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1. 发明申请

WO2006135375A2 CATALYTICALLY GROWN NANO-BENT NANOSTRUCTURE AND METHOD FOR MAKING THE SAME 审中-公开
标题翻译：催化性纳米结构纳米结构及其制备方法
公开(公告)号：WO2006135375A2
公开(公告)日：2006-12-21
申请号：PCT/US2005/025763
申请日：2005-07-20
申请人： THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA , JIN, Sungho , CHEN, Li-han , AUBUCHON, Joseph, F.
发明人： JIN, Sungho , CHEN, Li-han , AUBUCHON, Joseph, F.
IPC分类号： G01J4/00
CPC分类号： B82Y40/00 , B81B2203/0361 , B81C1/00103 , B82B3/00 , B82Y30/00 , C01B32/162 , Y10T428/30
摘要： Elongated nanostructures and a method of fabricating elongated nanostructures with one or more sharp bends using a plasma enhanced chemical vapor deposition process comprising placing an anode above the nanostructure and a cathode below the nanostructure, applying a voltage between the anode and cathode to create electric field lines, and changing the direction of the electric field lines during the fabrication of the nanostructure. Device applications using such structures are also disclosed.
摘要翻译：伸长的纳米结构和使用等离子体增强化学气相沉积方法制造具有一个或多个尖锐弯曲的细长纳米结构的方法，包括将纳米结构上方的阳极和纳米结构之下的阴极放置在阳极和阴极之间施加电压以产生电场线并且在纳米结构的制造期间改变电场线的方向。还公开了使用这种结构的装置应用。

2. 发明申请

WO2005017623A2 PROCEDE DE REALISATION DE MOTIFS A FLANCS INCLINES PAR PHOTOLITHOGRAPHIE 审中-公开
标题翻译： DOLLAR M（C）通过光刻技术生产包含FLANK图案的方法
公开(公告)号：WO2005017623A2
公开(公告)日：2005-02-24
申请号：PCT/FR2004/050377
申请日：2004-08-05
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE , RABAROT, Marc , KIPP, Mathieu , KOPP, Christophe
发明人： RABAROT, Marc , KIPP, Mathieu , KOPP, Christophe
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： B81C1/00103 , B81C2201/0159 , G03F7/70216
摘要： L'invention concerne un procédé de photolithographie permettant la réalisation de motifs dans une couche de résine photosensible (601) posée sur un substrat (600). Les motifs (607) comprennent des flancs (608) inclinés par rapport à une normale (n) à un plan principal du substrat et qui présentent un angle d'inclinaison (θ) bien supérieur à celui des motifs obtenus selon l'art antérieur. L'invention concerne également un dispositif permettant de mettre en oeuvre ledit procédé.
摘要翻译：本发明涉及一种用于在放置在基板（600）上的感光树脂层（601）中产生图案的平版印刷方法。所述图案（607）包括相对于主基板平面（n）倾斜的侧面（608），形成比由本领域先前技术可获得的图案的倾斜角度（θ）大的倾斜角度（θ）。还公开了用于实施本发明的方法的装置。

3. 发明申请

WO2004041711A1 段差付き凹部の形成方法审中-公开
标题翻译：形成步进式的方法
公开(公告)号：WO2004041711A1
公开(公告)日：2004-05-21
申请号：PCT/JP2003/013654
申请日：2003-10-24
申请人：新光電気工業株式会社 , 小泉直幸 , 村山啓 , 栗原孝 , 東光敏
发明人：小泉直幸 , 村山啓 , 栗原孝 , 東光敏
IPC分类号： B81C1/00
CPC分类号： B81C1/00103 , B81B2203/033
摘要： A method of forming recessed parts having steps lower than one face of a substrate and bottom faces lower than the steps in one face of the substrate, comprising the steps of forming a first resist layer (12) having openings allowing predicted recessed part formation positions on the one face to be exposed to the outside, forming a second resist layer (16) covering predicted step formation positions of the exposed parts on the one face in the openings of the first resist layer (12), applying etching to the exposed parts on the one face not covered by the second resist layer (16) in the openings of the first resist layer (12), selectively removing the second resist layer (16), applying etching to the entire part of the exposed part on the substrate in the openings of the first resist layer (12), and removing the first resist layer (12).
摘要翻译：一种形成具有比基板的一个面低的台阶的底部的底面的方法，其底面低于所述基板的一个面的台阶，包括以下步骤：形成第一抗蚀剂层（12），所述第一抗蚀剂层（12）具有允许预测的凹陷部分形成位置形成暴露于外部的一个面，形成覆盖第一抗蚀剂层（12）的开口中的一个面上的暴露部分的预测步骤形成位置的第二抗蚀剂层（16），对暴露部分施加蚀刻在第一抗蚀剂层（12）的开口中不被第二抗蚀剂层（16）覆盖的一个面，选择性地除去第二抗蚀剂层（16），对基板上的暴露部分的整个部分进行蚀刻第一抗蚀剂层（12）的开口，以及去除第一抗蚀剂层（12）。

4. 发明申请

WO2004036264A2 POLYMERS, METHODS OF USE THEREOF, AND METHODS OF DECOMPOSITION THEREOF 审中-公开
标题翻译：聚合物，其使用方法及其分解方法
公开(公告)号：WO2004036264A2
公开(公告)日：2004-04-29
申请号：PCT/US0332918
申请日：2003-10-16
申请人： GEORGIA TECH RES INST
发明人： KOHL PAUL A , ALLEN SUEANN BIDSTRUP , WU XIAOQUN , HENDERSON CLIFFORD LEE
IPC分类号： B81C1/00 , C08J3/28 , C08K5/00 , G03F7/40 , G02B
CPC分类号： G03F7/004 , B81B2201/058 , B81B2203/0338 , B81B2203/0384 , B81C1/00103 , B81C2201/0108 , C08J3/28 , C08K5/0041 , G03F7/40 , Y10T428/24479
摘要： Polymers, methods of use thereof, and methods of decomposition thereof, are provided. One exemplary polymer, among others, includes, a photodefinable polymer having a sacrificial polymer and a photoinitiator.
摘要翻译：提供了聚合物，其使用方法及其分解方法。其中一个示例性聚合物包括具有牺牲聚合物和光引发剂的可光定义聚合物。

5. 发明申请

WO1993017440A1 PROCESS FOR MAKING AN OBLIQUE-SIDED RECESS IN A SUBSTRATE 审中-公开
标题翻译：在基板上制作偏移式凹坑的方法
公开(公告)号：WO1993017440A1
公开(公告)日：1993-09-02
申请号：PCT/DE1993000152
申请日：1993-02-18
申请人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT , SCHLAAK, Helmut , ARNDT, Frank
发明人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT
IPC分类号： H01H01/00
CPC分类号： B81C1/00103 , B81B2201/0264 , B81B2203/0384 , G01L9/0042 , G01L9/0073 , H01H1/0036 , H01H59/0009
摘要： The invention relates to a process for making an oblique-sided recess in a substrate in which areas of the substrate corresponding to the recess to be made are covered with an etching mask which is not attacked by an isotropic etching fluid and isotropic etching is then performed. In order to be able to make oblique sides with a very shallow slope with such a process, a layer (4) removable by the isotropic etching fluid is applied to the areas (3) of the substrate (2) before the application of the etching mask (5).

6. 发明申请

WO2018076432A1 生物相容性封装磁性机器人及其制备方法审中-公开
公开(公告)号：WO2018076432A1
公开(公告)日：2018-05-03
申请号：PCT/CN2016/107684
申请日：2016-11-29
申请人：中国科学院深圳先进技术研究院
发明人：李晖 , 陈静 , 张南南 , 王磊
IPC分类号： B81C1/00
CPC分类号： B81B1/00 , B81C1/00103
摘要：一种生物相容性封装的磁性微机器人及其制备该磁性微机器人的方法，所述方法包括：提供硅片，在硅片上制备Omnicoat牺牲层；在Omnicoat牺牲层上旋涂SU‑8光刻胶形成SU‑8基层；得到第一预制层结构；进行烘烤；进行图形化曝光；在65℃烘烤2分钟，然后在95℃烘烤2分钟；在SU‑8基层上涂覆磁性复合材料，进行烘烤；进行图形化曝光；在65℃烘烤2分钟，然后在95℃烘烤2分钟；进行显影操作,去离子水清洗，风干；涂覆SU‑8光刻胶；进行烘烤；图形化曝光；在65℃烘烤2分钟，然后在95℃烘烤2分钟；进行显影操作，去离子水清洗，风干；得到生物相容性封装的磁性微机器人，所述磁性封装微机器人的生物相容性和耐化学性较好。

7. 发明申请

WO2014193569A1 METHODS OF FORMING A SUBSTRATE OPENING 审中-公开
标题翻译：形成基板开放的方法
公开(公告)号：WO2014193569A1
公开(公告)日：2014-12-04
申请号：PCT/US2014/035276
申请日：2014-04-24
申请人： MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人： KIEHLBAUCH, Mark
IPC分类号： H01L21/027 , G03F7/20
CPC分类号： H01L21/76804 , B44C1/227 , B81B2203/0315 , B81B2203/0323 , B81B2203/033 , B81B2203/0338 , B81B2203/0353 , B81C1/00103 , B81C1/00531 , G02B6/136 , H01L21/3065 , H01L21/308 , H01L21/3083 , H01L21/31116 , H01L21/32 , H01L21/32136 , H01L21/32137 , H01L21/76232
摘要： A method of forming a substrate opening includes forming a plurality of side-by-side openings in a substrate. At least some of immediately adjacent side-by-side openings are formed in the substrate to different depths relative one another. Walls that are laterally between the side-by-side openings are removed to form a larger opening having a non-vertical sidewall surface where the walls were removed in at least one straight-line vertical cross-section that passes through the sidewall surface orthogonally to the removed walls.
摘要翻译：形成基板开口的方法包括在基板中形成多个并排开口。至少一些立即相邻的并排开口在衬底中相对于彼此形成不同的深度。在侧面开口之间的横向的壁被移除以形成具有非垂直侧壁表面的更大的开口，其中壁在至少一个直线垂直横截面中被移除，所述至少一个直线垂直横截面正交地穿过侧壁表面被拆除的墙壁。

8. 发明申请

WO2009124605A2 MICROMECHANICAL COMPONENT HAVING A SLANTED STRUCTURE AND CORRESPONDING PRODUCTION METHOD 审中-公开
标题翻译：与斜面结构及相应方法微机械结构
公开(公告)号：WO2009124605A2
公开(公告)日：2009-10-15
申请号：PCT/EP2008066388
申请日：2008-11-28
申请人： BOSCH GMBH ROBERT , PIRK TJALF , PINTER STEFAN , BENZEL HUBERT , WEBER HERIBERT , KRUEGER MICHAEL , SATTLER ROBERT , NJIKAM NJIMONZIE FREDERIC , MUCHOW JOERG , FRITZ JOACHIM , SCHELLING CHRISTOPH , FRIESE CHRISTOPH
发明人： PIRK TJALF , PINTER STEFAN , BENZEL HUBERT , WEBER HERIBERT , KRUEGER MICHAEL , SATTLER ROBERT , NJIKAM NJIMONZIE FREDERIC , MUCHOW JOERG , FRITZ JOACHIM , SCHELLING CHRISTOPH , FRIESE CHRISTOPH
IPC分类号： B81C1/00
CPC分类号： B81C1/00103 , B81B2203/0118 , B81B2203/0307
摘要： The invention relates to a micromechanical component having a slanted structure and to a corresponding production method. Said component comprises a substrate (1) having a surface (O); a first anchor (3e; 3e') that is provided on the surface (O) of the substrate (1) and which extends away from the substrate (1); and at least one arm (3c, 3d; 3c; 3c') that is oriented away from the anchor (3e; 3e') and that is provided on one lateral surface (S1, S2; S1'; S1'') of the anchor (3e; 3e').
摘要翻译：本发明提供了螺旋结构和相应的制造方法的微机械部件。该组件包括具有表面（O）的基板（1）; 在基板（1）的表面上的第一锚（3E，3E“），该（O）被设置，并且从衬底（1）延伸离开; 指向离开和在侧面的至少一个; '（其被从电枢倾斜臂3c和3d，3c和3c）中所提供的电枢的（S1，S2 S1”，S1' '）（3E，3E） '（图3e' 3E）是。

9. 发明申请

WO2009059868A3 METHOD FOR PRODUCING MICROMECHANICAL STRUCTURES HAVING A PROTRUDING LATERAL WALL PROGRESSION OR AN ADJUSTABLE ANGLE OF INCLINATION 审中-公开
标题翻译：用于生产微机械结构救济侧壁或性能角度可调
公开(公告)号：WO2009059868A3
公开(公告)日：2009-09-17
申请号：PCT/EP2008063703
申请日：2008-10-13
申请人： BOSCH GMBH ROBERT , LAERMER FRANZ , FUCHS TINO , LEINENBACH CHRISTINA
发明人： LAERMER FRANZ , FUCHS TINO , LEINENBACH CHRISTINA
IPC分类号： B81C1/00
CPC分类号： B81C1/00103 , B81B2203/0384 , B81C2201/0136
摘要： The invention relates to a method for producing micromechanical structures having a raised lateral wall progression or an adjustable angle of inclination. The micromechanical structures are etched out of an SiGe-mixed semiconductor layer (3a, 3b, 30, 30a, 30b, 50) provided on, or deposited on, a silicon semiconductor layer (1, 10), by dry-chemical etching of the SiGe-mixed semiconductor layer (3a, 3b, 30, 30a, 30b, 50). The lateral wall progression of the micromechanical structure is formed by varying the germanium part in the SiGe-mixed semiconductor layer (3a, 3b, 30, 30a, 30b, 50) to be etched. There is a higher germanium part in regions that are to etched more aggressively. The variation of the germanium part in the SiGe-mixed semiconductor layer (3a, 3b, 30, 30a, 30b, 50) is adjusted by a method selected from a group wherein an SiGe-mixed semiconductor layer (3a, 3b, 30, 30a, 30b, 50) having a varying germanium content is deposited, wherein germanium is introduced into a silicon semiconductor layer or an SiGe-mixed semiconductor layer (3a, 3b, 30, 30a, 30b, 50), wherein silicon is introduced into a germanium layer or an SiGe-mixed semiconductor layer (3a, 3b, 30, 30a, 30b, 50), and/or wherein a SiGe-mixed semiconductor layer (3a, 3b, 30, 30a, 30b, 50) is subjected to thermal oxidation.
摘要翻译：本发明涉及一种方法，用于生产具有浮雕状侧壁轮廓或倾斜的角度可调，得到微机械结构由硅半导体基板（1，10）现有或沉积SiGe混合半导体层上的微机械结构（3A，3B，30，30A，30B ，50）由SiGe混合半导体层的干式化学蚀刻（3A，3B，30，30A，30B，50）出蚀刻通过改变（将被蚀刻SiGe混合半导体层3a，3b中的锗含量，得到的微机械结构的侧壁轮廓， 30，30A，30B，50）形成，在多个区域被蚀刻，较高的锗比例存在，其中一个选择，则SiGe混合半导体层中的锗比例（3A，3B，30，30A，30B，50）的通过的过程中的变化该组包括SiGe混合半导体层（3A，3B，30，30A，30B，50）的沉积具有不同锗含量，引入的锗到硅半导体层或SiGe混合半导体层（3A，3B，30，30A，30B，50），硅的掺入锗层或SiGe混合半导体层（3A，3B，30，30A，30B，50）和/或由SiGe混合半导体层的热氧化（3A，3B，30，30A，30B，50）设置。

10. 发明申请

WO2009048321A3 METHODS FOR MANUFACTURING A MICROSTRUCTURE 审中-公开
标题翻译：制造微结构的方法
公开(公告)号：WO2009048321A3
公开(公告)日：2009-06-04
申请号：PCT/NL2008000217
申请日：2008-10-03
申请人： MICRONIT MICROFLUIDICS BV , VAN T OEVER RONNY , BLOM MARKO THEODOOR , OONK JOHANNES
发明人： VAN T OEVER RONNY , BLOM MARKO THEODOOR , OONK JOHANNES
IPC分类号： B81C1/00
CPC分类号： B81C1/00119 , B81B2203/0376 , B81C1/00103 , B81C2201/0146
摘要： Methods for manufacturing a microstructure, wherein use is made of powder blasting and/or etching and a single mask layer with openings and structures of varying dimensions, characterized in that the mask layer at least at one given point in time has been wholly worn away within at least one region by mask erosion while the microstructure is not yet wholly realized. Use can be made of a combination of 'vertical' erosion, i.e. parallel to the thickness direction, and 'horizontal' erosion, i.e. perpendicularly of the thickness direction, of the mask layer. The horizontal mask erosion occurs at the edges of the mask structure. By selecting the size of the mask openings and the mask structures in a correct manner the mask layer in a region with smaller mask structures will be fully worn away at a given point in time, while in another region with larger structures the mask layer still has sufficient thickness to serve as protection against the powder blasting or etching.
摘要翻译：用于制造微结构的方法，其中使用粉末喷射和/或蚀刻以及具有不同尺寸的开口和结构的单个掩模层，其特征在于，至少在一个给定时间点的掩模层已经完全磨损在内部至少一个区域通过掩模侵蚀而微结构尚未完全实现。使用可以由掩模层的“垂直”侵蚀，即平行于厚度方向和“水平”侵蚀，即垂直于厚度方向的侵蚀的组合。在掩模结构的边缘处发生水平掩模腐蚀。通过以正确的方式选择掩模开口和掩模结构的尺寸，具有较小掩模结构的区域中的掩模层将在给定时间点被完全磨损，而在具有较大结构的另一区域中，掩模层仍具有足够的厚度以作为防止粉末爆破或蚀刻的保护。

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