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1. 发明申请

WO2017137142A1 A POLYMER, COMPOSITION, FORMING SACRIFICIAL LAYER AND METHOD FOR SEMICONDUCTOR DEVICE THEREWITH 审中-公开
标题翻译：聚合物，组合物，形成牺牲层及用于半导体器件的方法
公开(公告)号：WO2017137142A1
公开(公告)日：2017-08-17
申请号：PCT/EP2017/000058
申请日：2017-01-19
申请人： AZ ELECTRONIC MATERIALS (LUXEMBOURG) S.À.R.L.
发明人： NAKASUGI, Shigemasa , HAMA, Yusuke , KUROSAWA., Kazunori , YANAGITA, Hiroshi , NOYA, Go
IPC分类号： C08G61/02 , C08G61/12 , C08G8/02 , C08G10/00 , C09D161/00 , C09D165/00 , G03F7/11 , G03F7/26 , G03F7/09 , H01L21/027
CPC分类号： C09D165/00 , C08G8/02 , C08G10/00 , C08G61/02 , C08G61/12 , C08G2261/124 , C08G2261/135 , C08G2261/312 , C08G2261/314 , C08G2261/316 , C08G2261/344 , C08G2261/45 , C08G2261/592 , C08G2261/65 , C08G2261/73 , C08G2261/76 , C08G2261/90 , C09D161/00 , G03F7/094 , H01L21/0271
摘要： The present invention relates to a polymer, composition, the forming of a sacrificial layer and a method for producing a semiconductor device comprising a step during which a pattern is made using a photoresist by the photolithography method.
摘要翻译：本发明涉及聚合物，组合物，牺牲层的形成和制造半导体器件的方法，该方法包括通过光刻法使用光致抗蚀剂制作图案的步骤。 / p>

2. 发明申请

WO2016128117A1 COMPOSITION FOR FORMING UNDERLAYER AND METHOD FOR FORMING UNDERLAYER THEREWITH 审中-公开
标题翻译：用于形成底层的组合物和形成下层的方法
公开(公告)号：WO2016128117A1
公开(公告)日：2016-08-18
申请号：PCT/EP2016/000166
申请日：2016-02-02
申请人： AZ ELECTRONIC MATERIALS (LUXEMBOURG) S.À.R.L.
发明人： SUZUKI, Masato , HAMA, Yusuke , YANAGITA, Hiroshi , NOYA, Go , NAKASUGI, Shigemasa
IPC分类号： C09D179/02 , G03F7/09
CPC分类号： G03F7/11 , C08G73/026 , C09D177/10 , C09D179/02 , G03F7/094 , G03F7/16 , G03F7/168 , G03F7/2006 , G03F7/30
摘要： To provide a composition for an underlayer, which can form an underlayer having flattened surface. [Means for Solution] A composition for forming an underlayer, comprising a polymer having a repeating unit containing nitrogen and a solvent. An underlayer is formed by coating this composition on a substrate, preferably baking in an inert atmosphere, and then baking in the air containing oxygen.
摘要翻译：提供可以形成具有平坦表面的底层的底层组合物。 [用于溶液的方法]一种用于形成底层的组合物，其包含含有氮和溶剂的重复单元的聚合物。通过将该组合物涂布在基材上，优选在惰性气氛中烘烤，然后在含氧空气中烘烤，形成底层。

3. 发明申请

WO2016080972A1 METHODS AND APPARATUSES FOR DIRECTED SELF-ASSEMBLY 审中-公开
标题翻译：用于指导自组装的方法和装置
公开(公告)号：WO2016080972A1
公开(公告)日：2016-05-26
申请号：PCT/US2014/066228
申请日：2014-11-18
申请人： SEAGATE TECHNOLOGY LLC
发明人： YANG, XiaoMin , XIAO, Shuaigang , LEE, Kim Y. , KUO, David S.
IPC分类号： B82B3/00 , H01L21/32 , G03F7/26
CPC分类号： G03F7/11 , B81C1/00031 , B81C2201/0149 , G03F7/0002 , G03F7/094 , G03F7/70 , H01L21/32
摘要： Provided herein is a method, including creating a first layer over a substrate, wherein the first layer is configured for directed self-assembly of a block copolymer thereover; creating a continuous second layer over the first layer by directed self-assembly of a block copolymer, wherein the second layer is also configured for directed self-assembly of a block copolymer thereover; and creating a third layer over the continuous second layer by directed self-assembly of a block copolymer. Also provided is an apparatus, comprising a continuous first layer comprising a thin film of a first, phase-separated block copolymer, wherein the first layer comprises a first chemoepitaxial template configured for directed self-assembly of a block copolymer thereon; and a second layer on the first layer, wherein the second layer comprises a thin film of a second, phase-separated block copolymer.
摘要翻译：本文提供了一种方法，包括在衬底上形成第一层，其中第一层构造成用于其上的嵌段共聚物的定向自组装; 通过嵌段共聚物的定向自组装在所述第一层上形成连续的第二层，其中所述第二层还构造成用于其间的嵌段共聚物的定向自组装; 以及通过嵌段共聚物的定向自组装在连续的第二层上形成第三层。还提供了一种装置，其包括连续的第一层，其包含第一相分离嵌段共聚物的薄膜，其中第一层包括构造成在其上引导嵌段共聚物的第一化学外延模板; 以及第一层上的第二层，其中第二层包括第二相分离嵌段共聚物的薄膜。

4. 发明申请

WO2016013344A1 カラーフィルター下層膜形成用樹脂組成物审中-公开
标题翻译：用于形成彩色滤光片膜的树脂组合物
公开(公告)号：WO2016013344A1
公开(公告)日：2016-01-28
申请号：PCT/JP2015/068388
申请日：2015-06-25
申请人：日産化学工業株式会社
发明人：坂口　崇洋 , 安達　勲
IPC分类号： G02B5/20 , G03F7/11
CPC分类号： G03F7/11 , G02B5/223 , G03F7/0007 , G03F7/094
摘要：【課題】優れた耐溶剤性、耐熱性及び透明性を有する硬化膜を形成でき、該硬化膜上にカラーフィルターを形成する際にカラーレジストの残渣の発生を抑えることができる、カラーフィルター下層膜形成用樹脂組成物を提供する。【解決手段】下記式（１）で表される構造単位を有するホモポリマー又はコポリマー、酸化合物、溶剤及び樹脂組成物中の固形分の含有量に基づいて０質量％乃至３５質量％の架橋剤を含有するカラーフィルター下層膜形成用樹脂組成物。（式中、Ｒ０は水素原子又はメチル基を表し、Ｒ１は置換基としてヒドロキシ基を少なくとも１つ有する炭素原子数１乃至６の炭化水素基を表し、前記炭素原子数１乃至６の炭化水素基はエーテル結合をさらに有してもよい。）
摘要翻译：本发明提供一种形成滤色器下层膜的树脂组合物，其能够形成具有优异的耐溶剂性，耐热性和透明性的固化膜，并且还能够抑制着色剂残留物的产生在固化膜上形成滤色片时。 [溶液]用于形成滤色器下层膜的树脂组合物，其含有具有由式（1）表示的结构单元的均聚物或共聚物，酸化合物，溶剂和0质量％〜35质量％基于树脂组合物中的固体含量的交联剂。（式中，R 0表示氢原子或甲基，R 1表示含有至少一个羟基作为取代基且具有1-6个碳原子的烃基，就此而言，具有1-6个碳原子的烃基原子可以另外具有醚键。）

5. 发明申请

WO2016007303A1 NEGATIVE TONE DEVELOPER COMPATIBLE PHOTORESIST COMPOSITION AND METHODS OF USE 审中-公开
标题翻译：负离子开发者兼容光电组合物及其使用方法
公开(公告)号：WO2016007303A1
公开(公告)日：2016-01-14
申请号：PCT/US2015/037588
申请日：2015-06-25
申请人： TOKYO ELECTRON LIMITED , TOKYO ELECTRON U.S. HOLDINGS, INC.
发明人： DEVILLIERS, Anton J.
IPC分类号： G03F7/039 , G03F7/004
CPC分类号： G03F7/039 , G03F7/0392 , G03F7/094 , G03F7/16 , G03F7/20 , G03F7/32 , G03F7/405
摘要： Compositions and methods herein include negative tone developer compatible photoresist compositions and methods of using such compositions. This includes a positive tone photoresist that can be developed using negative tone developers in that unexposed portions of the positive tone photoresist are dissolvable by one or more negative tone developer solvents. One embodiment includes a negative tone developer compatible photoresist with little or no etch resistance. Non-resistive photoresist materials as described herein can include one or more radiation-sensitive attributes (for example, the photoresist can be patterned, de-protected, solubility shifted, interact with photo chemistries, and respond to exposure doses), except that these materials have effectively no etch resistance. Such compositions can be effectively free from components, functional groups, or additives that provide or increase etch resistivity to a wet or dry etch process.
摘要翻译：本文的组合物和方法包括负色调显影剂相容的光致抗蚀剂组合物和使用这种组合物的方法。这包括可以使用负色调显影剂显影的正色调光致抗蚀剂，因为正色调光致抗蚀剂的未曝光部分可被一种或多种负色调显影剂溶剂溶解。一个实施方案包括具有很少或不具有耐蚀刻性的负色调显影剂兼容光致抗蚀剂。本文所述的非电阻光致抗蚀剂材料可以包括一种或多种辐射敏感属性（例如，光致抗蚀剂可以被图案化，去保护，溶解度转移，与光化学反应并且对曝光剂量的响应），除了这些材料具有无蚀刻电阻。这样的组合物可以有效地不含提供或增加湿法或干蚀刻工艺的蚀刻电阻率的组分，官能团或添加剂。

6. 发明申请

WO2015122296A1 フッ素含有界面活性剤を含む膜形成組成物审中-公开
标题翻译：成膜组合物，包括含荧光体的表面活性剂
公开(公告)号：WO2015122296A1
公开(公告)日：2015-08-20
申请号：PCT/JP2015/052703
申请日：2015-01-30
申请人：日産化学工業株式会社
发明人：梅嵜　真紀子 , 柄澤　涼 , 志垣　修平 , 水落　龍太
IPC分类号： G03F7/11 , C08L33/04 , C08L101/00 , C08L101/04
CPC分类号： C09D133/12 , C08F220/14 , C08L33/14 , C08L101/00 , C08L101/04 , G03F7/0752 , G03F7/094 , G03F7/11 , G03F7/16 , G03F7/20 , G03F7/30 , H01L21/0276 , C08F212/14
摘要：【課題】　エッチング工程によっても除去されない不要な残渣を生ずる原因となる、被膜の周辺部に生ずる縁だまりの低減された被膜及びその形成方法を提供する。【解決手段】　炭素数３乃至５のパーフルオロアルキル部分構造を有するポリマー及びオリゴマーを含む界面活性剤を含む、リソグラフィー工程に使用する膜形成組成物。パーフルオロアルキル部分構造の炭素数は４が良い。上記パーフルオロアルキル部分構造が更にアルキル部分構造を含んでいても良く、上記ポリマー及びオリゴマーは（メタ）アクリレートポリマー及びオリゴマーが良い。上記界面活性剤の含有量が膜形成組成物の全固形分の０．０００１乃至１．５質量％である。膜形成組成物は更に塗膜樹脂を含み、該樹脂はノボラック樹脂、縮合エポキシ系樹脂、（メタ）アクリル樹脂、ポリエーテル系樹脂又はケイ素含有樹脂等である。形成された膜はレジスト下層膜又はレジスト上層膜として利用できる。
摘要翻译：为了提供一种涂层及其形成方法，涂层的外围具有减少量的边缘汇集，其产生不需要消除的均匀蚀刻的不必要的残渣。 [溶液]用于光刻的成膜组合物，其包含含有具有3-5个碳原子的全氟烷基亚结构的聚合物和低聚物的表面活性剂。全氟烷基亚结构的有利碳数为4.全氟烷基亚结构还可以包括烷基亚结构，（甲基）丙烯酸酯聚合物和低聚物对聚合物和低聚物是有利的。表面活性剂为成膜组合物的固体成分的0.0001〜1.5质量％。成膜组合物还包括酚醛清漆树脂，缩合环氧树脂，（甲基）丙烯酸树脂，聚醚树脂，含硅树脂等的涂膜树脂。形成的膜可以用作抗蚀剂的下层膜或抗蚀剂的覆盖膜。

7. 发明申请

WO2015053194A1 ポリ酸を含むメタル含有レジスト下層膜形成組成物审中-公开
标题翻译：含金属含氟薄膜成膜组合物含聚氨酯
公开(公告)号：WO2015053194A1
公开(公告)日：2015-04-16
申请号：PCT/JP2014/076574
申请日：2014-10-03
申请人：日産化学工業株式会社
发明人：中島　誠 , 柴山　亘 , 若山　浩之 , 武田　諭
IPC分类号： G03F7/11 , C08G77/04 , G03F7/26 , H01L21/027 , G03F7/40
CPC分类号： C09D183/04 , C08G77/04 , C08G77/06 , C08G77/26 , C08G77/58 , C08G77/80 , C08K3/22 , C08K3/24 , C08K2003/2244 , C08L83/04 , C08L85/00 , C09D1/00 , C09D5/00 , C09D5/006 , C09D7/61 , C09D183/08 , C09D183/14 , G03F7/0752 , G03F7/091 , G03F7/094 , G03F7/11 , G03F7/168 , G03F7/20 , G03F7/32 , H01L21/0271 , H01L21/0332 , H01L21/0335 , H01L21/0337 , H01L21/0338
摘要：　（Ａ）成分：イソポリ酸若しくはヘテロポリ酸又はそれらの塩又はそれらの組み合わせと、　（Ｂ）成分：ポリシロキサン、ポリハフニウムオキサイド若しくは酸化ジルコニウム又はそれらの組み合わせとを含み、　（Ａ）成分と（Ｂ）成分の合計量に基づいて（Ａ）成分を０．１乃至８５質量％の割合で含有するレジスト下層膜形成組成物であって、　該ポリシロキサンが、Ｒ 1 a Ｒ 2 b Ｓｉ(Ｒ 3 ) 4-(a+b) で示される加水分解性シランの加水分解縮合物であり、（ａ＋ｂ）が０である加水分解性シランが全加水分解性シラン中６０乃至８５モル％含まれているものであり、　該ポリハフニウムオキサイドが、Ｈｆ(Ｒ 4 ) 4 で示される加水分解性ハフニウムの加水分解縮合物であり、　該酸化ジルコニウムが、Ｚｒ(Ｒ 5 ) 4 、若しくはＺｒＯ(Ｒ 6 ) 2 で示される加水分解性ジルコニウム、又はそれらの組み合わせの加水分解縮合物である組成物。
摘要翻译：含有组分（A）的抗蚀剂下层膜形成组合物，其为异多元酸，杂多酸，多元酸或杂多酸的盐或这些物质的组合，和组分（B），其为聚硅氧烷，聚（氧化铪），氧化锆或这些物质的组合，并且其中组分（A）的含量相对于组分（A）和组分（B）的总量为0.1-85质量％。聚硅氧烷是由R1 aR2 bSi（R3）4-（a + b）表示的可水解硅烷与下式所代表的可水解硅烷的水解缩合产物：其中（a + b）为0，以相对于其中所含的所有可水解硅烷为60-85摩尔％。聚（铪氧化物）是由Hf（R 4）4表示的可水解铪的水解缩合产物。氧化锆是由Zr（R 5）4或ZrO（R 6）2表示的可水解锆的水解缩合产物或这些物质的组合。

8. 发明申请

WO2015030060A1 レジスト下層膜を適用したパターン形成方法审中-公开
标题翻译：使用电阻膜的图案形成方法
公开(公告)号：WO2015030060A1
公开(公告)日：2015-03-05
申请号：PCT/JP2014/072449
申请日：2014-08-27
申请人：日産化学工業株式会社
发明人：大橋　智也 , 木村　茂雄 , 臼井　友輝 , 緒方　裕斗
IPC分类号： G03F7/11 , C08F20/32 , G03F7/26 , G03F7/40 , H01L21/027 , C08F8/14
CPC分类号： H01L21/3086 , C08F8/14 , C08F220/32 , G03F7/038 , G03F7/094 , G03F7/40 , H01L21/0273 , H01L21/30604 , H01L21/31111 , H01L21/31138 , H01L21/31144 , C08F220/26 , C08F220/14 , C08F220/18
摘要：【課題】　塩基性過酸化水素水溶液に対する耐性を有するレジスト下層膜を用いたパターン形成方法を提供する。【解決手段】　表面に無機膜が形成されていてもよい半導体基板上に、重量平均分子量１０００乃至１０００００のエポキシ基を有するポリマー及び溶剤を含むレジスト下層膜形成組成物を塗布し、ベークしてレジスト下層膜を形成する第１工程、前記レジスト下層膜上にレジストパターンを形成する第２工程、前記レジストパターンをマスクとして前記レジスト下層膜をドライエッチングし、前記無機膜又は前記半導体基板の表面を露出させる第３工程、並びにドライエッチング後の前記レジスト下層膜をマスクとして、塩基性過酸化水素水溶液を用いて前記無機膜又は前記半導体基板をウエットエッチングする第４工程、を含むパターン形成方法。
摘要翻译： [问题]提供一种使用对碱性过氧化氢水溶液具有耐性的抗蚀剂下层膜的图案形成方法。 [解决方案]一种图案形成方法，其包括：第一步骤，其中将含有溶剂和重均分子量为1,000-100,000的聚合物和环氧基的抗蚀剂下层膜形成组合物施加到半导体衬底，其可以任选地在表面上具有无机膜，并且在其上烘烤抗蚀剂下层膜组合物，从而形成抗蚀剂下层膜; 第二步，其中抗蚀剂图案形成在抗蚀剂下层膜上; 第三步骤，其中使用抗蚀剂图案作为掩模对抗蚀剂下层膜进行干蚀刻，从而暴露无机膜或半导体衬底的表面; 以及第四步骤，其中使用碱性过氧化氢水溶液湿法蚀刻无机膜或半导体衬底，同时在干蚀刻之后使用抗蚀剂下层膜作为掩模。

9. 发明申请

WO2014123102A1 COMPOUND, MATERIAL FOR FORMING UNDERLAYER FILM FOR LITHOGRAPHY, UNDERLAYER FILM FOR LITHOGRAPHY, AND PATTERN FORMATION METHOD 审中-公开
标题翻译：化合物，用于形成用于岩石的底层膜的材料，用于层析的底膜和图案形成方法
公开(公告)号：WO2014123102A1
公开(公告)日：2014-08-14
申请号：PCT/JP2014052524
申请日：2014-02-04
申请人： MITSUBISHI GAS CHEMICAL CO
发明人： ECHIGO MASATOSHI , MAKINOSHIMA TAKASHI , UCHIYAMA NAOYA
IPC分类号： C07D311/86 , G03F7/11 , G03F7/26 , H01L21/027
CPC分类号： C07D311/82 , C07D311/86 , G03F7/0752 , G03F7/094 , G03F7/11 , G03F7/26 , H01L21/31116 , H01L21/31144
摘要： This material for forming an underlayer film for lithography contains a compound represented by general formula (I). (In formula (I): X each independently is an oxygen atom or a sulfur atom; R1 is a single bond or a 2n-valent hydrocarbon group having 1-30 carbon atoms, said hydrocarbon group optionally having a cyclic hydrocarbon group, a double bond, a heteroatom, or an aromatic group having 6-30 carbon atoms; R2 each independently is a straight-chain, branched, or cyclic alkyl group having 1-10 carbon atoms, an aryl group having 6-10 carbon atoms, an alkenyl group having 2-10 carbon atoms, or a hydroxyl group, where at least one R2 is a hydroxyl group; m each independently is an integer from 1 to 4; n is an integer from 1 to 4; and p is 0 or 1.)
摘要翻译：用于形成用于光刻的下层膜的材料包含由通式（I）表示的化合物。（式（I）中，X各自独立地为氧原子或硫原子，R1为单键或碳原子数为1〜30的2价烃基，所述烃基任选具有环状烃基，双键键，杂原子或具有6-30个碳原子的芳基; R2各自独立地为具有1-10个碳原子的直链，支链或环状烷基，具有6-10个碳原子的芳基，烯基具有2-10个碳原子的基团或羟基，其中至少一个R 2为羟基; m各自独立地为1至4的整数; n为1至4的整数; p为0或1。）

10. 发明申请

WO2014122055A1 MASKING METHOD FOR SEMICONDUCTOR DEVICES WITH HIGH SURFACE TOPOGRAPHY 审中-公开
标题翻译：具有高表面形貌的半导体器件的掩模方法
公开(公告)号：WO2014122055A1
公开(公告)日：2014-08-14
申请号：PCT/EP2014/051715
申请日：2014-01-29
申请人： AMS AG
发明人： KOPPITSCH, Günther , STÜCKLER, Ewald , ROHRACHER, Karl , TEVA, Jordi
IPC分类号： G03F7/09 , H05K3/00
CPC分类号： H01L21/76882 , G03F7/094 , H01L21/0335 , H01L21/7685 , H01L21/76883 , H01L21/76898
摘要： The method comprises the steps of providing a semiconductor body or substrate (1) with a recess or trench (2) in a main surface (10), applying a mask (3) on the main surface, the mask covering the recess or trench, so that the walls and bottom of the recess or trench and the mask together enclose a cavity (4), which is filled with a gas, and forming at least one opening (5) in the mask at a distance from the recess or trench, the distance (6) being adapted to allow the gas to escape from the cavity via the opening when the gas pressure exceeds an external pressure.
摘要翻译：该方法包括以下步骤：在主表面（10）中提供具有凹槽或沟槽（2）的半导体主体或衬底（1），在主表面上施加掩模（3），覆盖凹部或沟槽的掩模，使得凹部或沟槽和面罩的壁和底部一起包围填充有气体的空腔（4），并且在距离凹部或沟槽一定距离处的掩模中形成至少一个开口（5）所述距离（6）适于当所述气体压力超过外部压力时允许所述气体经由所述开口从所述空腔逸出。

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