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1. 发明公开

EP3154903A1 PROCEDE DE PREPARATION DE NANOFILS DE SILICIUM 审中-公开
标题翻译： VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON SILICIUM-NANODRÄHTEN
公开(公告)号：EP3154903A1
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：EP15734462.3
申请日：2015-06-12
申请人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives
发明人： CHENEVIER, Pascale , REISS, Peter , BURCHAK, Olga
IPC分类号： C01B33/027 , B82Y40/00 , C01B33/029 , C30B25/00 , H01M4/134
CPC分类号： C23C16/24 , B82Y40/00 , C01B33/027 , C01B33/029 , C01P2004/16 , C01P2006/40 , C23C16/01 , C23C16/44 , C30B11/12 , C30B25/005 , C30B29/06 , C30B29/60 , C30B29/62 , H01G11/30 , H01M4/386 , H01M10/052 , H01M10/0525 , Y02E60/13
摘要： The invention relates to a method for producing a material based on silicon nanowires, comprising the steps of: i) bringing into contact, in an inert atmosphere, a sacrificial support based on a halogenide, a carbonate, a sulfate or a nitrate of an alkali metal, an alkaline earth metal or a transition metal comprising metal nanoparticles, with the pyrolysis vapours of a silicon source comprising a silane compound, by which means silicon nanowires are deposited on said sacrificial support; and optionally ii) eliminating the sacrificial support and recovering the silicon nanowires produced in step ii).
摘要翻译：提供了一种制备基于硅纳米线的材料的方法。该方法包括以下步骤：i）在惰性气氛中使基于碱金属，碱土金属或具有金属纳米粒子的过渡金属的卤化物，碳酸盐，硫酸盐或硝酸盐的牺牲载体接触，其中具有硅烷化合物的硅源的热分解蒸气，通过其硅纳米线沉积在牺牲载体上; 并且可选地，ii）消除牺牲支持并回收在步骤ii）中产生的硅纳米线。

2. 发明公开

EP2785646A1 METHOD FOR THE PURIFICATION OF ALPHA-ALUMINA FIBERS 审中-公开
标题翻译：清理方法明泰铝业纤维的
公开(公告)号：EP2785646A1
公开(公告)日：2014-10-08
申请号：EP12794955.0
申请日：2012-11-29
申请人： Neoker, S.L
发明人： CERECEDO FERNÁNDEZ, Carmen , VALCÁRCEL JUÁREZ, Víctor , GUITIÁN RIVERA, Francisco , CAAMAÑO CASTRO, José Miguel , RODRÍGUEZ CARREIRA, Alfredo
IPC分类号： C01F7/02 , C01F7/46 , C30B33/02 , C30B25/00
CPC分类号： C01F7/46 , C01F7/02 , C01F7/027 , C01P2002/85 , C01P2004/03 , C01P2004/10 , C30B11/12 , C30B29/20 , C30B29/62 , C30B33/02
摘要： The present invention relates to a method for the purification of ±-Al 2 O 3 whiskers previously obtained by vapor-liquid-solid deposition, under metal vapors-containing atmospheres. Said method involves the volatilization of metal impurities in controlled-atmosphere furnaces at the surface of the fibers and from the drops at the end of the fibers. The invention also relates to purified ±-Al 2 O 3 whiskers obtainable by a process as defined above and substantially free from metal impurities at the surface and at the end part of the fibers, as well as the use of the purified ±-Al 2 O 3 whiskers as defined above as fillers or reinforcement agents for the preparation of ceramic, metallic or polymeric composites.

3. 发明授权

EP1613549B1 PRECISELY POSITIONED NANOWHISKER STRUCTURES AND METHOD FOR PREPARING THEM 有权
标题翻译：精密POSITIONED纳米晶须结构及其制造方法
公开(公告)号：EP1613549B1
公开(公告)日：2013-08-07
申请号：EP04700471.8
申请日：2004-01-07
申请人： QuNano AB
发明人： SAMUELSON, Lars, Ivar , OHLSSON, Björn, Jonas , MARTENSSON, Thomas, Martin, Ingvar
IPC分类号： B82B3/00 , C30B11/00 , C30B29/40 , C30B29/60 , C30B11/12 , B82Y30/00 , B82Y10/00
CPC分类号： C30B11/00 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , C30B11/12 , C30B29/40 , C30B29/605

4. 发明公开

EP2562135A1 Verfahren zur Herstellung und Ausrichtung von Nanowires und Anwendungen eines solchen Verfahrens 审中-公开
标题翻译：一种用于纳米线和这样的方法的应用的制备和对准过程
公开(公告)号：EP2562135A1
公开(公告)日：2013-02-27
申请号：EP11006842.6
申请日：2011-08-22
申请人： ETH Zurich
发明人： Albuschies, Jörg
IPC分类号： B82Y10/00
CPC分类号： G01N27/04 , B81B7/0006 , B81B2201/0214 , B81C1/00087 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C30B11/12 , C30B29/06 , C30B29/60 , G01N33/483 , G01N33/48721
摘要： Beschrieben wird unter anderem ein Verfahren zur Herstellung einer Leiterstruktur mit wenigstens einem Silizium-Nanowire (4) mit einem Durchmesser von weniger als 50 nm, der über wenigstens zwei Stellen über Elektroden (11,13,30) kontaktiert ist, und wobei der wenigstens eine Nanowire (4) und die Elektroden (11, 13,30) in einer Ebene auf einem Substrat (1, 5) angeordnet sind, welches dadurch gekennzeichnet ist, dass a) auf der Oberfläche (2) eines isolierenden Substrats (1) katalytisch aktive Metall-Nanopartikel mit einem Durchmesser im Bereich von 0.5-50 nm abgelegt werden, b) bei einer Temperatur im Bereich von 300-1100 °C während einer Zeitdauer im Bereich von 10-200 min die Oberfläche und die darauf abgelagerten Metall-Nanopartikel einem Gasstrom enthaltend wenigstens eine gasförmige Siliziumkomponente ausgesetzt werden, wobei sich wenigstens ein vom Substrat (1) abstehender Nanowire (4) einer Länge im Bereich von 5-200 µm bildet, c) dieser wenigstens eine von der Oberfläche des Substrats (1) abstehende Nanowire (4) durch Auflegen eines Sekundärsubstrats (5) mit einer der Oberfläche (2) des isolierenden Substrats (1) korrespondierenden Kontaktfläche (6) in eine Ebene abgelegt wird, d) entweder der auf dem isolierenden Substrat (1) abgelegte wenigstens eine Nanowire (4) an zwei unterschiedlichen Stellen mit Elektroden (11, 13,30) kontaktiert wird oder der wenigstens eine auf dem Sekundärsubstrat (5) haftende Nanowire an zwei unterschiedlichen Stellen mit Elektroden (11, 13,30) kontaktiert wird.
摘要翻译：该方法包括在10-200分钟的时间段暴露绝缘基板（1）和金属纳米颗粒的表面（2）在绝缘基板的表面上，以气流含有的300-1100 [度] C的温度的气态硅成分。甲硅纳米线（4）与长度5-200微米从绝缘基板表面突出的在一个平面内通过接触辅基板（5）与绝缘基板的接触面（6）提供。上绝缘基板或纳米线秉承次衬底的纳米线在由电极的两个不同的点被接触。按电极，其具有经由两个点的小于50nm直径的硅纳米线。所述纳米线和电极被布置在一个平面上在基片上。在0.5-50纳米范围内具有直径催化活性的金属纳米颗粒被沉积在基板上的表面到绝缘的。含有金属纳米粒子的溶液wässrige做熊如胶体，具有直径在0.5-500纳米的范围内，被施加到光致抗蚀剂。用合适的溶剂中的漆：如丙酮被去除，当溶液蒸发。催化剂颗粒的金属纳米颗粒：如金纳米颗粒，其直径在1-20纳米范围内的硅树脂基的基片被形成在5-500纳米范围内具有厚度的单晶硅层。独立权利要求中包括了以下内容：对于干化学生产结晶基板的凹部（1）的方法; （2）用于制备传感器元件，用于测定分子特性的方法; 如使用所述传感器元件的DNA分子;和（3），用于测量长链分子的特性的方法。

5. 发明公开

EP2444531A3 Method and apparatus for growing semiconductor crystals with a rigid support and with carbon doping 审中-公开
标题翻译：用于生长具有刚性托架半导体的结晶，用碳掺杂方法和设备
公开(公告)号：EP2444531A3
公开(公告)日：2012-10-31
申请号：EP11186406.2
申请日：2002-07-03
申请人： Axt, Inc.
发明人： Liu, Xiao Gordon , Liu, Wei Guo
IPC分类号： C30B11/06 , C30B27/00 , C30B29/42 , C30B35/00 , C30B11/12 , C30B11/04
CPC分类号： C30B27/00 , C30B11/00 , C30B11/002 , C30B11/04 , C30B11/12 , C30B29/42 , C30B35/002 , Y10T117/1092
摘要： Group III-V, II-VI and related monocrystalline compounds are grown with a rigid support of a sealed ampoule (4000), carbon doping and resistivity control, and thermal gradient control in a crystal growth furnace (1000). A support cylinder provides structural support for the combined sealed ampoule (4000) crucible (3000) assembly, while low-density insulating material inside the support cylinder deters convection and conduction heating. Radiation channels penetrating the low-density material provide pathways for radiation heating into out of the seed well and transition regions of the crystal growth crucible. A hollow core (2030) in the insulation material (2060) directly beneath the seed well (4030) provides cooling in the center of the growing crystal, which enables uniform, level growth of the crystal ingot and a flat crystal-melt interface which results in crystal wafers with uniform electrical properties.

6. 发明公开

EP2436806A1 Procédé pour former un revêtement protecteur contre l'oxydation à haute température sur un matériau composite réfractaire à base de silicium et de niobium 有权
$Procédé pour former un revêtement protecteur contre l'oxydation à haute température sur un matériau composite réfractaire à base de silicium et de niobium$
标题翻译：上的聚硅氧烷等制造的高温抗氧化涂层的方法，铌系复合材料
公开(公告)号：EP2436806A1
公开(公告)日：2012-04-04
申请号：EP11290441.2
申请日：2011-09-27
申请人： ONERA (Office National d'Etudes et de Recherches Aérospatiales)
发明人： Bacos, Marie-Pierre , Josso, Pierre
IPC分类号： C30B11/00 , C30B11/12 , C30B29/16 , C30B29/22
CPC分类号： F01D25/005 , C23C10/02 , C23C10/08 , C23C10/44 , C23C12/02 , C23C30/00 , C30B11/12 , Y10T428/265
摘要： L'invention concerne un procédé pour former un revêtement protecteur contre l'oxydation à haute température sur une surface d'un matériau composite réfractaire à base de silicium et de niobium, dans lequel on fait réagir sur du chrome présent sur la surface à protéger un gaz réactif contenant du silicium et de l'oxygène pour élaborer un revêtement composite à deux phases, dont une première phase est une phase oxyde à base de silice présentant des caractéristiques viscoplastiques et dont une seconde phase est à base de silicium, de chrome et d'oxygène, et dans lequel on fait coalescer lesdites première phase et seconde phase à haute température, ce qui permet de former un revêtement protecteur dans lequel la seconde phase sert de réservoir pour reformer, en service, la première phase par réaction avec un gaz oxydant. L'invention trouve une application préférentielle dans le domaine des moteurs aéronautiques.
摘要翻译：所述方法包括使一个耐火复合材料（1）的表面上含有硅和氧与存在的铬的反应性气体，以进行保护，以开发一种复合涂层在两个阶段中，聚结在高温下的第一阶段和第二阶段用于形成的保护性涂层，其中第二阶段用作与在氧化气体通过反应的第一阶段重整，和使第一和第二反应气体的储存器。所述方法包括使一个耐火复合材料（1）的表面上含有硅和氧与存在的铬的反应性气体，以进行保护，以开发一种复合涂层在两个阶段中，聚结在高温下的第一阶段和第二阶段用于形成的保护性涂层，其中第二阶段用作贮存器用于与氧化性气体，反应的第一反应物气体含有来自供体水泥产生一氧化硅含有二氧化硅和碳化硅粉末和的形式通过反应的第一相重整第二反应气体包含一氧化硅和由第二供体水泥含有二氧化硅和碳化硼中的复合材料粉末的形式生产一氧化二硼，要保护的表面上形成锡的沉积物，接着热处理在真空下，形成贵金属铂，钯和金的表面上由...组成的沉积物要被保护，其次通过在相互扩散的退火，以及形成钛氮化物的表面上的沉积物被保护。第一阶段是由具有可调节的粘塑性特性和第二相二氧化硅的氧化物相由硅，铬和氧。反应气体中含有一氧化硅和一氧化二硼，并且从供体水泥含二氧化硅经受的温度下就地产生> = 1450 [℃实施施主水泥含有二氧化硅和碳化硅的粉末形式的混合物。由二氧化硅制成的第一相还包含硼和/或锗的磁通元件，其调节第一相位gemäß的粘塑料的特性的温度范围的服务。整个或铬本要保护通过预存款获得的表面上的部分没有被放置在表面上被保护，以形成15微米所需厚度的层。预存款通过电解沉积技术或溅射沉积获得。独立权利要求中包括了：（1）保护涂层; 和（2）的一部分由复合材料制成的。

7. 发明授权

EP2262726B1 SYSTEM AND METHOD FOR LOW-POWER NANOTUBE GROWTH USING DIRECT RESISTIVE HEATING 有权
标题翻译：系统和方法直接电阻加热低功耗管生长
公开(公告)号：EP2262726B1
公开(公告)日：2012-03-28
申请号：EP09732039.4
申请日：2009-02-26
申请人： Raytheon Company
发明人： BARKER, Delmar, L. , JORDAN, Mead, M. , OWENS, William, R.
IPC分类号： C01B31/02 , C01B31/36 , C01B33/02 , C01B35/02 , C01B21/064
CPC分类号： C01B21/0602 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B21/064 , C01B32/16 , C01B32/956 , C01B33/02 , C01B35/023 , C01B2202/08 , C01P2004/13 , C30B11/12 , C30B25/00 , C30B29/602 , Y10S977/72 , Y10S977/721 , Y10S977/722 , Y10S977/734 , Y10S977/742 , Y10S977/743 , Y10S977/75 , Y10S977/751 , Y10S977/752 , Y10S977/813 , Y10S977/814 , Y10S977/822 , Y10T117/10 , Y10T117/1016 , Y10T117/102
摘要： Direct resistive heating is used to grow nanotubes out of carbon and other materials. A growth-initiated array of nanotubes is provided using a CVD or ion implantation process. These processes use indirect heating to heat the catalysts to initiate growth. Once growth is initiated, an electrical source is connected between the substrate and a plate above the nanotubes to source electrical current through and resistively heat the nanotubes and their catalysts. A material source supplies the heated catalysts with carbon or another material to continue growth of the array of nanotubes. Once direct heating has commenced, the source of indirect heating can be removed or at least reduced. Because direct resistive heating is more efficient than indirect heating the total power consumption is reduced significantly.

8. 发明公开

EP2392697A1 Method and system for growing nano-scale materials 审中-公开
标题翻译： Verfahren und System zumZüchtenvon Nanomaterialien
公开(公告)号：EP2392697A1
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：EP10164897.0
申请日：2010-06-03
申请人： The Provost, Fellows and Scholars of the College of the Holy and Undivided Trinity of Queen Elizabeth near Dublin
发明人： Jung Jung, Soon , Boland, John
IPC分类号： C30B11/12 , C30B29/02 , C30B29/60
CPC分类号： C30B29/60 , C30B11/12 , C30B29/02 , C30B29/06
摘要： The present invention provides a method of producing well defined crystalline nano-wires without complicated multistep manipulation at relatively low temperature. Facile formation of NW materials, particularly metals with a controlled diameter, length and placement. In one embodiment the invention provides a method of growing nano-wires comprising the steps of depositing a first layer of material and a second layer of material on a substrate; annealing said layers at a temperature to allow formation of a composition and subsequently a liquid droplet, at an interface between the first and second layers; and growing nano-wires from said liquid droplet in said interface.
摘要翻译：本发明提供了一种在较低温度下不经过复杂多步操作制备定义明确的结晶纳米线的方法。 NW材料的形成，特别是具有受控直径，长度和位置的金属。在一个实施例中，本发明提供了一种生长纳米线的方法，包括以下步骤：在衬底上沉积第一材料层和第二材料层; 在一定温度下退火所述层，以允许在第一和第二层之间的界面处形成组合物和随后的液滴; 以及在所述界面中从所述液滴生长纳米线。

9. 发明公开

EP2071062A4 PROCESS FOR PRODUCING GROUP III ELMENT NITRIDE CRYSTAL, AND GROUP III ELEMENT NITRIDE CRYSTAL 有权
标题翻译：生产III族氮化物晶体和III族氮化物晶体的方法
公开(公告)号：EP2071062A4
公开(公告)日：2011-08-03
申请号：EP08720330
申请日：2008-03-05
申请人： PANASONIC CORP
发明人： YAMADA OSAMU , MINEMOTO JISASHI , HIRANAKA KOUICHI , HATAKEYAMA TAKESHI , SASAKI TAKATOMO , MORI YUSUKE , KAWAMURA FUMIO , KITAOKA YASUO
IPC分类号： C30B29/38 , C30B19/02 , H01L33/00 , H01L33/32 , H01S5/323
CPC分类号： H01L31/03044 , C30B9/10 , C30B11/12 , C30B19/02 , C30B29/403 , C30B29/406 , G02B1/02

10. 发明公开

EP2302108A1 Nanostructures and methods for manufacturing the same 有权
标题翻译： Nanostrukturen und Verfahren zu ihrer Herstellung
公开(公告)号：EP2302108A1
公开(公告)日：2011-03-30
申请号：EP10194201.9
申请日：2003-07-08
申请人： QuNano AB
发明人： Samuelson, Lars , Ohlsson, Jonas
IPC分类号： C30B11/12 , C30B29/40 , C30B29/60
CPC分类号： H01L31/035227 , B82Y10/00 , C30B11/00 , C30B11/12 , C30B25/00 , C30B25/02 , C30B25/14 , C30B25/18 , C30B25/183 , C30B29/403 , C30B29/406 , C30B29/605 , H01L29/0665 , H01L29/0673 , H01L29/068 , H01L29/20 , H01L29/66318 , H01L29/7371 , H01L29/882 , H01L31/022466 , H01L31/048 , H01L31/068 , H01L33/04 , Y02E10/547 , Y10S977/762 , Y10S977/763
摘要： A resonant tunneling diode, and other one dimensional electronic, photonic structures, and electromechanical MEMS devices, are formed as a heterostructure in a nanowhisker by forming length segments of the whisker with different materials having different band gaps. Thus a resonant tunneling diode comprises a nanowhisker having a seed particle melt at one end, and a column of a constant diameter with a nanometer dimension, such as to exhibit quantum confinement effects, the column comprising first and second semiconductor portions comprising respectively an emitter and a collector, and, disposed between the first and second semiconductor portions, third and fourth portions of material having a different band gap from that of the first and second semiconductor portions, and a fifth central portion of a semiconductor material having a different band gap from that of the third and fourth portions, disposed between the third and fourth portions and forming a quantum weil. The RTD is made by a method including depositing a seed particle on a substrate, and exposing the seed particle to materials under controlled conditions of temperature and pressure such as to form a melt with the seed particle, so that the seed particle rises on top of a column whereby to form a nanowhisker, the column of the nanowhisker having a constant diameter of a nanometer dimension; during the growth of the column, selectively changing the compositions of said gases whereby to abruptly change the composition of the material of the column at regions along its length, whilst retaining epitaxial growth, wherein lattice mismatch between the materials of the portions is accommodated by radial outward bulging of the whisker at the boundaries.
摘要翻译：通过用具有不同带隙的不同材料形成晶须的长度段，在纳米晶须中形成共振隧道二极管和其它一维电子，光子结构和机电MEMS器件作为异质结构。因此，共振隧道二极管包括在一端具有种子颗粒熔体的纳米晶须和具有纳米尺寸的恒定直径的柱，例如显示量子限制效应，所述柱包括第一和第二半导体部分，分别包括发射极和集电体，并且设置在第一和第二半导体部分之间，具有与第一和第二半导体部分的带隙不同的带隙的材料的第三和第四部分，以及具有与第一和第二半导体部分不同带隙的半导体材料的第五中心部分第三部分和第四部分的第三部分和第四部分之间，设置在第三部分和第四部分之间并形成量子裂纹。 RTD通过包括将种子颗粒沉积在基材上的方法制备，并且在温度和压力的受控条件下将种子颗粒暴露于材料，以便与种子颗粒形成熔体，使得种子颗粒在形成纳米晶须的柱，纳米晶须柱具有恒定直径的纳米尺寸; 在柱的生长期间，选择性地改变所述气体的组成，从而在保持外延生长的同时保持外延生长同时突然改变其长度区域的柱材料的组成，其中部分材料之间的晶格失配通过径向在晶界向外膨胀的边界。

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