれと平行な走査方向を利用したSEMオーバーレイ計測を実施する方法に関する。特徴配置と同一または同等の方向においてターゲット構造を走査することによって、対象となるエッジにおけるぼけが回避され、パターン要素間の線間またはエッジ間オフセットは、対象となる走査したエッジにおけるぼけに起因する誤差の影響を受けにくくなる。例えば、少なくとも2つのサンプル層に対応する少なくとも2つの線形パターン要素は、特徴配置の方向に沿うかまたはこれと平行に(すなわち、パターン要素の長いエッジに沿うかまたはこれと平行に)走査できる。【選択図】図1

6. 发明专利

JP2017067442A パターン測定装置、及びパターン測定のためのコンピュータープログラム审中-公开
公开(公告)号：JP2017067442A
公开(公告)日：2017-04-06
申请号：JP2013270795
申请日：2013-12-27
申请人：株式会社日立ハイテクノロジーズ
发明人：山口聡 , 長谷川昇雄 , 杉山明之 , 伊澤美紀 , 鬼澤明洋 , 三橋隆二
IPC分类号： H01L21/027 , H01L21/66 , G01B15/00 , G01B15/04
CPC分类号： G01B15/00 , H01J37/28 , H01L21/0335 , H01L21/0337 , H01L21/0338 , H01L22/12 , G01B2210/56 , H01J2237/2817
摘要：【課題】本発明は、フォトマスクにはないパターンを形成するパターニング法によって形成されたパターンを適正に評価するパターン測定装置の提供を目的とする。【解決手段】本発明は、上記目的を達成するために、試料に形成されたパターン間の寸法を測定する演算装置を備えたパターン測定装置であって、ビームを照射することによって得られる被測定データから、試料に形成されたパターンの重心を抽出し、当該抽出された重心と、測定始点或いは測定終点となる基準が設定される測定基準データとの間で位置合わせ処理を実行し、当該位置合わせされた測定基準データの前記測定始点或いは測定終点と、前記被測定データに含まれるパターンの重心、或いはエッジとの間の寸法を測定するパターン測定装置を提案する。【選択図】図7

7. 发明专利

JP6110439B2 走査型透過荷電粒子顕微鏡の校正方法有权
公开(公告)号：JP6110439B2
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：JP2015137413
申请日：2015-07-09
申请人：エフイーアイカンパニ , FEI COMPANY
发明人：マクシムスセオドアオッテン , アビハエルアドリアナマリアクック , マーティンフェルヘイエン
IPC分类号： G01N23/203 , G01N23/22 , G01N23/225
CPC分类号： H01J37/28 , H01J37/20 , H01J37/244 , H01J2237/28 , H01J2237/2802 , H01J2237/2817 , H01J2237/2826

9. 发明专利

JPWO2014181577A1 重ね合わせ計測装置、重ね合わせ計測方法、及び重ね合わせ計測システム有权
标题翻译：覆盖测量装置，重叠测量方法和叠加的测量系统，
公开(公告)号：JPWO2014181577A1
公开(公告)日：2017-02-23
申请号：JP2015515804
申请日：2014-03-10
申请人：株式会社日立ハイテクノロジーズ
发明人：琢磨山本 , 泰範後藤 , 文彦福永
IPC分类号： H01J37/22 , G01B15/04 , G03F9/00 , H01L21/66
CPC分类号： H01J37/222 , G01B15/00 , G03F7/70633 , H01J37/28 , H01J2237/221 , H01J2237/2806 , H01J2237/2817
摘要：走査型電子顕微鏡を用いて、上層と下層のパターン間の重ね合わせ誤差を測定しようとする場合、下層パターンのSNが低いケースが多く、単純なフレーム加算処理では多数回の加算処理が必要となる。さらにこのように単純加算した画像は上層と下層のそれぞれのパターンに対して最適なコントラストになっていない可能性がある。荷電粒子線の照射により取得された画像を用いて上層のパターンの位置と下層のパターンの位置との差を計測する重ね合わせ計測装置および重ね合わせ計測方法において、上層のパターンと下層のパターンのそれぞれに最適化したコントラストの画像の一部分を加算することで、上層のパターンに最適された第一の加算画像と下層のパターンに最適化された第二の加算画像を生成し、第一の加算画像を用いて特定した上層のパターンの位置と第二の加算画像を用いて特定した下層のパターンの位置との差を求める。
摘要翻译：使用扫描电子显微镜，尝试测量的上部和下部图案之间的重叠误差的情况下，许多SN下壳体下部图案需要大量的加法处理的时间是一个简单的加法器帧。此外，这种简单叠加的图像可能没有被用于上层和下层的每一个图案最佳的对比度。测量方法是重叠测量设备和叠加到测量由带电粒子束的照射所得到的使用图像的上层图案的图案的下层的位置之间的差，各上部层图案和下层图案为通过将优化图像对比度的一部分和产生用于所述第一相加图像，并在图案的上层最佳下面的图案，所述第一相加图像优化的第二相加图像确定使用所述位置，并与识别出的上层的图案的第二相加图像识别的底层图案的位置之间的差。

10. 发明专利

JPWO2014132757A1 荷電粒子線装置有权
标题翻译：一种带电粒子束装置
公开(公告)号：JPWO2014132757A1
公开(公告)日：2017-02-02
申请号：JP2015502830
申请日：2014-02-05
申请人：株式会社日立ハイテクノロジーズ
发明人：俊之横須賀 , 俊之横須賀 , 李　燦 , 燦李 , 秀之数見 , 秀之数見
IPC分类号： H01J37/317 , G01B15/00 , H01J37/28 , H01L21/66
CPC分类号： H01J37/1474 , H01J37/147 , H01J37/22 , H01J37/222 , H01J37/244 , H01J37/28 , H01J2237/15 , H01J2237/2448 , H01J2237/24495 , H01J2237/24592 , H01J2237/2806 , H01J2237/2817
摘要：本発明は、エッジ幅が狭く、エッジ固有のピークの検出が困難なパターンであっても高精度に測定を行うことが可能な荷電粒子線装置の提供を目的とする。上記目的を達成するために、荷電粒子ビーム(1,2(a))の通過開口を備えた開口部形成部材(31)と、試料(23)から放出された荷電粒子、或いは当該荷電粒子が前記開口部形成部材に衝突することによって発生する荷電粒子を検出する検出器(28(a),28(b))を備えた荷電粒子線装置であって、前記試料から放出された荷電粒子を偏向する偏向器(33(a),33(b))と、当該偏向器を制御する制御装置(40)を備え、当該制御装置は、前記試料上の複数のエッジの内、1のエッジの信号が相対的に他のエッジの信号に対して強調された第1の検出信号と、前記複数のエッジの内、他のエッジの信号が相対的に前記1のエッジの信号に対して強調された第2の検出信号を用いて、パターン測定を実行する荷電粒子線装置を提案する。
摘要翻译：本发明中，边缘宽度窄，本发明以提供特定边缘峰值检测的目的，可以测量更高的精度是困难的图案带电粒子束装置。为了实现上述目的，带电粒子束（1，图2（a）），其具有通道开口（31）的开口形成部件，带电粒子从所述样品（23），或带电粒子发射用于检测由照射在开口形成体上产生的带电粒子检测器（图28（a），图28（b））设置有带电粒子的带电粒子束装置从样本发射偏转器，用于偏转单元（图33（a），33（b））和用于控制偏转器，控制装置，对试样的多个边缘中的控制装置（40），第一边缘该信号被强调相对于所述信号，所述多个边缘中的相对另一端的第一检测信号，另一边缘的信号被强调相对于相对的信号的第一边缘通过使用第二检测信号时，它提出了一种用于执行图案测量带电粒子束装置。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式