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    • 8. 发明申请
    • 炭化珪素単結晶基板及びその製造方法
    • 硅碳化硅单晶及其制造方法
    • WO2013031856A1
    • 2013-03-07
    • PCT/JP2012/071885
    • 2012-08-29
    • 新日鐵住金株式会社佐藤 信也藤本 辰雄柘植 弘志勝野 正和
    • 佐藤 信也藤本 辰雄柘植 弘志勝野 正和
    • C30B29/36
    • C30B23/02C30B23/00C30B29/36H01L29/1608Y10T428/21
    • 結晶品質が高く、特にらせん転位密度の極めて低いSiC単結晶の製造方法、及びこの方法によって得られたSiC単結晶インゴットを提供する。特に、昇華再結晶法で成長させたバルクの炭化珪素単結晶から切り出された基板であって、中心部に比べて周辺部でのらせん転位密度が小さく、部分的にらせん転位が低減された炭化珪素単結晶基板を提供する。 種結晶を用いた昇華再結晶法によるSiC単結晶の製造方法であって、これによって得られたSiC単結晶インゴットである。特に、基板の直径をRとして、基板の中心点Oを中心にして0.5×Rの直径を有した中心円領域と、該中心円領域を除いた残りのドーナツ状周辺領域とを定義したとき、前記ドーナツ状周辺領域で観察されるらせん転位密度の平均値が、前記中心円領域で観察されるらせん転位密度の平均値の80%以下であることを特徴とする炭化珪素単結晶基板である。
    • 提供了一种具有高结晶质量,特别是非常低的螺旋位错密度的碳化硅单晶和通过该方法获得的碳化硅单晶锭的制造方法。 具体地说,提供从通过升华和重结晶方法生长的块状碳化硅单晶切割的碳化硅单晶晶片,其中在边缘区域中的螺旋位错密度小于中心区域,并且螺旋位错部分地减少。 本发明是通过使用晶种的升华和重结晶法制造碳化硅单晶的制造方法,是使用该制造方法得到的碳化硅单晶锭。 具体地说,本发明是一种碳化硅单晶晶片,其特征在于,当以R为晶片直径的方式定义以中心点(O)为中心的中心圆形区域,其直径为0.5×R ,以及由排除该中心圆形区域的剩余部分组成的环形边缘区域,环形边缘区域观察到的螺旋位错密度的平均值不超过观察到的螺旋位错密度的平均值的80% 在中央圆形区域。
    • 9. 发明申请
    • 光学的情報記録媒体とその製造方法
    • 光学信息记录介质及其制造方法
    • WO2013031107A1
    • 2013-03-07
    • PCT/JP2012/005118
    • 2012-08-10
    • パナソニック株式会社北浦 英樹
    • 北浦 英樹
    • B41M5/26G11B7/24G11B7/243G11B7/26
    • G11B7/24067G11B7/24035G11B7/2433G11B7/266Y10T428/21Y10T428/2457
    • 初期化が不要かつ高密度記録における信号品質が良好な光学的情報記録媒体を提供すること。光学的情報記録媒体は、光ビームの照射により情報が記録される記録膜(4)を備えている。この記録膜(4)は、Ge、Bi及び50at%以上のTeを含有し、面方向に形成された、Biの含有量が15at%以上の第1記録膜部(411)と、光ビームが照射される側に面方向に形成され、第1記録膜部(411)よりもBiの含有量が10at%以上少ない第2記録膜部(412)と、第1記録膜部(411)と第2記録膜部(412)の間の膜厚方向におけるBiの含有量の変化を緩やかにするために第1記録膜部(411)と第2記録膜部(412)の間に設けられ、第2記録膜部(412)のBiの含有量より多く第1記録膜部(411)のBiの含有量より少ないBiの含有量の中間記録膜部(413)とを有する。
    • 提供了一种光信息记录介质,其不需要被初始化,并且在高密度记录中具有优异的信号质量。 光信息记录介质具有通过光束照射在其上记录信息的记录膜(4)。 记录膜(4)包含Ge,Bi和50at%以上的Te,并具有:在表面方向形成并且Bi含量为15原子%以上的第一记录膜部(411) ; 第二记录膜部分(412),其形成在要被照射的光束侧的表面方向上,并且具有比第一记录膜部分(411)的Bi含量低10at%的Bi含量; 更多; 以及设置在第一记录膜部分(411)和第二记录膜部分(412)之间的中间记录膜部分(413),用于逐渐地使膜厚度方向上的Bi含量的变化在 第一记录膜部分(411)和第二记录膜部分(412),并且其Bi含量大于第二记录膜部分(412)的Bi含量,但小于第一记录膜部分的Bi含量 411)。