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1. 发明申请

WO2022166319A1 一种光处理设备审中-公开
公开(公告)号：WO2022166319A1
公开(公告)日：2022-08-11
申请号：PCT/CN2021/132374
申请日：2021-11-23
申请人：北京梦之墨科技有限公司
发明人：卢双豪 , 尹涛 , 张金权 , 康远浩 , 汪海波
IPC分类号： G03F7/20 , G03F1/22 , G03F1/20 , G03F1/00 , B05D3/06
摘要：一种光处理设备（100）包括基座（40）、固定在基座（40）上的光源（10）、托盘（20）、以及介于光源（10）与托盘（20）之间的数字化掩模板（30）；其中，托盘（20）上用以放置待处理的基材（200）；数字化掩模（30）用以根据用户设置的电子图形显示相应的遮光图案（31），使光源（10）射出的光线穿透数字化掩模板（30）对托盘（20）上的基材（200）进行与遮光图案（31）相反的光处理。该光处理设备（100）通过数字化掩模板（30）根据用户需求显示与电子图形相应的遮光图案（31），以此满足数字化掩模板（30）的平面上各个区域的遮光/透光，实现用户所需的图案化的光线。

2. 发明申请

WO2013177576A1 METHOD FOR FABRICATION OF HIGH ASPECT RATIO TRENCHES AND FORMATION OF NANOSCALE FEATURES THEREFROM 审中-公开
标题翻译：高比例梯度的制备方法及其形成的纳米尺度特征
公开(公告)号：WO2013177576A1
公开(公告)日：2013-11-28
申请号：PCT/US2013/042766
申请日：2013-05-24
申请人： THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA
发明人： DYNES, Robert C. , ROEDIGER, Peter , WONG, Travis , CYBART, Shane A.
IPC分类号： H01L21/22 , G03F1/20
CPC分类号： H01L21/3065 , B81B2203/033 , B81C1/00031 , B81C1/00103 , B81C2201/0132 , G01R33/0052 , G03F1/80 , G03F7/094 , H01J37/20 , H01J37/3056 , H01J37/34 , H01L21/302 , H01L21/308 , H01L21/31116 , H01L21/31138
摘要： A process for forming trenches in a target material includes forming a masking layer onto the target material, where the masking layer comprises a material having high selectivity to a plasma etch gas adapted for etching the target material. A pattern is formed in the masking layer to expose portions of the target material and the sample is placed on an angle mount at a pre-determined angle relative to a cathode of a reactive ion etcher so that the target material is within a plasma dark space of the plasma etch gas. Ballistic ions within the plasma dark space form a trench structure within the target material. The process may further include repeating the steps of positioning the sample and etching the exposed portions of the target material with the substrate at a different angle to define a triangular structure.
摘要翻译：用于在目标材料中形成沟槽的工艺包括在目标材料上形成掩模层，其中掩模层包括对适于蚀刻目标材料的等离子体蚀刻气体具有高选择性的材料。在掩模层中形成图案以暴露目标材料的部分，并且将样品相对于反应离子蚀刻器的阴极以预定的角度放置在角度安装件上，使得靶材料在等离子体暗室内的等离子体蚀刻气体。等离子体暗空间内的弹道离子在目标材料内形成沟槽结构。该方法可以进一步包括重复以下步骤：定位样品并用不同角度蚀刻目标材料的暴露部分以限定三角形结构。

3. 发明申请

WO2013009219A1 СПОСОБ СОЗДАНИЯ МАСКИ НА ПОВЕРХНОСТИ ПОДЛОЖКИ 审中-公开
标题翻译：在基材表面上生产掩模的方法
公开(公告)号：WO2013009219A1
公开(公告)日：2013-01-17
申请号：PCT/RU2012/000562
申请日：2012-07-11
申请人： РУДОЙ, Игорь Георгиевич , СОРОКА, Аркадий Матвеевич
发明人： РУДОЙ, Игорь Георгиевич , СОРОКА, Аркадий Матвеевич , КИТАЙ, Мойше Самуилович
IPC分类号： H01L21/027 , G03F1/20
CPC分类号： G03F7/0046 , G03F7/0392 , G03F7/38
摘要： Изобретение относится к литографии, точнее к способам создания резистивной маски на поверхности подложки, в частности, полупроводниковой подложки. Техническим результатом изобретения является повышение производительности литографии сверхвысокого разрешения, прежде всего ЭУФ-литографии. Технический результат достигается тем, что в способе создания маски на поверхности резиста, включающем нанесение на поверхность подложки слоя полимерного резиста, образованного из мономерных звеньев на базе органических молекул, экспонирование резиста, термическую обработку экспонированного резиста и последующее проявление созданной в резисте структуры, в состав не менее 50% мономерных звеньев включают по меньшей мере один атом фтора, а термическая обработка экспонированного резиста включает его нагрев по меньшей мере одним лазерным импульсом, длину волны излучения которого выбирают из условия, что коэффициент поглощения лазерного излучения резистом превосходит коэффициент поглощения лазерного излучения подложкой.
摘要翻译：本发明涉及光刻技术，更准确地说，涉及在衬底表面，特别是半导体衬底的表面上制造电阻掩模的方法。本发明的技术结果在于通过超高分辨率，主要是EUV光刻技术提高光刻的生产率。技术结果的实现是，在抗蚀剂表面上制造掩模的方法中，该方法包括将基于有机分子的单体单元形成的聚合物抗蚀剂层施加到基底表面上，使抗蚀剂对曝光的抗蚀剂进行热处理，然后显影形成在抗蚀剂中的结构，组合物中至少含有一个氟原子至少包含50％的单体单元，并且曝光的抗蚀剂的热处理包括使用至少从激光辐射的抗蚀剂的吸收系数相对于激光辐射超过基板的吸收系数的条件选择的一个激光脉冲。

4. 发明申请

WO2005076935A2 WAVELENGTH FILTERING IN NANOLITHOGRAPHY 审中-公开
标题翻译：波长扫描在纳米尺度
公开(公告)号：WO2005076935A2
公开(公告)日：2005-08-25
申请号：PCT/US2005003658
申请日：2005-02-07
申请人： UNIV NORTHERN ILLINOIS , GOFRON KAZIMIERZ J
发明人： GOFRON KAZIMIERZ J
IPC分类号： G03F1/00 , G03F1/20 , G03F1/24 , G03F7/20 , G03F9/00
CPC分类号： G03F7/2004 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F1/22 , G03F7/70433 , G03F7/70575
摘要： A device for creating nano-sized features on a substrate having an extreme ultra violet source, and a mask positioned between the extreme ultra violet source and a photosentive material coated substrate for limiting the wavelengths transmitted to the substrate, thereby forming nano-sized features on the substrate. A method of forming nano-sized features on a substrate by inserting a pre-designed mask between an extreme ultra violet source and a to photosensitive material coated substrate, and illuminating the extreme ultra violet source through the mask onto the substrate, thereby etching the nanofeatures onto the substrate.
摘要翻译：一种用于在具有极紫外光源的基板上产生纳米尺寸特征的装置，以及位于极紫外光源和光敏材料涂覆基板之间的掩模，用于限制透射到基板的波长，由此形成纳米尺寸特征底物。通过在极紫外光源和感光材料涂覆的基底之间插入预先设计的掩模，并将极紫外光源通过掩模照射到基底上，从而在纳米尺度上蚀刻纳米尺寸特征的方法到基板上。

5. 发明申请

WO0146489A9 ION BEAM MODIFICATION OF RESIDUAL STRESS GRADIENTS IN THIN FILM POLYCRYSTALLINE SILICON MEMBRANES 审中-公开
标题翻译：薄膜多晶硅膜中残留应力梯度的离子束修饰
公开(公告)号：WO0146489A9
公开(公告)日：2002-05-30
申请号：PCT/US0034800
申请日：2000-12-20
申请人： UNIV BOSTON , BIFANO THOMAS
发明人： BIFANO THOMAS
IPC分类号： B81B3/00 , B81C1/00 , G02B26/08 , G03F1/20 , H01J37/305 , H01L21/302 , C23C14/34 , C23F1/00 , G01L1/22
CPC分类号： H01J37/3056 , B81C1/00666 , B81C2201/0166 , G02B26/0841 , G03F1/20 , H01L21/302
摘要： Method and apparatus for reducing the curvature of a micromachined structure having lamella (12). Surface treatment by an ion beam (30) of the lamella (12) such as by sputtering removes regions of stress allowing the lamella (12) to return to a planar condition. The resulting outer surface is made suitable for use as a reflector and other purposes needing a substantially planar surface.
摘要翻译：用于减小具有薄片（12）的微加工结构的曲率的方法和装置。通过薄片（12）的离子束（30）进行表面处理，例如通过溅射去除使得薄片（12）返回到平面状态的应力区域。所得的外表面适于用作反射器和需要基本平坦的表面的其它目的。

6. 发明申请

WO9743694A3 METHOD OF PRODUCING A STENCIL MASK 审中-公开
标题翻译：生产茎秆面膜的方法
公开(公告)号：WO9743694A3
公开(公告)日：1997-12-18
申请号：PCT/AT9700096
申请日：1997-05-13
申请人： IMS IONEN MIKROFAB SYST , HAMMEL ERNST , LOESCHNER HANS , RANGELOW IVAYLO W
发明人： HAMMEL ERNST , LOESCHNER HANS , RANGELOW IVAYLO W
IPC分类号： G03F1/20 , H01L21/027 , G03F1/16
CPC分类号： G03F1/20
摘要： The invention concerns a method of producing a stencil mask which comprises a foil having structures in the form of openings, the method comprising the following successive steps: (a) selecting a flat laminar substrate of a given material more than 50 νm thick; (b) producing a thin layer, the so-called intermediate layer, on the top of the substrate; (c) structuring this intermediate layer by means of a lithographic process with the structures for the mask to be produced; (d) etching the underside of the substrate at least in the region of the structures provided for the mask openings until the predetermined membrane thickness of the substrate in this region is less than 50 νm; (e) etching the top of the membrane using the structured intermediate layer as a masking layer in order to form in this membrane the mask openings which correspond to the structures of the intermediate layer; and (f) removing the intermediate layer.

7. 发明申请

WO9424608A3 METHOD OF PREPARATION OF MASK FOR ION BEAM LITHOGRAPHY 审中-公开
标题翻译：用于离子束光刻制备掩模的方法
公开(公告)号：WO9424608A3
公开(公告)日：1994-12-08
申请号：PCT/US9403628
申请日：1994-04-04
申请人： TECHNION RES & DEV FOUNDATION , US HEALTH , YAHALOM JOSEPH , PECKERAR MARTIN
发明人： YAHALOM JOSEPH , PECKERAR MARTIN
IPC分类号： G03F1/20 , G03F
CPC分类号： G03F1/20
摘要： The invention consists of a method for the manufacture of an improved mask for ion beam lithography, comprising the steps of: (a) coating a substrate by an insulating layer; (b) opening a window on the front side of the substrate; (c) depositing an oxide layer on the front side of the substrate; (d) opening a portion of the insulating layer; (e) patterning the oxide layer by ion beam photoresist and etching techniques, and (f) removal of a portion of the substrate from the backside, thus leaving a stenciled oxide mask resting on the substrate frame. The mask produced is characterized by its durability, ensuring a membrane flatness and stiffness capable to prevent any feature displacement during its use.

8. 发明申请

WO2023007321A1 METHOD FOR RETICLE ENHANCEMENT TECHNOLOGY OF A DESIGN PATTERN TO BE MANUFACTURED ON A SUBSTRATE 审中-公开
公开(公告)号：WO2023007321A1
公开(公告)日：2023-02-02
申请号：PCT/IB2022/056722
申请日：2022-07-21
申请人： D2S, INC.
发明人： FUJIMURA, Akira , UNGAR, P. Jeffrey , SHIRALI, Nagesh
IPC分类号： G03F1/20 , G03F1/78 , H01J37/317
摘要： Methods for reticle enhancement technology (RET) for use with variable shaped beam (VSB) lithography include inputting a desired pattern to be formed on a substrate; determining an initial mask pattern from the desired pattern for the substrate; optimizing the initial mask pattern for wafer quality using a VSB exposure system; and outputting the optimized mask pattern. Methods for fracturing a pattern to be exposed on a surface using VSB lithography include inputting an initial pattern; overlaying the initial pattern with a two-dimensional grid, wherein an initial set of VSB shots are formed by the union of the initial pattern with locations on the grid; merging two or more adjacent shots in the initial set of VSB shots to create a larger shot in a modified set of VSB shots; and outputting the modified set of VSB shots.

9. 发明申请

WO2020174341A1 METHODS AND SYSTEMS FOR COMPRESSING SHAPE DATA FOR ELECTRONIC DESIGNS 审中-公开
公开(公告)号：WO2020174341A1
公开(公告)日：2020-09-03
申请号：PCT/IB2020/051495
申请日：2020-02-22
申请人： CENTER FOR DEEP LEARNING IN ELECTRONICS MANUFACTURING, INC.
发明人： NGUYEN, Thang , BARANWAL, Ajay , MEYER, Michael J.
IPC分类号： G03F1/70 , G06T9/00 , G06T7/00 , G03F1/20
摘要： Methods for compressing shape data for a set of electronic designs include inputting a set of shape data, where the shape data represents a set of shapes for a device fabrication process. A convolutional autoencoder is used on the set of shape data, the convolutional autoencoder having a pre-determined set of convolution layers including a kernel size and filter size for each convolution layer. The set of shape data is encoded to compress the set of shape data, using the pre-determined set of convolution layers of the convolutional autoencoder, to create a set of encoded shape data. The set of shape data comprises an SEM image, and the encoded set of shape data identifies a mask defect.

10. 发明申请

WO2016024474A1 レジスト膜付きマスクブランクおよびその製造方法ならびに転写用マスクの製造方法审中-公开
标题翻译：提供抗静电膜的掩模布，其生产方法和生产转印掩模的方法
公开(公告)号：WO2016024474A1
公开(公告)日：2016-02-18
申请号：PCT/JP2015/071195
申请日：2015-07-27
申请人： HOYA株式会社
发明人：福井　亨
IPC分类号： G03F1/20 , G03F1/50 , G03F7/004 , G03F7/038 , G03F7/095 , G03F7/11 , G03F7/32
CPC分类号： G03F1/20 , G03F1/00 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/0382 , G03F7/095 , G03F7/11 , G03F7/2037 , G03F7/32 , G03F7/322 , G03F7/325
摘要：　薄膜１１を有する基板１０と、薄膜１１の主表面に形成されたネガ型のレジスト膜１２とを備えるレジスト膜付きマスクブランク１であって、レジスト膜１２において、レジスト膜１２が薄膜１１と接する部分に、レジスト膜１２の他の領域に比べて光酸発生剤の濃度が高い光酸発生剤濃厚領域が形成されていることを特徴とするレジスト膜付きマスクブランク１を提供する。
摘要翻译：提供了一种掩模板1，其设置有抗蚀剂膜，并且设置有形成在薄膜11的主表面上的具有薄膜11的基板10和形成在其上的负型抗蚀剂膜12，其特征在于，与抗蚀剂膜12的与抗蚀剂膜12接触的部分形成的抗蚀剂膜12的其它区域相比，具有较高浓度的光致酸产生剂的浓缩光酸产生剂区域。

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