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1. 发明公开

EP3103139A4 ENERGY-FILTERED COLD ELECTRON DEVICES AND METHODS 有权
标题翻译： ENERGIEGEFILTERTE KALTELEKTRONENVORRICHTUNGEN UND VERFAHREN
公开(公告)号：EP3103139A4
公开(公告)日：2017-09-27
申请号：EP15746295
申请日：2015-02-03
申请人： UNIV TEXAS
发明人： KOH SEONG JIN , BHADRACHALAM PRADEEP , MA LIANG-CHIEH
IPC分类号： H01L29/76 , H01L29/08 , H01L29/12 , H01L29/772
CPC分类号： H01L29/66977 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01L29/0673 , H01L29/0676 , H01L29/068 , H01L29/0895 , H01L29/122 , H01L29/127 , H01L29/24 , H01L29/413 , H01L29/66439 , H01L29/66666 , H01L29/7613 , H01L29/7827 , H01L29/882 , Y10S977/774 , Y10S977/937
摘要： Energy-filtered cold electron devices use electron energy filtering through discrete energy levels of quantum wells or quantum dots that are formed through band bending of tunneling barrier conduction band. These devices can obtain low effective electron temperatures of less than or equal to 45K at room temperature, steep electrical current turn-on/turn-off capabilities with a steepness of less than or equal to 10 mV/decade at room temperature, subthreshold swings of less than or equal to 10 mV/decade at room temperature, and/or supply voltages of less than or equal to 0.1 V.
摘要翻译：能量过滤冷电子器件使用电子能量过滤，通过量子阱或量子点的离散能级通过隧道势垒导带的带弯曲形成。这些器件可以在室温下获得低于或等于45K的低有效电子温度，在室温下具有小于或等于10mV /十倍频程的陡度的陡峭的电流开/关能力，亚阈值波动在室温下小于或等于10mV /十倍频，和/或小于或等于0.1V的电源电压。

2. 发明公开

EP2343731A2 Diode-based devices and methods for making the same 有权
标题翻译：基于二极管的设备和它们的制备方法
公开(公告)号：EP2343731A2
公开(公告)日：2011-07-13
申请号：EP10005080.6
申请日：2010-05-14
申请人： Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.
发明人： Lochtefeld, Anthony, J.
IPC分类号： H01L21/205 , H01L31/0352 , H01L33/24
CPC分类号： H01L29/6609 , H01L21/02381 , H01L21/02521 , H01L21/0254 , H01L21/02546 , H01L21/0262 , H01L21/02636 , H01L21/02639 , H01L21/02647 , H01L29/04 , H01L29/045 , H01L29/882 , H01L31/0352 , H01L31/035209 , H01L31/035236 , H01L31/036 , H01L31/18 , H01L31/1804 , H01L31/1812 , H01L31/1836 , H01L33/005 , H01L33/0054 , H01L33/06 , H01L33/08 , H01L33/18 , H01L33/24 , Y02E10/541 , Y02E10/543 , Y02E10/544 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： In accordance with an embodiment, a diode comprises a substrate, a dielectric material including an opening that exposes a portion of the substrate, the opening having an aspect ratio of at least 1, a bottom diode material including a lower region disposed at least partly in the opening and an upper region extending above the opening, the bottom diode material comprising a semiconductor material that is lattice mismatched to the substrate, a top diode material proximate the upper region of the bottom diode material, and an active diode region between the top and bottom diode materials, the active diode region including a surface extending away from the top surface of the substrate.

3. 发明公开

EP2157613A1 Procédé d'intégration monolithique de RITD pseudomorphique et de transistor à base de matériaux III-V 有权
标题翻译： Monolithisches Integrationsverfahren von pseudomorphen resonanceen Tunneldioden（RITD）und Transistor auf der Basis von III-V-Materialien
公开(公告)号：EP2157613A1
公开(公告)日：2010-02-24
申请号：EP08290791.6
申请日：2008-08-20
申请人： OMMIC
发明人： Maher, Hassan
IPC分类号： H01L29/778 , H01L29/88 , H01L21/20 , H01L27/06
CPC分类号： H01L29/882 , H01L21/02395 , H01L21/02463 , H01L21/0251 , H01L21/02546 , H01L21/02549 , H01L29/08 , H01L29/20 , H01L29/205 , H01L29/778
摘要： Structure semi-conductrice en couches superposées pour réalisation de circuit intégré comprenant dans l'ordre d'empilage :
- une couche support (3) composée d'un matériau semi-conducteur III-V présentant un premier paramètre de maille,
- une couche dopée N (5) composée d'un matériau semi-conducteur III-V présentant un deuxième paramètre de maille différent du premier paramètre de maille,
- une couche dopée P (6) composée d'un matériau semi-conducteur III-V tel que la couche dopée N (5) et la couche dopée P (6) forme une hétérojonction de type II apte à la réalisation d'une diode à effet tunnel à résonance inter bande, RITD, comprenant encore, entre la couche support (3) et la couche dopée N (5), une couche graduelle (4) composée d'un matériau semi-conducteur III-V dont la composition stoechiométrique varie graduellement en fonction de l'épaisseur de ladite couche graduelle (4) afin de présenter un paramètre de maille variant graduellement.
Application à l'intégration monolithique de diode RITD InAS/GaAsSb sur substrat InP.
摘要翻译：具有重叠层的半导体结构包括支撑层（3），即由具有第一网孔参数的半导体III-V材料构成的衬底（1），由（III）组成的负极（N）掺杂层（5）具有第二网格参数的V材料，由半导体III-V材料构成的正（P）掺杂层（6）和放置在支撑层和N掺杂层之间的渐变层（4），其由半导体III-V材料的化学计量组成随渐层的厚度而逐渐变化。具有重叠层的半导体结构包括支撑层（3），即由具有第一网孔参数的半导体III-V材料构成的衬底（1），由（III）组成的负极（N）掺杂层（5）具有第二网格参数的V材料，由半导体III-V材料构成的正（P）掺杂层（6）和放置在支撑层和N掺杂层之间的渐变层（4），其由半导体III-V材料，其化学计量组成随渐层的厚度而逐渐变化，以产生等于第一和第二参数的网格参数。 P掺杂层形成II型异质结。该结构还包括上半导体层。

4. 发明公开

EP0731502A3 Ultra-small semiconductor devices and methods of fabricating and connecting said devices 失效
标题翻译： Ultrakleine Halbleiterbauelemente und Verfahren zu ihrer Herstellung und Verbindung
公开(公告)号：EP0731502A3
公开(公告)日：1999-01-20
申请号：EP96103291.9
申请日：1996-03-04
申请人： MOTOROLA, INC.
发明人： Goronkin, Herbert , Tehrani, Saied N. , Walther Martin , Tsui, Raymond
IPC分类号： H01L21/329 , H01L29/88 , H01L23/52 , H01L29/06
CPC分类号： H01L29/66219 , H01L27/0605 , H01L29/882
摘要： Ultra-small semiconductor devices (20) and a method of fabrication including patterning the planar surface of a substrate (22) to form a pattern edge (23) (e.g. a mesa (24)) and consecutively forming a plurality of layers (25, 26, 27, 28, 29) of semiconductor material in overlying relationship to the pattern edge (23) so that a discontinuity is produced in the layers (25, 26, 27, 28, 29) and a first layer (25) on one side of the pattern edge (23) is aligned with and in electrical contact with a different layer (29) on the other side of the pattern edge (23).
摘要翻译：超小型半导体器件（20）和制造方法包括图案化衬底（22）的平面以形成图案边缘（23）（例如台面（24））并且连续地形成多个层（25， 26,27,28,29）与图案边缘（23）重叠的半导体材料，使得在层（25,26,27,28,29）和第一层（25）上产生不连续性图案边缘（23）的一侧与图案边缘（23）的另一侧上的不同层（29）对准并与之电接触。

6. 发明授权

EP0651447B1 Silicon resonant tunneling 失效
标题翻译：在硅共振隧穿
公开(公告)号：EP0651447B1
公开(公告)日：1997-07-30
申请号：EP94116816.3
申请日：1994-10-25
申请人： TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED
发明人： Seabaugh, Alan C.
IPC分类号： H01L29/88 , H01L21/329
CPC分类号： B82Y30/00 , B82Y10/00 , H01L29/66151 , H01L29/882

7. 发明公开

EP0703626A2 Resonant tunneling structure and fabrication methods 失效
标题翻译：谐振隧道结构和制造方法
公开(公告)号：EP0703626A2
公开(公告)日：1996-03-27
申请号：EP95114532.5
申请日：1995-09-14
申请人： TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED
发明人： Smith, Bryan D. , Randall, John N. , Frazier, Gary A.
IPC分类号： H01L29/00 , H01L21/20
CPC分类号： B82Y10/00 , H01L29/125 , H01L29/127 , H01L29/882 , Y10S438/962 , Y10S438/979
摘要： A resonant tunneling diode (400) with lateral carrier transport through tunneling barriers (404, 408) grown as a refilling of trenches etched into a transverse quantum well (410) and defining a quantum wire or quantum dot (406). The fabrication method uses angled deposition to create overhangs at the top of openings which define sublithographic separations for tunneling barrier locations.
摘要翻译：谐振隧穿二极管（400）具有通过隧穿势垒（404,408）的横向载流子传输，所述隧穿势垒被生长为蚀刻到横向量子阱（410）中并限定量子线或量子点（406）的沟槽的再填充。该制造方法使用倾斜沉积在开口的顶部产生突出部分，其限定隧道势垒位置的亚光刻分离。

8. 发明公开

EP0320110A3 Memory device comprising a resonant-tunneling semiconductor diode and mode of operation 失效
标题翻译：包含谐振隧道半导体二极管的存储器件和操作模式
公开(公告)号：EP0320110A3
公开(公告)日：1990-05-09
申请号：EP88310336.8
申请日：1988-11-03
申请人： AT&T Corp.
发明人： Capasso, Federico , Cho, Alfred Yi , Sen, Susanta
IPC分类号： G11C11/56 , G11C11/38 , H01L29/88 , H01L29/205
CPC分类号： B82Y10/00 , G11C11/38 , G11C11/56 , G11C2211/5614 , H01L29/7606 , H01L29/882 , H03B19/16 , Y10S257/926
摘要： A memory bistable cell well suited for integration in memory integrated circuits, comprising a voltage source, a load resistor and a resonant-tunneling semiconductor diode (in lieu of two-transistor flip-flop). A device comprising an InAlAs-InGaAs-InAlAs single quantum well resonant-tunneling structure formed between an InP-InGaAs substrate/buffer structure and an InGaAs cap layer. An undoped InGaAs layer is further formed between the resonant-tunneling structure and the cap layer in order to accelerate the emitted carriers and provide more gradual current peaks. The device can be operated at temperatures greater than look, and in particular at or near room temperature. A three terminal resonant-tunneling composite structure is further disclosed.
摘要翻译：一种非常适合集成在存储器集成电路中的存储双稳态单元，包括电压源，负载电阻和谐振隧穿半导体二极管（代替双晶体管触发器）。包括在InP-InGaAs衬底/缓冲结构和InGaAs覆盖层之间形成的InAlAs-InGaAs-InAlAs单量子阱共振隧穿结构的器件。在谐振隧穿结构和盖层之间进一步形成未掺杂的InGaAs层，以加速发射的载流子并提供更多的逐渐电流峰值。该装置可以在大于外观的温度下操作，特别是在室温或室温附近操作。进一步公开了三端谐振隧穿复合结构。

9. 发明公开

EP0297778A2 Apparatus including resonant-tunneling device having multiple-peak current-voltage characteristics 失效
标题翻译：设备与谐振隧穿效应器件，其电流 - 电压特性具有多个尖端。
公开(公告)号：EP0297778A2
公开(公告)日：1989-01-04
申请号：EP88305716.8
申请日：1988-06-22
申请人： AT&T Corp.
发明人： Capasso, Federico , Yi Cho, Alfred , Sen, Susanta , Shoji, Masakazu , Sivco, Deborah
IPC分类号： H01L27/06 , H01L29/88 , H01L29/205
CPC分类号： B82Y10/00 , G11C11/56 , G11C2211/5614 , H01L29/7606 , H01L29/882 , H03B19/16
摘要： A semiconductor integrated resonant-tunneling device having multiple negative-resistance regions, and having essentially equal current peaks in such regions, is useful as a highly compact element, e.g., in apparatus designed for ternary logic operations, frequency multiplication, waveform scrambling, memory operation, parity-bit generation, and coaxial-line driving. The device can be made by layer deposition on a substrate and includes a resonant-tunneling structure between contacts such that side-by-side first and third contacts are on one side, and a second contact is on the opposite side of the resonant-tunneling structure.
摘要翻译：，波形加扰的半导体集成电路谐振隧穿装置具有多个负电阻区，以及具有在搜索区域基本上等于电流峰值，是作为高度紧凑的元件，例如，在设备设计成用于三值逻辑运算，倍频，存储器操作有用，奇偶校验位的生成，和同轴线驱动。该装置可以通过层沉积在一个基片制成，并包括搜索联系人之间的谐振隧穿结构做侧由端的第一和第三接触是在一侧上，并且第二接触是在谐振隧穿的相对侧结构。

10. 发明公开

EP0256759A3 Resonant tunneling semiconductor device 失效
标题翻译：共振隧道式半导体器件
公开(公告)号：EP0256759A3
公开(公告)日：1988-04-06
申请号：EP87306907
申请日：1987-08-04
申请人： FUJITSU LIMITED
发明人： Inata, Tsuguo , Fujii, Toshi , Muto, Shunichi
IPC分类号： H01L29/88 , H01L29/205 , H01L29/76 , H01L29/72 , H01L29/201
CPC分类号： B82Y10/00 , H01L29/205 , H01L29/7376 , H01L29/7606 , H01L29/882
摘要： A resonant tunneling semiconductor device having a large peak-to-valley current density J p /J v ratio comprises an InP substrate (11), a first contact compound semiconductor (12) lattice-matched to InP, a first barrier layer (13) of (In 0.52 A1 0.48 As) z
(In 0.53 Ga 0.47 As) 1-z , (0 1-y Ga y As, (0.48 ≧ y ≧ 0.46), a second barrier layer (15) of (In 0.52 A1 0.48 As) z (In 0.53 Ga 0.47 As) 1-z , (0 z Instead of the quantum-well structure, it is possible to adopt the quantum-well structure of strained-layers comprising the first and second barrier layers which are of In 1-x Al x As (0.48

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