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    • 7. 发明申请
    • MICRO-FABRICATION OF THREE DIMENSIONAL PYROLYSED CARBON MICROELECTRODES
    • 三维微晶碳微电极的微观制造
    • WO2017050808A1
    • 2017-03-30
    • PCT/EP2016/072388
    • 2016-09-21
    • DANMARKS TEKNISKE UNIVERSITET
    • HEMANTH, SuhithKELLER, Stephan SylvestCAVIGLIA, ClaudiaAMATO, Letizia
    • G03F7/00G03F7/20G03F7/213G03F7/38
    • G03F7/2022G03F7/0035G03F7/0037G03F7/213G03F7/38
    • The present invention relates in one aspect to a method of producing a three-dimensional microscale patterned resist template for a pyrolysed carbon microelectrode structure by means of UV-lithography. Coating a planar substrate with an epoxy-based negative photoresist, such as an SU-8 photoresist; soft baking the photoresist layer; performing a full depth exposure with UV light through a first mask; performing a partial depth exposure with UV light through a second mask; wherein the full depth exposure and the partial depth exposure are aligned to ensure that the first and second latent images are connected to each other; post-exposure baking the photoresist layer; and developing the microscale patterned resist template as a free-standing structure of cross-linked resist with lateral hanging structures that are supported by vertical support structures at a free height above the substrate. The method is characterized by a soft baking temperature below 70 °C. Repetitive coating and partial depth exposure allows for the fabrication of multiple level laterally interconnected structures. Carbonization of the resist template provides truly three-dimensional carbon microelectrode structures.
    • 本发明在一个方面涉及通过UV光刻法制造用于热解的碳微电极结构的三维微米图案化抗蚀剂模板的方法。 用诸如SU-8光致抗蚀剂的环氧基负性光致抗蚀剂涂覆平面基板; 软烘烤光刻胶层; 通过第一掩模用紫外光进行全深度曝光; 通过第二掩模用UV光进行局部深度曝光; 其中所述全深度曝光和所述部分深度曝光被对准以确保所述第一和第二潜像彼此连接; 后曝光烘烤光刻胶层; 并且将微米图案化的抗蚀剂模板显影为具有横向悬挂结构的交联抗蚀剂的独立结构,其在衬底上方的自由高度由垂直支撑结构支撑。 该方法的特点是软烘烤温度低于70℃。 重复涂布和部分深度曝光允许制造多层横向互连结构。 抗蚀剂模板的碳化提供真正的三维碳微电极结构。
    • 10. 发明申请
    • 湿式除去が可能なシリコン含有レジスト下層膜形成組成物
    • 通过湿法除去可形成含硅含量膜的组合物
    • WO2016080217A1
    • 2016-05-26
    • PCT/JP2015/081345
    • 2015-11-06
    • 日産化学工業株式会社
    • 若山 浩之中島 誠柴山 亘遠藤 雅久
    • G03F7/11H01L21/027
    • G03F7/0752C08G77/14C09D4/00C09D183/02C09D183/04C09D183/06G03F7/11G03F7/2004G03F7/38G03F7/40H01L21/02123H01L21/311
    • 【課題】ハードマスクとして使用でき、硫酸/過酸化水素などの薬液を用いたウエットエッチングによる方法で除去可能なレジスト下層膜を形成するためのレジスト下層膜形成組成物を提供する。 【解決手段】(A)成分と(B)成分とを含み、(A)成分は加水分解性シラン、その加水分解物、又はその加水分解縮合物を含み、該加水分解性シランが式(1): R 1 a R 2 b Si(R 3 ) 4-(a+b) 式(1)〔式(1)中、R 1 は式(2): で示される有機基を示し且つSi-C結合によりケイ素原子と結合しているものである。R 3 はアルコキシ基、アシルオキシ基、又はハロゲン基を示す。aは1の整数を示し、bは0~2の整数を示し、a+bは1~3の整数を示す。〕で示される加水分解性シランを含み、 (B)成分は、アルコキシメチル基又はヒドロキシメチル基を有する環構造を含む架橋性化合物、又はエポキシ基又はブロックイソシアネート基を有する架橋性化合物であることを特徴とするリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物。
    • [问题]提供一种形成抗蚀剂下层膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物,其可以用作硬掩模,并且可以通过使用液体化学品如硫酸/过氧化氢的湿式蚀刻方法除去。 [解决方案]用于光刻的抗蚀剂下层膜形成组合物,其特征在于包含成分(A)和成分(B),其中成分(A)包含一种或多种可水解硅烷,其水解产物或其水解/缩合产物, 式(1)表示的水解性硅烷:[化学式1]式(1)[式(1)中,R 1表示由式(2)表示的有机基团[化学式2]式(2) 并且通过Si-C键与硅原子键合,R3表示烷氧基,酰氧基或卤素基团,符号a为1的整数,b为0-2的整数,a + b为 整数1-3],成分(B)是包含具有烷氧基甲基或羟甲基的环结构或具有环氧基或封端异氰酸酯基的交联化合物的交联化合物。